JPH02252793A - Organic electroluminescent element - Google Patents

Organic electroluminescent element

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JPH02252793A
JPH02252793A JP1075936A JP7593689A JPH02252793A JP H02252793 A JPH02252793 A JP H02252793A JP 1075936 A JP1075936 A JP 1075936A JP 7593689 A JP7593689 A JP 7593689A JP H02252793 A JPH02252793 A JP H02252793A
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cathode
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Masaki Hasegawa
長谷川 正木
Masao Nohara
野原 正雄
Tadashio Hosokawa
地潮 細川
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Idemitsu Kosan Co Ltd
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Idemitsu Kosan Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To obtain the title element capable of emitting a yellow light with high luminance at a low voltage by putting a thin-film luminescent layer comprising a distyrylpyrazine derivative between a pair of electrodes. CONSTITUTION:A thin film of an anode substance having a thickness of 1mum or less, preferably 10-200nm, is formed on a substrate to give an anode, on which a thin film of a luminescent material comprising a distyrylpyrazine derivative of the formula (wherein X and Y are each a monovalent aromatic residue or heteroaromatic residue) and having a thickness of 5nm to 5mum is formed under the conditions of a boat heating temperature of 50-400 deg.C, a degree of vacuum of 10<-5>-10<-3>Pa, a rate of deposition of 0.01-50nm/sec, and a substrate temperature of -50 to 300 deg.C to provide a luminescent layer. A thin film of a cathode substance having a thickness of 1mum or less, preferably 50-200nm, is then formed to provide a cathode on the luminescent layer, thus giving the title element having a luminescent layer comprising a distyrylpyrazine derivative put between a pair of electrodes.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention] 【産業上の利用分野】[Industrial application field]

本発明は新規な有機エレクトロルミネッセンス素子に関
するものである。さらに詳しくいえば、本発明は各種表
示装置の発光素子として好適な、黄色及び緑色発光を特
に低電圧で高輝度に出力しうる有機エレクトロルミネッ
センス素子に関するものである。
The present invention relates to a novel organic electroluminescent device. More specifically, the present invention relates to an organic electroluminescent device that is suitable as a light emitting device for various display devices and is capable of outputting yellow and green light with particularly low voltage and high brightness.

【従来の技術】[Conventional technology]

近年、エレクトロルミネッセンス素子(以下、EL素子
と略称する)は自己発光のため視認性が高く、かつ完全
固体素子であるため、耐衝撃性に優れるなどの特徴を有
することから、各種表示装置における発光素子としての
利用が注目されている。 このEL素子には、発光材料に無機化合物を用いて成る
無機EL素子と有機化合物を用いて成る有機EL素子と
があり、このうち、有機EL素子は印加電圧を大幅に低
くしうるために、その実用化研究が積極的になされてい
る。 前記有機EL素子の構成については、陽極/発光層/陰
極の構成を基本とし、これに正孔注入輸送層や電子注入
輸送層を適宜設けたもの、例えば陽極/正孔注入輸送層
/発光層/陰極や、陽極/正孔注入輸送層/発光層/電
子注入輸送層/陰極などの構成のものが知られている。 該正孔注入輸送層は、陽極より注入された正孔を発光層
に伝達する機能を有し、まt;、電子注入輸送層は陰極
より注入された電子を発光層に伝達する機能を有してい
る。そして、該正孔注入輸送層を発光層と陽極との間に
介在させることによって、より低い電界で多くの正孔が
発光層に注入され、さらに、発光層に陰極又は電子注入
輸送層より注入された電子は、該発光層と正孔注入輸送
層の界面に存在する電子の障壁により、この発光層内の
界面に蓄積され発光効率が上がることが知られている〔
「アゲライド・フィジックス・レターズ」第51巻、第
913ページ(1987年)]。 このような有機EL素子については、これまで種々のも
の、例えば(1)陽極/正孔注入帯域/発光帯域/陰極
の構成から成る積層型素子(特開昭59−194393
号公報)、(2)陽極/正孔注入輸送帯域/発光帯域/
陰極の構成を有し、かつ発光帯域が、電子と正孔を注入
されうる機能をもつホスト物質に、正孔と電子の再結合
に応答して発光する蛍光物質をドープしたものから成る
積層型素子、(3)発光材料として12−7りロペリノ
ンを用いt;素子t[ジャパニーズ・ジャーナル・オブ
・アプライド・フィジックス・レターズ(J、J、Ap
pl、Phys、Lett、)J第27巻、L713 
(1988年)]などが開示されている。 前記(1)の素子においては、約20 ”V程度の低電
圧で、数百e d / m ’の高輝度の青緑、青、橙
色発光が得られている。例えば正孔注入帯域にトリフェ
ニルアミン誘導体を、発光帯域にアルミニウムオキシン
錯体を用いることで、340cd/m”の緑色発光を、
また、発光帯域にベンゾオキサゾール系蛍光増白剤を用
いることで、高輝度の青緑、橙色発光を実現している。 −方、(2)の素子においては低電圧で、高輝度の赤、
緑、青緑の発光が得られているが、(−3)の素子にお
いては印加電圧50v程度で黄色の明所で視認できる出
力1 m W / cta’程度の発光が得られている
にすぎない。このように、従来の有機EL素子において
は、高出力の黄色発光はまだ得られていないのが実状で
ある。 〔発明が解決しようとする課題] 本発明は、このような事情のもとで、黄色発光を、特に
低電圧で高輝度にて出力しうる新規な有機EL素子を提
供することを目的としてなされたものである。 〔課題を解決するための手段J 本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重
ねた結果、発光材料として、ジスチリルピラジン誘導体
を用いた有機EL素子が、高輝度の黄色及び緑色発光を
低電圧で出力できることを見い出し、この知見に基づい
て本発明を完成するに至った。 すなわち、本発明は、発光材料として、ジスチリルピラ
ジン誘導体、特に一般式 %式%() (式中のX及びYは、それぞれ−価の芳香族残基又はヘ
テロ芳香族残基であり、それらは同一であってもよいし
、たがいに異なっていてもよい)で表される化金物を用
いたことを特徴とする有機EL素子を提供するものであ
る。 以下、本発明の詳細な説明する。 本発明EL素子において、発光材料として用いられるジ
スチリルピラジン誘導体としては、特に前記一般式(り
で表されるジスチリルピラジン骨格構造を有する化合物
が好ましく、このものは固体状態において蛍光性を示し
、かつ電子と正孔の移動性をもたらす上、該ジスチリル
ピラジン骨格の共役性により、イオン化エネルギーが小
さく、電子親和力が大きいので、電極などからの電荷の
注入が容易であるなどの特性を有している。 前記一般式(1)におけるX及びYは、それぞれ−価の
芳香族残基又はへテロ芳香族残基であり、該芳香族残基
としては、例えばフェニル基、ナフチル基、アントニル
基、スチリル基などが、まt;へテロ芳香族残基として
は、例えばフリル基、チエニル基、ピロリル基、ピリジ
ル基、キノリル基、チアゾリル基、オキサシリル基、イ
ミダゾリル基、ベンゾオキサシリル基、ベンゾチアゾリ
ル基、ベンゾイミダゾリル基、カルバゾリル基、トリア
ゾール基、ピラゾリン基よりなる一価の基などが挙げら
れる。 これらの芳香族残基やヘテロ芳香族残基には、前記の特
性が損なわれない範囲で、各種の置換基が導入されてい
てもよい。該置換基としては、例えばメチル基、エチル
基、イソプロピル基、1−ブチル基などのアルキル基又
はそのハロゲン置換アルキル基、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、ホ
ルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基な
とのアシル基、ベンジル基、フェネチル基などのアラル
キル基、フェノキシ基、トリルオキシ基などのアリール
オキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基な
どのアルコキシカルボニル基、アセチルオキシ基、プロ
ピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基などのアシルオキ
シ基、アセチルアミノ基、グロビオニルアミノ基、ブチ
リルアミノ基などのアシルアミノ基、カルバモイル基、
ジメチルアミノカルボニル基、カルボニル基などのアミ
ノカルボニル基、フェノキシカルボニル基、トリルオキ
シカルボニル基、キシリルオキシカルボニル基などのア
リールオキシカルボニル基、各種ハロゲン原子、カルボ
キシル基、水酸基、さらにはメチル基、エチル基、プロ
ピル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基など
のアルコキシ基などの置換基を有する又は有しないフェ
ニル基、さらには一般式 (式中のR1及びRzは、それぞれ水素原子、メチル基
、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、
ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基などのアシル
基、フェニル基又はトリル基、キシリル基などの置換フ
ェニル基であり、それらは同一であってもよいし、l;
がいに異なっていてもよく、またたがいに結合して置換
、無置換の飽和五員環又は飽和六員環を形成していても
よいし、X%Yに置換している基と結合して置換、無置
換の飽和五員環又は飽和六員環を形成していてもよい) で表される基などが挙げられる。 前記一般式(I)におけるX及びYは、同一であっても
よいし、たがいに異なっていてもよく、またそれらに置
換している基の間で結合して飽和、不飽和の環構造が形
成されたものであってもよい。 前記一般式(I)で表されるジスチリルピラジン誘導体
の中で特に二重結合の部位がトランス構造であるものが
、固体状態での強度の蛍光性を有する点から好ましく、
また、前記置換基の中では、アルキル基及びアルコキシ
基が同様な理由で好ましい。 本発明EL素子において、発光材料として用いられる前
記一般式(I)で表されるジスチリルピラジン誘導体の
具体例としては、次の化合物を挙げることができる。 (l 6) CH,0 0(M3 (l 4) CH。 これらの化合物の中で、(4)の2.5−ビス−(2−
(4−ヒフェニル)エチニル〕ビラシンハ、文献未載の
新規化合物であって、例えばp−フ二二ルベンズアルデ
ヒドと2,5−ジメチルピラジンとを、酸無水物の存在
下で反応させることにより製造することができる。まI
;、(4)以外の化合物は、例えば[ジャーナル・オブ
・ポリマー・サイエンス・ポリマー・フィジックス・エ
ディション(J、Polymer Sci、Polym
erPhys、Ed、)J第16巻、第1365ページ
(1968年)に記載の方法に従って製造することがで
きる。 本発明のEL素子における発光層は、前記−般式(1)
で表されるジスチリルピラジン誘導体を、例えば蒸着法
、スピンコード法、キャスト法、LB法などの公知の方
法により薄膜化することにより形成することができるが
、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆
積膜とは、該ジスチリルピラジン誘導体の気相状態から
沈着され形成された薄膜や、該誘導体の溶液状態又は液
相状態から固体化され形成された膜のことであり、例え
ば蒸着膜がこれにあたる。通常この分子堆積膜はLB法
により形成された薄膜(分子累積膜)とは区別すること
ができる。また、該発光層は、特公昭64−7636号
公報などに開示されているように、樹脂などの接着剤と
該ジスチリルピラジン誘導体とを溶剤に溶かして溶液と
したのち、これをスピンコード法などにより薄膜化し、
形成することもできる。このようにして形成された発光
層の膜厚については特に制限はなく、適宜状況に応じて
選ぶことができるが、通常5nmないし5μmの範囲で
選ばれる。 本発明のEL素子における発光層は、(1)電界印加時
に、陽極又は正孔注入輸送層より正孔を注入することが
でき、かつ陰極又は電子注入輸送層より電子を注入する
ことができる注入機能、(2)注入しt;電荷(電子と
正孔)を電界の力で移動させる輸送機能、(3)電子と
正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる発光
機能などを有している。なお、正孔の注入されやすさと
、電子の注入されやすさに違いがあってもよいし、正孔
と電子の移動度で表される輸送機能に大小があってもよ
いが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。 この発光層に用いる前記一般式(I)で表されるジスチ
リルピラジン誘導体は、一般にイオン化エネルギーが、
6.OeV程度より小さいので、適当な陽極金属又は陽
極化合物を選べば、比較的正孔を注入しやすいし、また
2、8eV程度より大きいので、適当な陰極金属又は陰
極化合物を選べば、比較的電子を注入しやすい上、電子
、正孔の輸送機能も優れている。さらに固体状態の蛍光
性が強いため、電子と正孔の再結合時に形成された該ジ
スチリルピラジン誘導体やその会合体又は結晶などの励
起状態を光に変換する能力が大きい。 本発明のEL素子の構成は各種の態様があるが、基本的
には、一対の電極(陽極と陰極)間に、前記発光層を挟
持した構成とし、これに必要に応じて、正孔注入輸送層
や電子注入輸送層を介在させればよい。具体的には(1
)陽極/発光層/陰極、(2)陽極/正孔注入輸送層/
発光層/陰極、(3)陽極/正孔注入輸送層/発光層/
電子注入輸送層/陰極などの構成を挙げることができる
。 該正孔注入輸送層や電子注入輸送層は必ずしも必要では
ないが、これらの層があると、発光性能が一段と向上す
る。 まI;、前記構成の素子においては、いずれも基板に支
持されていることが好ましく、該基板については特に制
限はなく、従来有機EL素子に慣用されているもの、例
えばガラス、透明プラスチック、石英などから成るもの
を用いることができる。 本発明の有機EL素子における陽極としては、仕事関数
の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物
及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用
いられる。このような電極物質の具体例としては、Au
1Cul、ITO。 SnO,、ZnOなどの金属及び導電性透明材料が挙げ
られる。該陽極は、これらの物質を蒸着やスパッタリン
グなどの方法により、薄膜を形成させることにより作製
することができる。この電極より発光を取り出す場合に
は、透過率を10%より大きくすることが望ましく、ま
た、電極としてのシート抵抗は数百07口以下が好まし
い。ざらに膜厚は材料にもよるが、通常IQnmないし
1μm、好ましくは10〜200nmの範囲で選ばれる
。 一方、陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)
金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電
極物質とするも゛のが用いられる。このような電極物質
の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム
合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合
物、AI/A101、インジウムなどが挙げられる。該
陰極は、これらの物質を蒸着やスパッタリングなどの方
法により、*iを形成させることにより、作製すること
ができる。また、電極としてのシート抵抗は数百07口
以下が好ましく、膜厚は通常10nmないしlpm、好
ましくは50〜200nmの範囲で選ばれる。なお、本
発明の素子においては、該陽極又は陰極のいずれか一方
が透明又は半透明であることが発光を透過し、取り出す
効率がよいので好ましい。 本発明のEL素子の構成は、前記したように、各種の態
様があり、前記(2)又は(3)の構成のEL素子にお
ける正孔注入輸送層は、正孔伝達化合物から成る層であ
って、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能
を有し、この正孔注入輸送層を陽極と発光層との間に介
在させることにより、より低い電界で多くの正孔が発光
層に注入され、その上、発光層に陰極又は電子注入輸送
層より注入された電子は、発光層と正孔注入輸送層の界
面に存在する電子の障壁により、この発光層内の界面付
近に蓄積され発光効率が向上するなど、発光性能の優れ
た素子となる。 前記正孔注入輸送層に用いられる正孔伝達化合物は、電
界を与えられt;2個の電極間に配置されて陽極から正
孔が注入された場合、該正孔を適切に発光層へ伝達しう
る化合物であって、例えば10’〜lo”V3Gaの電
界印加時に、少なくとも10−’Cm″/V−5の正孔
移動度をもつものが好適である。 このような正孔伝達化合物については、前記の好ましい
性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導
電材料において、正孔の電荷輸送材として慣用されてい
るものやEL素子の正孔注入輸送層に使用される公知の
ものの中から任意のものを選択して用いることができる
。該電荷輸送材としては、何えばトリアゾール誘導体(
米国特許路3,112,197号明細書などに記載のも
の)、オキサジアゾール誘導体(米国特許路3.189
,447号明細書などに記載のもの)、イミダゾール誘
導体(特公昭37−16096号公報などに記載のもの
)、ポリアリールアルカン誘導体(米国特許路3.61
5,402号明細書、同3,820,989号明細書、
同3.542,544号明細書、特公昭45−555号
公報、同51−10983号公報、特開昭51−932
24号公報、同55−17105号公報、同56−41
48号公報、同55−108667号公報、同55−1
56953号公報、ri156−36656号公報など
に記載のもの)、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導
体(米国特許路3.180,729号明細書、同4,2
78,746号明細書、特開昭55−8.8064号公
報、同55−88065号公報、同49−105537
号公報、同55−51086号公報、同56−8005
1号公報、同56−88141号公報、同57−455
45号公報、同54−112637号公報、同55−7
4546号公報などに記載のもの)、フェニレンジアミ
ン誘導体(米国特許路3,615,404号明細書、特
公昭51−10105号公報、同46−3712号公報
、同47−25336号公報、特開昭54−53435
号公報、同54−110536号公報、同54−119
925号公報などに記載のもの)、アリールアミン誘導
体(米国特許路3.567.450号明細書、同3,1
80,703号明細書、同3,240,597号明細書
、同3.658,520号明細書、同4,232,10
3号明細書、同4,175,981号明細書、同4,0
12,376号明細書、特公昭49−35702号公報
、同39−27577号公報、特開昭55−14425
0号公報、同56−119132号公報、同56−22
437号公報、西独特許第1,110,518号明細書
などに記載のもの)、アミノ置換カルコン誘導体く米国
特許路3,526,501号明細書などに記載のもの)
、オキサゾール誘導体(米国特許第3.257,203
号明細書などに記載のもの)、スチリルアントラセン誘
導体(特開昭56−46234号公報などに記載のもの
)、フルオレノン誘導体(特開昭54−110837号
公報などに記載のもの)、ヒドラゾン誘導体(米国特許
第3,717,462号明細書、特開昭54−5914
3号公報、同55−52063号公報、同55−520
64号公報、同55−46760号公報、同55−85
495号公報、同57−11350号公報、同57−1
48749号公報などに記載されているもの)、スチル
ベン誘導体(特開昭61−210363号公報、同61
−228451号公報、同61−14642号公報、同
61−72255号公報、同62−47646号公報、
同62−36674号公報、同62−10652号公報
、同62−30255号公報、同60−93445号公
報、同60−94462号公報、同60−174749
号公報、同6〇−175052号公報などに記載のもの
)などを挙げることができる。 本発明においては、これらの化合物を正孔伝達化合物と
して使用することができるが、次に示すポリフィリン化
合物(特開昭63−295695号公報などに記載のも
の)、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化
合物(米国特許$4,127,412号明細書、特開昭
53−27033号公報、同54−58445号公報、
同54−149634号公報、同54−64299号公
報、同55−79450号公報、同55−144250
号公報、同56−119132号公報、同61−295
558号公報、同61−98353号公報、同63−2
95695号公報などに記載のもの)、特に該芳香族第
三級アミン化合物を用いることが好ましい。 該ポリフィリン化合物の代表例として は、ポルフィン、1,10,15.20−テトラフェニ
ル−21H,23H−ポルフィン鋼(n)、1.10.
Is、20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフ
ィン亜鉛1)、5.10,15.20−テトラキス(ペ
ンタフルオロフェニル)−2LH,23H−ポルフィン
、シリコン7タロシアニンオキシド、アルミニウム7り
ロシアニンクロリド、フタロシアニン(無金属)、ジリ
チウム7タロシアニン、銅テトラメチルフタロシアニン
、銅7タロシアニン、クロムフタロシアニン、亜鉛フタ
ロシアニン、鉛フタロシアニン、チタニウムフタロシア
ニンオキシド、マグネシウムフタロシアニン、銅オクタ
メチルフタロシアニンなどが挙げられる。また該芳香族
第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例
としては、N、N、N″、N″−テトラフェニル−4,
4°−ジアミノビフェニル、N、N’−ジフェニル−N
、N’−ジ(3−メチルフェニル)−4,4″−ジアミ
ノビフェニル、2.2−ビス(4−ジーp−)リルアミ
ノフエニル)プロパン、I、1−ビス(4−ジ−p−ト
リルアミノフェニル)シクロヘキサン、N、N、N″N
 l−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェ
ニル、1.1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニ
ル)−4−フェニルシクロヘキサン、ビス(4−シメチ
ルアミノー2−メチルフェニル)フェニルメタン、ビス
(4−ジーp−トリルアミノフェニル)フェニルメタン
、N、N″−ジフェニル−N、N’−ジ(4−メトキシ
フェニル)−4,4’ジアミノビフエニル、N、N、N
’、N’−テトラ7二二ルー4.4′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、4.4′−ビス(ジフェニルアミノ)ク
オードリフェニル、・N、N、N−トリ(p−トリル)
アミン、4−(ジーp−)リルアミノ)−4’−(4(
ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン、4−N
、N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベ
ンゼン、3−メトキシ−4″−N、N−ジフェニルアミ
ノスチルベン、N−フェニルカルバゾールなどが挙げら
れる。 本発明素子における該正孔注入輸送層は、これらの正孔
伝達化合物1種又は2fl11以上から成る1層で構成
されていてもよいし、あるいは、前記層とは別種の化合
物から成る正孔注入輸送層を積層したものであってもよ
い。 一方、前記(3)の構成のEL素子における電子注入輸
送層は、電子伝達化合物から成るものであって、陰極よ
り注入された電子を発光層に伝達する機能を有している
。このような電子伝達化合物について特に制限はなく、
従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いる
ことができる。 該電子伝達化合物の好ましい例としては、などのジフェ
ニルキノン誘導体[「ポリマー・プレプリント(Pol
ymer  Preprints)、ジャパン」第37
巻、Wc3号、第681ページ(19B8年)などに記
載のもの1、あるいはなどのニトロ置換フルオレノン誘
導体、などのチオピランジオキシド誘導体、 などの化合物[「ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・ア
プライド−フィジックス(J、J、Apply。 Phys、)J第27巻、L269 (1988年)な
どに記載のもの]や、アントラキノジメタン誘導体(特
開昭57−149259号公報、同5B−55450号
公報、同61−225151号公報、同61−2337
50号公報、同63−104061号公報などに記載の
もの)、7レオレニリデンメタン誘導体(特開昭60−
69657号公報、同61−143764号公報、同6
1−148159号公報などに記載のもの)、アントロ
ン誘導体(特開昭61−225151号公報、同61−
233750号公報などに記載のもの)などを挙げるこ
とができる。 次に、本発明の有機EL素子を作製する好適な方法の例
を、各構成の素子それぞれについて説明する。前記の陽
極/発光層/陰極から成るEL素子の作製法について説
明すると、まず適当な基板上に、所望の電極物質、例え
ば陽極用物質から成る薄膜を、1μm以下、好ましくは
10〜200nmの範囲の膜厚になるように、蒸着やス
パッタリングなどの方法により形成させ、陽極を作製し
たのち、この上に発光材料である一般式(1)で表され
るジスチリルピラジン誘導体の薄膜を形成させ、発光層
を設ける。該発光材料の薄膜化の方法としては、例えば
スピンフート法、キャスト法、LB法、蒸着法などがあ
るが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成
しにくいなどの点から、蒸着法が好ましい。該発光材料
の薄膜化に、この蒸着法を採用する場合、その蒸着条件
は、使用する発光層に用いる有機化合物の種類、分子堆
積膜の目的とする結晶構造、会合構造などにより異なる
が、一般にポート加熱温度50〜400℃、真空度1O
−=10−”Pa、蒸着速度o、oi〜50nm/se
c、基板温度−50〜+300℃、膜厚5nmないし5
μmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。次にこの発光層
の形成後、その上に陰極用物質から成る薄膜を、1μm
以下、好ましくは50〜200nmの範囲の膜厚になる
ように、例えば蒸着やスパッタリングなどの方法により
形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機EL素
子が得られる。なお、このEL素子の作製においては、
作製順序を逆にして、陰極、発光層、陽極の順に作製す
ることも可能である。 次に、陽極/正孔注入輸送層/発光層/陰極から成るE
L素子の作製法について説明すると、まず、陽極を前記
のEL素子の場合と同様にして形成しためち、その1番
;、正孔伝達化合物から成る薄膜を蒸着法などにより形
成し、正孔注入輸送層を設ける。この際の蒸着条件は、
前記発光材料の薄膜形成の蒸着条件番こ準じればよい。 次に、この正孔注入輸送層の上に、順次発光層及び陰極
を、前記EL素子の作製の場合と同様にして設けること
により、所望のEL素子が得られる。なお、このEL素
子の作製においても、作製順序を逆にして、陰極、発光
層、正孔注入輸送層、陽極の順に作製することも可能で
ある。 さらに、陽極/正孔注入輸送層/発光層/電子注入輸送
層/陰極から成るEL素子の作製法について説明すると
、まず、前記のEL素子の作製の場合と同様にして、陽
極、正孔注入輸送層、発光層を順次設けたのち、この発
光層の上に、電子伝達化合物から成る薄膜を蒸着法など
により形成して、電子注入輸送層を設け、次いでこの上
に、陰極を前記EL素子の作製の場合と同様にして設け
ることにより、所望のEL素子が得られる。なお、この
EL素子の作製においても、作製順序を逆にして、陰極
、電子注入輸送層、発光層、正孔注入輸送層、陽極の順
に作製してもよい。 このようにして得られた本発明の有機EL素子に、直流
電圧を印加する場合には、陽極を士、陰極を−の極性と
して電圧5〜40V程度を印加すると、発光が透明又は
半透明の電極側より観測できる。また、逆の極性で電圧
を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さら
に、交流電圧を印加する場合には、陽極が+、陰極が−
の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流
の波形は任意でよい。 〔実施例〕 次に実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本
発明はこれらの例によってなんら限定されるものではな
い。 製造例12,5−ビス−(2−4−ビフェニ舅」L p−フェニルベンズアルデヒド7.189.2.5−ジ
メチルピラジン1.009及び蕪水安香酸9.959を
混合し、21時間還流したのち、こf7)反応混合液を
エチルアルコール100m1lに注いで沈殿を生成させ
た。次いで、この沈殿をろ別し、エチルアルコールで洗
浄したのち、真空乾燥して、粗生成物0.489を得た
。 次に、この粗生成物を昇華精製して黄色粉末を得たのち
、キシレン400talにて再結晶(活性炭処理)を行
い、黄色針状結晶300s+gを得た。このものの融点
は310〜313℃(分解)であった。 なお、他のジスチリルピラジン誘導体は、「ジャーナル
・オブ・ポリマー・サイエンス・ポリマー・フィジック
ス・エディシ層ン(J、PolymerScf、Pol
ymer  phys、Ed、)J第16巻、第136
5ページ(1968年)に記載の方法によって製造した
。 実施例1 膜厚1100nのITO透明電極が設けられているガラ
ス基板(25x75x1.1mmサイズ、HOYA社製
)を透明支持基板とし、これをイソプロピルアルコール
で30分間、超音波洗浄し、さらにイソプロピルアルコ
ールに浸漬して洗浄した。この透明支持基板を乾燥窒素
ガスで乾燥して、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに
固定し、方、モリブデン製抵抗加熱ボートに、N、N’
ジフェニル−N、N’−ビス(3−メチル7エ二ル)−
(1,1″−ビフェニル)−4,4″−ジアミン(TP
D) 200ragを入れ、さらに別のモリブデン製抵
抗加熱ボートに製造例1でえられたオールトランス構造
の2゜5−ビス−(2−(4−ビフェニル)エチニル〕
ピラジン[式(4)の化合物]200IIIgを入れ、
真空蒸着装置に取り付けた。 次いで、真空槽を1.2xlO−’Paまで減圧したの
ち、TPDの入った前記加熱ボートに通電して、230
℃まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/seeで
透明支持基板上に蒸着し、膜厚60nmの正孔注入輸送
層を設けた。さらに、2.5−ビス−(2−(4−ビフ
ェニル)エチニル〕ピラジンの入った前記ボートを通電
して285℃まで加熱し、蒸着速度0.1〜O1nm/
secで、前記正孔注入輸送層の上に蒸着して、膜厚7
0nmの発光層を設けた。なお、蒸着時の該基板の温度
は室温であった。 次に、真空槽をあけ、該発光層の上にステンレス鋼製の
マスクを設置し、一方、モリブデン製の抵抗加熱ボート
にマグネシウム3gを、電子ビーム蒸着装置のるつぼに
銅を入れ、再び真空槽を2×lO−Paまで減圧したの
ち、マグネシウム入りのボートに通電して、蒸着速度4
〜5nm/Secでマグネシウムを蒸着し、この際、同
時に電子ビームにより銅を加熱して、蒸着速度0.1〜
0.3nm/seeで銅を蒸着し、前記マグネシウムと
銅との混合物から成る対向電極とすることにより、目的
とするEL素子を作製した。 この素子のITO電極を正極、Mgと銅との混合物から
成る対向電極を負極として、直流17”/を印加したと
ころ、電流密度が300mA/crm”の電流が流れ、
黄色の発光を得た。この際の発光極大波長は548nm
1発光輝度は100cd/m!であった 実施例2 膜厚1100nのITO透明電極が設けられているガラ
ス基板(25X75X1.1mmサイズ、HOYA社製
)を透明支持基板とし、これをインプロピルアルコール
で30分間、超音波洗浄し、さらにイソプロピルアルコ
ールに浸漬して洗浄した。この透明支持基板を乾燥窒素
ガスで乾燥して、市販の真空蒸着装置の基板ボルダ−に
固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにTPD2
00*yを入れ、さらに別のモリブデン製抵抗加熱ボー
トに、オールトランス構造の2.5−ビス−(4−エチ
ルスチリル)ピラジン[式(2)の化合物1200mg
を入れ、真空蒸着装置に取り付けた。次いで、真空槽を
3X10−’Paまで減圧したのち、TPDの入った前
記加熱ボートに通電して、230℃まで加熱し、蒸着速
度0.1〜0.3nm/sacで透明支持基板上に蒸着
し、膜厚70nmの正孔注入輸送層を設けた。 さらに、2.5−ビス−(4−エチルスチリル)ピラジ
ンの入りた前記ボートを通電して200℃まで加熱し、
蒸着速度0.1〜0.3nm/secで、前記正孔注入
輸送層の上に蒸着して、膜厚80nmの発光層を設けた
。なお、蒸着時の該基板の温度は室温であった。 次に、真空槽をあけ、該発光層の上にステンレス鋼製の
マスクを設置し、一方、モリブデン製の抵抗加熱ボート
にマグネシウム3gを、電子ビーム蒸着装置のるつぼに
銅を入れ、再び真空槽を2xiO−’Paまで減圧した
のち、マグネシウム入りのボートに通電して、蒸着速度
5〜6nm/SμCでマグネシウムを蒸着し、この際、
同時に電子ビームにより銅を加熱して、蒸着速度0.2
〜0.3nm/seeで銅を蒸着し、前記マグネシウム
と銅との混合物から成る対向電極とすることにより、目
的とするEL素子を作製した。 この素子のITO電極を正極、Mgと鋼との混合物から
成る対向電極を負極として、直流13Vを印加したとこ
ろ、電流密度33 m A / cm”の電流が流れ、
緑色の発光を得た。この際の発光極大波長は512nm
x発光輝度は270cd/m”であっt;Q 実施例3 膜厚1100nのITO透明電極が設けられているガラ
ス基板(25X75X1.1+1mサイズ、HOYA社
製)を透明支持基板とし、これをイソプロピルアルコー
ルで30分間、超音波洗浄し、さらにイソプロピルアル
コールに浸漬して洗浄した。この透明支持基板を乾燥窒
素ガスで乾燥して、市販の真空蒸着装置の基板ホルダー
に固定し、一方、モリブデン製の抵抗加熱ボートにTP
0200mgを入れ、さらに別のモリブデン製の抵抗加
熱ボートにオールトランス構造の2.5−ビス−(4−
メトキシスチリル)ピラジン(式(18) (7)化合
物]200mgを入し、真空蒸着装置に取り付けた。次
いで、真空槽を2X10−’Paまで減圧したのち、T
PDの入っt;前記加熱ボートに通電して、220’O
まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/secで透
明支持基板上に蒸着し、膜厚60nmの正孔注入輸送層
を設けた。さらに、2.5−ビス−(4−メトキシスチ
リル)ピラジンの入った前記ポートを通電して230℃
まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3n m / s 
e cで、前記正孔注入輸送層の上に蒸着して、膜厚9
0nmの発光層を設けた。なお、蒸着時の該基板の温度
は室温であった。 次に、真空槽をあけ、該発光層の上にステンレス鋼製の
マスクを設置し、一方、モリブデン製の抵抗加熱ボート
にマグネシウム3gを、電子ビーム蒸着装置のるつぼに
銅を入れ、再び真空槽を2X10−’Paまで減圧した
のち、マグネシウム入りのボートに通電して、蒸着速度
6nm/secでマグネシウムを蒸着し、この際、同時
に電子ビームにより銅を加熱して、蒸着速度0.1〜0
.3nm/seeで銅を蒸着し、前記マグネシウムと銅
との混合物から成る対向電極とすることにより、目的と
するEL素子を作製した。 この素子のITO電極を正極、Mgと銅との混合物から
成る対向電極を負極として、直流17Vを印加したとこ
ろ、電流密度が190 mA/cm”の電流が流れ、青
緑色の発光を得た。この際の発光極大波長は497nm
、発光輝度は160cd/m8であった。 実施例4 膜厚1100nのITO透明電極が設けられているガラ
ス基板(25x75X1.1m+mサイズ、HOYA社
製)を透明支持基板とし、これをイソプロピルアルコー
ルで30分間、超音波洗浄し、さらにインプロピルアル
コールに浸漬して洗浄した。この透明支持基板を乾燥窒
素ガスで乾燥して、市販の真空蒸着装置の基板ホルダー
に固定し、−方、モリブデン製の抵抗加熱ボートに1.
4−ビス−(4−メチルスチリル)ピラジン[式(1)
の化合物1200mgを入れ、真空蒸着装置に取り付け
た。次いで真空槽を2xlO−’Paまで減圧し、1,
4−ビス−(4−メチルスチリル)ピラジンの入った前
記ポートに通電して210℃まで加熱し、蒸着速度0.
1〜0.3nm/secで透明支持基板上に蒸着し、膜
厚500nmの発光層を設けた。なお、蒸着時の該基板
の温度は室温であった。 次に、真空槽をあけ、該発光層の上にステンレス鋼製の
マスクを設置し、一方、モリブデン製の抵抗加熱ボート
にマグネシウム3gを、電子ビーム蒸着装置のるつぼに
銅を入れ、再び真空槽を2X10−’Paまで減圧した
のち、マグネシウム入りのポートに通電して、蒸着速度
4〜5nm/seeでマグネシウムを蒸着し、この際、
同時に電子ビームにより銅を加熱して、蒸着速度0.2
〜0.3nm/secで銅を蒸着し、前記マグネシウム
と銅との混合物から成る対向電極とすることにより、目
的とするEL素子を作製した。 この素子のITO電極を正極、Mgと銅との混合物から
成る対向電極を負極として、直流30Vを印加したとこ
ろ、電流密度が30mA/cm”の電流が流れ、緑色の
発光を得た。この際の発光極大波長は520nm、発光
輝度は0.5cd/m”であった。 実施例5 透明電極として用いる膜厚1100nのITOが付いて
いるガラス基板(25x75X1.1ms+サイズ、H
OYA社製)を透明支持基板とし、これをイソプロピル
アルコールで30分間、超音波洗浄し、さらにイソプロ
ピルアルコールに浸漬し洗浄した。この透明支持基板を
乾燥窒素ガスで乾燥し、市販の真空蒸着装置の基板ホル
ダーに固定し、モリブデン製の抵抗加熱ボートにTPD
を200jlIg入れ、さらに別のモリブデン製の抵抗
加熱ボートにオールトランス構造である2、5−ビス(
2−(1−ナフチル)ビニル)ピラジン(発光材料の具
体例21)を200my入れ、真空蒸着装置に取り付け
た。この後、真空槽を4X10−’Paまで減圧し、T
PDの入った前記ボートに通電し、230 ”Oまで加
熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/seeで透明支持
基板上に蒸着し、膜厚50nmの正孔注入層(正孔注入
輸送層)とした。さらに2.5−ビス(2−(1−す2
チル)ビニル)ピラジンの入った前記ボートを通電し、
242℃まで加熱し、蒸着速度0.3nm/ s e 
cで透明支持基板上の正孔注入層の上に蒸着し、膜厚6
0nmの発光層を得た。蒸着時の前記基板の温度は室温
であった。この後、真空槽をあけ、発光層の上にステン
レス鋼製のマスクを設置し、モリブデン製の抵抗加熱ボ
ートにマグネシウム′を3g入れ、電子ビーム蒸着装置
のるつぼに鋼を入れ、再び真空槽を2xlO−’Paま
で減圧し、この後、マグネシウム入りのボートに通電し
、蒸着速度4〜6nm/secでマグネシウムを蒸着し
t;。この時、同時に電子ビームにより銅を加熱し0.
1−0.3nm/sacで銅を蒸着し、前記マグネシウ
ムに銅を混合し、対向電極とした。 以上によりエレクトロルミネッセンス素子の作製を終え
た。 この素子のITO電極を正極、Mgと銅の混合物よりな
る対向電極を負極とし、直流12Vを印加したところ、
電流密度が213mA/cm”の電流が流れ、黄色の発
光を得た。この時の発光極大波長は565nm、CIE
色度座標はx=0.40、y−0,53(Yet lo
wQreen)、発光輝度は932cd/m”であり極
めて高輝度であった。 [発明の効果] 本発明の有機EL素子は、発光材料としてジスチリルピ
ラジン誘導体を用いたものであって、黄色及び緑色発光
を、特に低電圧で高輝度に得ることができ、各種表示装
置の発光素子として好適に用いられる。
In recent years, electroluminescent elements (hereinafter referred to as EL elements) have become highly visible due to their self-luminescence, and are completely solid-state elements, so they have characteristics such as excellent impact resistance. Its use as a device is attracting attention. There are two types of EL devices: inorganic EL devices that use inorganic compounds as light-emitting materials and organic EL devices that use organic compounds. Research on its practical application is actively being conducted. The structure of the organic EL element is basically an anode/emitting layer/cathode structure, with a hole injection transport layer or an electron injection transport layer provided thereon as appropriate, for example, an anode/hole injection transport layer/emissive layer. Structures such as /cathode, anode/hole injection/transport layer/light emitting layer/electron injection/transport layer/cathode are known. The hole injection transport layer has a function of transmitting holes injected from the anode to the light emitting layer, and the electron injection transport layer has a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer. are doing. By interposing the hole injection transport layer between the light emitting layer and the anode, many holes are injected into the light emitting layer with a lower electric field, and furthermore, holes are injected into the light emitting layer from the cathode or the electron injection transport layer. [
"Agelide Physics Letters" Volume 51, Page 913 (1987)]. Various types of organic EL devices have been developed so far, such as (1) a stacked type device consisting of an anode/hole injection zone/emission zone/cathode structure (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393;
(2) Anode/hole injection transport band/emission band/
A laminated type that has the structure of a cathode and whose emission band consists of a host material that has the function of injecting electrons and holes, doped with a fluorescent material that emits light in response to the recombination of holes and electrons. (3) using 12-7-roperinone as a luminescent material; device [Japanese Journal of Applied Physics Letters (J, J, Ap
pl, Phys, Lett,) J Volume 27, L713
(1988)] have been disclosed. In the device (1) above, high-intensity blue-green, blue, and orange light emission of several hundred e d/m' can be obtained at a low voltage of about 20"V. For example, when the hole injection band is By using a phenylamine derivative and an aluminum oxine complex in the emission band, green light emission of 340 cd/m'' was achieved.
In addition, by using a benzoxazole-based fluorescent whitening agent in the emission band, high-intensity blue-green and orange light emission is achieved. - On the other hand, in the element (2), low voltage, high brightness red,
Green and blue-green light emission has been obtained, but in the case of element (-3), an applied voltage of about 50 V can only produce light emission with an output of about 1 mW/cta' that can be seen in yellow bright light. do not have. As described above, the reality is that high-output yellow light emission has not yet been achieved in conventional organic EL devices. [Problems to be Solved by the Invention] Under these circumstances, the present invention was made with the purpose of providing a novel organic EL element that can output yellow light with high brightness at low voltage. It is something that [Means for Solving the Problems J] As a result of extensive research in order to achieve the above object, the present inventors have discovered that an organic EL device using a distyrylpyrazine derivative as a luminescent material has a high luminance yellow color and It was discovered that green light emission can be output at low voltage, and the present invention was completed based on this knowledge. That is, the present invention uses a distyrylpyrazine derivative as a luminescent material, particularly a distyrylpyrazine derivative with the general formula %() (in which X and Y are each a -valent aromatic residue or a heteroaromatic residue, and may be the same or different). The present invention will be explained in detail below. In the EL device of the present invention, the distyrylpyrazine derivative used as the luminescent material is particularly preferably a compound having a distyrylpyrazine skeleton structure represented by the general formula (R), which exhibits fluorescence in the solid state, In addition to providing mobility of electrons and holes, due to the conjugated nature of the distyrylpyrazine skeleton, it has low ionization energy and high electron affinity, so it has characteristics such as easy charge injection from electrodes etc. X and Y in the general formula (1) are each a -valent aromatic residue or a heteroaromatic residue, and examples of the aromatic residue include a phenyl group, a naphthyl group, and an anthyl group. , styryl group, etc.; examples of heteroaromatic residues include furyl group, thienyl group, pyrrolyl group, pyridyl group, quinolyl group, thiazolyl group, oxasilyl group, imidazolyl group, benzoxasilyl group, benzothiazolyl group , a benzimidazolyl group, a carbazolyl group, a triazole group, a monovalent group consisting of a pyrazoline group, etc. These aromatic residues and heteroaromatic residues may contain various types of residues as long as the above characteristics are not impaired. A substituent may be introduced. Examples of the substituent include an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, a 1-butyl group, or a halogen-substituted alkyl group thereof, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, Alkoxy groups such as butoxy groups, acyl groups such as formyl groups, acetyl groups, propionyl groups, butyryl groups, aralkyl groups such as benzyl groups and phenethyl groups, aryloxy groups such as phenoxy groups and tolyloxy groups, methoxycarbonyl groups, and ethoxy groups. Alkoxycarbonyl groups such as carbonyl, propoxycarbonyl and butoxycarbonyl groups; acyloxy groups such as acetyloxy, propionyloxy and butyryloxy groups; acylamino groups such as acetylamino, globionylamino and butyrylamino groups; carbamoyl groups ,
Aminocarbonyl groups such as dimethylaminocarbonyl group and carbonyl group, aryloxycarbonyl groups such as phenoxycarbonyl group, tolyloxycarbonyl group and xylyloxycarbonyl group, various halogen atoms, carboxyl group, hydroxyl group, as well as methyl group and ethyl group. , an alkyl group such as a propyl group, a phenyl group with or without a substituent such as an alkoxy group such as a methoxy group or an ethoxy group, and a general formula (R1 and Rz in the formula are a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, respectively) group, alkyl groups such as propyl group, butyl group,
An acyl group such as a formyl group, an acetyl group, a propionyl group, a phenyl group or a substituted phenyl group such as a tolyl group or a xylyl group, which may be the same, or l;
They may be different from each other, or may be bonded to each other to form a substituted or unsubstituted saturated five-membered ring or saturated six-membered ring, or may be bonded to a group substituted in X%Y. (which may form a substituted or unsubstituted saturated five-membered ring or a saturated six-membered ring) and the like. X and Y in the general formula (I) may be the same or different, and the groups substituting them may be bonded to form a saturated or unsaturated ring structure. It may be formed. Among the distyrylpyrazine derivatives represented by the general formula (I), those in which the double bond has a trans structure are particularly preferred from the viewpoint of having strong fluorescence in the solid state.
Furthermore, among the above substituents, alkyl groups and alkoxy groups are preferred for the same reason. In the EL device of the present invention, specific examples of the distyrylpyrazine derivative represented by the general formula (I) used as the luminescent material include the following compounds. (l 6) CH,0 0(M3 (l 4) CH. Among these compounds, 2.5-bis-(2-
(4-hyphenyl)ethynyl]viracinha is a new compound not described in the literature, which is produced by, for example, reacting p-phenylbenzaldehyde and 2,5-dimethylpyrazine in the presence of an acid anhydride. be able to. Ma I
;, Compounds other than (4) are, for example, [Journal of Polymer Science Polymer Physics Edition (J, Polymer Sci, Polymer
erPhys, Ed.) J, Vol. 16, p. 1365 (1968). The light-emitting layer in the EL element of the present invention has the above general formula (1).
It can be formed by forming a thin film of the distyryl pyrazine derivative represented by, for example, a vapor deposition method, a spin code method, a casting method, an LB method, etc., but a molecular deposition film is particularly preferable. . Here, the term "molecularly deposited film" refers to a thin film formed by depositing the distyrylpyrazine derivative from the gas phase, or a film formed by solidifying the distyrylpyrazine derivative from the solution state or liquid phase, for example, by vapor deposition. This is the membrane. Usually, this molecular deposit film can be distinguished from a thin film (molecular cumulative film) formed by the LB method. Furthermore, as disclosed in Japanese Patent Publication No. 64-7636, etc., the light-emitting layer is prepared by dissolving an adhesive such as a resin and the distyrylpyrazine derivative in a solvent to form a solution, and then using a spin code method to form a solution. The film is made thinner by such methods as
It can also be formed. The thickness of the light-emitting layer thus formed is not particularly limited and can be selected depending on the situation, but is usually selected within the range of 5 nm to 5 μm. The light-emitting layer in the EL element of the present invention has (1) an injection layer that can inject holes from the anode or the hole injection transport layer and can inject electrons from the cathode or the electron injection transport layer when an electric field is applied. (2) injection function; transport function that moves charges (electrons and holes) by the force of an electric field; (3) light emitting function that provides a field for recombination of electrons and holes, which leads to light emission, etc. have. Note that there may be a difference in the ease with which holes are injected and the ease with which electrons are injected, and there may be differences in the transport function expressed by the mobility of holes and electrons, but one or the other may be different. It is preferable to move the charge of . The distyrylpyrazine derivative represented by the general formula (I) used in this light emitting layer generally has an ionization energy of
6. Since it is smaller than about OeV, it is relatively easy to inject holes if a suitable anode metal or anode compound is selected. Also, since it is larger than about 2.8 eV, if a suitable cathode metal or cathode compound is selected, it is relatively easy to inject holes. In addition to being easy to inject, it also has excellent electron and hole transport functions. Furthermore, since the fluorescence in the solid state is strong, it has a great ability to convert the excited state of the distyrylpyrazine derivative, its aggregates, or crystals formed upon recombination of electrons and holes into light. There are various configurations of the EL element of the present invention, but basically, the light emitting layer is sandwiched between a pair of electrodes (an anode and a cathode), and if necessary, hole injection is performed. A transport layer or an electron injection transport layer may be provided. Specifically (1
) anode/emissive layer/cathode, (2) anode/hole injection transport layer/
Light emitting layer/cathode, (3) anode/hole injection transport layer/light emitting layer/
Examples include structures such as an electron injection transport layer/cathode. Although the hole injecting and transporting layer and the electron injecting and transporting layer are not necessarily required, the presence of these layers further improves the light emitting performance. In the device having the above structure, it is preferable that each device is supported by a substrate, and there is no particular restriction on the substrate, and materials conventionally used in organic EL devices, such as glass, transparent plastic, and quartz, can be used. It is possible to use one consisting of the following. As the anode in the organic EL device of the present invention, an electrode material containing a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a large work function (4 eV or more) is preferably used. A specific example of such an electrode material is Au.
1 Cul, ITO. Examples include metals and conductive transparent materials such as SnO, ZnO. The anode can be manufactured by forming a thin film of these substances by a method such as vapor deposition or sputtering. When emitting light from this electrode, it is desirable that the transmittance be greater than 10%, and the sheet resistance of the electrode is preferably several hundred 07 or less. Although the rough film thickness depends on the material, it is usually selected in the range of IQ nm to 1 μm, preferably in the range of 10 to 200 nm. On the other hand, as a cathode, it has a small work function (4 eV or less).
Electrode materials using metals, alloys, electrically conductive compounds, and mixtures thereof are also used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium/copper mixture, AI/A101, indium, and the like. The cathode can be manufactured by forming *i with these substances by a method such as vapor deposition or sputtering. Further, the sheet resistance of the electrode is preferably several hundreds of nanometers or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to lpm, preferably 50 to 200 nm. In the device of the present invention, it is preferable that either the anode or the cathode be transparent or semi-transparent, since this allows light to be transmitted and extracted efficiently. As described above, the structure of the EL device of the present invention has various aspects, and the hole injection transport layer in the EL device having the structure (2) or (3) above is a layer made of a hole transfer compound. It has the function of transmitting holes injected from the anode to the light emitting layer, and by interposing this hole injection transport layer between the anode and the light emitting layer, many holes can emit light with a lower electric field. Electrons injected into the emissive layer from the cathode or the electron injection/transport layer are trapped near the interface in the emissive layer due to the electron barrier that exists at the interface between the emissive layer and the hole injection/transport layer. This results in an element with excellent light-emitting performance, such as increased luminous efficiency. The hole transport compound used in the hole injection transport layer is applied with an electric field; when placed between two electrodes and holes are injected from the anode, the hole transport compound is capable of appropriately transmitting the holes to the light emitting layer. For example, a compound having a hole mobility of at least 10-'Cm''/V-5 when an electric field of 10' to lo''V3Ga is applied is suitable. There are no particular limitations on such hole transport compounds as long as they have the above-mentioned preferable properties. Any material can be selected from among the known materials used for the injection transport layer. Examples of the charge transport material include triazole derivatives (
No. 3,112,197), oxadiazole derivatives (U.S. Pat. No. 3,189, etc.),
, 447, etc.), imidazole derivatives (described in Japanese Patent Publication No. 37-16096, etc.), polyarylalkane derivatives (U.S. Patent No. 3.61),
Specification No. 5,402, Specification No. 3,820,989,
3.542,544 specification, Japanese Patent Publication No. 45-555, Japanese Patent Publication No. 51-10983, Japanese Unexamined Patent Publication No. 51-932
Publication No. 24, Publication No. 55-17105, Publication No. 56-41
Publication No. 48, Publication No. 55-108667, Publication No. 55-1
56953, ri156-36656, etc.), pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives (U.S. Patent No. 3,180,729, 4,2
78,746 specification, JP-A-55-8.8064, JP-A-55-88065, JP-A-49-105537
No. 55-51086, No. 56-8005
Publication No. 1, Publication No. 56-88141, Publication No. 57-455
Publication No. 45, Publication No. 54-112637, Publication No. 55-7
4546), phenylenediamine derivatives (U.S. Pat. Showa 54-53435
No. 54-110536, No. 54-119
No. 925, etc.), arylamine derivatives (U.S. Patent No. 3,567,450, No. 3,1
No. 80,703, No. 3,240,597, No. 3.658,520, No. 4,232,10
Specification No. 3, Specification No. 4,175,981, No. 4,0
Specification No. 12,376, Japanese Patent Publication No. 49-35702, Japanese Patent Publication No. 39-27577, Japanese Patent Application Publication No. 14425-1987
Publication No. 0, Publication No. 56-119132, Publication No. 56-22
No. 437, West German Patent No. 1,110,518, etc.), amino-substituted chalcone derivatives (US Pat. No. 3,526,501, etc.)
, oxazole derivatives (U.S. Pat. No. 3,257,203)
Styryl anthracene derivatives (described in JP-A-56-46234, etc.), fluorenone derivatives (described in JP-A-54-110837, etc.), hydrazone derivatives (described in JP-A-54-110837, etc.) U.S. Patent No. 3,717,462, JP 54-5914
Publication No. 3, Publication No. 55-52063, Publication No. 55-520
Publication No. 64, Publication No. 55-46760, Publication No. 55-85
Publication No. 495, Publication No. 57-11350, Publication No. 57-1
48749, etc.), stilbene derivatives (JP-A-61-210363, JP-A-61-210363, etc.)
-228451 publication, 61-14642 publication, 61-72255 publication, 62-47646 publication,
62-36674, 62-10652, 62-30255, 60-93445, 60-94462, 60-174749
60-175052, etc.). In the present invention, these compounds can be used as hole transfer compounds, but the following porphyrin compounds (described in JP-A-63-295695 etc.), aromatic tertiary amine compounds and Styrylamine compounds (US Pat. No. 4,127,412, JP-A-53-27033, JP-A-54-58445,
No. 54-149634, No. 54-64299, No. 55-79450, No. 55-144250
No. 56-119132, No. 61-295
No. 558, No. 61-98353, No. 63-2
It is preferable to use the aromatic tertiary amine compound (described in Japanese Patent No. 95695, etc.), especially the aromatic tertiary amine compound. Representative examples of the porphyrin compounds include porphine, 1,10,15.20-tetraphenyl-21H,23H-porphine steel (n), 1.10.
Is, 20-tetraphenyl-21H,23H-porphine zinc 1), 5.10,15.20-tetrakis(pentafluorophenyl)-2LH,23H-porphine, silicon 7-thalocyanine oxide, aluminum 7-lycyanine chloride, Examples include phthalocyanine (metal-free), dilithium 7-thalocyanine, copper tetramethyl phthalocyanine, copper 7-thalocyanine, chromium phthalocyanine, zinc phthalocyanine, lead phthalocyanine, titanium phthalocyanine oxide, magnesium phthalocyanine, copper octamethyl phthalocyanine, and the like. Representative examples of the aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N'', N''-tetraphenyl-4,
4°-diaminobiphenyl, N,N'-diphenyl-N
, N'-di(3-methylphenyl)-4,4''-diaminobiphenyl, 2,2-bis(4-di-p-)lylaminophenyl)propane, I, 1-bis(4-di-p- -tolylaminophenyl)cyclohexane, N, N, N″N
l-tetra-p-tolyl-4,4'-diaminobiphenyl, 1,1-bis(4-di-p-tolylaminophenyl)-4-phenylcyclohexane, bis(4-dimethylamino-2-methylphenyl)phenylmethane , bis(4-p-tolylaminophenyl)phenylmethane, N,N''-diphenyl-N,N'-di(4-methoxyphenyl)-4,4'diaminobiphenyl, N,N,N
',N'-tetra722-4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-bis(diphenylamino)quadrifhenyl, ・N,N,N-tri(p-tolyl)
Amine, 4-(j-p-)lylamino)-4'-(4(
di-p-tolylamino)styryl]stilbene, 4-N
, N-diphenylamino-(2-diphenylvinyl)benzene, 3-methoxy-4''-N, N-diphenylaminostilbene, N-phenylcarbazole, etc. The hole injection transport layer in the device of the present invention includes: It may be composed of a single layer consisting of one of these hole-transporting compounds or 2fl11 or more, or it may be a stack of hole-injecting and transporting layers made of a compound different from the above-mentioned layer. On the other hand, the electron injection transport layer in the EL element having the configuration (3) above is made of an electron transfer compound and has the function of transferring electrons injected from the cathode to the light emitting layer. There are no particular restrictions on the electron transfer compound;
Any compound can be selected and used from conventionally known compounds. Preferred examples of the electron transfer compound include diphenylquinone derivatives such as [Polymer Preprint (Pol
ymer Preprints), Japan” No. 37
Vol., Wc No. 3, p. 681 (19B8), etc. 1, or nitro-substituted fluorenone derivatives, thiopyrane dioxide derivatives, etc. [Japanese Journal of Applied Physics ( J, J, Apply. Phys, ) J Vol. 27, L269 (1988)], anthraquinodimethane derivatives (JP-A-57-149259, JP-A No. 5B-55450, JP-A No. 57-55450, Publication No. 61-225151, No. 61-2337
No. 50, No. 63-104061, etc.), 7 leolenylidene methane derivatives (Japanese Patent Application Laid-open No. 1983-
No. 69657, No. 61-143764, No. 6
1-148159, etc.), anthrone derivatives (JP-A-61-225151, JP-A-61-1986)
Examples include those described in Japanese Patent No. 233750, etc.). Next, an example of a suitable method for manufacturing the organic EL device of the present invention will be explained for each device of each structure. To explain the method for manufacturing an EL device consisting of the above-described anode/emitting layer/cathode, first, a thin film of a desired electrode material, for example, an anode material, is deposited on a suitable substrate to a thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 10 to 200 nm. After forming an anode by a method such as vapor deposition or sputtering to have a film thickness of A light emitting layer is provided. Methods for making the luminescent material into a thin film include, for example, the spin foot method, the casting method, the LB method, and the vapor deposition method, but the vapor deposition method is preferred because it is easy to obtain a homogeneous film and is less likely to generate pinholes. is preferred. When this vapor deposition method is used to thin the luminescent material, the deposition conditions vary depending on the type of organic compound used in the luminescent layer, the desired crystal structure and association structure of the molecular deposited film, but generally Port heating temperature 50-400℃, vacuum degree 1O
-=10-"Pa, deposition rate o, oi~50nm/se
c, substrate temperature -50 to +300°C, film thickness 5 nm to 5
It is desirable to select it appropriately within the range of μm. Next, after forming this light-emitting layer, a thin film of cathode material is deposited on it to a thickness of 1 μm.
Thereafter, a desired organic EL element can be obtained by forming the film by a method such as vapor deposition or sputtering so as to preferably have a film thickness in the range of 50 to 200 nm, and providing a cathode. In addition, in the production of this EL element,
It is also possible to reverse the manufacturing order and manufacture the cathode, the light emitting layer, and the anode in this order. Next, E consisting of anode/hole injection/transport layer/emissive layer/cathode
To explain the manufacturing method of the L element, first, the anode is formed in the same manner as in the case of the EL element described above. An injection transport layer is provided. The deposition conditions at this time are:
The vapor deposition conditions for forming a thin film of the luminescent material may be the same as described above. Next, a light-emitting layer and a cathode are sequentially provided on this hole injection transport layer in the same manner as in the production of the EL device, thereby obtaining a desired EL device. In the production of this EL element, it is also possible to reverse the production order and fabricate the cathode, light emitting layer, hole injection transport layer, and anode in this order. Furthermore, to explain the method for manufacturing an EL device consisting of an anode/hole injection/transport layer/light emitting layer/electron injection/transport layer/cathode, first, the anode, hole injection After sequentially providing a transport layer and a light emitting layer, a thin film made of an electron transport compound is formed by vapor deposition on the light emitting layer to provide an electron injection transport layer, and then a cathode is placed on top of the EL element. A desired EL element can be obtained by providing it in the same manner as in the case of manufacturing. In the production of this EL element, the order of production may be reversed, and the cathode, electron injection and transport layer, light emitting layer, hole injection and transport layer, and anode may be produced in this order. When applying a DC voltage to the organic EL device of the present invention obtained in this way, when a voltage of about 5 to 40 V is applied with the anode as the opposite polarity and the cathode as the negative polarity, the light emission becomes transparent or translucent. It can be observed from the electrode side. Further, even if a voltage with the opposite polarity is applied, no current flows and no light is emitted. Furthermore, when applying AC voltage, the anode is + and the cathode is -.
Lights up only when the condition is reached. Note that the waveform of the applied alternating current may be arbitrary. [Example] Next, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples in any way. Production Example 1 2,5-bis-(2-4-biphenylacetate) L p-phenylbenzaldehyde 7.189. 2.5-dimethylpyrazine 1.0099 and benzoic acid 9.959 were mixed and refluxed for 21 hours. After that, f7) the reaction mixture was poured into 100ml of ethyl alcohol to form a precipitate. Next, this precipitate was filtered, washed with ethyl alcohol, and then dried in vacuum to obtain 0.489 of a crude product. Next, this crude product was purified by sublimation to obtain a yellow powder, and then recrystallized with 400 tal of xylene (activated carbon treatment) to obtain 300 s+g of yellow needle-shaped crystals. The melting point of this product was 310-313°C (decomposed). Other distyrylpyrazine derivatives are described in "Journal of Polymer Science, Polymer Physics, and Edication (J, PolymerScf, Pol.
ymer phys, Ed, ) J Volume 16, No. 136
It was produced by the method described on page 5 (1968). Example 1 A glass substrate (25 x 75 x 1.1 mm size, manufactured by HOYA) on which an ITO transparent electrode with a film thickness of 1100 nm was provided was used as a transparent support substrate, and this was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol for 30 minutes, and then further washed with isopropyl alcohol. Soaked and washed. This transparent support substrate was dried with dry nitrogen gas, fixed on a substrate holder of a commercially available vacuum evaporation device, and then placed on a molybdenum resistance heating boat with N,N'
diphenyl-N,N'-bis(3-methyl7enyl)-
(1,1″-biphenyl)-4,4″-diamine (TP
D) 200 rag of 2゜5-bis-(2-(4-biphenyl)ethynyl) with all-trans structure obtained in Production Example 1 was placed in another molybdenum resistance heating boat.
Add 200IIIg of pyrazine [compound of formula (4)],
It was attached to a vacuum evaporation device. Next, after reducing the pressure in the vacuum chamber to 1.2xlO-'Pa, the heating boat containing the TPD was energized to 230
℃ and deposited on a transparent support substrate at a deposition rate of 0.1 to 0.3 nm/see to provide a hole injection transport layer with a thickness of 60 nm. Further, the boat containing 2,5-bis-(2-(4-biphenyl)ethynyl)pyrazine was heated to 285°C by applying electricity, and the vapor deposition rate was 0.1 to 01 nm/
sec to deposit the hole injection transport layer to a film thickness of 7.
A light emitting layer of 0 nm was provided. Note that the temperature of the substrate during vapor deposition was room temperature. Next, the vacuum chamber was opened and a stainless steel mask was placed on top of the luminescent layer, while 3 g of magnesium was placed in a resistance heating boat made of molybdenum and copper was placed in a crucible of an electron beam evaporator, and the vacuum chamber was opened again. After reducing the pressure to 2×1O-Pa, the boat containing magnesium was energized to increase the deposition rate to 4.
Magnesium is evaporated at ~5 nm/Sec, and at the same time copper is heated by an electron beam to achieve a deposition rate of 0.1~
The intended EL element was fabricated by vapor depositing copper at a rate of 0.3 nm/see to form a counter electrode made of the mixture of magnesium and copper. When a direct current of 17"/cm was applied using the ITO electrode of this device as the positive electrode and the counter electrode made of a mixture of Mg and copper as the negative electrode, a current with a current density of 300mA/crm" flowed.
A yellow luminescence was obtained. The maximum emission wavelength at this time is 548 nm
1 emission brightness is 100 cd/m! Example 2 A glass substrate (25 x 75 x 1.1 mm size, manufactured by HOYA) on which an ITO transparent electrode with a film thickness of 1100 nm was provided was used as a transparent support substrate, and this was ultrasonically cleaned with inpropyl alcohol for 30 minutes. Furthermore, it was washed by immersing it in isopropyl alcohol. This transparent support substrate was dried with dry nitrogen gas and fixed to the substrate boulder of a commercially available vacuum evaporation apparatus, while the TPD2 was placed in a molybdenum resistance heating boat.
00*y, and in another molybdenum resistance heating boat, 2,5-bis-(4-ethylstyryl)pyrazine with an all-trans structure [1200 mg of compound of formula (2)]
and attached it to a vacuum evaporator. Next, after reducing the pressure in the vacuum chamber to 3 x 10-'Pa, electricity was applied to the heating boat containing TPD to heat it to 230°C, and vapor deposition was performed on the transparent support substrate at a vapor deposition rate of 0.1 to 0.3 nm/sac. Then, a hole injection transport layer with a film thickness of 70 nm was provided. Furthermore, the boat containing 2,5-bis-(4-ethylstyryl)pyrazine is heated to 200°C by applying electricity,
A light emitting layer having a thickness of 80 nm was provided by vapor deposition on the hole injection transport layer at a vapor deposition rate of 0.1 to 0.3 nm/sec. Note that the temperature of the substrate during vapor deposition was room temperature. Next, the vacuum chamber was opened and a stainless steel mask was placed on top of the luminescent layer, while 3 g of magnesium was placed in a resistance heating boat made of molybdenum and copper was placed in a crucible of an electron beam evaporator, and the vacuum chamber was opened again. After reducing the pressure to 2xiO-'Pa, the boat containing magnesium was energized to deposit magnesium at a deposition rate of 5 to 6 nm/SμC.
At the same time, the copper is heated by an electron beam and the deposition rate is 0.2.
The desired EL element was fabricated by vapor depositing copper at a rate of ~0.3 nm/see to form a counter electrode made of the mixture of magnesium and copper. When a DC voltage of 13 V was applied using the ITO electrode of this device as the positive electrode and the counter electrode made of a mixture of Mg and steel as the negative electrode, a current with a current density of 33 mA/cm" flowed.
A green luminescence was obtained. The maximum emission wavelength at this time is 512 nm
x Emission luminance was 270 cd/m''; Q Example 3 A glass substrate (25 x 75 x 1.1 + 1 m size, manufactured by HOYA) on which an ITO transparent electrode with a film thickness of 1100 nm was provided was used as a transparent support substrate, and this was coated with isopropyl alcohol. The transparent support substrate was cleaned using ultrasonic waves for 30 minutes, and then immersed in isopropyl alcohol.The transparent supporting substrate was dried with dry nitrogen gas and fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum evaporation device. TP to heating boat
2.5-bis-(4-
200 mg of methoxystyryl) pyrazine (compound (18) (7)) was placed in a vacuum evaporation apparatus.Next, after reducing the pressure in the vacuum chamber to 2X10-'Pa, T
Turn on the PD; energize the heating boat to 220'O
The film was heated to 100 nm, and vapor-deposited on a transparent support substrate at a vapor deposition rate of 0.1 to 0.3 nm/sec to provide a hole injection transport layer with a film thickness of 60 nm. Further, the port containing 2,5-bis-(4-methoxystyryl)pyrazine was energized at 230°C.
heating to a deposition rate of 0.1-0.3 nm/s
e c, the film is deposited on the hole injection transport layer to a film thickness of 9.
A light emitting layer of 0 nm was provided. Note that the temperature of the substrate during vapor deposition was room temperature. Next, the vacuum chamber was opened and a stainless steel mask was placed on top of the luminescent layer, while 3 g of magnesium was placed in a resistance heating boat made of molybdenum and copper was placed in a crucible of an electron beam evaporator, and the vacuum chamber was opened again. After reducing the pressure to 2X10-'Pa, the boat containing magnesium is energized to deposit magnesium at a deposition rate of 6 nm/sec. At the same time, copper is heated by an electron beam to achieve a deposition rate of 0.1 to 0.
.. The intended EL element was manufactured by vapor depositing copper at a rate of 3 nm/see to form a counter electrode made of the mixture of magnesium and copper. When a direct current of 17 V was applied using the ITO electrode of this device as the positive electrode and the counter electrode made of a mixture of Mg and copper as the negative electrode, a current with a current density of 190 mA/cm" flowed and blue-green light was emitted. The maximum emission wavelength at this time is 497 nm
The luminance was 160 cd/m8. Example 4 A glass substrate (25 x 75 x 1.1 m + m size, manufactured by HOYA) on which an ITO transparent electrode with a film thickness of 1100 nm was provided was used as a transparent support substrate, and this was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol for 30 minutes, and further washed with inpropyl alcohol. It was soaked in and washed. This transparent support substrate was dried with dry nitrogen gas, fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum evaporation device, and placed in a resistance heating boat made of molybdenum.
4-bis-(4-methylstyryl)pyrazine [formula (1)
1200 mg of the compound was added thereto, and the mixture was attached to a vacuum evaporation apparatus. Next, the pressure in the vacuum chamber was reduced to 2xlO-'Pa, and 1.
The port containing 4-bis-(4-methylstyryl)pyrazine was heated to 210°C by applying electricity, and the deposition rate was 0.
A light emitting layer having a thickness of 500 nm was provided by vapor deposition on a transparent support substrate at a rate of 1 to 0.3 nm/sec. Note that the temperature of the substrate during vapor deposition was room temperature. Next, the vacuum chamber was opened and a stainless steel mask was placed on top of the luminescent layer, while 3 g of magnesium was placed in a resistance heating boat made of molybdenum and copper was placed in a crucible of an electron beam evaporator, and the vacuum chamber was opened again. After reducing the pressure to 2×10-'Pa, the port containing magnesium was energized to deposit magnesium at a deposition rate of 4 to 5 nm/see.
At the same time, the copper is heated by an electron beam and the deposition rate is 0.2.
Copper was deposited at a rate of ~0.3 nm/sec to form a counter electrode made of a mixture of magnesium and copper, thereby producing the desired EL element. When 30 V DC was applied to this device using the ITO electrode as the positive electrode and the counter electrode made of a mixture of Mg and copper as the negative electrode, a current with a current density of 30 mA/cm" flowed and green light was emitted. The maximum emission wavelength was 520 nm, and the emission brightness was 0.5 cd/m''. Example 5 Glass substrate (25x75x1.1ms+size, H
(manufactured by OYA Corporation) was used as a transparent support substrate, which was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol for 30 minutes, and further immersed in isopropyl alcohol for cleaning. This transparent support substrate was dried with dry nitrogen gas, fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum evaporation device, and TPD was placed on a resistance heating boat made of molybdenum.
200jlIg of 2,5-bis(
2-(1-naphthyl)vinyl)pyrazine (Specific Example 21 of Luminescent Material) was charged for 200 my and attached to a vacuum evaporation apparatus. After this, the pressure in the vacuum chamber was reduced to 4X10-'Pa, and T
The boat containing the PD was energized, heated to 230"O, and deposited on a transparent support substrate at a deposition rate of 0.1 to 0.3 nm/see. Furthermore, 2.5-bis(2-(1-su2
energizing the boat containing vinyl) pyrazine;
Heated to 242℃, deposition rate 0.3nm/s e
The film was deposited on the hole injection layer on the transparent support substrate in step c, and the film thickness was 6.
A light emitting layer of 0 nm was obtained. The temperature of the substrate during deposition was room temperature. After this, the vacuum chamber was opened, a stainless steel mask was placed on top of the luminescent layer, 3g of magnesium was placed in a molybdenum resistance heating boat, steel was placed in the crucible of the electron beam evaporator, and the vacuum chamber was opened again. The pressure was reduced to 2xlO-'Pa, and then the boat containing magnesium was energized to deposit magnesium at a deposition rate of 4 to 6 nm/sec. At this time, the copper is simultaneously heated by an electron beam to 0.
Copper was deposited at a rate of 1-0.3 nm/sac, and copper was mixed with the magnesium to form a counter electrode. With the above steps, the production of the electroluminescent device was completed. The ITO electrode of this device was used as the positive electrode, the counter electrode made of a mixture of Mg and copper was used as the negative electrode, and when 12 V DC was applied,
A current with a current density of 213 mA/cm" was passed, and yellow light was emitted. The maximum wavelength of light emission at this time was 565 nm, according to CIE
The chromaticity coordinates are x=0.40, y-0,53 (Yet lo
wQreen), and the luminance was 932 cd/m'', which was extremely high luminance. [Effects of the Invention] The organic EL device of the present invention uses a distyryl pyrazine derivative as a luminescent material, and has yellow and green luminance. It can emit light with high brightness, especially at low voltage, and is suitably used as a light emitting element in various display devices.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 発光材料として、ジスチリルピラジン誘導体を用い
たことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子
。 2 ジスチリルピラジン誘導体が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼   …( I ) (式中のX及びYは、それぞれ一価の芳香族残基又はヘ
テロ芳香族残基であり、それらは同一であってもよいし
、たがいに異なっていてもよい)で表される化合物であ
る請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 3 一般式( I )で表されるジスチリルピラジン誘導
体から成る薄膜状の発光層を有する請求項1又は2記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子。 4 発光層を一対の電極間に介在して成る請求項3記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子。 5 陽極、正孔注入輸送層、発光層及び陰極の順に積層
して成る請求項4記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子。
[Scope of Claims] 1. An organic electroluminescent device characterized in that a distyrylpyrazine derivative is used as a luminescent material. 2 Distyrylpyrazine derivatives have a general formula ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ ... (I) (X and Y in the formula are each a monovalent aromatic residue or a heteroaromatic residue, and they are The organic electroluminescent device according to claim 1, which is a compound represented by the following formula (which may be the same or different). 3. The organic electroluminescent device according to claim 1 or 2, comprising a thin film-like light-emitting layer made of a distyrylpyrazine derivative represented by general formula (I). 4. The organic electroluminescent device according to claim 3, comprising a light-emitting layer interposed between a pair of electrodes. 5. The organic electroluminescent device according to claim 4, comprising an anode, a hole injection transport layer, a light emitting layer, and a cathode stacked in this order.
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