JPH02256251A - Semiconductor device and its manufacture - Google Patents

Semiconductor device and its manufacture

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JPH02256251A
JPH02256251A JP24956389A JP24956389A JPH02256251A JP H02256251 A JPH02256251 A JP H02256251A JP 24956389 A JP24956389 A JP 24956389A JP 24956389 A JP24956389 A JP 24956389A JP H02256251 A JPH02256251 A JP H02256251A
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die pad
semiconductor device
chip
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高岡 清
Nariyuki Uenishikubo
上西窪 成幸
Hiroyoshi Yoshida
浩芳 吉田
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Abstract

PURPOSE:To obtain a high quality semiconductor device free from occurrence of bubbles and chip tilt by a method wherein semi-hardened thermosetting resin or thermoplastic resin adhesive of uniform thickness is used to adhere a chip to a die pad. CONSTITUTION:Adhesive 9 comprising semi-hardened resin or thermoplastic resin is used to make a chip 6 uniformly thick and adhere it to a die pad 2. That is, the adhesive 9 is screened on a tape-like release paper 10 with substantially uniform thickness, the adhesive 9 is heat-transferred to the die pad 2 of a leadframe 1, the chip 6 is press-fitted by a collet 7 while the adhesive 9 transferred to the die pad 2 is being heated, and heat treatment is performed for complete hardening if the adhesive 9 is semi-hardened resin so that the chip 6 is adhered to the die pad 2. Thus a high quality semiconductor device free from occurrence of bubbles and tilt of the chip 6 can be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体装置およびその製造方法、詳しくはグイ
ボンド技術に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device and a method for manufacturing the same, and more particularly to the Guibond technology.

−従来の技術 近年、半導体装置は品質への要望が厳しくなってきてお
り、半導体装置のダイボンド方法においても、接着層に
気泡がないことや接着層の厚みをコントロールできるこ
と、チップが傾かないことなどが要求されてきている。
- Conventional technology In recent years, demands on the quality of semiconductor devices have become stricter, and even in die bonding methods for semiconductor devices, there are requirements such as the absence of air bubbles in the adhesive layer, the ability to control the thickness of the adhesive layer, and the ability to prevent chips from tilting. is being demanded.

以下、図面を参照しながら、上述した従来の半導体装置
のグイボンド方法の一例について説明する。
Hereinafter, an example of the conventional bonding method for the semiconductor device described above will be described with reference to the drawings.

第13図〜第16図は従来の半導体装置のダイボンド方
法の一例を説明するための図である。第13図、第14
図において、1はリードフレーム、2はリードフレーム
の一部でチップを載せる部分であるダイパッド、3はチ
ップを前記ダイパッド2に接着するための銀ペースト等
の接着剤、4は前記接着剤3を吐出するための治具であ
るマルチノズル、5は前記接着剤3の容器であるシリン
ジ、6は半導体集積回路のチップ、7は前記チップ6を
搬送し、前記ダイパッド2へ圧着するための治具するた
めの治具であるコレットである。
FIGS. 13 to 16 are diagrams for explaining an example of a conventional die bonding method for a semiconductor device. Figures 13 and 14
In the figure, 1 is a lead frame, 2 is a die pad which is a part of the lead frame on which the chip is placed, 3 is an adhesive such as silver paste for bonding the chip to the die pad 2, and 4 is the adhesive 3. 5 is a syringe which is a container for the adhesive 3; 6 is a semiconductor integrated circuit chip; 7 is a jig for transporting the chip 6 and press-bonding it to the die pad 2; This is a collet, which is a jig for doing this.

まず、第13図でシリンジ5に圧力をかけ、マルチノズ
ル4から接着剤3をリードフレーム1の一部であるダイ
パッド2に吐出する。次に、第14図で接着剤3の塗布
されたダイパッド2の上に、コレット7でチップ6を押
し付ける。この後に接着剤3を硬化すれば、チップ6は
ダイパッド2上に固定される。
First, as shown in FIG. 13, pressure is applied to the syringe 5, and the adhesive 3 is discharged from the multi-nozzle 4 onto the die pad 2, which is a part of the lead frame 1. Next, as shown in FIG. 14, a collet 7 presses the chip 6 onto the die pad 2 coated with the adhesive 3. After this, if the adhesive 3 is cured, the chip 6 is fixed on the die pad 2.

発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記従来例の構成では、接着剤3をマル
チノズル4でグイバッド2上に吐出するため、接着剤3
が点在し、チップ6をコレット7で圧着した後に、第1
5図に示すように接着剤3の中に気泡8が残ったり、あ
るいは第16図に示すように接着剤3の硬化時に気泡8
が膨張してチップ6が傾いたりして、半導体装置の品質
を損なっていた。これは、気泡8が接着剤3の中に残留
すると、チップ6からの熱をグイパッド2に逃がすこと
ができなかったり、接着剤3の強度が低下したり、接着
剤3が導電性のものである場合には、チップ6の裏面の
−様な電気的接続を損なうからである。また、チップ6
が傾くと次の工程でワイヤーボンドを行う場合に荷重が
かかりすぎたり、あるいは逆に少なかったりして、良好
なワイヤーボンド品質を損なうことになる。
Problems to be Solved by the Invention However, in the configuration of the conventional example described above, since the adhesive 3 is discharged onto the Guibad 2 by the multi-nozzle 4, the adhesive 3
are scattered, and after the chip 6 is crimped with the collet 7, the first
As shown in FIG. 5, air bubbles 8 remain in the adhesive 3, or as shown in FIG.
expands, causing the chip 6 to tilt, impairing the quality of the semiconductor device. This is because if the air bubbles 8 remain in the adhesive 3, the heat from the chip 6 cannot be released to the Gui pad 2, the strength of the adhesive 3 decreases, or the adhesive 3 is conductive. This is because, in some cases, electrical connections such as - on the back side of the chip 6 may be damaged. Also, chip 6
If the wire is tilted, too much or too little load will be applied when wire bonding is performed in the next step, which will impair good wire bond quality.

また、従来の接着方法においては、接着剤3を十分に延
ばし、安定な接着状態を得るために、チップ6を圧着し
た状態でチップ6を水平方向にわずかに振動させる、い
わゆるスクライブという操作が必要である。このため1
つのチップ6を接着するのに、通常4秒近くもの時間が
かかる。このため半導体装置の生産性(いわゆるスルー
ブツト)が上がらないという問題もある。
In addition, in the conventional bonding method, in order to sufficiently spread the adhesive 3 and obtain a stable bonding state, it is necessary to perform a so-called scribing operation in which the chip 6 is slightly vibrated in the horizontal direction while the chip 6 is being crimped. It is. For this reason 1
It usually takes nearly 4 seconds to bond two chips 6 together. For this reason, there is also the problem that the productivity (so-called throughput) of semiconductor devices does not increase.

本発明は上記従来例の問題点を解決するもので、接着剤
を均等の厚みに気泡の残留なく供給することのできる半
導体装置およびその製造方法を提供することを目的とす
る。
The present invention solves the above-mentioned problems of the prior art, and aims to provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same, which can supply adhesive to an even thickness without leaving any bubbles.

課題を解決するための手段 この目的を達成するために本発明の半導体装置およびそ
の製造方法は、半硬化状態の樹脂または熱可塑性樹脂か
らなり、実質的に均一の厚さをもつ接着剤を用いてチッ
プをダイパッドに接着するものである。
Means for Solving the Problems In order to achieve this object, the semiconductor device and the method for manufacturing the same of the present invention use an adhesive made of semi-cured resin or thermoplastic resin and having a substantially uniform thickness. The chip is then bonded to the die pad.

作用 この構成によれば、厚みが均一な半硬化状態の熱硬化性
樹脂または熱可塑性樹脂接着剤を用いてチップをダイパ
ッドに接着するため、気泡の発生もなく、チップの傾き
のない、高品質の半導体装置が実現できる。また、半硬
化状態の樹脂、熱可塑性樹脂からなる接着剤は、従来の
銀ペーストに比べて硬化時間が短く、しかもスクライブ
の必要がないから、グイボンド時間を大幅に短縮するこ
とができ、その結果、半導体装置の生産性を飛躍的に高
めることができる。
Function: According to this configuration, the chip is bonded to the die pad using a semi-cured thermosetting resin or thermoplastic resin adhesive with a uniform thickness, resulting in high quality with no air bubbles or chip tilt. A semiconductor device can be realized. In addition, adhesives made of semi-cured resins and thermoplastic resins take less time to harden than conventional silver pastes, and do not require scribing, making it possible to significantly shorten bonding time. , the productivity of semiconductor devices can be dramatically increased.

実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。第1図、第2図は本発明の一実施例における
半導体装置の製造方法を示す図である。第1図、第2図
において、9は半硬化状態の樹脂または熱可塑性樹脂か
らなる接着剤、10は前記接着剤9を保護するための剥
離紙、11は前記接着剤9及び前記剥離紙10を巻くた
めのリールである。接着剤9はテープ状の剥離紙10に
対し実質的に均一な厚さでスクリーン印刷されている。
EXAMPLE Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 and 2 are diagrams showing a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 1 and 2, 9 is an adhesive made of semi-cured resin or thermoplastic resin, 10 is a release paper for protecting the adhesive 9, and 11 is the adhesive 9 and the release paper 10. This is a reel for winding. The adhesive 9 is screen printed onto a tape-like release paper 10 to a substantially uniform thickness.

また、12はヒーター 13は前記ヒーターの熱を前記
剥離紙10を通して前記接着剤9に加えるための加熱転
写治具である。なお、1はリードフレーム、2はダイパ
ッド、6はチップ、7はコレットで、これらは従来例の
構成と同じである。
Further, 12 is a heater, and 13 is a heating transfer jig for applying heat from the heater to the adhesive 9 through the release paper 10. Note that 1 is a lead frame, 2 is a die pad, 6 is a chip, and 7 is a collet, which are the same as those of the conventional example.

まず、第1図のり−ル11から、接着剤9及び剥離紙1
0を引き出し、グイパッド2の上まで来た時に、80〜
150℃に熱せられた加熱転写治具13で、剥離紙10
を通して接着剤9に熱を伝えつつ、接着剤9をダイパッ
ド2に押し付ける。
First, from glue 11 in FIG. 1, adhesive 9 and release paper 1.
When you draw 0 and reach the top of Guipad 2, 80~
With a heating transfer jig 13 heated to 150°C, release paper 10 is
The adhesive 9 is pressed against the die pad 2 while transmitting heat to the adhesive 9 through.

次に、加熱転写治具13を上方に引き上げると、押し付
けられた部分のうち、加熱された部分の接着剤9はダイ
パッド2の面に転写され、剥離紙10のみが加熱転写治
具13と共に上方に上がる。さらに第1図右側のリール
を巻くことにより新たに接着剤9が加熱転写治具13に
供給される。一方、リードフレーム1を、新たなダイパ
ッド2が加熱転写治具13の下方に来るように、移動さ
せ、上記の接着剤9の転写工程を繰り返せば、容易にリ
ードフレーム1のダイパッド2に接着剤9を熱転写する
ことができる。
Next, when the heat transfer jig 13 is pulled upward, the heated part of the adhesive 9 among the pressed parts is transferred to the surface of the die pad 2, and only the release paper 10 is lifted upward along with the heat transfer jig 13. go up to Furthermore, the adhesive 9 is newly supplied to the thermal transfer jig 13 by winding the reel on the right side of FIG. On the other hand, by moving the lead frame 1 so that a new die pad 2 is located below the heating transfer jig 13 and repeating the process of transferring the adhesive 9 described above, the adhesive can be easily applied to the die pad 2 of the lead frame 1. 9 can be thermally transferred.

そして第2図に示すように、ダイパッド2に転写された
接着剤9を加熱しながら、コレット7によりチップ6を
圧着し、接着剤9が半硬化状態の樹脂の場合には完全硬
化のための熱処理をすることにより、チップ6をダイパ
ッド2に接着する。
Then, as shown in FIG. 2, while heating the adhesive 9 transferred to the die pad 2, the chip 6 is pressed by the collet 7, and if the adhesive 9 is a semi-cured resin, it is completely cured. The chip 6 is bonded to the die pad 2 by heat treatment.

以上のように本実施例によれば、均一の厚みを持った気
泡のない接着剤9を、加熱転写治具13により、連続し
てダイパッド2に容易に熱転写できるため、第3図に示
すように均一の厚みを持った気泡のない接着層が得られ
、なおかつ、チップ6が傾くことを防ぐことができる。
As described above, according to this embodiment, the bubble-free adhesive 9 having a uniform thickness can be easily and continuously thermally transferred onto the die pad 2 using the thermal transfer jig 13, as shown in FIG. A bubble-free adhesive layer having a uniform thickness can be obtained, and the chip 6 can be prevented from tilting.

ところで、第1図〜第3図の実施例では、接着剤9をあ
らかじめグイパッド2側に熱転写したが、逆に接着剤9
をあらかじめチップ6の裏面に熱転写しておき、その後
、接着剤9を介してチップ6をダイパッド2に接着して
もよい。このようにチップ6側に接着剤9を熱転写する
場合には、チップ6の両端を何らかの手段で固定してお
き、チップ6の裏側よりテープ状の剥離紙10および接
着剤9に圧力を加えなければならないから、作業自体は
多少困難になる。
By the way, in the embodiments shown in FIGS. 1 to 3, the adhesive 9 was thermally transferred to the Gui pad 2 side in advance, but on the other hand, the adhesive 9
may be thermally transferred onto the back surface of the chip 6 in advance, and then the chip 6 may be bonded to the die pad 2 via the adhesive 9. When thermally transferring the adhesive 9 to the chip 6 side in this way, both ends of the chip 6 must be fixed by some means, and pressure must be applied to the tape-shaped release paper 10 and the adhesive 9 from the back side of the chip 6. This makes the work itself somewhat difficult.

この点、第1図〜第3図に示すようにダイパッド2に接
着剤9を熱転写する場合には、従来から使用されている
ダイスボンド装置にリードフレーム1を載置し、従来の
銀ペースト等の接着剤を塗布する装置を熱転写装置に置
き替えるだけでよいから、従来のダイスボンド装置がほ
ぼそのまま利用できるという利点がある。また、この方
法によれば、接着剤9の熱転写までの工程を、リードフ
レームメーカで実施することも可能である。すなワチ、
リードフレームメーカは、通常、リードフレームのリー
ドを固定するためのポリイミドサポートテープを貼る設
備を所有しており、この設備をそのまま利用して第1図
〜第3図の熱転写を実施することができる。したがって
、半導体メーカは、リードフレーム上に接着剤9を熱転
写したものをリードフレームメーカから納入することも
可能であり、現行の取引の実態に合った製造、納入が可
能となる。
In this regard, when thermally transferring the adhesive 9 to the die pad 2 as shown in FIGS. 1 to 3, the lead frame 1 is placed on a conventional die bonding device, and a conventional silver paste or other Since it is only necessary to replace the adhesive applying device with a thermal transfer device, there is an advantage that the conventional die bonding device can be used almost as is. Further, according to this method, the steps up to thermal transfer of the adhesive 9 can be carried out by the lead frame manufacturer. Sunawachi,
Lead frame manufacturers usually have equipment for applying polyimide support tape to fix lead frame leads, and can use this equipment as is to perform the thermal transfer shown in Figures 1 to 3. . Therefore, the semiconductor manufacturer can also deliver the lead frame with the adhesive 9 thermally transferred onto it from the lead frame manufacturer, making it possible to manufacture and deliver the lead frame in accordance with current business conditions.

次に、接着剤9の転写方法について述べる。Next, a method of transferring the adhesive 9 will be described.

転写方法のひとつとして、テープ状の接着剤をあらかじ
め必要な寸法に切断した後、ダイパッド2の表面に転写
する方法がある。第4図〜第6図はその一例を示すもの
である。第4図に示すように、リール11から引き出さ
れたテープ(接着剤9および剥離紙10)の一部をカッ
ター14で切断し、必要な大きさのテープ片15を得る
。このテープ片15を第5図に示すように真空チャック
16で吸着し、第6図に示すようにリードフレーム1の
ダイパッド2に圧着する。このとき、リードフレーム1
を予め加熱しておけば、接着剤9がダイパッド2の表面
に熱転写され、剥離紙10のみが真空チャック16に吸
着されて除去される。
As one of the transfer methods, there is a method in which a tape-shaped adhesive is cut into necessary dimensions in advance and then transferred onto the surface of the die pad 2. FIGS. 4 to 6 show an example thereof. As shown in FIG. 4, a part of the tape (adhesive 9 and release paper 10) pulled out from the reel 11 is cut by a cutter 14 to obtain a tape piece 15 of a required size. This tape piece 15 is attracted by a vacuum chuck 16 as shown in FIG. 5, and is pressed onto the die pad 2 of the lead frame 1 as shown in FIG. At this time, lead frame 1
If it is heated in advance, the adhesive 9 is thermally transferred to the surface of the die pad 2, and only the release paper 10 is attracted to the vacuum chuck 16 and removed.

一方、第1図に示すようにテープ状の接着剤をテープ状
のまま送り、剥離紙10を剥離しながら順次接着剤9を
熱転写する方法もある。第1図の実施例ではリールから
リールへ巻取るリール方式のものを示したが、第7図、
第8図に示すようなカセット方式を用いてもよい。
On the other hand, as shown in FIG. 1, there is also a method in which a tape-shaped adhesive is fed in its tape form and the adhesive 9 is sequentially thermally transferred while peeling off the release paper 10. In the embodiment shown in Fig. 1, a reel system is shown in which winding is performed from reel to reel, but in Fig. 7,
A cassette system as shown in FIG. 8 may also be used.

第7図、第8図において、カセットケース17内には供
給リール18と巻取り−ル19が設けられ、リール駆動
軸20の回転によってこれらのリール18.19間をガ
イドピン21.22に案内されながらテープ23が矢印
A方向に送られる。カセットケース17の下端中央には
切欠部17aが設けられており、切欠部17a内のテー
プ23の上方にヒータープレート24の先端部が差し込
まれている。ヒータープレート24は軸25に上下動自
在に取付けられており、軸25にはめ込まれたコイルス
プリング26によって常時上方向に押し上げられ、通常
はストッパ27に当たる位置に静止している。
In FIGS. 7 and 8, a supply reel 18 and a take-up reel 19 are provided in the cassette case 17, and guide pins 21 and 22 guide the reels 18 and 19 by rotation of the reel drive shaft 20. The tape 23 is fed in the direction of arrow A while being moved. A notch 17a is provided at the center of the lower end of the cassette case 17, and the tip of the heater plate 24 is inserted above the tape 23 within the notch 17a. The heater plate 24 is attached to a shaft 25 so as to be movable up and down, and is constantly pushed upward by a coil spring 26 fitted into the shaft 25, and normally remains stationary at a position where it hits a stopper 27.

この状態から、駆動手段(図示せず)によりヒータープ
レート24をスプリング26の付勢力に抗して押し下げ
ると、ヒータープレート24の先端部がテープ23をカ
セット17の切欠部17aから下へ押し下げる。したが
ってカセットケース17の下方にリードフレームを配置
しておけば、リードフレームのダイパッド表面にテープ
23の接着剤を圧着し、かつヒータープレート24の熱
によって接着剤をダイパッド表面に転写させた後、剥離
紙のみを巻取り−ル19へ巻取ることができる。
From this state, when the heater plate 24 is pushed down against the urging force of the spring 26 by a driving means (not shown), the tip of the heater plate 24 pushes the tape 23 down from the notch 17a of the cassette 17. Therefore, if the lead frame is placed below the cassette case 17, the adhesive of the tape 23 is pressed onto the die pad surface of the lead frame, the adhesive is transferred to the die pad surface by the heat of the heater plate 24, and then peeled off. Only paper can be wound onto the winding wheel 19.

第7図、第8図に示すカセット方式を用いた場合、第1
図のリール方式に比べて加熱転写装置を小型化できる。
When using the cassette system shown in Figures 7 and 8, the first
The heating transfer device can be made smaller compared to the reel method shown in the figure.

しかも品種毎にカセットを簡単に取替えることができる
から、多品種少量生産に対応しやすいという利点がある
Moreover, since the cassette can be easily replaced for each product type, there is an advantage that it is easy to handle high-mix low-volume production.

第1図に示すリール方式、第7図、第8図に示すカセッ
ト方式のいずれにおいても、ヒーターの加熱方式として
コンスタントヒート方式とパルスヒート方式の2通りが
採用できる。
In both the reel method shown in FIG. 1 and the cassette method shown in FIGS. 7 and 8, two heater heating methods can be employed: a constant heat method and a pulse heat method.

コンスタントヒート方式とは、ヒータ一部分を常時加熱
する方式である。この方式によれば、常時十分な加熱状
態が得られるから、転写時間が少なくて済むという利点
がある。その反面、ヒータ一部分が常にテープの近くに
あるような加熱転写装置においては、テープの未接着部
分まで多少加熱されるため、未接着部分の硬化が促進さ
れ、逆に好ましくない場合があるから注意を要する。
The constant heat method is a method in which a portion of the heater is constantly heated. According to this method, a sufficient heating state can be obtained at all times, so there is an advantage that the transfer time can be shortened. On the other hand, in a thermal transfer device where a part of the heater is always close to the tape, the unbonded parts of the tape are heated to some extent, which accelerates the curing of the unbonded parts, which may be undesirable. It takes.

一方、パルスヒート方式とは、転写時のみヒータ一部分
を加熱する方式である。この方式によれば、コンスタン
トヒート方式のような欠点は解消されるが、十分な転写
温度まで上昇させるのに多少時間がかかるため、コンス
タントヒート方式に比べ接着時間が長くなる欠点がある
On the other hand, the pulse heating method is a method in which a portion of the heater is heated only during transfer. Although this method eliminates the drawbacks of the constant heat method, it takes some time to raise the transfer temperature to a sufficient level, so there is a drawback that the adhesion time is longer than that of the constant heat method.

したがって、求められるダイスボンドの品質や、チップ
サイズ等々の諸条件を勘案して、コンスタントヒツト方
式、パルスヒート方式のいずれかを採用する必要がある
Therefore, it is necessary to adopt either the constant heat method or the pulse heat method, taking various conditions such as the required quality of the die bond and the chip size into consideration.

次に加熱転写治具の形状について述べる。Next, the shape of the heat transfer jig will be described.

第1図の実施例に示したリール用の加熱転写治具13お
よび第7図、第8図に示したカセント用のヒータープレ
ート24は、いずれもその先端(テープ押圧面)が平坦
である。この場合、テープ押圧面の面粗度(平坦度)お
よび平行度が厳しく要求される。発明者らの実験によれ
ば、面粗度、平行度共に2〜3μm以内であれば良好な
熱転写が行われる。
The heating transfer jig 13 for the reel shown in the embodiment of FIG. 1 and the heater plate 24 for the cartridge shown in FIGS. 7 and 8 both have flat tips (tape pressing surfaces). In this case, the surface roughness (flatness) and parallelism of the tape pressing surface are strictly required. According to experiments conducted by the inventors, good thermal transfer can be performed if both the surface roughness and parallelism are within 2 to 3 μm.

ところで、このようにテープ押圧面が平坦な熱転写治具
を用いて熱転写を行なった場合、第9図(al、 lb
lに示すように、剥離紙10から剥離された後の接着剤
9の両端の切断面にギザギザが生じ、ダイスボンド品質
の向上のために好ましくない場合がある。
By the way, when thermal transfer is performed using a thermal transfer jig with a flat tape pressing surface, as shown in Fig. 9 (al, lb).
As shown in FIG. 1, the cut surfaces of both ends of the adhesive 9 after being peeled off from the release paper 10 are jagged, which may be undesirable for improving die bonding quality.

この問題を解決するためには第10図(a)、 fb)
に示すように熱転写治具13(または第7図、第8図に
示すヒータープレート24)の先端部の一端または両端
に接着剤切断用の刃28を設けるとよい。
To solve this problem, please refer to Figure 10 (a), fb)
As shown in FIG. 2, it is preferable to provide an adhesive cutting blade 28 at one or both ends of the tip of the thermal transfer jig 13 (or the heater plate 24 shown in FIGS. 7 and 8).

第11図は第10図(alに示した片刃の熱転写治具1
3を用いて熱転写する状態を示したものである。テープ
の流れの上流側の端に刃28を設けることにより、接着
剤9に適度な切れ目が出来るため、加圧転写後の切断が
容易になり、ギザギザのないシャープな切断面が得られ
、ダイスボンド品質を向上させることができる。なお、
刃28の高さは、加熱時の接着剤9のやわらかさや、熱
転写治具13の圧力等によって最適の高さに設定する必
要があるが、発明者らの実験によれば、テープの厚み(
接着剤9と剥離紙10の合計の厚み)が20μmの場合
、刃28の高さを5〜15μmに設定すると良好な結果
が得られた。
Figure 11 shows the single-edged thermal transfer jig 1 shown in Figure 10 (al).
This figure shows the state of thermal transfer using No. 3. By providing the blade 28 at the upstream end of the tape flow, appropriate cuts can be made in the adhesive 9, making it easier to cut after pressure transfer, resulting in a sharp cut surface without jagged edges, and making it easier to cut the adhesive 9. Bond quality can be improved. In addition,
The height of the blade 28 needs to be set to an optimum height depending on the softness of the adhesive 9 during heating, the pressure of the thermal transfer jig 13, etc., but according to experiments conducted by the inventors, the height of the tape (
When the total thickness of the adhesive 9 and the release paper 10 was 20 μm, good results were obtained when the height of the blade 28 was set to 5 to 15 μm.

次にテープの材料について述べる。Next, we will discuss the material of the tape.

まず接着剤9について述べる。接着剤9は、導電状の接
着剤と非導電性の接着剤とに大別される。
First, the adhesive 9 will be described. The adhesive 9 is roughly divided into conductive adhesive and non-conductive adhesive.

導電性の接着剤は銀粉(鱗片状又は球状)を混入して導
電性をもたせたものである。導電性の接着剤は銀粉が基
材として作用するため、非導電性のものに比べて「のび
」が少なく、いわゆる「腰」の強いものになる。このた
め切断部にばらつきやギザギザが少なく、ンヤープな形
状が得られる。
The conductive adhesive is made to have conductivity by mixing silver powder (scaly or spherical). Because conductive adhesives use silver powder as a base material, they have less ``spread'' than non-conductive adhesives, making them so-called ``firm.'' For this reason, there are fewer variations and jaggies in the cut portion, and a sharp shape can be obtained.

一方、非導電性の接着剤はエポキシ系のものが主流であ
り、導電性のものに比べて安いという利点がある。しか
し、非導電性の接着剤は、基材として作用するものが含
まれていないため、「のび」が多く、いわゆる「腰」が
弱いため、切断しに<<、切断面の形状も不揃いになり
やすい。したがって非導電性の接着剤を用いる場合には
、第10図(al、 (b)に示したような刃28をも
った熱転写治具13を用いることが望ましい。
On the other hand, the mainstream of non-conductive adhesives is epoxy adhesives, which have the advantage of being cheaper than conductive adhesives. However, since non-conductive adhesives do not contain anything that acts as a base material, they tend to "spread" and have weak so-called "stiffness", making it difficult to cut and the shape of the cut surface may be irregular. Prone. Therefore, when using a non-conductive adhesive, it is desirable to use a thermal transfer jig 13 having a blade 28 as shown in FIGS. 10(al) and 10(b).

次に剥離紙10について述べる。Next, the release paper 10 will be described.

本発明においては、第12図ta+に示すような接着剤
9のみで剥離紙のないテープ、第12図(blに示すよ
うな接着剤9の片面のみに剥離紙10を貼りつけたテー
プ、第12図(C)に示すような接着剤10の両面に剥
離紙10を貼りつけたテープの3種類が使用できる。
In the present invention, a tape with only adhesive 9 and no release paper as shown in FIG. Three types of tapes can be used, such as those shown in FIG. 12(C), in which release paper 10 is pasted on both sides of adhesive 10.

接着剤9自体に十分な「腰」と「張り」がある場合は第
12図(a)のような接着剤9のみのテープを使用すれ
ばよい。ただし、このテープは、第4図〜第6図に示し
た実施例、すなわち真空チャック16で吸着して、予め
加熱したリードフレーム1上に圧着する方法には使用で
きるが、第1図や第7図、第8図に示すような熱転写方
式には使用できない。第12図(a)のテープは両面と
も剥離紙で覆われていないため湿気を吸収しやすい。し
たがって、テープの保管等には十分な注意を要する。
If the adhesive 9 itself has sufficient "firmness" and "tension", a tape made only of the adhesive 9 as shown in FIG. 12(a) may be used. However, although this tape can be used in the embodiment shown in FIGS. 4 to 6, that is, the method of adsorbing it with a vacuum chuck 16 and pressing it onto the preheated lead frame 1, It cannot be used for thermal transfer methods as shown in FIGS. 7 and 8. The tape shown in FIG. 12(a) is not covered with release paper on both sides, so it easily absorbs moisture. Therefore, sufficient care must be taken when storing tapes.

第12図tb+に示す接着剤9の片面に剥離紙10を貼
りつけたテープは、第4図〜第6図に示した真空チャッ
クで吸着する方式、第1図、第7図第8図に示した熱転
写方式のいずれにも利用できる。しかもリールに巻いて
おけば湿気を吸収することもないから、取扱いが容易に
なる。
The tape shown in FIG. 12 tb+ with a release paper 10 pasted on one side of the adhesive 9 can be adsorbed using the vacuum chuck shown in FIGS. 4 to 6; It can be used in any of the thermal transfer methods shown. Moreover, if it is wound on a reel, it will not absorb moisture, making it easier to handle.

第12図(C1に示す接着剤9の両面に剥離紙10を貼
りつけtこテープは吸湿しにくいという点では最も有利
である。しかし真空チャック方式、カセットタイプの熱
転写方式には使用できない。
Release paper 10 is pasted on both sides of the adhesive 9 shown in FIG. 12 (C1).The tape is most advantageous in that it is less likely to absorb moisture. However, it cannot be used in a vacuum chuck system or a cassette type thermal transfer system.

リール方式の場合は、上面の剥離紙10を第1図に示す
ような巻取リールに巻取り、下面の剥離紙10を、熱転
写治具の上流側で別の巻取リールに巻取ればよい。
In the case of the reel method, the upper release paper 10 may be wound on a take-up reel as shown in FIG. 1, and the lower release paper 10 may be wound on another take-up reel on the upstream side of the thermal transfer jig. .

以上、本発明の実施例について説明したが、本発明のよ
うに半硬化状態の樹脂または熱可塑性樹脂の接着剤を用
いた場合、従来の銀ペーストを用いる方法に比べて次の
ような効果が得られない。
The embodiments of the present invention have been described above, but when a semi-cured resin or thermoplastic resin adhesive is used as in the present invention, the following effects are achieved compared to the conventional method using silver paste. I can't get it.

まず、硬化時間が短い。銀ペーストの硬化時間は、ホッ
トプレート上で10〜40秒であるが、半硬化状態の樹
脂又は熱可塑性樹脂接着剤の硬化時間は、ホットプレー
ト上で1〜10秒であり、174〜1/10に短縮でき
る。
First, the curing time is short. The curing time of silver paste is 10 to 40 seconds on a hot plate, while the curing time of semi-cured resin or thermoplastic resin adhesive is 1 to 10 seconds on a hot plate, and 174 to 1/2 seconds. It can be shortened to 10.

次に、スクライブが不要である。銀ペーストを用いる場
合、チップを圧着した後、気泡をつぶしながら銀ペース
トを十分にのばす必要があるため、チップを微小振動さ
せる、いわゆるスクライブ工程が必要である。ところが
、半硬化状態の樹脂又は熱可塑性樹脂は、チップ裏面あ
るいはグイパッド表面に対する十分な「濡れ性」が得ら
れるから、スクライブをする必要がない。発明者らの実
験によれば、本発明を用いると、4胴平方のチップでは
、従来の銀ペーストを用いた場合に比べて約0.3秒短
縮でき、また10n+m平方のチップでは3秒近くもの
時間短縮ができることを確認した。
Second, scribing is not necessary. When using silver paste, after the chip is crimped, it is necessary to sufficiently spread the silver paste while crushing air bubbles, so a so-called scribing process is required in which the chip is slightly vibrated. However, semi-cured resin or thermoplastic resin has sufficient "wettability" to the back surface of the chip or the surface of the pad, so there is no need to scribe it. According to experiments conducted by the inventors, the present invention can save approximately 0.3 seconds for a four-bore square chip compared to using conventional silver paste, and nearly 3 seconds for a 10n+m square chip. We have confirmed that it can save a lot of time.

このように、半硬化状態の樹脂又は熱可塑性樹脂接着剤
を用いると、硬化時間そのものが短い上、スクライブが
不要であるため、トータルのダイスボンド時間を大幅に
短縮することができ、生産性(スルーブツト)の向上を
図ることができる。
In this way, when a semi-cured resin or thermoplastic resin adhesive is used, the curing time itself is short, and scribing is not required, so the total die bonding time can be significantly shortened and productivity ( Throughput) can be improved.

更に、銀ペーストを用いた場合、気泡が出来たり、硬化
時に気泡が膨張して、チップが傾くため、ダイスボンド
品質およびその後のワイヤボンド品質を低下させるとい
う問題があったが、本発明の実施例によれば、気泡が出
来る−ともなく、チップが傾くこともない。したがって
ダイスボンド品質、ワイヤボンド品質を共に良好なもの
にすることができる。
Furthermore, when silver paste is used, there is a problem that air bubbles are formed or the air bubbles expand during curing, causing the chip to tilt, deteriorating die bonding quality and subsequent wire bonding quality. For example, there are no air bubbles and the chip does not tilt. Therefore, both die bond quality and wire bond quality can be made good.

発明の効果 本発明は半硬化状態の樹脂または熱可塑性樹脂の接着剤
を用いてチップをグイパッドに接着するものであるから
、気泡が出来ることもなく、チップが傾くこともなく、
きわめて高品質な半導体装置が得られる。しかも従来の
銀ペーストを用いる方法に比べて接着時間の短縮が図れ
るから、生産性を大幅に高めることができる。
Effects of the Invention Since the present invention uses a semi-cured resin or thermoplastic resin adhesive to bond the chip to the Gui pad, no air bubbles are formed and the chip does not tilt.
A semiconductor device of extremely high quality can be obtained. Moreover, since the bonding time can be shortened compared to the conventional method using silver paste, productivity can be greatly increased.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図、第2図、第3図は本発明の第1の実施例におけ
る半導体装置の製造方法を示す側面図、第4図、第5図
、第6図は本発明の第2の実施例における半導体装置の
製造方法を示す側面図、第7図、第8図は本発明の第3
の実施例に用いる熱転写装置の要部を示す正面断面図お
よび側面断面図、第9図、第10図、第11図は本発明
の第4の実施例に用いる熱転写治具およびその効果を説
明するための図、第12図は本発明の各実施例に用いる
テープを示す側面図、第13図、第14図、第15図、
第16図は従来の半導体装置の製造方法を説明するため
の側面図である。 1・・・・・・リードフレーム、2・・・・・・ダイパ
ッド、9・・・・・接着剤、10・・・・・・剥離紙、
11,18.19・・・・リール、12・・・・・・ヒ
ーター 13・・・・・・加熱転写治具、14・・・・
・・カッター 15・・・・・・テープ片、16・・・
・・真空チャック、17・・・・・・カセットケース、
17a・・・・・・切欠部、24・・・・・・ヒーター
プレート、28・・・・・・刃。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか18第 名 2図 図 橿 箇 斎J g/411  板 ・リール ーカ・lター テープh 第7図 第5図 第 8図 第 6ri!J 9 ・−璋 llL  削 10 −−一 剥 mj& 11−m−リ  −  ル カセットケース リール リール5勤釉 カイトピン テープ 仁−テープし一ト 細 コイルスプリング スト・ソバ。 第10図 第11図 ■ IQ) (b) 第12図
1, 2, and 3 are side views showing a method for manufacturing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, and FIGS. 4, 5, and 6 are side views showing a method for manufacturing a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention. The side view, FIGS. 7 and 8, showing the method for manufacturing a semiconductor device in the example, are the third embodiment of the present invention.
A front sectional view and a side sectional view showing the main parts of the thermal transfer device used in the fourth embodiment of the present invention, and FIGS. 9, 10, and 11 illustrate the thermal transfer jig used in the fourth embodiment of the present invention and its effects. Fig. 12 is a side view showing the tape used in each embodiment of the present invention, Fig. 13, Fig. 14, Fig. 15,
FIG. 16 is a side view for explaining a conventional method of manufacturing a semiconductor device. 1... Lead frame, 2... Die pad, 9... Adhesive, 10... Release paper,
11,18.19...Reel, 12...Heater 13...Heating transfer jig, 14...
... Cutter 15 ... Tape piece, 16 ...
...Vacuum chuck, 17...Cassette case,
17a...Notch, 24...Heater plate, 28...Blade. Name of agent: Patent attorney Shigetaka Awano et al. 18 No. 2 Figure 2 Figure Kashi Kasai J g/411 Board/Lee Luca/Tartapeh Figure 7 Figure 5 Figure 8 Figure 6ri! J 9 - Sho llL Shaved 10 - One peeled MJ & 11-M-Re - Cassette case reel Reel 5-piece glazed kite pin tape Jin-taped fine coil springst buckwheat. Figure 10 Figure 11 ■ IQ) (b) Figure 12

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)半硬化状態の樹脂または熱可塑性樹脂からなり、
実質的に均一な厚さをもつ接着剤を介して、チップをリ
ードフレームのダイパッドに接着したことを特徴とする
半導体装置。
(1) Made of semi-cured resin or thermoplastic resin,
A semiconductor device characterized in that a chip is bonded to a die pad of a lead frame via an adhesive having a substantially uniform thickness.
(2)半硬化状態の樹脂または熱可塑性樹脂からなり、
実質的に均一な厚みをもつ接着剤を介して、チップをリ
ードフレームのダイパッドに接着することを特徴とする
半導体装置の製造方法。
(2) Made of semi-cured resin or thermoplastic resin,
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising bonding a chip to a die pad of a lead frame via an adhesive having a substantially uniform thickness.
(3)接着剤をあらかじめリードフレームのダイパッド
表面に接着し、その後チップを上記接着剤に接着するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の半導体装置
の製造方法。
(3) A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 2, characterized in that an adhesive is bonded to the die pad surface of the lead frame in advance, and then the chip is bonded to the adhesive.
(4)接着剤をあらかじめチップの裏面に接着し、その
後上記接着剤をリードフレームのダイパッド表面に接着
することを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の半導
体装置の製造方法。
(4) A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 2, characterized in that an adhesive is bonded to the back surface of the chip in advance, and then the adhesive is bonded to the die pad surface of the lead frame.
(5)半硬化状態の樹脂または熱可塑性樹脂からなり、
実質的に均一な厚みをもつ接着剤をチップの裏面または
リードフレームのダイパッドの表面に熱転写し、その後
上記接着剤を介して上記チップを上記ダイパッドに接着
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(5) Made of semi-cured resin or thermoplastic resin,
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising thermally transferring an adhesive having a substantially uniform thickness onto the back surface of a chip or the surface of a die pad of a lead frame, and then bonding the chip to the die pad via the adhesive. .
(6)半硬化状態の樹脂または熱可塑性樹脂からなり、
実質的に均一な厚みをもつテープ状の接着剤を順次送り
出し、送り出されたテープ状の接着剤を所定の寸法に切
断し、切断されたテープ片を加熱したリードフレームの
ダイパッド表面に転写し、その後、上記ダイパッド表面
に転写された接着剤の表面にチップの裏面を押しつけ、
上記チップを上記接着剤を介して上記ダイパッドに接着
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(6) Made of semi-cured resin or thermoplastic resin,
A tape-shaped adhesive having a substantially uniform thickness is sequentially fed out, the fed-out tape-shaped adhesive is cut into predetermined dimensions, and the cut tape pieces are transferred to the die pad surface of a heated lead frame. After that, press the back side of the chip against the surface of the adhesive transferred to the die pad surface,
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising bonding the chip to the die pad via the adhesive.
(7)テープ状の接着剤層のみからなる接着剤またはテ
ープ状の接着剤層の片面のみにテープ状の剥離紙を貼り
つけた接着剤を用いたことを特徴とする特許請求の範囲
第6項記載の半導体装置の製造方法。
(7) Claim 6, characterized in that an adhesive consisting only of a tape-shaped adhesive layer or an adhesive with a tape-shaped release paper pasted on only one side of the tape-shaped adhesive layer is used. A method for manufacturing a semiconductor device according to section 1.
(8) 半硬化状態の樹脂または熱可塑性樹脂からなり
、実質的に均一な厚みをもつテープ状の接着剤をテープ
状の剥離紙を貼りつけた接着テープをリードフレームの
ダイパッド表面に沿わせて順次送り出し、加熱転写治具
を用いて上記接着テープを上記剥離紙側から上記ダイパ
ッド表面に加熱しながら押しつけて上記接着剤のみを上
記ダイパッド表面に転写し、その後上記ダイパッド表面
に転写された接着剤の表面にチップの裏面を押しつけ、
上記チップを上記接着剤を介して上記ダイパッドに接着
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(8) A tape-like adhesive made of semi-cured resin or thermoplastic resin with a substantially uniform thickness and a tape-like release paper attached is placed along the die pad surface of the lead frame. Sequentially, the adhesive tape is transferred from the release paper side to the die pad surface using a heating transfer jig while being heated to transfer only the adhesive onto the die pad surface, and then the adhesive transferred onto the die pad surface. Press the back of the chip against the surface of the
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising bonding the chip to the die pad via the adhesive.
(9)テープ状の接着剤の片面のみにテープ状の剥離紙
を貼りつけた接着テープを供給リールから順次送り出し
、上記接着剤を転写した後の剥離紙のみを順次巻取リー
ルに巻取ることを特徴とする特許請求の範囲第8項記載
の半導体装置の製造方法。
(9) Adhesive tape with a tape-like release paper pasted on only one side of the tape-like adhesive is sequentially fed out from a supply reel, and only the release paper after the adhesive has been transferred is sequentially wound onto a take-up reel. A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 8, characterized in that:
(10)テープ状の接着剤の両面にテープ状の剥離紙を
貼りつけた接着テープを供給リールから順次送り出し、
熱転写位置の上流側に設けた第1の巻取リールで一方の
剥離紙のみを巻取り、上記接着剤を転写した後の他方の
剥離紙を上記熱転写位置の下流側に設けた第2の巻取リ
ールで巻取ることを特徴とする特許請求の範囲第8項記
載の半導体装置の製造方法。
(10) Sequentially feed the adhesive tape with release paper pasted on both sides of the adhesive tape from the supply reel,
A first take-up reel provided on the upstream side of the thermal transfer position winds only one release paper, and the other release paper after transferring the adhesive is wound on a second reel provided on the downstream side of the thermal transfer position. 9. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 8, wherein the semiconductor device is wound on a take-up reel.
(11)供給リールと巻取りリールをカセットケース内
に収納し、上記供給リールから上記巻取リールに向かっ
て順次送られる接着テープを、上記カセットケースに設
けた切欠部を通過させ、上記切欠部内に配置した加熱転
写治具によって上記接着テープの接着剤をダイパッド表
面に転写することを特徴とする特許請求の範囲第9項記
載の半導体装置の製造方法。
(11) A supply reel and a take-up reel are housed in a cassette case, and the adhesive tape, which is sequentially fed from the supply reel toward the take-up reel, is passed through a notch provided in the cassette case and placed inside the notch. 10. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 9, wherein the adhesive of the adhesive tape is transferred onto the die pad surface by a heating transfer jig placed in the die pad.
(12)加熱転写治具を常時加熱することを特徴とする
特許請求の範囲第8項記載の半導体装置の製造方法。
(12) The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 8, wherein the heating transfer jig is constantly heated.
(13)加熱転写治具を、接着剤の転写時のみ加熱する
ことを特徴とする特許請求の範囲第8項記載の半導体装
置の製造方法。
(13) The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 8, wherein the heating transfer jig is heated only when transferring the adhesive.
(14)加熱転写治具のテープ押圧面のテープ上流側端
部、またはテープ上流側および下流側の両端部に、接着
剤切断用の刃を設けたことを特徴とする特許請求の範囲
第8項記載の半導体装置の製造方法。
(14) A blade for cutting adhesive is provided at the tape upstream end of the tape pressing surface of the heat transfer jig, or at both the tape upstream and downstream ends. A method for manufacturing a semiconductor device according to section 1.
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