JPH02265258A - Dicing apparatus - Google Patents
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- JPH02265258A JPH02265258A JP1086358A JP8635889A JPH02265258A JP H02265258 A JPH02265258 A JP H02265258A JP 1086358 A JP1086358 A JP 1086358A JP 8635889 A JP8635889 A JP 8635889A JP H02265258 A JPH02265258 A JP H02265258A
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 47
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 47
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 11
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000005453 pelletization Methods 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ダイシング装置に関し、
ＵＶテープに粘着固定されたウェハのチップ間隔を拡大
することができ、チップのピックアンプを確実にするこ
とを目的とし、
伸縮性を有するフィルム状基材の周縁をキャリアに支持
させ、該基材表面に粘着固定されたウェハを切断してＩ
Ｃチップの分離を行うダイシング装置において、前記基
材表面の一部範囲に、紫外線を照射することにより粘着
強度が低下しうる所定の粘着材を塗付し、該一部の範囲
を少な（ともウェハ表面の投影面に相当する範囲に限定
したことを特徴とし、また、ウェハ表面の投影面を含む
基材表面の広い範囲に塗付した前記粘着材にウェハを固
定し、該ウェハ部分に対してのみ紫外線を照射すること
を特徴とし、また、ウェハ表面の投影面を含む基材表面
の広い範囲に塗付した前記粘着材に、ウェハを固定し、
該ウェハ部分を含む広い面に紫外線を照射するとともに
、ウェハおよび粘着材を切断するブレードの移動を上記
広い範囲に拡大して行う手段を備えて構成している。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding a dicing device, the purpose of the present invention is to provide a stretchable film that can increase the interval between chips of a wafer adhesively fixed to a UV tape and ensure pick-up of the chips. The periphery of the shaped base material is supported by a carrier, and the wafer adhesively fixed to the surface of the base material is cut.
In a dicing device that separates C chips, a predetermined adhesive material whose adhesive strength can be reduced by irradiation with ultraviolet rays is applied to a part of the surface of the base material, and the part is coated with a small amount of adhesive material. It is characterized in that it is limited to an area corresponding to the projection plane of the wafer surface, and the wafer is fixed to the adhesive material applied to a wide range of the base material surface including the projection plane of the wafer surface, and The wafer is fixed to the adhesive material applied to a wide range of the base material surface including the projection surface of the wafer surface,
The device is configured to include means for irradiating ultraviolet rays over a wide area including the wafer portion, and for expanding the movement of the blade for cutting the wafer and the adhesive material over the wide area.
本発明は、ダイシング装置に関し、詳しくは、半導体装
置の組立工程に用いられ、ウェハを１個づつのＩＣチッ
プに分割するためのダイシング装置に関する。The present invention relates to a dicing apparatus, and more particularly, to a dicing apparatus used in the assembly process of semiconductor devices to divide a wafer into individual IC chips.
ＩＣチップをパッケージングするプロセス、すなわち組
立時に行われる工程の１つとしてペレタイズ（あるいは
ダイシング）工程がある。ペレタイズ工程は、デバイス
を形成したウェハを１個づつのＩＣチップに分割するも
ので、ダイヤモンドカッタを使用し、ウェハ上の格子状
切断線（スクライブラインとも呼ばれている）に沿って
切断分離したＩＣチップをピックアップするものである
。A pelletizing (or dicing) process is one of the processes performed during packaging of IC chips, that is, during assembly. In the pelletizing process, a wafer on which devices have been formed is divided into individual IC chips. A diamond cutter is used to cut and separate the wafer along grid-like cutting lines (also called scribe lines) on the wafer. It picks up IC chips.
こうした分離、ピックアップに際しては、ＩＣチップの
表面に器具等が接触しないことが望ましいく、近年では
、粘着テープ（キャリアテープともいう）上にウェハを
固定して上記分割、ピックアップを行う方法が主流であ
る。When separating and picking up the IC chips, it is preferable that instruments do not come into contact with the surface of the IC chip, and in recent years, the mainstream method has been to fix the wafer on adhesive tape (also called carrier tape) and perform the above-mentioned separation and pickup. be.
第７図は粘着テープを用いた従来のペレタイズ工程を示
す図であり、略円環状キャリア】に周縁が支持された粘
着テープ２に、ウェハ３を粘着固定したあと、ダイヤモ
ンドカッタブレード４による切断を行い、スピンスプレ
ー洗浄乾燥およびコレット５によるピックアップ等の工
程を行うものである。FIG. 7 is a diagram showing a conventional pelletizing process using an adhesive tape, in which a wafer 3 is adhesively fixed to an adhesive tape 2 whose peripheral edge is supported by a substantially annular carrier, and then cut with a diamond cutter blade 4. process such as spin spray cleaning, drying, and pick-up using a collet 5.
ここで、上記粘着テープ２の断面は第８図に示されてお
り、若干の伸縮性を有する樹脂フィルム２ａ上に粘着材
２ｂを塗付したものである。−船釣に、粘着テープ２に
要求される粘着力は、切断中においては大きい方がよく
、一方、ピックアップする際には小さい方がよい。これ
は、第９図に示すようなウェハ３のスクライブラインに
沿って切断する際に、ウェハ３が確実に固定されていな
ければならないからで、また、ピックアップの際には容
易に粘着テープ２から外せることが求められるからであ
る。例えば、粘着テープ２の粘着力を小さくすると、第
１０図に示すようにＩＣチップのハガレが生じたり、一
方、これに対処して粘着力を大きくすると、第１１図に
示すようにピックアップミスが起きたりする不具合があ
った。Here, the cross section of the adhesive tape 2 is shown in FIG. 8, and is made by applying an adhesive material 2b onto a slightly stretchable resin film 2a. - For fishing on a boat, the adhesive force required for the adhesive tape 2 should be greater during cutting, but smaller when picking up. This is because the wafer 3 must be securely fixed when cutting along the scribe line of the wafer 3 as shown in FIG. This is because it is required to be removable. For example, if the adhesive strength of the adhesive tape 2 is decreased, the IC chip may peel off as shown in FIG. 10, while if the adhesive strength is increased to counter this problem, pickup errors may occur as shown in FIG. 11. There was a problem that occurred.
こうした背景から近年、紫外線（ｕｌｔｒａ−シ１ｏｌ
ｅｔｒａｙｓ：ＵＶ）の照射により粘着力をコントロー
ルすることのできるいわゆるＵＶテープの使用が注目さ
れている。Against this background, in recent years ultraviolet rays (ultra 1ol) have been
The use of so-called UV tapes whose adhesive strength can be controlled by irradiation with ultraviolet light (UV) has been attracting attention.
ＵＶテープを使用すれば、切断時に要求される大きな粘
着力と、ピックアップ時に要求される小さな粘着力との
両立が図られる。すなわち、予めＵＶテープの粘着力を
大きなものにしておき、切断後に、紫外線を照射して粘
着力を小さなものにすればよいからである。If UV tape is used, it is possible to achieve both the large adhesive force required for cutting and the small adhesive force required for pick-up. That is, it is sufficient to increase the adhesive strength of the UV tape in advance, and then reduce the adhesive strength by irradiating the tape with ultraviolet rays after cutting.
しかしながら、従来の粘着テープを単にＵＶテープに代
えたのみでは、次に述べる理由から、ピックアップを失
敗することがあった。However, simply replacing the conventional adhesive tape with UV tape may result in failure of pickup for the following reasons.
すなわち、ＵＶテープの粘着力のコントロールは、第１
２図において、ＵＶテープ７に紫外線を照射することに
よる粘着材’７ ａの“硬化”を利用しているが、粘着
材７ａの硬化は反面で、ＵＶテープ７の基材（例えば塩
ビ系やポリエチレン系材料）７ｂの伸縮性を阻害する原
因ともなり、その結果、切断後のＩＣチップの間隔（第
１２図り参照）がブレード幅（例えば３０μｍ）程度の
狭いものになってしまい、このため、ピックアップ時に
おいて、第１３図に示すように隣接チップとの干渉が生
じやすくなって、ビックアンプの失敗を招きやすくなっ
ていた。In other words, the first step is to control the adhesive strength of UV tape.
In Figure 2, the UV tape 7 is irradiated with ultraviolet rays to "cure" the adhesive material 7a, but the adhesive material 7a is not cured, but the base material of the UV tape 7 (for example, PVC or It also becomes a cause of inhibiting the elasticity of the polyethylene material 7b, and as a result, the interval between the IC chips after cutting (see Figure 12) becomes as narrow as the blade width (for example, 30 μm). During pickup, interference with adjacent chips tends to occur, as shown in FIG. 13, which tends to cause big amplifier failure.
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、
ＵＶテープに粘着固定されたウェハのチップ間隔を拡大
することができ、チップのピックアップを確実にするこ
とを目的としている。The present invention was made in view of these problems, and
The purpose is to be able to increase the distance between chips on a wafer adhesively fixed to UV tape, and to ensure chip pickup.
い範囲に塗付した前記粘着材にウェハを固定し、該ウェ
ハ部分を含む広い範囲に紫外線を照射するとともに、ウ
ェハおよび粘着材を切断するブレードの移動を上記広い
範囲に拡大して行う手段を備えて構成している。A means for fixing a wafer to the adhesive material applied to a wide area, irradiating ultraviolet rays to a wide area including the wafer part, and expanding the movement of a blade for cutting the wafer and the adhesive material to the wide area. It is prepared and configured.
本発明に係るダイシング装置は、上記目的を達成するた
めに、伸縮性を有するフィルム状基材の周縁をキャリア
に支持させ、該基材表面に粘着固定されたウェハを切断
してＩＣチップの分離を行うダイシング装置において、
前記基材表面の一部範囲に、紫外線を照射することによ
り粘着強度が低下しうる所定の粘着材を塗付し、該一部
の範囲を少なくともウェハ表面の投影面に相当する範囲
に限定したことを特徴とし、
また、ウェハ表面の投影面を含む広い範囲に塗付した前
記粘着材にウェハを固定し、該ウェハ部分に対してのみ
紫外線を照射することを特徴とし、また、ウェハ表面の
投影面を含む基材表面の広〔作用〕
本発明では、粘着材の塗付範囲が限定され、この限定範
囲以外の基材について、紫外線照射後の伸縮性が失われ
ない。In order to achieve the above object, a dicing apparatus according to the present invention supports the peripheral edge of a stretchable film-like base material on a carrier, cuts a wafer adhesively fixed to the surface of the base material, and separates IC chips. In a dicing device that performs
A predetermined adhesive whose adhesive strength can be reduced by irradiation with ultraviolet rays is applied to a part of the surface of the base material, and the part is limited to at least an area corresponding to the projection plane of the wafer surface. Further, the wafer is fixed to the adhesive material applied over a wide area including the projection surface of the wafer surface, and ultraviolet rays are irradiated only to the wafer area. Expansion of the surface of the base material including the projection surface [Function] In the present invention, the application range of the adhesive material is limited, and the stretchability of the base material outside this limited range is not lost after irradiation with ultraviolet rays.
また、紫外線の照射がウェハ部分のみ行われ、紫外線照
射部分以外の基材の伸縮性が失われない。Further, the ultraviolet rays are irradiated only on the wafer portion, so that the stretchability of the base material other than the ultraviolet irradiated portion is not lost.
また、ウェハ表面よりも広い範囲がブレードによって切
断され、この切断に際し、広い範囲の硬化した粘着材も
ウェハとともに切断される。したがって、基材の伸縮性
が失われない。Further, a wider area than the wafer surface is cut by the blade, and during this cutting, a wide area of the hardened adhesive material is also cut along with the wafer. Therefore, the elasticity of the base material is not lost.
すなわち、これらの何れの場合でも、基材の伸縮性が確
保されるから、切断後のチップ間隔が拡大されてピック
アップが確実に行われる。That is, in any of these cases, since the elasticity of the base material is ensured, the interval between the chips after cutting is expanded, and pick-up is performed reliably.
以下、本発明を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, the present invention will be explained based on the drawings.
第１〜５図は本発明に係るダイシング装置の第１実施例
を示す図である。1 to 5 are diagrams showing a first embodiment of a dicing apparatus according to the present invention.
第１図において、１０ａは収縮性を有するフィルム状基
材（以下単に基材という）であり、この基材１０ａは粘
着材１０ｂとともにＵＶテープ１０を構成する。ＵＶテ
ープ１０の粘着材１０ｂにはウェハ１１が粘着固定され
ている。なお、ＵＶテープ１０は、第２図に示すキャリ
ア（フルカットフレームともいう）１２に周縁（破線で
示す）が接着固定されており、ウェハ１１はこのキャリ
ア１２に保持されたままで切断およびＩＣチップのピッ
クアップが行われる。ここで、ＵＶテープ１０上に塗付
された粘着材１０ｂは、その塗付範囲を少なくともウェ
ハ１１表面の投影面に相当する範囲に限定している。In FIG. 1, 10a is a shrinkable film-like base material (hereinafter simply referred to as base material), and this base material 10a constitutes the UV tape 10 together with the adhesive material 10b. A wafer 11 is adhesively fixed to the adhesive material 10b of the UV tape 10. The periphery (indicated by a broken line) of the UV tape 10 is adhesively fixed to a carrier (also referred to as a full cut frame) 12 shown in FIG. will be picked up. Here, the adhesive material 10b applied onto the UV tape 10 limits its application range to at least an area corresponding to the projection plane of the surface of the wafer 11.
第３図は切断されたＩＣチップをピックアップする場合
の図で、この場合、ＵＶテープ１０を拡張リング１３に
よって持ち上げることにより、ＵＶテープ１０に伸び方
向の変形を生じさせ、チップ間隔を拡大してピックアッ
プの確実化を図るようにしている。すなわち、従来のＵ
Ｖテープは、ＵＶテープの全面に粘着材が塗付されてい
たので、紫外線照射によってＵＶテープの伸び変形が規
制されてしまい、結局、チップ間隔を拡大できないもの
であったが、これに対して、本実施例では、ＵＶテープ
１０上の粘着材１０ｂの塗付範囲を上記したように限定
しているので、紫外線照射後のＵＶチー１１０の伸び変
形が規制されることはない。したがって、チップ間隔を
拡大してＩＣチップのピックアップを確実にすることが
できる。なお、粘着材１０ａの塗付範囲を限定する方法
としては、ウェハ１１の形状にほぼ一致して開口したマ
スクを、ＵＶテープ１０上に乗せ、このマスクを介して
粘着材１０ｂを塗付することが考えられる。FIG. 3 shows a case where cut IC chips are picked up. In this case, by lifting the UV tape 10 with the expansion ring 13, the UV tape 10 is deformed in the stretching direction, and the chip interval is expanded. We are trying to ensure pickup. That is, the conventional U
With V-tape, an adhesive material was applied to the entire surface of the UV tape, so the elongation and deformation of the UV tape was restricted by UV irradiation, and in the end, it was not possible to increase the chip spacing. In this embodiment, since the application range of the adhesive material 10b on the UV tape 10 is limited as described above, the elongation and deformation of the UV beam 110 after irradiation with ultraviolet rays is not restricted. Therefore, it is possible to increase the chip spacing and ensure IC chip pickup. Note that a method for limiting the application range of the adhesive material 10a is to place a mask having an opening that almost matches the shape of the wafer 11 on the UV tape 10, and apply the adhesive material 10b through this mask. is possible.
また、第４図に示すように、通常の粘着テープ（ＵＶテ
ープでないもの）１３上に、ウェハ形状にほぼ一致した
形状のＵＶテープ１４を重合してもよ（、あるいは粘着
材を持たない伸縮性フィルム基材１５の上にウェハ形状
のＵＶテープ１６を重合してもよい。Furthermore, as shown in FIG. 4, a UV tape 14 having a shape that almost matches the wafer shape may be superposed on a regular adhesive tape (not a UV tape) 13 (or a stretchable adhesive tape 14 without an adhesive material may be superposed). A wafer-shaped UV tape 16 may be polymerized on the transparent film substrate 15.
第６図は本発明に係るダイシング装置の第２実施例を示
す図であり、この図において、制御部２０は各種制御デ
ータ例えばウェハサイズＷ、チップ間隔Ｐおよびチップ
厚さＤなどの各種情報入力を受けてブレード２１の移動
方向や移動量および切り込み深さなどの制御値を演算す
るもの、駆動部２２は制御部２０からの制御値に従って
ブレード２１を駆動するもの、ブレード２１は例えばダ
イヤモンドカッタであり、ウェハ２３を切断するもので
ある。FIG. 6 is a diagram showing a second embodiment of the dicing apparatus according to the present invention, in which the control section 20 inputs various control data such as wafer size W, chip spacing P, and chip thickness D. The drive section 22 is a section that drives the blade 21 according to the control values from the control section 20, and the blade 21 is, for example, a diamond cutter. This is for cutting the wafer 23.
ここで、ウェハ２３は図示しないＵＶテープ上に接着固
定されているものと考える。そして、ＵＶテープの粘着
材はウェハよりも広い範囲（例えば、仮想線で示す範囲
）まで塗付されているものとする。今、このようなＵＶ
テープに紫外線を照射すると、粘着材が硬化して伸縮性
が失われる。そこで、制御部２０に与える各種データの
うち、ウェハサイズＷを２×αだけ大きく修正して与え
る。これはウェハのサイズがあたかも仮想線で示された
範囲に拡大されたことに相当する。このようなデータの
修正を行うことにより、仮想線の範囲まで切断が拡大さ
れ、ＵＶテープの粘着材がウェハ部分以外でも格子状に
切断される。これにより、紫外線照射後のＵＶテープの
伸縮性が確保されてピックアップを確実にすることがで
きる。Here, it is assumed that the wafer 23 is adhesively fixed onto a UV tape (not shown). It is assumed that the adhesive material of the UV tape is applied to a wider area than the wafer (for example, the area indicated by the imaginary line). Now, such UV
When the tape is exposed to ultraviolet light, the adhesive hardens and loses its elasticity. Therefore, among the various data given to the control unit 20, the wafer size W is modified and given by 2×α. This corresponds to the size of the wafer being expanded to the range indicated by the imaginary line. By correcting the data in this manner, the cutting is expanded to the range of the virtual line, and the adhesive material of the UV tape is cut in a grid pattern even in areas other than the wafer portion. Thereby, the stretchability of the UV tape after irradiation with ultraviolet rays is ensured, and pickup can be ensured.
また、図示はしないが、ＵＶテープへの紫外線照射に際
して、例えばウェハ形状に開口したマスクを用意し、こ
のマスクを介して紫外線を照射すれば、ＵＶテープの粘
着材のウェハ部分（すなわちマスクの開口部分）のみを
硬化させることができ、このような方法によっても、Ｕ
Ｖテープの伸縮性を確保することができる。Although not shown in the drawings, when irradiating UV tape with ultraviolet rays, for example, if a mask with a wafer-shaped opening is prepared and the ultraviolet rays are irradiated through this mask, the wafer portion of the adhesive material of the UV tape (i.e., the opening of the mask Even with this method, only the U part) can be cured.
The elasticity of the V-tape can be ensured.
〔発明の効果〕
本発明によれば、ＵＶテープに粘着固定されたウェハの
チップ間隔を拡大することができ、チップのピックアッ
プを確実にすることができる。[Effects of the Invention] According to the present invention, the interval between chips of a wafer adhesively fixed to a UV tape can be increased, and chip pickup can be ensured.
第１〜５図は本発明に係るダイシング装置の第１実施例
を示す図であり、
第１図はそのＵＶテープおよびウェハの断面図、第２図
はそのキャリア、ＵＶテープおよびウェハの全体図、
第３図はそのピックアップを説明する図、。
第４図はそのＵＶテープの好ましい他の例を示す断面図
、
第５図はそのＵＶテープの好ましい他の例を示す断面図
、
第６図は本発明に係るダイシング装置の第２実施例を示
すその概念構成図、 −
第７〜１３図は従来例を示す図であり、第７図はそのベ
レタイズ工程を示す工程図、第８図はその粘着テープお
よびウェハの断面図、第９図はそのウェハの平面図、
第１０図はそのＩＣチップのハガレを説明する図、第１
１図はそのＩＣチップのピックアップミスを説明する図
、
第１２図はそのＵＶテープを用いた場合のチップ間隔を
示す図、
第１３図はそのＵＶテープを用いた場合の隣接チップと
の干渉を説明する図である。
１０・・・・・・ＵＶテープ、
１０ａ・・・・・・基材、
１０ｂ・・・・・・粘着材、
１１・・・・・・ウェハ、
１２・・・・・・キャリア、
１４・・・・・・ＵＶテープ、
１５・・・・・・フィルム基材、
１６・・・・・・ＵＶテープ、
２０・・・・・・制御部、
２１・・・・・・ブレード、
２２・・・・・・駆動部、
２３・・・・・・ウェハ。
従来の粘着テープおよびウェハの断面７第
図
ウェハの平面図
第
図
ペレタイズ工程を示す工程図
ＩＣチップのハカレを説明する図
第
図
（外れない）
曾
ＩＣチップのピックアップミスを説明する図第
図1 to 5 are diagrams showing a first embodiment of the dicing apparatus according to the present invention. FIG. 1 is a cross-sectional view of the UV tape and wafer, and FIG. 2 is an overall view of the carrier, UV tape, and wafer. , Figure 3 is a diagram explaining the pickup. FIG. 4 is a sectional view showing another preferable example of the UV tape, FIG. 5 is a sectional view showing another preferable example of the UV tape, and FIG. 6 is a sectional view showing a second embodiment of the dicing apparatus according to the present invention. - Figures 7 to 13 are diagrams showing a conventional example, Figure 7 is a process diagram showing the beletizing process, Figure 8 is a cross-sectional view of the adhesive tape and wafer, and Figure 9 is a diagram showing the conventional example. A plan view of the wafer, Figure 10 is a diagram explaining peeling of the IC chip, Figure 1
Figure 1 is a diagram explaining the pickup error of the IC chip, Figure 12 is a diagram showing the chip spacing when the UV tape is used, and Figure 13 is a diagram showing the interference with adjacent chips when the UV tape is used. FIG. 10...UV tape, 10a...base material, 10b...adhesive material, 11...wafer, 12...carrier, 14. ...UV tape, 15...Film base material, 16...UV tape, 20...Control unit, 21...Blade, 22. ...Drive unit, 23...Wafer. Figure 7: Cross section of conventional adhesive tape and wafer. Plane view of wafer.
Claims (3)
に支持させ、該基材表面に粘着固定されたウェハを切断
してＩＣチップの分離を行うダイシング装置において、
前記基材表面の一部範囲に、紫外線を照射することによ
り粘着強度が低下しうる所定の粘着材を塗付し、該一部
の範囲を少なくともウェハ表面の投影面に相当する範囲
に限定したことを特徴とするダイシング装置。(1) In a dicing device that separates IC chips by supporting the peripheral edge of a stretchable film-like base material on a carrier and cutting a wafer adhesively fixed to the surface of the base material,
A predetermined adhesive whose adhesive strength can be reduced by irradiation with ultraviolet rays is applied to a part of the surface of the base material, and the part is limited to at least an area corresponding to the projection plane of the wafer surface. A dicing device characterized by:
塗付した前記粘着材にウェハを固定し、該ウェハ部分に
対してのみ紫外線を照射することを特徴とする請求項（
１）記載のダイシング装置。(2) A wafer is fixed to the adhesive material applied to a wide range of the base material surface including the projection surface of the wafer surface, and ultraviolet rays are irradiated only to the wafer portion (
1) The dicing device described above.
塗付した前記粘着材にウェハを固定し、該ウェハ部分を
含む広い範囲に紫外線を照射するとともに、ウェハおよ
び粘着材を切断するブレードの移動を上記広い範囲に拡
大して行う手段を備えたことを特徴とする請求項（１）
記載のダイシング装置。(3) Fixing the wafer to the adhesive material applied to a wide range of the base material surface including the projection surface of the wafer surface, irradiating ultraviolet rays to a wide range including the wafer part, and cutting the wafer and the adhesive material. Claim (1) characterized by comprising means for expanding the movement of the blade over the above-mentioned wide range.
Dicing equipment as described.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1086358A JPH02265258A (en) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | Dicing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1086358A JPH02265258A (en) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | Dicing apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02265258A true JPH02265258A (en) | 1990-10-30 |
Family
ID=13884669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1086358A Pending JPH02265258A (en) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | Dicing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02265258A (en) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0860873A1 (en) * | 1997-02-24 | 1998-08-26 | LINTEC Corporation | Adhesive sheet for wafer setting and process for producing electronic component |
| JP2005039088A (en) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Sanyo Electric Co Ltd | Cutting method, cutter and process for manufacturing semiconductor device |
| KR100478678B1 (en) * | 1997-08-21 | 2005-07-11 | 삼성전자주식회사 | Wafer sawing method |
| US7129150B2 (en) * | 2003-03-11 | 2006-10-31 | Disco Corporation | Method of dividing a semiconductor wafer |
| JP2007123914A (en) * | 2006-11-27 | 2007-05-17 | Nitto Denko Corp | Dicing die bond film |
| US7309925B2 (en) | 2003-12-26 | 2007-12-18 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
| JP2008047926A (en) * | 2007-08-24 | 2008-02-28 | Nitto Denko Corp | Dicing die bond film |
| DE19805146B4 (en) * | 1997-02-10 | 2008-05-29 | Lintec Corp. | Method for chip production and a pressure-sensitive adhesive layer for chip production |
| US7449226B2 (en) | 2003-05-29 | 2008-11-11 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device |
| US7508081B2 (en) | 2004-03-17 | 2009-03-24 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
| US7646103B2 (en) | 2002-10-15 | 2010-01-12 | Nitto Denko Corporation | Dicing/die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device |
| US7656012B2 (en) * | 2004-01-29 | 2010-02-02 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for use in semiconductor wafer processing for laterally displacing individual semiconductor devices away from one another |
-
1989
- 1989-04-05 JP JP1086358A patent/JPH02265258A/en active Pending
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19805146B4 (en) * | 1997-02-10 | 2008-05-29 | Lintec Corp. | Method for chip production and a pressure-sensitive adhesive layer for chip production |
| EP0860873A1 (en) * | 1997-02-24 | 1998-08-26 | LINTEC Corporation | Adhesive sheet for wafer setting and process for producing electronic component |
| KR100478678B1 (en) * | 1997-08-21 | 2005-07-11 | 삼성전자주식회사 | Wafer sawing method |
| US8178420B2 (en) | 2002-10-15 | 2012-05-15 | Nitto Denko Corporation | Dicing/die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device |
| US7646103B2 (en) | 2002-10-15 | 2010-01-12 | Nitto Denko Corporation | Dicing/die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device |
| US8586415B2 (en) | 2002-10-15 | 2013-11-19 | Nitto Denko Corporation | Dicing/die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device |
| DE102004012012B4 (en) * | 2003-03-11 | 2013-06-13 | Disco Corp. | Method for dividing a semiconductor wafer |
| US7129150B2 (en) * | 2003-03-11 | 2006-10-31 | Disco Corporation | Method of dividing a semiconductor wafer |
| US7449226B2 (en) | 2003-05-29 | 2008-11-11 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device |
| US7780811B2 (en) | 2003-05-29 | 2010-08-24 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device |
| JP2005039088A (en) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Sanyo Electric Co Ltd | Cutting method, cutter and process for manufacturing semiconductor device |
| US7309925B2 (en) | 2003-12-26 | 2007-12-18 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
| US7429522B2 (en) | 2003-12-26 | 2008-09-30 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
| KR100940970B1 (en) * | 2003-12-26 | 2010-02-05 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | Dicing-die bonding film |
| US7656012B2 (en) * | 2004-01-29 | 2010-02-02 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for use in semiconductor wafer processing for laterally displacing individual semiconductor devices away from one another |
| US7508081B2 (en) | 2004-03-17 | 2009-03-24 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
| US7863182B2 (en) | 2004-03-17 | 2011-01-04 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
| US8304341B2 (en) | 2004-03-17 | 2012-11-06 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
| JP2007123914A (en) * | 2006-11-27 | 2007-05-17 | Nitto Denko Corp | Dicing die bond film |
| JP4618738B2 (en) * | 2007-08-24 | 2011-01-26 | 日東電工株式会社 | Dicing die bond film and semiconductor chip fixing method |
| JP2008047926A (en) * | 2007-08-24 | 2008-02-28 | Nitto Denko Corp | Dicing die bond film |
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