JPH02254308A - Appearance inspection and apparatus therefor - Google Patents

Appearance inspection and apparatus therefor

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JPH02254308A
JPH02254308A JP7786189A JP7786189A JPH02254308A JP H02254308 A JPH02254308 A JP H02254308A JP 7786189 A JP7786189 A JP 7786189A JP 7786189 A JP7786189 A JP 7786189A JP H02254308 A JPH02254308 A JP H02254308A
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inspection
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illumination
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辰男 杉本
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巳亦 力
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Takashi Okabe
隆史 岡部
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Abstract

PURPOSE:To perform appearance inspections for many kinds of items efficiently and highly accurately by making lighting conditions variable, and setting the optimum lighting state for many kinds of the inspection items. CONSTITUTION:A lighting source is a so called ring lamp 7 whose lighting main body is constituted as a ring shape and has a lamp house 8. The lighting source such as halogen lamp is housed in the lamp house 8. Illuminating light which is generated in the lighting source is transmitted to the ring lamp 7 through an optical fiber cable 10 which is formed in a bundle shape. An outer ring lamp 7a and an inner ring lamp 7b are switched in lighting. Therefore, an illuminating angle theta of the light which is illuminating a semiconductor device 11 that is an object to be inspected can be changed. In the ring lamp 7, a large- diameter ring lamp 7a and a small-diameter ring lamp 7b can perform independent lightings in this structure.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置あるいは他の電子部品等の外観検
査、特に多項目の外観検査を効率的に行うことのできる
技術に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a technique that can efficiently perform visual inspection of semiconductor devices or other electronic components, particularly visual inspection of multiple items.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

この種の技術について記載されている例としては、特開
昭62−103548号公報、あるいは特開昭62−1
56547号公報等がある。
Examples of this type of technology described include JP-A-62-103548 and JP-A-62-1.
There are publications such as No. 56547.

半導体装置等の製造においては、パッケージの外観が品
質に大きく影響する場合が多い。すなわち、当該製品に
おいてリードを含むパッケージ不良が生じていると視覚
的に印象が悪いというばかりでな(、実装不良あるいは
水分の侵入等による特性劣化を来し易い場合が多い。そ
のために、製造工程の最終段階ではこれらの外観が一定
基準を満たしているかを検査する外観検査工程が行われ
ている。
In the manufacture of semiconductor devices and the like, the appearance of the package often greatly affects the quality. In other words, if a defective package, including leads, occurs in the product, it not only gives a bad visual impression (but also tends to cause property deterioration due to poor mounting or moisture intrusion, etc.). At the final stage, an appearance inspection process is carried out to check whether the appearance meets certain standards.

かかる外観検査は、上記の各公報にも記載されているよ
うに、ICパッケージ等の被検査対象に対してできるだ
け均一な照度を有する照明系を用意し、被検査対象とし
てのパッケージ表面あるいはリードからの反射光を検出
してこれを検査者の視覚を通じて認識し、製品の良否を
判定するものが一般的である。
As described in each of the above-mentioned publications, such visual inspection is carried out by preparing an illumination system that has as uniform an illuminance as possible for the object to be inspected, such as an IC package, and from the surface of the package or lead as the object to be inspected. It is common to detect the reflected light of the product and recognize it visually by the inspector to determine the quality of the product.

ところで、上記外観検査における検査項目としては、リ
ードに関するものだけでもたとえば、リード曲がり、リ
ードの欠落、リード平坦度、表面の傷、打痕、メツキ状
態等多岐にわたっており、この他にパッケージに関する
項目としてはモールドくぼみ、ボイド、パッケージ欠け
、割れ、さらにはパッケージ表面のマークの印字状態に
至るまで多種の検査項目がある。これらの複数種類の検
査項目に対して、検査手段としては被検査物体に対して
一律的な照明光の照射を行うことによって行っていた。
By the way, the inspection items in the above appearance inspection include a wide variety of items related to leads, such as bent leads, missing leads, lead flatness, surface scratches, dents, and plating conditions.In addition, there are also items related to packages. There are a variety of inspection items, including mold dents, voids, package chips, cracks, and even the condition of marks printed on the package surface. For these multiple types of inspection items, the inspection means used is to uniformly irradiate the object to be inspected with illumination light.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところが、上記のように多種の検査項目間において、最
適な検査条件、特に照明条件は一定なものではなく、検
査項目毎に照明条件が及ぼす影響、たとえば不良検出率
等が大きく異なることが本発明者によって見い出された
。すなわち、上記従来技術においては、パッケージ本体
表面とリード表面とのように光の反射率の大きく異なる
被検査対象部位間であっても一定の照明条件下しか設定
せずに、多種にわたる検査項目を実施していたため、項
目によっては必然的に不良検出率が低下し、精度の高い
外観検査を実施することが困難な状況となっていた。
However, as mentioned above, the optimal inspection conditions, especially the illumination conditions, are not constant among the various inspection items, and the present invention shows that the influence of the illumination conditions, such as the defect detection rate, varies greatly for each inspection item. discovered by someone. In other words, in the above-mentioned conventional technology, a wide variety of inspection items can be carried out by setting only certain illumination conditions even between parts to be inspected that have significantly different light reflectances, such as the package body surface and the lead surface. As a result, the defect detection rate inevitably decreased depending on the item, making it difficult to conduct highly accurate visual inspections.

また、上記の如く検査者の目視に依存した検査基準によ
っては客観的な良否判定が′難しく、これも検査精度を
低下させる要因であった。
Furthermore, as mentioned above, it is difficult to objectively determine pass/fail depending on the inspection criteria that depend on the visual inspection of the inspector, and this has also been a factor in reducing inspection accuracy.

さらに、照明光量等の条件を異なったものに設定した複
数の検査装置を用意することも考えられるが、検査効率
を著しく低下させるおそれがあり、現実的ではなかった
Furthermore, although it is conceivable to prepare a plurality of inspection apparatuses with different conditions such as the amount of illumination light, this is not practical because there is a risk that the inspection efficiency will be significantly reduced.

本発明は、上記課題に着目してなされたものであり、そ
の目的は、多種の項目にわたる外観検査を高精度かつ効
率的に行うことのできる技術を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and its purpose is to provide a technique that allows visual inspection of various items to be performed with high accuracy and efficiency.

本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、概ね次のとおりである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、被検査対象に対して照明条件を可変にして多
種の検査項目に対してそれぞれ最適な照明状態の設定を
行うものである。
That is, the illumination conditions for the object to be inspected are varied, and the optimum illumination conditions are set for each of various inspection items.

また、被検査対象に対してあらかじめ照明光源の照明条
件設定のために用意されたパラメータを種々に変更して
多種の検査項目を実施する際に、検査項目を完全不良項
目と再生可能不良項目とに分け、完全不良項目を検査し
た後に再生可能不良項目を検査するものである。
In addition, when performing various inspection items by changing the parameters prepared in advance for setting the lighting conditions of the illumination light source for the object to be inspected, the inspection items can be divided into completely defective items and reproducible defective items. After inspecting completely defective items, reproducible defective items are inspected.

〔作用〕[Effect]

上記した手段によれば、多種の検査項目に対してそれぞ
れ最適な照明状態の設定を可能とすることにより、パッ
ケージ本体表面とリード表面とのように光の反射率の異
なる被検査部位間においても不良検出率が変化すること
なく、常に高精度な検出を行うことができる。
According to the above-mentioned means, by making it possible to set the optimal lighting conditions for various inspection items, it is possible to set the optimum illumination conditions for each of various inspection items, even between inspection parts with different light reflectances, such as the package body surface and the lead surface. Highly accurate detection can always be performed without changing the defect detection rate.

また、検査項目を完全不良項目と再生可能不良項目とに
分け、完全不良項目を検査した後に再生可能不良項目を
検査することによって、完全不良項目に該当する不良の
検出された被検査対象物はこの段階で排除されるため、
次の再生可能不良項目の検査を効率的に行うことができ
、外観検査の効率化を図ることができる。
In addition, by dividing the inspection items into completely defective items and reproducible defective items, and inspecting the reproducible defective items after inspecting the completely defective items, the inspected object in which defects falling under the completely defective items have been detected can be Because it is eliminated at this stage,
The next reproducible defective item can be inspected efficiently, and the appearance inspection can be made more efficient.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の一実施例である外観検査装置の光学系
を示す説明図、第2図はその処理系を示すブロック図、
第3図は照明光源を示す斜視図、第4図は照明光源の移
動による変化の状態を示す説明図、第5図はリング照明
の断面構造を示す断面図、第6図は被検査対象の移動手
順を説明するためのブロック図、第7図は装置構成の外
観を示す斜視図、第8図(a)〜(r)はそれぞれ被検
査対象のリード部における不良項目を具体的に示す説明
図、第9図(a)〜(1)はそれぞれ被検査対象のモー
ルド部における不良項目を具体的に示す説明図、第10
図(a)〜(C)はそれぞれ被検査対象のパッケージ表
面のマーキング部における不良項目を具体的に示す説明
図、第11図は外観検査装置内における被検査物体の移
動手順を具体的に示す説明図、第12図はリード平坦度
修正部の機構を示す断面図、第13図(a)〜(6)は
検査部における被検査物体と検査ヘッドとの位置関係を
示す説明図、第14図は検査ヘッドの内部における光学
系を示す説明図、第15図は実施例の実験結果を説明す
るための光学系とリング照明と被検査物体である半導体
装置の配置状態を示す説明図、第16図〜第22図は実
施例の説明のために、本発明者の実験によって得られた
各検査項目における不良検出精度(縦軸)と照明光の入
射角度θ(横軸)との関係を示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an optical system of a visual inspection apparatus that is an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram showing its processing system.
Fig. 3 is a perspective view showing the illumination light source, Fig. 4 is an explanatory diagram showing the state of change due to movement of the illumination light source, Fig. 5 is a sectional view showing the cross-sectional structure of the ring illumination, and Fig. 6 is a cross-sectional view of the object to be inspected. A block diagram for explaining the movement procedure, FIG. 7 is a perspective view showing the external appearance of the device configuration, and FIGS. 8(a) to (r) are explanations specifically showing defective items in the lead part to be inspected. 9(a) to 9(1) are explanatory diagrams specifically showing defective items in the mold part to be inspected, respectively.
Figures (a) to (C) are explanatory diagrams specifically showing defective items in the markings on the surface of the package to be inspected, and Figure 11 is a concrete illustration of the procedure for moving the inspected object within the visual inspection device. 12 is a cross-sectional view showing the mechanism of the lead flatness correction section; FIGS. 13(a) to (6) are explanatory drawings showing the positional relationship between the object to be inspected and the inspection head in the inspection section; FIG. FIG. 15 is an explanatory diagram showing the optical system inside the inspection head, FIG. 16 to 22 show the relationship between the defect detection accuracy (vertical axis) and the incident angle θ of illumination light (horizontal axis) for each inspection item obtained through experiments conducted by the inventor. FIG.

本実施例における外観検査装置1は第7図に示すように
、装置本体2と、これを制御するパソコンシステム等か
らなる制御部3とで構成されており、制御部3には同図
に図示されているプリンタ装置4および制御情報を表示
するためのデイスプレィ5の他に同図では図示されてい
ないが外部記憶手段として磁気ディスク装置6等が備え
られている。
As shown in FIG. 7, the visual inspection apparatus 1 in this embodiment is composed of an apparatus main body 2 and a control section 3 consisting of a personal computer system or the like that controls the main body 2. In addition to the printer device 4 and the display 5 for displaying control information, a magnetic disk device 6 and the like are provided as external storage means, although not shown in the figure.

本実施例で用いられる照明光源は照明本体がリング状に
構成された、いわゆるリング照明7であり、第3図に示
すようなランプハウス8を有している。ランプハウス8
には図示しないハロゲンランプなどの照明光源が内蔵さ
れており、この照明光源によって発生された照明光が束
状に構成された光フアイバケーブル10を経由してリン
グ照明7に伝えられる構成となっている。
The illumination light source used in this embodiment is a so-called ring illumination 7 in which the illumination body is configured in a ring shape, and has a lamp house 8 as shown in FIG. lamp house 8
has a built-in illumination light source such as a halogen lamp (not shown), and the illumination light generated by this illumination light source is transmitted to the ring illumination 7 via an optical fiber cable 10 configured in a bundle. There is.

第1図は、上記リング照明7を2重構造としたものを示
しており、外周側のリング照明7aと内周側のリング照
明7bとで照灯の切り換えを行うことによって、被検査
対象物である半導体装置11に対して照射される照明光
の照明角度θを変更可能となっている。このような、2
重構造のリング照明7は、第5図に示すように大径のリ
ング照明7aと小径のリング照明7bとで各々独立した
照明が可能な構造とされており、各リング照明7内には
たとえば光ファイバが埋め込まれた構造を有している。
FIG. 1 shows the ring illumination 7 having a double structure, and by switching the illumination between the ring illumination 7a on the outer circumferential side and the ring illumination 7b on the inner circumference side, the object to be inspected can be inspected. The illumination angle θ of the illumination light irradiated onto the semiconductor device 11 can be changed. Like this, 2
As shown in FIG. 5, the multi-layered ring illumination 7 has a structure in which a large-diameter ring illumination 7a and a small-diameter ring illumination 7b can provide independent illumination, and each ring illumination 7 includes, for example, It has a structure in which optical fibers are embedded.

なお、照明条件の変更方法として、第1図に示した大径
のリング照明7aと小径のリング照明7bとの照灯の切
り換えによるものの他、第4図に示すように単一のリン
グ照明7を用意し、このリング照明7を半導体装置11
に対して上下動させる構造としてもよい。
In addition, as a method of changing the illumination conditions, in addition to switching the illumination between the large-diameter ring illumination 7a and the small-diameter ring illumination 7b shown in FIG. 1, a single ring illumination 7 as shown in FIG. This ring illumination 7 is connected to the semiconductor device 11.
It is also possible to have a structure in which it is moved up and down with respect to.

上記照明光源からの照明光は、半導体装置110表面で
反射した後、リング照明7の上方に位置するTVカメラ
13によって光電変換される。T■カメラ13の撮像信
号は、概略的には第2図に示すように、まずA/D変換
部14においてA/D変換された後、多値化部19にお
いて2値化あるいは多値化されて一旦メモリ15に格納
された後、検出部16において、予めサンプリングされ
た基準信号と比較されて外観不良の有無が検出される。
The illumination light from the illumination light source is reflected on the surface of the semiconductor device 110 and then photoelectrically converted by the TV camera 13 located above the ring illumination 7. As schematically shown in FIG. 2, the image signal of the T■ camera 13 is first A/D converted in the A/D converter 14, and then binarized or multi-valued in the multi-value converter 19. After being stored in the memory 15, the detection unit 16 compares it with a reference signal sampled in advance to detect the presence or absence of an appearance defect.

第6図は、半導体装置11の移動手順を示しており、同
図に示すように、ローダ・アンローダ17より供給され
、位置決めの行われた半導体装置11は、まずリード平
坦度修正部18においてリード20の平坦度が修正され
た後、検査部21 (同図では第1検査部21a〜第3
検査部21cまでを図示)において所定の検査が実施さ
れ、搬送部22によってローダ・アンローダ17に戻さ
れる。
FIG. 6 shows the procedure for moving the semiconductor device 11. As shown in the figure, the semiconductor device 11 that has been supplied from the loader/unloader 17 and has been positioned is first read by the lead flatness correction unit 18. After the flatness of the inspection section 20 is corrected, the inspection section 21 (in the figure, the first inspection section 21a to the third inspection section 21a to
A predetermined inspection is carried out in the inspection section 21c (excluding inspection section 21c shown in the figure), and then returned to the loader/unloader 17 by the conveyance section 22.

上記の半導体装置11の移動は、たとえばコンベア等の
搬送手段により行われ、これらは第6図に示す駆動機構
制御部23によって制御されている。検査部21は各々
画像処理部24に接続されており、検査部21より得ら
れた画像信号はこの画像処理部24で処理されるととも
にCRT等のモニタ25によってオペレータの目視によ
る監視が可能となっている。上記画像処理部24は、制
御部3によって制御される構成となっている。
The above-mentioned movement of the semiconductor device 11 is performed by means of conveyance means such as a conveyor, and these are controlled by a drive mechanism control section 23 shown in FIG. The inspection sections 21 are each connected to an image processing section 24, and the image signals obtained from the inspection sections 21 are processed by the image processing section 24 and can be visually monitored by the operator using a monitor 25 such as a CRT. ing. The image processing section 24 is configured to be controlled by the control section 3.

上記構成を装置上のレイアウトで示したものが第11図
である。半導体装置11である半導体装置11は、収納
トレイ26に収容された状態でローダ・アンローダ17
に°供給され、該収納トレイ26より順次1個ずつ取り
出されて位置決め部9にてパッケージの位置決めが行わ
れた後、リード平坦度修正部18に送られる。リード平
坦度修正部18では、第12図(a)およびら)に示す
ように、押上機構27と押下機構28とを備えており、
両機構27.28は共に半導体装置11のパッケージ面
を固定する真空吸引口3“0を備えた吸着ステージ31
を有している。押上機構27における吸着ステージ31
の上方にはリード押え32が半導体装置11の側面より
突出されたリード20の根元部分を同図上方より支持す
るように設けられている。上記リード20に対してその
下方には押上型33が配置されており、上記リード20
の先端部分を下方から上方に一定距離だけ押し上げる構
造となっている。
FIG. 11 shows the above configuration as a layout on the device. The semiconductor device 11, which is the semiconductor device 11, is loaded into the loader/unloader 17 while being accommodated in the storage tray 26.
After the packages are taken out one by one from the storage tray 26 and positioned by the positioning section 9, they are sent to the lead flatness correction section 18. As shown in FIGS. 12(a) and 12(a), the lead flatness correction unit 18 includes a push-up mechanism 27 and a push-down mechanism 28.
Both mechanisms 27 and 28 include a suction stage 31 equipped with a vacuum suction port 3'0 that fixes the package surface of the semiconductor device 11.
have. Suction stage 31 in push-up mechanism 27
A lead presser 32 is provided above to support the root portion of the lead 20 protruding from the side surface of the semiconductor device 11 from above in the figure. A push-up mold 33 is arranged below the lead 20, and the lead 20
The tip is pushed up a certain distance from below.

一方、押下機構28は、第12図ら)に示すように吸着
ステージ31の側方に配置され、半導体装置11の側面
から突出されたリード20の根元部分を同図下方より支
持するリード押え32と、その上方に配置された押下型
34を有しており、上記リード20の先端部分を上方よ
り下方に一定距離だけ押し下げる構造となっている。
On the other hand, the push-down mechanism 28 is arranged on the side of the suction stage 31 as shown in FIG. , has a push-down mold 34 disposed above the lead 20, and is structured to push down the tip end portion of the lead 20 from above to below by a certain distance.

上記押上機構27ふよび押下機構28の押上型33およ
び押下型34は、マイクロメータヘッド等により定量的
な移動が可能な構造となっており、同図のようにガルウ
ィング状にリード20が形成された製品に対して、リー
ド20の押し下げおよび押し上げの2工程を通じて平坦
度の修正を行うものである。
The push-up die 33 and push-down die 34 of the push-up mechanism 27 and push-down mechanism 28 have a structure that allows for quantitative movement using a micrometer head, etc., and the leads 20 are formed in a gull-wing shape as shown in the figure. The flatness of the product is corrected through two steps: pushing down and pushing up the lead 20.

上記リード平坦度修正部18においてリード20の平坦
度修正の行われた半導体装置11は、検査IfB21に
送られて所定の外観検査が実施される。
The semiconductor device 11 on which the flatness of the leads 20 has been corrected in the lead flatness correction section 18 is sent to the inspection IfB 21 where a predetermined visual inspection is performed.

第13図(a)〜(6)はそれぞれ第1〜第4検査部(
21a〜21d)における半導体装W111と検査ヘッ
ド35との位置関係を示したものである。すなわち、第
1検査部21a (第13図(a))では半導体装置1
1の側面方向に検査ヘッド35.35が配置されており
、リード20の平坦度、パッケージ側面のボイド、リー
ド20の根元部分の半田付着等が検査される。第2検査
部21b(第13図(ハ))では、検査へラド35は半
導体装置11の上方に配置されてふり、主としてパッケ
ージ表面のボイド、異物付着、パッケージの欠け/クポ
ミ、パフケージクラック、マーキング状態、リード20
0曲がり等が検査される。第3検査部21c(第13図
(C))では、半導体装置11の下方に検査ヘッド35
が配置されており、半導体装置11の下面側から上記第
13図(社)で説明したものと同様の検査項目を実施す
る。なお、前述の第6図では図示していないが、第4検
査部21d(第13図(社))として検査ヘッド35を
半導体装置IIの側面方向に配置して、リード20の平
坦度および曲がり等をさらに精密に検査するかあるいは
第1検査部21a〜第3検査部2ICで検査することが
出来ない部分(リード裏側)の検査を行うようにしても
よい。
Figures 13(a) to (6) show the first to fourth inspection sections (
21a to 21d) shows the positional relationship between the semiconductor device W111 and the inspection head 35. That is, in the first inspection section 21a (FIG. 13(a)), the semiconductor device 1
Inspection heads 35 and 35 are arranged in the side direction of the lead 20, and inspect the flatness of the lead 20, voids on the side surface of the package, solder adhesion at the base of the lead 20, and the like. In the second inspection section 21b (FIG. 13(C)), the inspection head 35 is placed above the semiconductor device 11, and mainly inspects voids on the package surface, foreign matter adhesion, package chipping/pumps, and puff cage cracks. Marking condition, lead 20
0 bends etc. are inspected. In the third inspection section 21c (FIG. 13(C)), an inspection head 35 is placed below the semiconductor device 11.
are arranged, and the same inspection items as those explained with reference to FIG. 13 above are performed from the bottom side of the semiconductor device 11. Although not shown in FIG. 6, the inspection head 35 is disposed as a fourth inspection section 21d (FIG. 13) in the side direction of the semiconductor device II to check the flatness and bending of the leads 20. etc. may be inspected more precisely, or a portion (the back side of the lead) which cannot be inspected by the first inspection section 21a to the third inspection section 2IC may be inspected.

第14図は、上記検査へγド35の構成を示している。FIG. 14 shows the configuration of the gamma door 35 for the above-mentioned inspection.

第14図の検査ヘッド35の配置は第13図(b)の検
査へラド35の配置状態に対応しているものとする。こ
の配置状態において、リング照明7の上方に位置する検
査へラド35の内部には、レンズ36を経てガルバノミ
ラ−37が配置されており、このガルバノミラ−37に
よって反射された反射光が例えば2048画素のCCD
リニアセンサによって構成された受光素子38に入光さ
れ、半導体装置11からの反射光を画像信号に変換する
構成となっている。なお、上記ガルバノミラ−37は、
ガルバノミラ−制御部40によって反射角度を移動でき
る構造とされており、半導体装置11のパッケージ表面
を所定の範囲で走査可能となっている。
It is assumed that the arrangement of the inspection head 35 in FIG. 14 corresponds to the arrangement of the inspection head 35 in FIG. 13(b). In this arrangement state, a galvano mirror 37 is disposed inside the inspection radar 35 located above the ring illumination 7 via a lens 36, and the light reflected by this galvano mirror 37 is transmitted to, for example, 2048 pixels. CCD
The light enters a light receiving element 38 constituted by a linear sensor, and the reflected light from the semiconductor device 11 is converted into an image signal. In addition, the above galvano mirror 37 is
It has a structure in which the reflection angle can be moved by a galvano mirror control unit 40, and the surface of the package of the semiconductor device 11 can be scanned within a predetermined range.

次に、本実施例における主な検査項目について第8図〜
第10図を用いて具体的に説明する。
Next, the main inspection items in this example are shown in Figs.
This will be explained in detail using FIG. 10.

第8図(a)〜(r)は半導体装11i!11のリード
部における不良項目を各々示している。
FIGS. 8(a) to (r) show the semiconductor device 11i! Each of the defective items in the 11 lead portions is shown.

同図(a)はフラットパッケージ、(b)はJリードパ
ッケージのリード平坦度に関する不良状態を示しており
、同図中に示すばらつきΔaが所定値、たとえば数十μ
m以上の場合にはリード平坦度不良とされるものである
The figure (a) shows a flat package, and the figure (b) shows a defective state regarding lead flatness of a J-lead package.
If it is more than m, the lead flatness is considered to be poor.

同図(C)および(6)は、リード曲がり不良、すなわ
ちリード20の水平方向のずれを示しており、このずれ
量Δaが一定値以上となった場合が不良とされる。
Figures (C) and (6) show defective lead bending, that is, displacement of the lead 20 in the horizontal direction, and when the amount of displacement Δa exceeds a certain value, it is determined to be defective.

同図(e)はリード不揃い不良、同図げ〕はダム切断不
良、同図((至)はリード打痕不良、同図(社)はレジ
ンフラッシュ不良、同図(i)はリードキズ不良、同図
(J)はめっき不良、同図(資)は半田濡れ不良、同図
(1)は半田ブリッジ不良、同図■は半田ヒゲおよび半
田ツララ不良、同図(n)〜(ロ)はそれぞれ半田突起
/過多/粒不良、同図(6)は異物付着不良、同図(r
)は汚れ不良をそれぞれ示している。これらの各検査項
目は同一の検査部21で同時に検査可能なものも多い。
The same figure (e) shows a lead misalignment defect, the same figure (g) shows a dam cutting defect, the same figure ((to)) shows a lead dent defect, the same figure shows a resin flash defect, the same figure (i) shows a lead scratch defect, The same figure (J) shows a plating defect, the same figure (capital) shows a solder wetting defect, the same figure (1) shows a solder bridge defect, the same figure ■ shows a solder whisker and solder icicle defect, and the same figure (n) to (B) shows a solder bridging defect. Solder protrusions/excessive/defective grains, figure (6) shows defective foreign matter adhesion, figure (r
) indicate stain defects. Many of these inspection items can be inspected simultaneously by the same inspection section 21.

たとえば、同図(e)〜同図0)等の項目については同
時に検査可能である。
For example, items such as (e) to (0) in the same figure can be inspected at the same time.

第9 図(a)〜(i)は、モールド部における不良項
目をそれぞれ示している。
FIG. 9 (a) to (i) each show defective items in the mold section.

すなわち、同図(a)および(b)は、半導体装置11
のパッケージ表面におけるボイド不良を示しており、同
図(C)は主としてレジンクズ等による異物付着不良、
同図(6)および(e)はカケ/クボミ不良、同図(f
)はパッケージクラック不良、同図(8)はキズ不良、
同図(社)は汚れ/シミ不良、同図(りは半田付着不良
をそれぞれ示している。なお、同図では(1)のみDI
P形のパッケージ構造で示しているが、他のパッケージ
構造であっても検査項目はほぼ同様である。
That is, in FIGS. 11A and 11B, the semiconductor device 11
This figure shows void defects on the package surface, and (C) shows defects mainly due to foreign matter adhesion due to resin debris, etc.
Figures (6) and (e) are defective chips/depressions, and (f)
) is a package crack defect, the same figure (8) is a scratch defect,
The same figure shows a dirt/stain defect, and the same figure shows a solder adhesion defect. In the same figure, only (1) shows the DI.
Although a P-type package structure is shown, the inspection items are almost the same for other package structures.

第10図(a)〜(C)は、それぞれマーキング不良の
態様を示しており、同図(a)は文字の一部が欠けてい
る状態のマーク欠は不良、同図ら)は文字が消えている
マーク消え不良、同図(C)はマーキングの濃淡が異常
となっている濃淡不良をそれぞれ示している。なおマー
キング不良に関してはこの他にも図示していないが、イ
ンク付着、位置ズレ、ダブリマーキング等の不良項目が
ある。
Figures 10 (a) to (C) each show forms of defective marking. Figure 10 (a) shows a defective mark where part of the character is missing, and Figure 10 (a) shows a defect where the mark is missing, and Figure 10 (a) shows the character disappearing. (C) shows a mark erasure defect, and (C) shows a shading defect in which the shading of the marking is abnormal. Although not shown, there are other marking defects such as ink adhesion, misalignment, and double marking.

なお、第10図にそれぞれ示したマーキング不良の検査
に関しては、先の第8図におけるリード部の検査あるい
はモールド部の検査等において同時に実施することが可
、能である。
Note that the inspection for marking defects shown in FIG. 10 can be carried out at the same time as the inspection of the lead part or the inspection of the mold part shown in FIG. 8.

また、上記第8図〜第10図で説明した検査項目は完全
不良項目と再生可能不良項目とに分類することができる
。すなわち、前者はその不良が再加工によって補填でき
ない程度のものであり、当該不良が発見されるとその製
品はライン上から廃棄してしまう以外にないものを指す
。これらに該当するものとしては、リードの不揃い不良
(第8図(e)) 、リード打痕不良(第8図(〕)、
めっき不良(第8図(社))、ボイド不良(第9図(a
))、パッケージクラック不良(第9図(f))等があ
る。また、後者の再生可能不良は、不良箇所の修正によ
って再生可能な項目であり、リード平坦度不良(第8図
(a)および(b))、リード曲がり不良(第8図(C
)および(6))、半田濡れ不良(第8図Ck)) 、
半田ブリッジ不良(第8図(1))、等がある。
Furthermore, the inspection items explained in FIGS. 8 to 10 above can be classified into completely defective items and reproducible defective items. In other words, the former refers to products whose defects cannot be compensated for by reprocessing, and when such defects are discovered, the only option is to discard the product from the production line. These include lead misalignment defects (Figure 8 (e)), lead dent defects (Figure 8 ()),
Plating defects (Fig. 8 (company)), void defects (Fig. 9 (a)
)), package crack defects (FIG. 9(f)), etc. The latter reproducible defects are items that can be recovered by correcting the defective part, such as lead flatness defects (Figure 8 (a) and (b)) and lead bending defects (Figure 8 (C)).
) and (6)), poor solder wetting (Fig. 8 Ck)),
There are solder bridge defects (Fig. 8 (1)), etc.

本実施例の検査部21で行われる不良項目の検査に際し
ては、まず前者の完全不良項目についての検査を行い、
続いて再生可能不良項目の検査を行うことにより、完全
不良項目該当製品をラインから強制的に排除した後に、
効率的に再生可能不良項目の検査を行うことができ、検
査重複の無駄を低減することができる。
When inspecting defective items in the inspection section 21 of this embodiment, first, the former completely defective items are inspected;
Next, by inspecting recyclable defective items, completely defective products are forcibly removed from the line, and then
It is possible to efficiently inspect reproducible defective items and reduce the waste of duplicate inspections.

次に、本実施例により得られた不良検出率の変化につい
て本発明者の実験結果を基に説明する。
Next, changes in the defect detection rate obtained in this example will be explained based on the inventor's experimental results.

本実験において、本発明者は第15図に示すように、被
検査物体である半導体装置11の上方りの高さに上下動
可能な直径rのリング照明7を配置し、その上方に光学
系41を配置した。このとき、リング照明7からの入射
光と基準光軸lとで構成される角度をθとしてリング照
明7の高さhを変化させることによりこの角度θを変化
させて不良検出率の変化を測定した。
In this experiment, as shown in FIG. 15, the inventor placed a ring illumination 7 with a diameter r that can be moved up and down at a height above the semiconductor device 11, which is the object to be inspected, and placed an optical system above it. 41 was placed. At this time, the angle formed by the incident light from the ring illumination 7 and the reference optical axis l is set as θ, and the height h of the ring illumination 7 is changed to change this angle θ and the change in the defect detection rate is measured. did.

なお、第16図〜第22図において、◎、O1△、Xは
不良検出率の度合を示しており、◎は最適な画像認識に
より不良検出が最適な状態で行われた場合、Oは概ね適
正な状態となっている場合、△は検出にやや難がある場
合、×は検出が困難な場合をそれぞれ示している。
In addition, in Figures 16 to 22, ◎, O1△, and X indicate the degree of defect detection rate. When the state is appropriate, △ indicates that detection is somewhat difficult, and × indicates that detection is difficult.

第16図は第9図(a)もしくは(b)に示すようなパ
ッケージ表面におけるボイドの検出を行った実験結果を
示しており、予めφ=200〜300μm程度のボイド
不良を生じている製品を試料として用意し、不良検出率
をθ= 12.3°〜40.9°の範囲でモニタ25上
における認識画像によって検査した。この結果、同図に
示すように、θが12゜3°〜23.6°の間では上記
ボイドが鮮明に検出可能であったが、27.5 @〜3
3.0°の間では検出に難があり、39.1°以上では
検出不可能であった。この結果、パッケージ表面のボイ
ドの検出においては、θが小さい値、すなわちhを比較
的高い位置に配置する方が検出率が高くなることが判明
した。
Figure 16 shows the experimental results of detecting voids on the package surface as shown in Figure 9 (a) or (b). A sample was prepared, and the defect detection rate was inspected using a recognized image on the monitor 25 in the range of θ=12.3° to 40.9°. As a result, as shown in the same figure, the voids were clearly detectable when θ was between 12° and 3°, but between 27.5 and 3°.
Detection was difficult between 3.0° and impossible to detect above 39.1°. As a result, it has been found that in detecting voids on the package surface, the detection rate is higher when θ is small, that is, when h is placed at a relatively high position.

第17図は、第8図(1〕に示したようなり−ドキズ不
良を検出する場合を示してふり、この場合には同図に示
すように、12.3 ’〜16.3 ’の狭い範囲で検
出率が高いことが明かとなった。
FIG. 17 shows the case of detecting a scratch defect as shown in FIG. 8 (1). In this case, as shown in the same figure, a narrow It became clear that the detection rate was high within this range.

第18図は、第8図(g)に示したようなり−ド打痕不
良の検出を示しており、このような検査項目においては
22.1°〜40.9°の比較的θの大きくなる範囲、
すなわちhの値が小さくなるように半導体装置11に対
してリング照明7を降下・接近させた位置に配置するこ
とにより不良検出率が高くなることが明らかになった。
Fig. 18 shows the detection of a dent defect as shown in Fig. 8 (g). The range of
In other words, it has been found that the failure detection rate can be increased by arranging the ring illumination 7 at a position lowered and closer to the semiconductor device 11 so that the value of h is small.

第19図は、第8図(社)に示したレジンフラッシュ不
良の検出を示しており、この種の検査項目では12.3
°〜33,0°の比較的広範囲で高い検出率が得られて
いる。
Figure 19 shows the detection of the resin flash failure shown in Figure 8 (Company), and this type of inspection item is 12.3.
A high detection rate was obtained over a relatively wide range of 33,0° to 33,0°.

第20図は、半導体装置11のパッケージに右けるモー
ルドキズ不良(第9図(g))の検出率の変化を示して
おり、当該検査項目については、22゜5゛〜40.9
 @の範囲における検出率が高くなっている。
FIG. 20 shows changes in the detection rate of mold scratch defects (FIG. 9 (g)) on the package of the semiconductor device 11, and for the inspection item,
The detection rate in the @ range is high.

第21図は、半導体装置11のパッケージに右けるモー
ルド異物付着(第9図(C))の検出率の変化を示して
おり、同図によればθ= 12.3°〜40.9°の範
囲で概ね適正な検出率を維持できている。
FIG. 21 shows changes in the detection rate of mold foreign matter adhesion (FIG. 9(C)) on the package of the semiconductor device 11, and according to the figure, θ=12.3° to 40.9°. Appropriate detection rates were generally maintained within this range.

第22図は、半導体装置11におけるパッケージ表面の
マーキング不良を示しており、22.1゜〜40.9°
の範囲で高い・検出率が得られている。
FIG. 22 shows marking defects on the surface of the package in the semiconductor device 11, and shows marking defects of 22.1° to 40.9°.
A high detection rate was obtained within the range of .

以上第16図〜第22図で示したように、各検査項目に
よって高い検出率の得られる角度θの範囲は異なってお
り、検査項目毎に最高検出率の得られるように角度θを
設定する必要のあることが理解できる。
As shown in Figures 16 to 22 above, the range of angle θ that provides a high detection rate differs depending on each test item, and the angle θ is set so that the highest detection rate can be obtained for each test item. I can understand what is needed.

上記角度θの設定は、先に説明したように、第151!
lに示した高さhを変化させることによって可能である
。な右、第15図ではリング照明7を上下動させて高さ
hを変化させ、これにともなって角度θを変化させる場
合で説明したが、これに限らず第1図で説明したように
、大径と小径のリング照明7a、7bを用意し、これら
の照灯を切り換えることによって角度θを2段階あるい
は数段階に変化させてもよい。
As explained above, the setting of the angle θ is the 151st!
This is possible by changing the height h shown in l. On the right, in FIG. 15, the ring illumination 7 is moved up and down to change the height h, and the angle θ is changed accordingly, but the present invention is not limited to this, as described in FIG. It is also possible to prepare large-diameter and small-diameter ring lights 7a and 7b and change the angle θ in two or several stages by switching between these lights.

さらに、上記以外にも、リング照明7を高さhの異なる
位置に複数系統設けた構成として、これらの照灯を切換
制御することによって角度θを段階的に変更する機構と
してもよい。
Furthermore, in addition to the above, a structure may be adopted in which a plurality of ring lights 7 are provided at positions with different heights h, and the angle θ is changed in stages by switching and controlling these lights.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、照明条件の変
更としては、被検査対象に対する照明光源の照射角度を
変更する場合について説明したが、これに限らず他の照
明条件の変更、たとえば照明光量の変更等を行うことに
してもよい。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor. For example, as a change in illumination conditions, we have explained the case where the irradiation angle of the illumination light source with respect to the object to be inspected is changed, but this is not limited to this, and it is also possible to change other illumination conditions, such as changing the amount of illumination light. good.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野である、いわゆる半導体装置製造におけ
るパッケージ組立後の外観検査技術に適用した場合につ
いて説明したが、これに限定されるものではなく、たと
えば半導体ウェハ状態における外観検査、さらには他の
電子部品等における外観検査に広く適用できる。
In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to the field of application, which is the visual inspection technology after package assembly in semiconductor device manufacturing, but the present invention is not limited to this, and for example, It can be widely applied to visual inspection of semiconductor wafers and other electronic components.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、多種の検査項目に対してそれぞれ最適な照明
状態の設定を可能とすることにより、光の反射率の異な
る被検査部位間にふいても不良検出率が変化することな
く、常に高精度な検出を行うことができる。
In other words, by making it possible to set the optimal lighting conditions for various inspection items, the defect detection rate does not change even when inspecting parts with different light reflectances, and it is possible to always maintain high accuracy. Detection can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例である外観検査装置の光学系
を示す説明図、 第2図はその処理系を示すブロック図、第3図は上記実
施例における照明光源を示す斜視図、 第4図は同じく照明光源の移動による変化の状態を示す
説明図、 第5図はリング照明の断面構造を示す断面図、第6図は
本実施例における被検査対象の移動手順を説明するため
のブロック図、 第7図は装置構成の外観を示す斜視図、第8図(a)〜
(r)はそれぞれ被検査対象のリード部における不良項
目を具体的に示す説明図、第9図(a)〜(1)はそれ
ぞれ被検査対象のモールド部における不良項目を具体的
に示す説明図、第10図(a)〜(C)はそれぞれ被検
査対象のパッケージ表面のマーキング部における不良項
目を具体的に示す説明図、 第11図は実施例の外観検査装置内における被検査物体
の移動手順を具体的に示す説明図、第12図(a)およ
び(5)は実施例のリード平坦度修正部の機構を示す断
面図、 第13図(a)〜(d)は各検査部における被検査物体
と検査ヘッドとの位置関係を示す説明図、第14図は実
施例における検査ヘッドの内部における光学系を示す説
明図、 第15図は本実施例の実験結果を説明するための光学系
とリング照明と被検査物体である半導体装置の配置状態
を示す説明図、 第16図〜第22図は実施例の説明のために、本発明者
の実験によって得られた各検査項目における不良検出精
度(縦軸)と照明光の入射角度θ(横軸)との関係を示
す説明図である。 1・・・外観検査装置、2・・・装置本体、3・・・制
御部、4・・・プリンタ装置、5・・・デイスプレィ、
7・・・リング照明、7a・・・リング照明、7b・・
・リング照明、8・・・ランプハウス、9・・・位置決
め部、10・・・光フアイバケーブル、11・・・半導
体装置、13・・・TVカメラ、14・・・A/D変換
部、15・・・メモリ、16・・・検出部、17・・・
ローダ・アンローダ、18・・・リード平坦度修正部、
19・・・多値化部、20・・・リード、21・・・検
査部、21a・・・第1検査部、21b・・・第2検査
部、21c・・・第3検査部、21d・・・第4検査部
、22・・・搬送部、23・・・駆動機構制御部、24
・・・画像処理部、25・・・モニタ、26・・・収納
トレイ、27・・・押上機構、28・・・押下機構、3
0・・・真空吸引口、31・・・吸着ステージ、32・
・・リード押え、33・・・押上型、34・・・押下型
、35・・・検査ヘッド、36・・・レンズ、37・・
・ガルバノミラ−38・・・受光、l、40・・・ガル
バノミラ−制御部、41・・・光学系、θ・・・入射角
度。 代理人 弁理士 筒 井 大 和 第 図 第 図 第2 11面の浄書 第7図 図面の浄; 第 図 図面の浄書 第 図 (a) (b) 第10図 第 図 (a) (b) 第 図 図面の浄書 (C) (d) 第14 図 第 図 第17 図 第18 図 第19 図 第20図 第 図 第22 図 手続補正書 (方式) %式% 発明の名称 外観検査方法および装置 3゜ 補正をする者 事件との関係 名称(510)
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an optical system of a visual inspection apparatus that is an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing its processing system, and FIG. 3 is a perspective view showing an illumination light source in the above embodiment. FIG. 4 is an explanatory diagram showing the state of change due to movement of the illumination light source, FIG. 5 is a sectional view showing the cross-sectional structure of the ring illumination, and FIG. 6 is for explaining the procedure for moving the object to be inspected in this example. 7 is a perspective view showing the external appearance of the device configuration, and FIG. 8(a) to
(r) is an explanatory diagram specifically showing defective items in the lead part to be inspected, and FIGS. 9(a) to (1) are explanatory diagrams specifically showing defective items in the mold part to be inspected, respectively. , FIGS. 10(a) to (C) are explanatory diagrams specifically showing defective items in the markings on the surface of the package to be inspected, and FIG. 11 is the movement of the object to be inspected within the visual inspection apparatus of the example. Explanatory diagrams specifically showing the procedure, FIGS. 12(a) and (5) are cross-sectional views showing the mechanism of the lead flatness correction section of the example, and FIGS. 13(a) to (d) are diagrams of each inspection section. An explanatory diagram showing the positional relationship between the object to be inspected and the inspection head, FIG. 14 is an explanatory diagram showing the optical system inside the inspection head in the example, and FIG. 15 is an optical diagram for explaining the experimental results of this example. An explanatory diagram showing the arrangement of the system, ring illumination, and a semiconductor device as an object to be inspected, and Figures 16 to 22 are diagrams showing defects in each inspection item obtained through experiments by the inventor for the purpose of explaining examples. FIG. 3 is an explanatory diagram showing the relationship between detection accuracy (vertical axis) and incident angle θ of illumination light (horizontal axis). DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Appearance inspection device, 2... Device body, 3... Control unit, 4... Printer device, 5... Display,
7...Ring lighting, 7a...Ring lighting, 7b...
- Ring lighting, 8... Lamp house, 9... Positioning unit, 10... Optical fiber cable, 11... Semiconductor device, 13... TV camera, 14... A/D conversion unit, 15...Memory, 16...Detection unit, 17...
Loader/unloader, 18... Lead flatness correction section,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 19... Multi-value conversion part, 20... Lead, 21... Inspection part, 21a... First inspection part, 21b... Second inspection part, 21c... Third inspection part, 21d ... Fourth inspection section, 22... Conveyance section, 23... Drive mechanism control section, 24
... Image processing section, 25 ... Monitor, 26 ... Storage tray, 27 ... Push-up mechanism, 28 ... Push-down mechanism, 3
0... Vacuum suction port, 31... Adsorption stage, 32...
...Lead presser, 33...Pushing die, 34...Pushing die, 35...Inspection head, 36...Lens, 37...
- Galvano mirror 38... Light reception, l, 40... Galvano mirror control unit, 41... Optical system, θ... Incident angle. Agent: Daiwa Tsutsui, Patent Attorney Figure 2, 11 pages of engraving, Figure 7; engraving of Figure 7; Engraving of drawings (C) (d) Fig. 14 Fig. Fig. 17 Fig. 18 Fig. 19 Fig. 20 Fig. 22 Drawing procedure amendment (method) % formula % Name of invention Visual inspection method and device 3゜Relationship name with the person making the amendment (510)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、被検査対象に対して照明光を照射し、この反射光に
よって外観状態を検査する外観検査であって、照明条件
を可変にして多種の検査項目に対してそれぞれ最適な照
明状態の設定を可能とすることを特徴とする外観検査方
法。 2、上記照明条件の変更は被検査対象に対する照明光源
の照射角度を連続的に変化させることにより行うことを
特徴とする請求項1記載の外観検査方法。 3、上記照明条件の変更は被検査対象に対する照明光源
の照射角度を段階的に変化させることにより行うことを
特徴とする請求項1記載の外観検査方法。 4、所定の被検査対象に対してあらかじめ照明光源の照
明条件設定のために用意されたパラメータを種々に変更
して多種の検査項目を実施する際に、検査項目を完全不
良項目と再生可能不良項目とに分け、完全不良項目を検
査した後に再生可能不良項目を検査することを特徴とす
る外観検査方法。 5、被検査対象に対して相対的に移動可能な照明光源と
、2以上の検査項目の変更にしたがって被検査対象と照
明光源との位置を予め定められた最適値に設定する制御
手段とを備えた外観検査装置。 6、被検査対象に対して切換照灯が可能な2以上の照明
光源と、2以上の検査項目の変更にしたがって2以上の
照明光源のうちから最適な照明光源を選択して照灯させ
る制御手段とを備えた外観検査装置。 7、上記2以上の照明光源は、被検査対象に対して配置
されたリング径の異なる2以上のリング照明からなるこ
とを特徴とする請求項6記載の外観検査装置。 8、上記2以上の照明光源は、被検査対象に対して高さ
位置の異なる2以上のリング照明からなることを特徴と
する請求項6記載の外観検査装置。 9、照明光源と光学系と面像認識手段とをそれぞれ備え
た2以上の画像入力部を有しており、各画像入力部では
各々異なる照明配置によって認識された被検査対象から
の認識画像を得ることを特徴とする外観検査装置。
[Claims] 1. A visual inspection in which an object to be inspected is irradiated with illumination light and the external appearance is inspected using the reflected light, and the illumination conditions are varied to be optimized for various inspection items. An appearance inspection method characterized by making it possible to set a lighting condition. 2. The external appearance inspection method according to claim 1, wherein the illumination conditions are changed by continuously changing the irradiation angle of the illumination light source with respect to the object to be inspected. 3. The external appearance inspection method according to claim 1, wherein the change in the illumination conditions is carried out by changing stepwise the irradiation angle of the illumination light source with respect to the object to be inspected. 4. When performing a variety of inspection items by changing various parameters prepared in advance for setting the illumination conditions of the illumination light source for a given object to be inspected, it is possible to differentiate the inspection items from completely defective items and reproducible defects. An appearance inspection method characterized by dividing the items into two, and inspecting completely defective items and then inspecting recyclable defective items. 5. An illumination light source that is movable relative to the object to be inspected, and a control means that sets the position of the object to be inspected and the illumination light source to a predetermined optimum value in accordance with changes in two or more inspection items. Equipped with visual inspection equipment. 6. Two or more illumination light sources that can be switched to illuminate the object to be inspected, and control to select and illuminate the optimal illumination light source from among the two or more illumination light sources according to changes in two or more inspection items. Appearance inspection device comprising means. 7. The appearance inspection apparatus according to claim 6, wherein the two or more illumination light sources are two or more ring lights arranged with respect to the object to be inspected and having different ring diameters. 8. The appearance inspection apparatus according to claim 6, wherein the two or more illumination light sources are two or more ring lights at different height positions with respect to the object to be inspected. 9. It has two or more image input units each equipped with an illumination light source, an optical system, and a surface image recognition means, and each image input unit receives a recognized image from the object to be inspected recognized by a different illumination arrangement. Appearance inspection device characterized by obtaining.
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