JPH02267898A - シンクロトロン放射装置用アブソーバ - Google Patents
シンクロトロン放射装置用アブソーバInfo
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- JPH02267898A JPH02267898A JP8722989A JP8722989A JPH02267898A JP H02267898 A JPH02267898 A JP H02267898A JP 8722989 A JP8722989 A JP 8722989A JP 8722989 A JP8722989 A JP 8722989A JP H02267898 A JPH02267898 A JP H02267898A
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 21
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- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
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- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 15
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- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、シンクロトロン放射装置用アブソーバに関す
る。
る。
[従来の技術]
加速粒子の進行方向が直線である直線区間及び加速粒子
の進行方向が偏向される偏向区間の組み合わせにて環状
を成し超高真空状態を維持する真空ダクト内にて粒子、
例えば電子を加速し、偏向区間において加速電子の進行
方向を真空ダクトの外周面に設けた超電導コイルにて形
成されるマグネットにて偏向するときに加速電子より放
射されるシンクロトロン放射光を利用するシンクロトロ
ン放射装置が知られている。
の進行方向が偏向される偏向区間の組み合わせにて環状
を成し超高真空状態を維持する真空ダクト内にて粒子、
例えば電子を加速し、偏向区間において加速電子の進行
方向を真空ダクトの外周面に設けた超電導コイルにて形
成されるマグネットにて偏向するときに加速電子より放
射されるシンクロトロン放射光を利用するシンクロトロ
ン放射装置が知られている。
第3図に示す上記のシンクロトロン放射装置の偏向区間
において、電子が偏向される間、円筒状で適宜な半径に
て軸方向に曲げられている真空ダクト1の内周面1aへ
前記電子はシンクロトロン放射光を常に放出し、その一
部が放射先取出口(図示せず)を通り装置外部に導かれ
る。一方、装置外部へ導かれるシンクロトロン放射光以
外の放射光は、真空ダクトlの内周面1aに放射され、
真空ダクl−1は前記放射光が照射されることで発熱す
る。真空ダクトlが発熱することで、真空ダクト1の外
周面側に真空ダクト1に沿って設けられる超電導コイル
2にてなるマグネットを冷却するため真空ダクトlの外
周面側を覆い真空ダクトlに沿う円筒形状の外胴6にて
形成される空間に充填される液体ヘリウム3の消費量が
増加するという現象が生じる。
において、電子が偏向される間、円筒状で適宜な半径に
て軸方向に曲げられている真空ダクト1の内周面1aへ
前記電子はシンクロトロン放射光を常に放出し、その一
部が放射先取出口(図示せず)を通り装置外部に導かれ
る。一方、装置外部へ導かれるシンクロトロン放射光以
外の放射光は、真空ダクトlの内周面1aに放射され、
真空ダクl−1は前記放射光が照射されることで発熱す
る。真空ダクトlが発熱することで、真空ダクト1の外
周面側に真空ダクト1に沿って設けられる超電導コイル
2にてなるマグネットを冷却するため真空ダクトlの外
周面側を覆い真空ダクトlに沿う円筒形状の外胴6にて
形成される空間に充填される液体ヘリウム3の消費量が
増加するという現象が生じる。
そこで従来より偏向区間において、シンクロトロン放射
光が直接真空ダクト1の内周面1aを照射しないように
、真空ダクトlの内周面1aを覆い真空ダクト内周面1
aと適宜な間隔を隔てた状態にて前記内周面1aに沿っ
て放射光吸収体いわゆるアブソーバ4が設けられている
。よってアブソーバ4の内周面4aにシンクロトロン放
射光が照射され、真空ダクト1が発熱するのを防ぐ。又
、アブソーバの内周面4aにシンクロトロン放射光が照
射されることでアブソーバ4は発熱するが、これを防ぐ
ために、アブソーバ4には例えば液体窒素を流す冷却管
5がアブソーバ4の外周面4bに密着して取力付けられ
る。この冷却管5は、装置外部に設けられる冷媒循環装
置(図示せず)に接続され、液体窒素を循環することで
アブソーバ4を冷却するように構成されている。尚、同
様の技術が、例えば特開昭63−124400号公報に
開示されている。
光が直接真空ダクト1の内周面1aを照射しないように
、真空ダクトlの内周面1aを覆い真空ダクト内周面1
aと適宜な間隔を隔てた状態にて前記内周面1aに沿っ
て放射光吸収体いわゆるアブソーバ4が設けられている
。よってアブソーバ4の内周面4aにシンクロトロン放
射光が照射され、真空ダクト1が発熱するのを防ぐ。又
、アブソーバの内周面4aにシンクロトロン放射光が照
射されることでアブソーバ4は発熱するが、これを防ぐ
ために、アブソーバ4には例えば液体窒素を流す冷却管
5がアブソーバ4の外周面4bに密着して取力付けられ
る。この冷却管5は、装置外部に設けられる冷媒循環装
置(図示せず)に接続され、液体窒素を循環することで
アブソーバ4を冷却するように構成されている。尚、同
様の技術が、例えば特開昭63−124400号公報に
開示されている。
又、第3図に示すように、偏向区間に使用される液体ヘ
リウム3を熱的に保護するために、外胴6を覆う、偏向
区間のみならず直線区間の一部にまで延在する外胴6と
同心の外胴8が形成され、外胴6と外胴8により形成さ
れる空間に液体窒素が充填される。
リウム3を熱的に保護するために、外胴6を覆う、偏向
区間のみならず直線区間の一部にまで延在する外胴6と
同心の外胴8が形成され、外胴6と外胴8により形成さ
れる空間に液体窒素が充填される。
[発明が解決しようとする課題]
上記のように構成した場合、アブソーバ4に設けられる
前記冷却管5内で液体窒素が滞った場合、真空ダクトl
を冷却する液体ヘリウム3の熱伝導により滞った液体窒
素が冷却管5内で凝固する可能性があり、液体窒素の循
環ができなくなる可能性がある。又、液体窒素が凝固す
るときの膨張により冷却管5が破損することで、圧力境
界が破れ真空ダクトi内の超高真空状態が維持できない
場合が生じるという問題点があった。
前記冷却管5内で液体窒素が滞った場合、真空ダクトl
を冷却する液体ヘリウム3の熱伝導により滞った液体窒
素が冷却管5内で凝固する可能性があり、液体窒素の循
環ができなくなる可能性がある。又、液体窒素が凝固す
るときの膨張により冷却管5が破損することで、圧力境
界が破れ真空ダクトi内の超高真空状態が維持できない
場合が生じるという問題点があった。
本発明は上述したような問題点を解決するためになされ
たもので、真空ダクト内の超高真空状態を確実に維持す
ることのできるアブソーバを提供することを目的とする
。
たもので、真空ダクト内の超高真空状態を確実に維持す
ることのできるアブソーバを提供することを目的とする
。
[課題を解決するための手段]
本発明は、加速粒子より放出される放射光が照射される
第1のアブソーバと、第1のアブソーバと真空ダクト内
周面との間に第1のアブソーバ及び真空ダクト内周面と
適宜な間隔を隔てて備わる第2のアブソーバと、第1及
び第2のアブソーバの軸方向の両端部において第1及び
第2のアブソーバが接続され真空ダクト内周面に固定さ
れるアブソーバ固定脚と、アブソーバ固定脚を冷却する
冷却手段とを備えたことを特徴とする。
第1のアブソーバと、第1のアブソーバと真空ダクト内
周面との間に第1のアブソーバ及び真空ダクト内周面と
適宜な間隔を隔てて備わる第2のアブソーバと、第1及
び第2のアブソーバの軸方向の両端部において第1及び
第2のアブソーバが接続され真空ダクト内周面に固定さ
れるアブソーバ固定脚と、アブソーバ固定脚を冷却する
冷却手段とを備えたことを特徴とする。
[作用]
第1のアブソーバ側は、放射光が真空ダクト内周面に照
射されるのを防ぎ真空ダクトが発熱することを防止する
。第2のアブソーバは、放射光が照射され発熱する第1
のアブソーバより発生し真空ダクト内周面へ熱影響を及
ぼす輻射熱を遮蔽するとともに前記輻射熱を第1のアブ
ソーバ側へ反射する。冷却手段により冷却されるアブソ
ーバ固定脚は、熱伝導により第1及び第2のアブソーバ
を冷却する。
射されるのを防ぎ真空ダクトが発熱することを防止する
。第2のアブソーバは、放射光が照射され発熱する第1
のアブソーバより発生し真空ダクト内周面へ熱影響を及
ぼす輻射熱を遮蔽するとともに前記輻射熱を第1のアブ
ソーバ側へ反射する。冷却手段により冷却されるアブソ
ーバ固定脚は、熱伝導により第1及び第2のアブソーバ
を冷却する。
[実施例]
本発明の一実施例を示す第1図において、第3図と同じ
構成部分については同じ符号を付し、その説明を省略す
る。
構成部分については同じ符号を付し、その説明を省略す
る。
二重アブソーバ10は、詳細後述の2枚のアブソーバを
直径方向に並列に並べ、真空ダクト1の内部であって真
空ダクI−1の外周側、即ち加速電子より放出されるシ
ンクロトロン放射光の照射範囲に真空ダクト内周面1a
に沿って設けられるものである。
直径方向に並列に並べ、真空ダクト1の内部であって真
空ダクI−1の外周側、即ち加速電子より放出されるシ
ンクロトロン放射光の照射範囲に真空ダクト内周面1a
に沿って設けられるものである。
二重アブソーバ10は、壁厚が0.5mmの銅板からな
る補助アブソーバ10bと、壁厚が20mmの銅板から
なる主アブソーバ10aと、アブソーバ固定脚12とを
有し、主アブソーバ10a及び補助アブソーバtobは
、適宜な間隔11を隔てて相対向して平行に設けられ、
第2図に示すように、アブソーバ10の長手方向の両端
部にてアブソーバ固定脚12に接続される。さらに二重
アブソーバ10は、補助アブソーバ10bを真空ダクト
内周面la側とし、真空ダクト内周面1aと適宜な間隔
13を隔てて真空ダクト内周面1aと同心に曲げられる
とともに真空ダクト内周面1aに沿って長手方向にも曲
げられる。そしてアブソーバ固定脚12を真空ダクト内
周面1aに固定することでアブソーバlOが真空ダクト
1内に設置される。
る補助アブソーバ10bと、壁厚が20mmの銅板から
なる主アブソーバ10aと、アブソーバ固定脚12とを
有し、主アブソーバ10a及び補助アブソーバtobは
、適宜な間隔11を隔てて相対向して平行に設けられ、
第2図に示すように、アブソーバ10の長手方向の両端
部にてアブソーバ固定脚12に接続される。さらに二重
アブソーバ10は、補助アブソーバ10bを真空ダクト
内周面la側とし、真空ダクト内周面1aと適宜な間隔
13を隔てて真空ダクト内周面1aと同心に曲げられる
とともに真空ダクト内周面1aに沿って長手方向にも曲
げられる。そしてアブソーバ固定脚12を真空ダクト内
周面1aに固定することでアブソーバlOが真空ダクト
1内に設置される。
尚、アブソーバ固定脚12は、第2図に示すように、偏
向区間を越えた直線区間における真空ダクト内周面1a
に固定され、又、アブソーバ固定脚!2が固定される位
置に対応する真空ダクトlの外周面1bは、第2図に示
すように、外胴6の外側、外胴8の内側に対応し液体窒
素で満たされている。よって、アブソーバ固定脚12が
固定される位置における真空ダクトlの温度は液体窒素
温度となっており、したがってアブソーバ固定脚12は
、真空ダクト1を介して液体窒素温度に冷却される。
向区間を越えた直線区間における真空ダクト内周面1a
に固定され、又、アブソーバ固定脚!2が固定される位
置に対応する真空ダクトlの外周面1bは、第2図に示
すように、外胴6の外側、外胴8の内側に対応し液体窒
素で満たされている。よって、アブソーバ固定脚12が
固定される位置における真空ダクトlの温度は液体窒素
温度となっており、したがってアブソーバ固定脚12は
、真空ダクト1を介して液体窒素温度に冷却される。
上記のように構成されるシンクロトロン放射装置におい
て、偏向区間の真空ダクトl内を電子が偏向されながら
通過するとき、電子に作用する遠心力方向、即ち主アブ
ソーバ10a方向へ前記電子よりシンクロトロン放射光
が放射され、主アブソーバlOaには前記放射光が照射
される。放射光が照射されることで主アブソーバlOa
は発熱する。
て、偏向区間の真空ダクトl内を電子が偏向されながら
通過するとき、電子に作用する遠心力方向、即ち主アブ
ソーバ10a方向へ前記電子よりシンクロトロン放射光
が放射され、主アブソーバlOaには前記放射光が照射
される。放射光が照射されることで主アブソーバlOa
は発熱する。
もし補助アブソーバlObを設けず主アブソーバlOa
のみにてアブソーバを構成すれば、主アブソーバ10a
においてアブソーバ固定脚12より最も遠い部位におけ
る発熱が、真空ダクト内周面1aに対して許容できる熱
侵入のレベルであるためには主アブソーバlOaは、真
空ダクト1の中心方向へ非常に厚い壁厚を必要とする。
のみにてアブソーバを構成すれば、主アブソーバ10a
においてアブソーバ固定脚12より最も遠い部位におけ
る発熱が、真空ダクト内周面1aに対して許容できる熱
侵入のレベルであるためには主アブソーバlOaは、真
空ダクト1の中心方向へ非常に厚い壁厚を必要とする。
したがって電子が走行する範囲が非常に狭くなり制限さ
れるという問題が生じるが、本発明では主アブソーバl
Oaと真空ダクト内周面1aとの間に補助アブソーバ1
0bを設けたことより、主アブソーバ10aより真空ダ
クト内周面1a方向へ放出される輻射熱は、補助アブソ
ーバ10bにて遮蔽されるとともに主アブソーバ10a
方向へ反射される。
れるという問題が生じるが、本発明では主アブソーバl
Oaと真空ダクト内周面1aとの間に補助アブソーバ1
0bを設けたことより、主アブソーバ10aより真空ダ
クト内周面1a方向へ放出される輻射熱は、補助アブソ
ーバ10bにて遮蔽されるとともに主アブソーバ10a
方向へ反射される。
したがって、主アブソーバ10aより真空ダクト1への
熱侵入は許容レベル以下となるので、主アブソーバ10
aの壁厚は薄くても良く電子走行範囲が狭くなるという
問題は生じない。
熱侵入は許容レベル以下となるので、主アブソーバ10
aの壁厚は薄くても良く電子走行範囲が狭くなるという
問題は生じない。
尚、前述したように液体窒素温度に冷却されるアブソー
バ固定脚12と、主アブソーバlOa及び補助アブソー
バtobとは一体的に形成されていることより主アブソ
ーバlOa及び補助アブソーバlObにて発生した熱は
、熱伝導によりアブソーバ固定脚12によって冷却除去
される。
バ固定脚12と、主アブソーバlOa及び補助アブソー
バtobとは一体的に形成されていることより主アブソ
ーバlOa及び補助アブソーバlObにて発生した熱は
、熱伝導によりアブソーバ固定脚12によって冷却除去
される。
このように、アブソーバlOに発生する熱の除去を従来
のように冷却管を使用して行うものではないので、冷却
管内にて冷媒が凝固し冷媒の循環が妨げられたり、冷媒
が凝固することで冷却管が破損し真空ダクト内の真空度
が劣化したりすることはなくなる。よって、加速粒子の
蓄積に有利なシンクロトロン放射装置を提供することが
できる。
のように冷却管を使用して行うものではないので、冷却
管内にて冷媒が凝固し冷媒の循環が妨げられたり、冷媒
が凝固することで冷却管が破損し真空ダクト内の真空度
が劣化したりすることはなくなる。よって、加速粒子の
蓄積に有利なシンクロトロン放射装置を提供することが
できる。
上述したアブソーバを備えた、例えば、真空ダクトlの
曲げ半径が5001、蓄積電子エネルギ615 Mev
、蓄積電流200mAであるシンクロトロン放射装置に
おいて、曲げ角度90度当たりの放射光による熱量は、
約IKwであり、この放射光が照射される主アブソーバ
IQaに発生する最高温度は150にとなり、液体ヘリ
ウム3への熱侵入は、曲げ角度90度当たり約0.1w
に抑えることが判った。
曲げ半径が5001、蓄積電子エネルギ615 Mev
、蓄積電流200mAであるシンクロトロン放射装置に
おいて、曲げ角度90度当たりの放射光による熱量は、
約IKwであり、この放射光が照射される主アブソーバ
IQaに発生する最高温度は150にとなり、液体ヘリ
ウム3への熱侵入は、曲げ角度90度当たり約0.1w
に抑えることが判った。
尚、本実施例では主アブソーバ10a及び補助アブソー
/(10bの材質に銅を使用しtこが、これに限らず熱
伝導率の良い材質であれば良い。
/(10bの材質に銅を使用しtこが、これに限らず熱
伝導率の良い材質であれば良い。
又、放射装置により発生する蓄積電流はパルス状である
ので、主アブソーバloaに渦電流の発生が問題となる
場合には、放射光が照射される主アブソーバ10aの側
面14に表面処理を施しても良い。
ので、主アブソーバloaに渦電流の発生が問題となる
場合には、放射光が照射される主アブソーバ10aの側
面14に表面処理を施しても良い。
[発明の効果]
以上詳述したように本発明によれば、第1及び第2のア
ブソーバを冷却するための冷却管を設けていないことよ
り、冷却管内で冷媒が凝固することによる冷却管の破損
が原因で真空ダクト内の真空度が劣化することはなく、
真空ダクト内の超高真空状態を確実に維持することがで
きる。
ブソーバを冷却するための冷却管を設けていないことよ
り、冷却管内で冷媒が凝固することによる冷却管の破損
が原因で真空ダクト内の真空度が劣化することはなく、
真空ダクト内の超高真空状態を確実に維持することがで
きる。
第1図は本発明のアブソーバを備えたシンクロトロン放
射装置の直径方向の断面を含む斜視図、第2図は本発明
のアブソーバの固定脚部を示す断面図、第3図は従来の
アブソーバを備えたシンクロトロン放射装置の直径方向
の断面を含む斜視図である。 l・・・真空ダクト、 10a・・・主アブソーバ、 10b・・・補助アブソーバ、 12・・・アブソーバ固定脚。
射装置の直径方向の断面を含む斜視図、第2図は本発明
のアブソーバの固定脚部を示す断面図、第3図は従来の
アブソーバを備えたシンクロトロン放射装置の直径方向
の断面を含む斜視図である。 l・・・真空ダクト、 10a・・・主アブソーバ、 10b・・・補助アブソーバ、 12・・・アブソーバ固定脚。
Claims (1)
- (1)加速粒子より放出される放射光が照射される第1
のアブソーバと、 第1のアブソーバと真空ダクト内周面との間に第1のア
ブソーバ及び真空ダクト内周面と適宜な間隔を隔てて備
わる第2のアブソーバと、 第1及び第2のアブソーバの軸方向の両端部において第
1及び第2のアブソーバが接続され真空ダクト内周面に
固定されるアブソーバ固定脚と、アブソーバ固定脚を冷
却する冷却手段と、を備えたことを特徴とするシンクロ
トロン放射装置用アブソーバ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8722989A JPH02267898A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | シンクロトロン放射装置用アブソーバ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8722989A JPH02267898A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | シンクロトロン放射装置用アブソーバ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02267898A true JPH02267898A (ja) | 1990-11-01 |
Family
ID=13909032
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8722989A Pending JPH02267898A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | シンクロトロン放射装置用アブソーバ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02267898A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57133388A (en) * | 1981-02-12 | 1982-08-18 | Rikagaku Kenkyusho | Cyclotron for accelerating negative hydrogen ion |
JPS6289305A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-23 | Hitachi Ltd | 超電導マグネツト |
JPS62150802A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 荷電粒子偏向用超電導電磁石 |
JPS62180999A (ja) * | 1986-02-04 | 1987-08-08 | 住友電気工業株式会社 | シンクロトロン放射光発生装置 |
JPS6411507B2 (ja) * | 1982-08-24 | 1989-02-27 | Tsubakimoto Chain Co |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP8722989A patent/JPH02267898A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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