JPH02254721A - 微小異物除去方法およびその装置 - Google Patents
微小異物除去方法およびその装置Info
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- JPH02254721A JPH02254721A JP7510389A JP7510389A JPH02254721A JP H02254721 A JPH02254721 A JP H02254721A JP 7510389 A JP7510389 A JP 7510389A JP 7510389 A JP7510389 A JP 7510389A JP H02254721 A JPH02254721 A JP H02254721A
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Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＬＳＩ等の洗浄技術に係り、特に固体表面に
付着した直径０．０５μｍ以下の微小異物の除去方法お
よびその装置に関する。
付着した直径０．０５μｍ以下の微小異物の除去方法お
よびその装置に関する。
ＬＳＩ等の製造工程において、Ｓｉウェハ表面に微小異
物が付着すると、Ｐｎ接合のリーク、電極の断線等が生
じ、歩留りが大幅に低下する。このため、従来は特開昭
（資）−１８７３８０号公報に記載のような超音波洗浄
技術により微小異物の除去を行っていた。
物が付着すると、Ｐｎ接合のリーク、電極の断線等が生
じ、歩留りが大幅に低下する。このため、従来は特開昭
（資）−１８７３８０号公報に記載のような超音波洗浄
技術により微小異物の除去を行っていた。
上記従来技術は、４ Ｍ ｂｉｔ ＤＲＡＭ等の製造に
用いられる最小線幅０．８μｍプロセスで対象となる直
径Ｏ，ＯＳμｍ以上の異物に対しては有効であるが、１
６Ｍ ｂｉｔ ＤＲＡＭ以降に用いられる最小線幅０．
５μｍ以下のプロセスで対象となる直径０．０５μｍ以
下の異物に対しては、効果がほとんどない。
用いられる最小線幅０．８μｍプロセスで対象となる直
径Ｏ，ＯＳμｍ以上の異物に対しては有効であるが、１
６Ｍ ｂｉｔ ＤＲＡＭ以降に用いられる最小線幅０．
５μｍ以下のプロセスで対象となる直径０．０５μｍ以
下の異物に対しては、効果がほとんどない。
本発明の目的は、固体表面に付着した直径０．０５μｍ
以下の異物を除去する有効な方法および装置を提供する
ことにある。
以下の異物を除去する有効な方法および装置を提供する
ことにある。
上記目的は、微小異物の付着した固体表面にパルスレー
ザ光を照射することにより達成される。
ザ光を照射することにより達成される。
効果のある１／−ザエネルギ密度はレーザ光の種類によ
り異なるが、０．１〜１．５Ｊ／−程度であり、特に０
．３〜１．５Ｊ／３Ｍが好適である。
り異なるが、０．１〜１．５Ｊ／−程度であり、特に０
．３〜１．５Ｊ／３Ｍが好適である。
本発明は、Ｓｉウェハ、Ｓｉ熱酸化膜上に付着した異物
の除去に有効であるばかりでなく、微細パターン形成後
に付着した異物の除去にも十分な効果が認められ、ＬＳ
Ｉａ造プロセスへの適用が可能である。
の除去に有効であるばかりでなく、微細パターン形成後
に付着した異物の除去にも十分な効果が認められ、ＬＳ
Ｉａ造プロセスへの適用が可能である。
パルスレーザ光照射により微小異物の温叢が急激に変化
し、異物、基板間に働く力に熱スｈ ｌ／スが作用する
結果、微小異物が除去されるものと考えられる。したが
りて、パルスレーザ光が短波長光であるほど微小異物に
吸収されやすくなり、本発明の効果は大きくなる。ただ
し、パルスレーザ光が長波長光でありても、もちろん本
発明の効果は認められる。
し、異物、基板間に働く力に熱スｈ ｌ／スが作用する
結果、微小異物が除去されるものと考えられる。したが
りて、パルスレーザ光が短波長光であるほど微小異物に
吸収されやすくなり、本発明の効果は大きくなる。ただ
し、パルスレーザ光が長波長光でありても、もちろん本
発明の効果は認められる。
本発明では、連続光照射でなくパルス光照射が有効であ
るが、そのパルス幅については特に限定されるものでは
ない。すなわち、エキシマレーザ光における数ＩＱｎｓ
のパルス幅であっても、ルビーレーザ、ＹＡＧレーザな
どをＱスイッチによりパルス状発振させた場合の数１０
０・ｎｓのパルス幅であっても、本発明の効果は十分に
認められる。また照射回数についても、実施例では１回
照射の時の効果を示したが、複数回照射で重畳効果があ
ることは上記した異物除去原理から容易に予想できる。
るが、そのパルス幅については特に限定されるものでは
ない。すなわち、エキシマレーザ光における数ＩＱｎｓ
のパルス幅であっても、ルビーレーザ、ＹＡＧレーザな
どをＱスイッチによりパルス状発振させた場合の数１０
０・ｎｓのパルス幅であっても、本発明の効果は十分に
認められる。また照射回数についても、実施例では１回
照射の時の効果を示したが、複数回照射で重畳効果があ
ることは上記した異物除去原理から容易に予想できる。
以下、本発明の実施例を図面により説明する。
実施例１：
Ｓｉウェハ（複数枚）をクリーンルーム内で放置するこ
とにより、第１図に示すようにＳｉウェハ１上に異物２
を付着させる。Ｓｉウェハ中の１枚を取り出し、ＳＥＭ
管を用いた画像観察により直径０．０５μｍ以下の異物
数を測定する。一方、残りのウェハにＫｒＦエキシマレ
ーザパルス光ａをレーザエネルギ密度０．１−１．５Ｊ
殉で照射し、ＳＥＭ管を用いた画像観察により直径０．
０５μｍ以下の異物数を測定する。レーザエネルギ密度
による照射前後の直径０．０５μｍ以下の付着異物数の
変化は表１に示す通りで、レーザエネルギ密度０．２Ｊ
／−以上で異物数減少の効果がｌｌ−１ｉＦに見られた
。
とにより、第１図に示すようにＳｉウェハ１上に異物２
を付着させる。Ｓｉウェハ中の１枚を取り出し、ＳＥＭ
管を用いた画像観察により直径０．０５μｍ以下の異物
数を測定する。一方、残りのウェハにＫｒＦエキシマレ
ーザパルス光ａをレーザエネルギ密度０．１−１．５Ｊ
殉で照射し、ＳＥＭ管を用いた画像観察により直径０．
０５μｍ以下の異物数を測定する。レーザエネルギ密度
による照射前後の直径０．０５μｍ以下の付着異物数の
変化は表１に示す通りで、レーザエネルギ密度０．２Ｊ
／−以上で異物数減少の効果がｌｌ−１ｉＦに見られた
。
また、Ｓｌ ウェハを純水中に浸漬した後、リンサドラ
イヤにて乾燥させることにより、第１図に示すようにＳ
ｌウェハ上に異物２を付着させる。このウェハ上にＫｒ
Ｆエキシマレーザパルス光ａをレーザエネルギ密度０．
１〜１．５ Ｊ／ｍで照射する。照射前後の付着異物数
の変化をＳＥＭ管を用いた画像観察により調べた結果は
表１に示す通りで、やはりレーザエネルギ密度０．２Ｊ
Ａ以上で異物数減少の効果が顕著に見られた。
イヤにて乾燥させることにより、第１図に示すようにＳ
ｌウェハ上に異物２を付着させる。このウェハ上にＫｒ
Ｆエキシマレーザパルス光ａをレーザエネルギ密度０．
１〜１．５ Ｊ／ｍで照射する。照射前後の付着異物数
の変化をＳＥＭ管を用いた画像観察により調べた結果は
表１に示す通りで、やはりレーザエネルギ密度０．２Ｊ
Ａ以上で異物数減少の効果が顕著に見られた。
実施例２〜４：
実施例１と同様の検討をＡｒＦエキシマレーザパルス光
ｓ Ｘｅｐエキシマレーザパルス光、ＸｅＣＡ 、ｚキ
シマレーザパルス光により行い、表１に示す結果を得た
。いずれの場合もパルスレーザ光照射により付着異物数
は減少しており、本発明の効果が認められた。
ｓ Ｘｅｐエキシマレーザパルス光、ＸｅＣＡ 、ｚキ
シマレーザパルス光により行い、表１に示す結果を得た
。いずれの場合もパルスレーザ光照射により付着異物数
は減少しており、本発明の効果が認められた。
実施例５：
実施例１と同様の検討をルビーレ′−ザパルス尤により
行い、表１に示す結果を得た。この場合も、パルスレー
ザ光照射により付着異物数が減少しており、本発明の効
果が認められた。
行い、表１に示す結果を得た。この場合も、パルスレー
ザ光照射により付着異物数が減少しており、本発明の効
果が認められた。
実施例６：
第２図に示すようにＳｉウェハｌ上に熱酸化膜３を形成
し、クリーンルーム内に放置および純水中に浸漬するこ
とにより、熱酸化膜３上に異物２を付着させる。この異
物が付着した熱酸化膜３上にＫｒＦエキシマレーザパル
ス光ａをレーザエネルギ密度０．１〜０．５Ｊ／ｊで照
射する。パルス光照射前後の表ル レーザ照射前後の付着異物数変化（１）付着異物数の変
化は表２に示す通りで、レーザエネルギ密度０．ＩＪ、
ろ以上で異物数減少の効果が見られた。
し、クリーンルーム内に放置および純水中に浸漬するこ
とにより、熱酸化膜３上に異物２を付着させる。この異
物が付着した熱酸化膜３上にＫｒＦエキシマレーザパル
ス光ａをレーザエネルギ密度０．１〜０．５Ｊ／ｊで照
射する。パルス光照射前後の表ル レーザ照射前後の付着異物数変化（１）付着異物数の変
化は表２に示す通りで、レーザエネルギ密度０．ＩＪ、
ろ以上で異物数減少の効果が見られた。
実施例７〜９；
実施例６と同様の検討をＡｒＦエキシマレーザパルス光
、ＸｅＦエキシマレーザパルス光、ｘｅＣＬエキシマレ
ーザパルス光により行い、表２に示す結果を得た。いず
れの場合もパルスレーザ光照射により付着異物数は減少
しており、本発明の効果が認められた。
、ＸｅＦエキシマレーザパルス光、ｘｅＣＬエキシマレ
ーザパルス光により行い、表２に示す結果を得た。いず
れの場合もパルスレーザ光照射により付着異物数は減少
しており、本発明の効果が認められた。
実施例１０；
第３図に示すようにＳｉウェハｌ上に熱酸化膜３を形成
し、さらにリングラフィ技術により孔部４を形成する。
し、さらにリングラフィ技術により孔部４を形成する。
クリーンルーム内に放置および純水中に浸漬することに
より異物２を付着させた微細パターン上に、ＫｒＦエキ
シマレーザパルス光ａをレーザエネルギ密！Ｒ０，１〜
１．５ Ｊ／ａｄで照射する。パルス光照射前後の付着
異物数の変化は表３に示す通りで、レーザエネルギ密度
０．ＩＪ／ａｉ以上で異物数減少の効果が見られた。
より異物２を付着させた微細パターン上に、ＫｒＦエキ
シマレーザパルス光ａをレーザエネルギ密！Ｒ０，１〜
１．５ Ｊ／ａｄで照射する。パルス光照射前後の付着
異物数の変化は表３に示す通りで、レーザエネルギ密度
０．ＩＪ／ａｉ以上で異物数減少の効果が見られた。
＊ウェハ５枚の十’Ｘ８１に
表２
レーザ照射前後の付着異物数変化（２）実施例１１：
第４図に示すように、ウェハケース（ロード側）９から
ウェハケース（アンロード側） １０へ基板（Ｓｌウェ
ハ）７を搬送する搬送系８と、搬送中の基板７に対しパ
ルスレーザ光ａを照射するためのパルスレーザ光源５お
よびレンズ系６からなる微小異物除去装置により、５イ
ンチウェハ上に付着した直径０．０５μｍ以下の微小異
物を高スループツトで除去できることを確認した。
ウェハケース（アンロード側） １０へ基板（Ｓｌウェ
ハ）７を搬送する搬送系８と、搬送中の基板７に対しパ
ルスレーザ光ａを照射するためのパルスレーザ光源５お
よびレンズ系６からなる微小異物除去装置により、５イ
ンチウェハ上に付着した直径０．０５μｍ以下の微小異
物を高スループツトで除去できることを確認した。
表３ レーザ照射前後の付着異物数変化（３）＊ウェハ
５枚の平均値 〔発明の効果〕 本発明によれば、Ｓ１ウエハ上、ＳｉＭ酸化膜上、さら
には微細加工後のＳｉ熱酸化膜上に付着した直径Ｏ，Ｏ
Ｓμｍ以下の微小異物を除去することができるため、益
々微細化されるＬＳＩ製造の歩留りを飛躍的に向上させ
る効果がある。
５枚の平均値 〔発明の効果〕 本発明によれば、Ｓ１ウエハ上、ＳｉＭ酸化膜上、さら
には微細加工後のＳｉ熱酸化膜上に付着した直径Ｏ，Ｏ
Ｓμｍ以下の微小異物を除去することができるため、益
々微細化されるＬＳＩ製造の歩留りを飛躍的に向上させ
る効果がある。
Ｗ４１図〜第３図は本発明による微小異物除去方法の渠
織例の説明図、第４図は本発明による微小異物除去装置
の概略構成図である。 ｌ・・・Ｓｌウェハ ２・・・微小異物３・・
・熱酸化膜 ４・・・微細加工による孔部 ａ・・・パルスレーザ光 ５・・・パルスレーザ光源
６・・・レンズ系 ７・・・基板８・・・搬送
系 ９・・・ウェハケース（ロード側） １０・・・ウェハケース（アンロード側）粥２図 〒５図
織例の説明図、第４図は本発明による微小異物除去装置
の概略構成図である。 ｌ・・・Ｓｌウェハ ２・・・微小異物３・・
・熱酸化膜 ４・・・微細加工による孔部 ａ・・・パルスレーザ光 ５・・・パルスレーザ光源
６・・・レンズ系 ７・・・基板８・・・搬送
系 ９・・・ウェハケース（ロード側） １０・・・ウェハケース（アンロード側）粥２図 〒５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、固体表面に付着した微小異物をパルスレーザ光照射
により除去することを特徴とする微小異物除去方法。 ２、Ｓｉウェハに付着した微小異物をエキシマレーザパ
ルス光またはルビーレーザパルス光照射により除去する
ことを特徴とする微小異物除去方法。 ３、Ｓｉ熱酸化膜上に付着した微小異物をエキシマレー
ザパルス光照射により除去することを特徴とする微小異
物除去方法。 ４、微細加工を施したＳｉ熱酸化膜上に付着した微小異
物をエキシマレーザパルス光照射により除去することを
特徴とする微小異物除去方法。 ５、パルスレーザ光のエネルギ密度が０．１〜１．５Ｊ
／ｃｍ＾２の範囲にあることを特徴とする請求項１〜４
のいずれかに記載の微小異物除去方法。 ６、パルスレーザ光源と、被処理物の搬送系と、搬送中
の被処理物の微小異物が付着した固体表面にパルスレー
ザ光を照射するためのレンズ系とを備えてなることを特
徴とする微小異物除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7510389A JPH02254721A (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | 微小異物除去方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7510389A JPH02254721A (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | 微小異物除去方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02254721A true JPH02254721A (ja) | 1990-10-15 |
Family
ID=13566502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7510389A Pending JPH02254721A (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | 微小異物除去方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02254721A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05267827A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路基板における金層の表面の浄化方法 |
| EP0607506A1 (de) * | 1992-12-10 | 1994-07-27 | Baldwin-Gegenheimer GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Druckmaschinen-Zylindern |
| WO2003061861A1 (en) | 2002-01-24 | 2003-07-31 | Proanalysis As | Laser-based cleaning method and system |
| CN107081312A (zh) * | 2017-07-06 | 2017-08-22 | 武汉翔明激光科技有限公司 | 一种激光清洗装置及清洗方法 |
-
1989
- 1989-03-29 JP JP7510389A patent/JPH02254721A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05267827A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路基板における金層の表面の浄化方法 |
| EP0607506A1 (de) * | 1992-12-10 | 1994-07-27 | Baldwin-Gegenheimer GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Druckmaschinen-Zylindern |
| JPH06210838A (ja) * | 1992-12-10 | 1994-08-02 | Baldwin Gegenheimer Gmbh | 印刷機におけるドラム等の非接触式清掃方法及びその装置 |
| US5592879A (en) * | 1992-12-10 | 1997-01-14 | Baldwin-Gegenheimer Gmbh | Method and apparatus for the contact-free removal of dirt from the cylinders of printing machines |
| WO2003061861A1 (en) | 2002-01-24 | 2003-07-31 | Proanalysis As | Laser-based cleaning method and system |
| CN107081312A (zh) * | 2017-07-06 | 2017-08-22 | 武汉翔明激光科技有限公司 | 一种激光清洗装置及清洗方法 |
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