JPH02269475A - 高圧整流器および関連の電子制御回路 - Google Patents

高圧整流器および関連の電子制御回路

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JPH02269475A
JPH02269475A JP1344996A JP34499689A JPH02269475A JP H02269475 A JPH02269475 A JP H02269475A JP 1344996 A JP1344996 A JP 1344996A JP 34499689 A JP34499689 A JP 34499689A JP H02269475 A JPH02269475 A JP H02269475A
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voltage
switch
current
rectifier
switches
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JP1344996A
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Roel Tietema
ローエル ティーテマ
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Hauzer Holding BV
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Publication date
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    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/156Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
    • H02M3/158Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、入力変圧器かつまた続いて起る整流、平滑お
よびスイッチングユニットかつまた発生過電流に依存す
るスイッチ制御装置からなるPVD塗布処理のごとき真
空処理におけるバイアス電源としてとくに使用する高圧
整流器に関し、さらにまた、かかる高圧整流器に関連し
て使用すべくなされた電子制御回路に向けられる。
〔従来の技術〕
PVD方法に関しては、本質的に3つの処理段階、すな
わち加熱段階、洗浄段階および塗布段階に区別すること
ができる。加熱段階の間中製品の加熱および洗浄はイオ
ン化ガスによって行なわれる。金属蒸発器はオンされな
い。高圧整流器はプラズマにエネルギを供給する。洗浄
段階の間中金属蒸発器はオンされる。金属イオンはアー
クによって発生されかつ重いイオンのプラズマを形成す
る。
基板はこの間中高圧整流器によって最も高い最大電圧値
に保持される。塗布段階において金属蒸発器からのイオ
ンは例えばガスと混合されかつ基板上に堆積される。こ
の段階の間中高圧整流器は101000Vおよびそれ以
上の電圧を発生しかつ例えば400v以下になる低い電
圧を供給する。
〔発明が解決しようとする課題〕
かかる塗布方法によれば、高圧整流器用の短絡状の負荷
を呈する基板上のアーク放電の発生は回避できずかつそ
れゆえこれから生じる損失作用を回避しかつ印加された
電圧を基板から除去するために遅延なしにこのようなア
ーク放電を検出するような試みがなされねばならないと
いう問題点がある。
本発明が基礎を置いている目的は、かくして、アーク放
電が非常に短かい時間内に検出されることができ、その
結果アーク放電の次の検出を遅延なしにオフされること
ができかつしたがって基板上の損失作用が阻止されるこ
とができるような方法において最初に述べた種類の高圧
整流器を開発することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的は、本発明によれば、本質的に、各場合に、2
次変圧器巻線から供給される整流器が次の平滑コンデン
サ、出力電圧調整用直流変換器として使用する第1スイ
ッチ、電流脈動の平滑に使用するチョークかつまた出力
電圧の平滑に向けられるコンデンサ、およびその出力に
回復ダイオードが接続される整流器段に発生過電流に依
存して制御される第2スイッチと結合され;そして平滑
チョークがそれぞれの第2スイッチによって第1回復回
路に切り換えられ、それぞれの第2スイッチの各オフ以
前に関連の第1スイッチが予め定めた短かい時間導通状
態に持ち来されかつ次いでオフされることによって解決
される。
また、本発明のとくに好都合な展開は請求項2ないしら
に記載されている。
本発明によれば、また、上述した方法において形成され
る高圧整流器用の考え得る電子制御回路は、アークまた
は予め定め得る最大電流の発生に依存して、通常の動作
において使用される電圧調整から電流制限による調整へ
の切換えを引き起す検出および調整回路を備え、電流の
所望値が少なくとも実質上アークの発生以前の最後に伝
送された実際値に等しく、そして電圧調整への切換えが
アークが消滅されるや否や最大値への出力電圧の新たな
調整を引き起すことによって達成される。
この電子制御回路の好都合な展開は請求項8ないし10
に記載されている。
〔作用〕 本発明による高圧整流器のレイアウトによれば、それぞ
れの処理段階に理想的な整合を達成することができる。
第1および第2スイッチの作動は、第1および第2回復
回路に関連して、高電流降下率の発生かつしたがってイ
ンダクタでの高ピーク電圧の発生によって同様に、スイ
ッチング素子、とくに半導体素子の破壊または損傷に至
る動作状態を発生することができないことを保証するこ
とができる。
それにも拘らず、ミリ秒の何分の1以内でアーク放電を
簡単に検出しかつオフすることができる。
そのうえ、スイッチング装置はアーク放電がオフされた
後再び急速に達成されるような整流器の最大出力電圧を
可能にする。
同−段の直列回路の形の幾つかの同−段からの高圧整流
器の構造は個々の構成要素にそれらの電気的強度に関し
てとくに高い条件が出され必要がないため有効であり、
かつしたがって好都合な価格の構成要素の使用が可能で
ある。
また、電子制御回路は基板上のアーク放電の原因である
減じられた電力汚染による故意の燃え尽しかつしたがっ
てアーク放電の発生の全時間が短縮されることの保証を
可能にする。
〔実施例〕
以下に、本発明を実施例および図面に基づいて詳細に説
明する。
第1図の高圧整流器は記号A、B、Cによって記載され
る直列に接続された幾つかの段からなる。
各段は、個々のスイッチング素子は異なることができる
けれども、同じ構造からなる。
各段A、B、Cは主電圧と出力電圧との間の電流分能を
保証するために2次変圧器巻線を介して供給される。す
べての2次巻線はそれぞれの変圧器に設けられることが
できるかまたは共通の変圧器に配置されることができる
。第1図には3個の別個の変圧器TA、TBおよびTC
が例として示される。
それぞれの変圧器から到来する2次電圧は整流器VA、
VBまたはVCによって整流されかつ各場合に次の平滑
コンデンサC1A、C1B、C1Cによって平滑される
各段において次いでゼロ値と最大値との間の各段の出力
電圧を・調整するための直流変換器としてスイッチング
作動に使用されるそれぞれ半導体に基礎を置いたスイッ
チSIA、SIB、SICが続いている。トランジスタ
スイッチが段Aに使用され、一方GTOスイッチが段B
およびCに設けられる。しかしながら、半導体を基礎に
置いたスイッチが使用されかつこれらのスイッチが1個
の制御パルスまたは幾つかの制御パルスによってオフさ
れることができることのみが重要である。
各スイッチには電流脈動(リップル)を平滑にするため
のチョークLIA、LIBまたはLICがそれぞれ続い
ている。平滑コンデンサC2A。
02BまたはC2Cはそれぞれ各段に出力電圧を平滑す
るために設けられる。
とくに好都合なことは、比較的小さなチョークが実際の
作動に使用される高いスイッチング周波数の結果として
使用されることができかつこれが整流器の所望の簡潔性
に関して好都合であるということである。
さらに、スイッチS2A、S2Bおよび82Gがそれぞ
れ各段においてそれぞれの段の電流を遮断するまたはア
ーク放電の発生時に、または全体の整流器の出力端子に
おける短絡または大きな過負荷の発生において電流をゼ
ロに減じるために設けられる。
チョークLIA、LIB、LIGそれぞれの電流はスイ
ッチS2A、S2B、S2Cそれぞれによって回復回路
5t−Ll−82に切り換えられる。この方法において
出力電流はゼロに減じられる。
重要なことは、スイッチSIA、SIB、SICがそれ
ぞれコンデンサC1S、C2S、C3Sが関連のスイッ
チSIA、SIB、SICがオフさけるとき放電される
ことを保証するためにスイッチS2A、S2Bおよび8
2Cのオフ前の瞬間に例えば約100ミリ秒の特定の時
間だけ導通されるということである。この方法は関連の
スイッチが損傷または破壊されることができないことを
保証する。
各段A、B、Cそれぞれの出力に設けられた回復ダイオ
ードD3A、D3BおよびD3Cは各段が独立して、す
なわち整流器の1またはそれ以上の段がオフされるかど
うかから独立して作動できることを保証する。RCD回
路網は整流器の出力端子間に設けられ、過電圧救済回路
として役立ちそしてダイオードD4との抵抗器R1の並
列回路、そして直列に接続された抵抗器R2およびそれ
に並列に接続されたコンデンサC3を有する同一直列回
路に横たわる抵抗器R3からなる。
整流器の出力電圧は■9゜、□で示されかつ出力電流は
I A@1111で記載される。スイッチに必要とされ
る制御信号はこれらのパラメータを介して形成される。
第2図は、入力信号を形成する記載した帰還信号1 v
olLIlおよびI Ampsにより、制御信号を得る
ための回路配置の1例の概略ブロック図を示す。
この回路装置の出力において得られる信号OIA、OI
B、OICおよび02A、02B、02Cはその場合に
第1図のスイッチSIA、SIB。
SIGおよびS2A、S2B、S2Gのオンおよびオフ
(投入および切断)用の制御信号を示す。
また、記載されるべきことは、第1図の回路配置の入力
端に設けられた抵抗器RLが平滑コンデンサC1A、C
1B、C1C用の充電電流制限抵抗器を示すということ
である。これらのコンデンサの充電後のこの抵抗器RL
はスイッチSLによって橋絡される。
以下に、第1図の回路配置の作動方法について説明する
。実施例に設けられた第1図の回路配置の3つの段はA
が最大約200ボルトの電圧で直流電流を供給しかつ段
BおよびCが各場合に最大約500ボルトの電圧で直流
電流を供給するように計画されることができる。かくし
て、この例によれば、1200ボルトの直流電圧が出力
において利用できる。同一方法において各々250ボル
トの2段により作動することができ、その結果500ボ
ルトの電圧が塗布処理に利用できる。引用した値は単な
る例を示す。
その処理の洗浄段階において、最大出力電圧が使用され
る。すなわちGTO段Bお上びCはこの処理段階の間中
完全に導通している。これは同時に段Bおよび段Cの第
1スイッチSIBおよびSICが永続的に導通である一
方段Aの第1スイッチSIAは切り換えられかつ出力電
流および出力電圧を調整することを意味する。
段BおよびCはまず段Aの制御範囲外でスイッチング動
作に入り、それは通常の処理条件によりトランジスタの
スイッチングのみ、すなわち発生する約10KHでのス
イッチングであるという利点を有しかつしたがって実質
上より低い騒音負荷が約2KHのスイッチング周波数で
作動するGTO段のスイッチングの場合に発生する。
GTOがスイッチング作動にある領域は常に通常の作動
範囲において迅速に移動させられる。
中間の範囲においてより長い時間作動することを必要と
するのは処理の加熱段階の間中のみであるが、初期電流
はGTOによって発生された騒音負荷が比較的小さいま
まであるように比較的小さい。実際の塗布処理の間中そ
れは作動している整流器の段Aのみである。
アーク放電の発生または検出の間中すべての段は直ちに
遮断される。これは基板上への非常に高いアーク電流の
発生を回避しかつしたがってそれぞれの基板上への損傷
の危険を取り除く。アーク放電の発生の瞬間にコンデン
サCiSはこのコンデンサがまずR2Sおよびトランジ
スタまたは対応するGTOスイッチをそれぞれ介して放
電しなければならないのでまだより高い電圧に横たわる
これは、このスイッチング素子が、出力に依存するアー
ク放電のため、高い繰返し電圧で非常に大きな電流をオ
フしなければならないことを意味する。このような作動
状態において、半導体は破壊されかつまたは少なくとも
損傷されるかも知れない。
この危険を回避するために本方法はアークを認めたとき
スイッチS2が遮断しかつ同時にスイッチStが短かい
遅延期時間Δtだけ導通されるかまた導通状態に保持さ
れる。S2Aのオフが行なわれるならば、その場合SA
2の電流はチョークL I A、ダイオードD2Aおよ
びスイッチSIAを含んでいる回復回路に切り換えられ
る。時間Δtの満了後スイッチSIAがまたオフされか
つさらに他の回復回路がその場合にチョークLIA。
ダイオードD2A1コンデンサCIAおよびダイオード
DIAを経由して発生する。加えて回復回路がL1S、
DisおよびRLSを経由して実現される。
この方法においてチョークLIAに蓄えられたエネルギ
がコンデンサCIAに帰還されることを保証する。
段Aについて示された処理が次に他の段において同様に
行なわれる。
段Aの新たなオン時スイッチS2Aがまずオンされる。
スイッチSIAのオンはスイッチS2Aのオン後行なわ
れかつこれは好ましくは急激にではなくむしろ比較的急
速な清らな開始を経由して行なわれる。
アーク放電の決定は信号I A@pHの値が予め定めた
電流値を超えるときその信号を経由して行なわれる。本
発明の特別な特徴によれば、しかしながら、オフはまた
信号■9゜□、を経由して決定された出力電圧が降下す
るとき低電流値で行なわれる。
この方法の結果としてアーク放電の発生に関する検出は
実質上より高感度になされる。そのようになすことにお
いて、しかしながら電流オフレベルが特定した最小値以
下に降下しないことが保証される。
第3図は第1図による高圧整流器に関連して使用するた
めの電子制御装置の好都合な実施例を示す。
この電子制御回路は制限された電力による処理の洗浄段
階の間中基板の汚染の選択的な燃え尽しを可能にする。
これは電流制限におけるアーク放電の発生の間中作動す
るような調整を許容しかつ電流の所望値としてアークの
発生前に最後に運ばれた実際の値に対応する電流の値を
使用することによって達成される。アークの消滅後スイ
ッチング装置は再び電圧調整に切り換えられかつ出力電
圧はその最大値に戻される。
ブロック回路の形で第3図に示される電子制御回路の作
動方法を次に説明する。
入力側で電圧VFRの実際に有力な値は比較器Klにお
ける出力電流から引き出された電圧値と比較される。こ
の比較器Klは電圧が、すでに大体において説明された
ように、高出力電圧の存在の場合におけるより降下した
ときより小さな電流値で切り換わる。
比較器Klの切り換えは出力電圧がその間中公知の方法
において低い値に降下するアーク放電の検出に対応する
比較器Klの後に接続されたモノフロップMF1は比較
器Klが高いレベル後切り換るとき出力Qにパルス論理
lを付与する。Klのレベルが高いならばその場合出力
Qは論理0になりかつ出力Qは時間Δt1の間中論理l
である。
次いで、電流の実際値が、通常の状況下で、増幅器V2
および抵抗器R6を経由して電流調整器に通され、一方
電流の所望の値が抵抗WR8およびR7を経由して電流
調整器に通る。アーク放電が発生しなければそこで電子
スイッチES2が閉止され、それにより増幅器Vlは抵
抗器R3を経由して電流調整器に影響を及ぼさない。
電流調整器は電圧調整4と並列に作動しかつこれら2つ
の調整器の出力電圧はそれぞれパルスに変換され、これ
らのパルスは第1図に関連して説明された段A、Bおよ
びCに類似して構成される整流器段1〜4に通される。
コンデンサC1はR2,DIお上びCIによって形成さ
れるフィルタを経由してアーク放電の発生前の最後に流
れている出力電流に対応する値に充電される。留意され
るべきことは、電子スイッチESIかつまた電子スイッ
チES3はアーク放電が発生しないとき常に開放される
アーク放電が検出されるならば、または任意として、特
定の時間の間中幾つかのアーク放電の発生が基準として
定義されかつこの種の処理が検出されるならば、そこで
比較器Klは切り換わる。
これは順次モノフロップMFIが切り換わるという結果
となり、それにより順次スイッチESIが閉止されかつ
スイッチES2が開放される。
この方法においてコンデンサCIに蓄えられた電流値は
電流用所望値として電流調整器に通される。所望値IR
EFはスイッチES3の閉止により除去される。
それに関連して段l以外のすべての出力段の遮断は次い
でオアゲートG2を介して引き起される。
この段lはCI、R12を介して所望値として電流調整
器に通される制限された電流を供給する。
電流監視は比較器に2によって行なわれる。この比較器
に2は電流が抵抗器R1を介してセットされた一定の値
を超えるとき切り換わるが、この比較器に2のスイッチ
ングは比較器Klが切り換えれないとき効果を持たない
。同一方法において時間Δt1中の比較器に2のスイッ
チングはモノ70ツブMF’lの出力Qがゼロであるた
め効果を持たない。
アーク放電が時間Δtlの間中消滅していたとき装置は
電圧調整に戻り、リセット信号が比較器Llからモノフ
ロップMFlへのスイッチング時に伝送される。
アーク放電が時間Δtlの間中依存したままであるなら
ばかっR1によって決定されるレベル以上である電流値
が発生するならば、そこでモノフロップMFIの出力Q
は時間Δt1の満了のため高くなるが、比較器に1はま
だ依存するアーク放電のため高いままであり、そして比
較器に2は電流がR1を介してセットされた値より大き
いため同様に高い。
この場合にアンドゲートGlは高く切り換りかつモノフ
ロップMF2の出力Qは時間Δt2について高い。これ
は順次、すべての最終後、すなわち段1〜4が遮断され
、かつ所望値設定装置の供給電圧かつまた所望値それ自
体がゼロに設定されるという結果を生じる。
時間Δtlの満了検出力電圧および出力電流が値ゼロに
達し、かつしたがってアーク放電が消滅されるというこ
とは確かである。
所望の値は次いで急上昇を有するランプ発生器を経由し
て設定値に戻され、かつ通常の作動における装置の出力
位置が再び達成される。
比較器に3は絶対電流最大値を特定するのに役立ち、こ
の絶対電流最大値においてすべての段はこの最大値を超
過するとき遮断される。
記載された回路装置は本発明の基本的な概念から逸脱す
ることなく種々の観点において変更されることができる
。したがって例えば、帰還信号【^spaの代りに、個
々の段、例えば第1図においてIIAが分岐させられる
位置において帰還信号を分岐させることができる。
〔発明の効果〕
上述したように、本発明によれば、2次巻線から供給さ
れる整流器が平滑コンデンサ、第1スイッチ、チョーク
およびコンデンサ、および第2スイッチと結合され、そ
して平滑チョークが第2スイッチによって第1回復回路
に切り換えられ、第2スイッチの各オフ以前に関連の第
1スイッチが予め定めた短かい時間だけ導通状態に持ち
来たされかつ次いでオフされるようにしたので、第1お
よび第2スイッチの作動が第1および第2回復回路に関
連して、高電流降下率の発生かつインダクタでの高ピー
ク電圧の発生によっても、スイッチング素子の破壊また
は損傷に至る動作状態を発生しない高圧整流器を提供す
ることができる。
また、本発明によれば、アークの発生に依存して通常の
動作において使用される電圧調整から電流制限による調
整への切換を引き起す検出および調整回路を備えたので
、電流の所望値が少なくとも実質上アークの発生以前の
最後に伝送された実際値に等しく、そして電圧調整への
切換えがアークが消滅されるや否や最大値への出力電圧
の新たな調整を引き起すことにより、基板上のアーク放
電の原因である減じられた電力汚染による故意の燃え尽
しおよびアーク放電の発生の全時間の短縮を可能にする
高圧整流器用電子制御回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による高圧整流器を示す概略ブロック回
路図、 第2図は第凰図の回路装置用制御パルスを発生するため
のスイッチング装置を示すブロック回路図、 第3図は第1図の4段高圧整流器に関連して使用される
ことができる電子制御回路を示すブロック回路図である
。 図中、符号VA、VB、VCは整流器、CIA。 CIB、CICは平滑コンデンサ、SIA、StB、S
ICは第1スイッチ、L1A、L1B、L1Cはチョー
ク、C2A、C2B、C2Gはコンデンサ、S2A、S
2B、C2Gは第2スイッチ、Δ、B、Cは整流器段、
D3A、D3B、D3Gは回復ダイオード、L1A、L
1B、L1Cは平滑チョーク、R2Sは抵抗器、D2S
はダイオード、S1A、L1A、D2Aは第1回復回路
である。

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)入力変圧器かつまた続いて起る整流、平滑および
    スイッチングユニットかつまた発生過電流に依存するス
    イッチ制御装置からなるPVD塗布処理のごとき真空処
    理におけるバイアス電源としてとくに使用する高圧整流
    器において、各場合に、2次変圧器巻線から供給される
    整流器(VA、VB、VC)が次の平滑コンデンサ(C
    1A、C1B、C1C)、出力電圧調整用直流変換器と
    して使用する第1スイッチ(S1A、S1B、S1C)
    、電流脈動の平滑に使用するチョーク(L1A、L1B
    、L1C)かつまた出力電圧の平滑に向けられるコンデ
    ンサ(C2A、C2B、C2C)、およびその出力に回
    復ダイオード(D3A、D3B、D3C)が接続される
    整流器段(A、B、C)に発生過電流に依存して制御さ
    れる第2スイッチ(S2A、S2B、S2C)と結合さ
    れ;そして前記平滑チョーク(L1A、L1B、L1C
    )がそれぞれの第2スイッチ(S2A、S2B、S2C
    )によって第1回復回路(S1A、L1A、D2A;S
    1B、L1B、D2B;S1C、L1C、D2C)に切
    り換えられ、前記それぞれの第2スイッチの各オフ以前
    に前記関連の第1スイッチ(S1A、S1B、S1C)
    が予め定めた短かい時間導通状態に持ち来たされかつ次
    いでオフされることを特徴とする高圧整流器。
  2. (2)前記第1スイッチ(S1A、S1B、S1C)お
    よび前記第2スイッチ(S2A、S2B、S2C)は、
    半導体に基礎を置いたスイッチ、とくにトランジスタま
    たは1つの制御パルスによってまたは幾つかの制御パル
    スによってオフされることができるGTOからなること
    を特徴とする請求項1に記載の高圧整流器。
  3. (3)コンデンサ(C1S、C2S、C3S)および抵
    抗器(R2S)からなる直列回路は各場合に前記第1お
    よび第2スイッチ(S1A、S1B、S1C;S2A、
    S2B、S2C)のスイッチング部材の導通路に対して
    並列に設けられ;そして前記スイッチング部材の導通方
    向に極性を与えられたダイオード(D2S)が前記抵抗
    器(R2S)に並列に接続されることを特徴とする請求
    項1または2に記載の高圧整流器。
  4. (4)少なくとも2つの同じ整流器段(A、B、C)が
    直列に接続されることを特徴とする前記請求項のいずれ
    か1項に記載の高圧整流器。
  5. (5)前記同じ整流器段(A、B、C)が過電圧に対す
    る保護として作用するRCD回路網に接続されることを
    特徴とする請求項4に記載の高圧整流器。
  6. (6)電流脈動を平滑するのに向けられる前記チョーク
    (L1A;L1B;L1C)用の第2回復回路が各段に
    設けられかつ前記第1および第2スイッチ(S1A、S
    2A;S1B、S2B:S1C、S2C)がオフされる
    とき有効であり、前記回復回路はダイオード(D1A、
    D2A;D1B、D2B;D1C、D2C)およびそれ
    ぞれの入力側平滑コンデンサ(C1A、C1B、C1C
    )を含むことを特徴とする前記請求項のいずれか1項に
    記載の高圧整流器。
  7. (7)前記第1スイッチ(S1A、S1B、S1C)の
    投入時点は前記それぞれの第2スイッチ(S2A、S2
    B、S2C)の投入時点に対して時間的に遅延されるこ
    とを特徴とする前記請求項のいずれか1項またはそれ以
    上に記載の高圧整流器。
  8. (8)制御パルス(O1A、O2S;O1B、O2B;
    O1C、O2C)を発生する制御回路は出力電流および
    出力電圧に対応する信号を受信しかつ予め定め得る電流
    値を超えたとき制御パルスを供給し、この予め定め得る
    電流値は電圧の低下に依存して低下されることを特徴と
    する前記請求項いずれか1項またはそれ以上に記載の高
    圧整流器。
  9. (9)高圧整流器、とくに前記請求項の1またはそれ以
    上に記載の高圧整流器用電子制御回路において、アーク
    または予め定め得る最大電流の発生に依存して、通常の
    動作において使用される電圧調整から電流制限による調
    整への切換えを引き起す検出および調整回路を備え、電
    流の所望値が少なくとも実質上アークの発生以前の最後
    に伝送された実際値に等しく、そして前記電圧調整への
    切換えがアークが消滅されるや否や最大値への出力電圧
    の新たな調整を引き起すことを特徴とする高圧整流器用
    電子制御回路。
  10. (10)電流制限による調整への遷移時多段整流器の作
    動が単一段作動に切り換えられることを特徴とする請求
    項9に記載の高圧整流器用電子制御回路。
  11. (11)追加の検出回路が予め定め得る時間および/ま
    たは予め定め得る電流値を超えるアーク放電を検出する
    のに設けられ;そしてこの検出回路がすべての整流器段
    を遮断することを特徴とする請求項9または10に記載
    の高圧整流器用電子制御回路。
  12. (12)ランプ発生器が所望の値を調整された値に戻し
    かつ出力電流および出力電圧のゼロ設定を引き起すアー
    ク放電の消滅に続く通常の作動に整流器を持ち来たすた
    めに設けられることを特徴とする請求項9ないし11の
    いずれか1項に記載の電子制御回路。
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