JPH02250961A - Target for sputtering - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、薄膜形成に用いるスパッタ用ターゲットに関
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a sputtering target used for forming a thin film.
（従来の技術）
スパッタリング法は、真空中にＡｒガスを導入し、陰極
に負電位を与えてグロー放電を発生させスパッタ粒子は
対向した陽極上の基板上に堆積し薄膜を形成する。(Prior Art) In the sputtering method, Ar gas is introduced into a vacuum, a negative potential is applied to a cathode to generate a glow discharge, and sputtered particles are deposited on a substrate on an opposing anode to form a thin film.
このスパッタリング法で用いられるターゲットは、従来
、第２図に示すように、ターゲット１とバッキングプレ
ート２とをボンディング材３によって接合している。Conventionally, a target used in this sputtering method has a target 1 and a backing plate 2 bonded together using a bonding material 3, as shown in FIG.
一般にバッキングプレートは純銅あるいは銅系合金が使
用され、ボンディング材はメタル系ボンディング材を用
いることが多い。Generally, pure copper or a copper-based alloy is used for the backing plate, and a metal-based bonding material is often used for the bonding material.
しかし、セラミックス、ガラス、金属間化合物等のター
ゲット（以下非金属系ターゲットという）はバッキング
プレートとメタル系ボンディング材で接合する場合、そ
のボンディング材の融点以上に加熱して接合するが、そ
れを室温まで冷却するとターゲットとバッキングプレー
トの熱膨脹率の違いにより大きく反りが発生する。However, when targets such as ceramics, glass, and intermetallic compounds (hereinafter referred to as nonmetallic targets) are bonded to a backing plate using a metal bonding material, they are heated above the melting point of the bonding material; If the target is cooled to a certain temperature, significant warpage will occur due to the difference in thermal expansion coefficients between the target and the backing plate.
この反りは一般的には機械的な力により修正され平らに
戻されるが、上記のような非金属系ターゲットはこの反
り戻しの時に割れてしまうことが多い。This warpage is generally corrected by mechanical force and returned to a flat state, but the above-mentioned non-metallic targets often break during this unwarping.
このような場合、樹脂系ボンディング材を用いて非金属
系ターゲットとバッキングプレートを接合すると、それ
らの熱膨張率の違いを緩和でき、反りの発生がないため
ターゲットが割れることはない。In such a case, if the nonmetallic target and backing plate are bonded using a resin bonding material, the difference in thermal expansion coefficients between them can be alleviated, and the target will not crack because no warpage occurs.
樹脂系ボンディング材は導電性樹脂あるいは非導電性樹
脂が目的に応じて使用される。As the resin bonding material, a conductive resin or a non-conductive resin is used depending on the purpose.
−数的にバッキングプレートはその上に接合されたター
ゲットを使い終ったのらは、そのターゲットをバッキン
グプレートから剥離し、さらに新しいターゲットを接合
して使用する。- When the backing plate has finished using the target bonded thereon, the target is peeled off from the backing plate and a new target is bonded for use.
このようにバッキングプレートは繰り返して使用される
が、メタル系ボンディング材を用いた場合はそのボンデ
ィング材の融点以上に加熱することによって容易にター
ゲットをバッキングプレートから剥離スることができる
。The backing plate is used repeatedly in this way, but when a metal bonding material is used, the target can be easily peeled off from the backing plate by heating the target to a temperature higher than the melting point of the bonding material.
しかし、樹脂系ボンディング材を用いた場合はなかなか
ターゲットをバッキングプレートから剥離できない欠点
がある。However, when a resin-based bonding material is used, there is a drawback that it is difficult to separate the target from the backing plate.
一般に樹脂系ボンディング材は最高でも約１５０℃程度
の加熱で硬化する樹脂を使用するが、この樹脂は一旦硬
化すると熱を用いても化学薬品を用いてもなかなか軟化
させたり溶解させることは困難である。Generally, resin-based bonding materials use a resin that hardens by heating at a maximum temperature of about 150°C, but once this resin hardens, it is difficult to soften or dissolve it, whether using heat or chemicals. be.
（解決しようとする問題点）
゛本発明は、樹脂系ボンディング材を用いた場合、上記
の欠点を除去しターゲットをバッキングプレートから容
易に剥離することができるスパッタ用ターゲットを提供
しようとするものである。(Problems to be Solved) ゛The present invention aims to provide a sputtering target that eliminates the above-mentioned drawbacks and allows the target to be easily peeled off from the backing plate when a resin-based bonding material is used. be.
（問題を解決するための手段）
本発明は、バッキングプレート上に低融点の金属層ある
いは合金層を設け、その上に樹脂系ボンディング材を用
いてターゲットを接合したものである。(Means for Solving the Problems) In the present invention, a low melting point metal layer or alloy layer is provided on a backing plate, and a target is bonded thereon using a resin bonding material.
このように、バッキングプレートとターゲットとの接合
層を二層にすることによって、ターゲットを使用し終っ
たのちは低融点の金属層あるいは合金層を加熱により融
解することによりターゲットをバッキングプレートから
容易に剥離することができる。In this way, by creating a two-layer bonding layer between the backing plate and the target, after the target has been used, the target can be easily removed from the backing plate by melting the low melting point metal layer or alloy layer by heating. Can be peeled off.
低融点の金属層あるいは合金層にはインジウム、半田の
ような金属を用いることができる。ただし樹脂系ボンデ
ィング材の硬化温度より高い融点の金属あるいは合金を
使用する。A metal such as indium or solder can be used for the low melting point metal layer or alloy layer. However, a metal or alloy with a melting point higher than the curing temperature of the resin bonding material is used.
第１図は本発明になるスパッタ用ターゲットの断面図で
ある。FIG. 1 is a sectional view of a sputtering target according to the present invention.
本発明を第１図にしがって詳細に説明する。The present invention will be explained in detail with reference to FIG.
図において、バッキングプレート２の上に低融点の金属
層あるいは合金層５を形成し、その上に樹脂系ボンディ
ング材４によってターゲット１を接合する。In the figure, a low melting point metal layer or alloy layer 5 is formed on a backing plate 2, and a target 1 is bonded thereon using a resin bonding material 4.
ターゲットを使用し終ったのちは、加熱によって金属層
あるいは合金層を融解すれば容易にターゲットをバッキ
ングプレートから剥離することができる。樹脂はターゲ
ットに付着したままでよい。After using the target, the target can be easily peeled off from the backing plate by melting the metal layer or alloy layer by heating. The resin may remain attached to the target.
また、接合の際、非金属系ターゲットは樹脂系ボンディ
ング材を用いているので反ることはないため、ターゲッ
トが割れることとはない。Further, during bonding, since the non-metallic target uses a resin bonding material, it will not warp, so the target will not crack.
さらに、非金属系ターゲットを樹脂系ボンディング材を
用いて接合した場合、例えば、接合不良で再接合を要す
るような場合がある。このような場合、無理やりターゲ
ットを剥離しなければならないためターゲットが割れる
ことが多いが、本発明によれば、容易にターゲットが剥
離できターゲットが割れることがないため、極めて容易
に再接合ができる。Furthermore, when non-metallic targets are bonded using a resin bonding material, for example, bonding may be defective and rebonding may be required. In such cases, the target often cracks because it has to be forcibly peeled off, but according to the present invention, the target can be easily peeled off and the target does not crack, so it can be rejoined very easily.
（実施例）
寸法１６０ｍｍｘ４３０ｍｍ厚さ５ｍｍの無酸素銅をバ
ッキングプレートとし、その上にインジウム（融点１５
３℃）の層を形成した。インジウム層の厚さは１００μ
以下であった。(Example) Oxygen-free copper with dimensions 160 mm x 430 mm and thickness 5 mm is used as a backing plate, and indium (melting point 15
3°C) layer was formed. The thickness of the indium layer is 100μ
It was below.
そのインジウム層の上に寸法１４５ｍｍｘ４０Ｑｍｍ厚
さ５ｍｍの５ｉ０２のターゲットを硬化温度１３０℃の
熱硬化性シリコン樹脂を用いて１３０℃で接合した。A 5i02 target with dimensions of 145 mm x 40 Q mm and thickness of 5 mm was bonded onto the indium layer at 130° C. using a thermosetting silicone resin with a curing temperature of 130° C.
これを室温まで冷却したが、反りは発生せずターゲット
の割れもなかった。This was cooled to room temperature, but no warping occurred and the target did not crack.
これをさらに、１６０℃に加熱したところ、インジウム
は融解しターゲットをバッキングプレートから容易に剥
離することができた。When this was further heated to 160° C., the indium melted and the target could be easily peeled off from the backing plate.
また、５ｉ０２ターゲツトは剥離の隔別れることもなか
った。Also, the 5i02 target did not show any separation.
４゜
（発明の効果）
樹脂系ボンディング材を用いてターゲットとバッキング
プレートを接合する場合、本発明によれば、ターゲット
をバッキングプレートから容易に剥離することができる
特徴がある。4° (Effects of the Invention) When a target and a backing plate are bonded using a resin bonding material, the present invention has a feature that the target can be easily peeled off from the backing plate.
また、バッキングプレートに非金属系ターゲットを接合
したり剥離する場合、ターゲットが割れない利点がある
。Furthermore, when a non-metallic target is bonded to or separated from the backing plate, there is an advantage that the target does not break.
さらに、ターゲットが粉末焼結体の場合、メタル系ボン
ディング材を用いてバッキングプレートと接合すると、
そのメタル系ボンディング材がターゲットの内部に拡散
され、それによって形成された膜特性に悪影響を与える
欠点があるが、本発明によれば、その上に樹脂層が設け
られているためこのような拡散を防止することができる
特徴がある。Furthermore, if the target is a powder sintered body, if it is bonded to the backing plate using a metal bonding material,
The metal bonding material is diffused inside the target, which has the disadvantage of adversely affecting the properties of the formed film. However, according to the present invention, a resin layer is provided on top of the metal bonding material, thereby preventing such diffusion. There are features that can prevent this.
第１図は本発明になるスパッタ用ターゲットの断面図で
ある。
図において、１はターゲット、２はバッキングプレート
、４は樹脂系ボンディング材、５は低目融点の金属層あ
るいは合金層である。
第２図は従来の一般的なスパッタ用ターゲットの断面図
である。
図において、３はボンディング材である。FIG. 1 is a sectional view of a sputtering target according to the present invention. In the figure, 1 is a target, 2 is a backing plate, 4 is a resin bonding material, and 5 is a low melting point metal layer or alloy layer. FIG. 2 is a sectional view of a conventional general sputtering target. In the figure, 3 is a bonding material.
Claims (1)
グ材を用いて接合する場合、バッキングプレートと樹脂
系ボンディング材の間に低融点の金属層あるいは合金層
を設けることを特徴とするスパッタ用ターゲット。A sputtering target characterized in that, when the target and the backing plate are bonded using a resin bonding material, a low melting point metal layer or alloy layer is provided between the backing plate and the resin bonding material.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1071377A JP2745145B2 (en) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | Bonding method for sputtering target |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1071377A JP2745145B2 (en) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | Bonding method for sputtering target |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02250961A true JPH02250961A (en) | 1990-10-08 |
| JP2745145B2 JP2745145B2 (en) | 1998-04-28 |
Family
ID=13458751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1071377A Expired - Lifetime JP2745145B2 (en) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | Bonding method for sputtering target |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2745145B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006336103A (en) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Applied Materials Inc | Elastomer bonding of large area sputtering target |
| JP2020105613A (en) * | 2018-12-28 | 2020-07-09 | 株式会社アルバック | Target assembly and manufacturing method of the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0259478A (en) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Hitachi Chem Co Ltd | Bonded body of metallic sheet and target for superconducting ceramic and formation of superconducting thin film |
-
1989
- 1989-03-23 JP JP1071377A patent/JP2745145B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0259478A (en) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Hitachi Chem Co Ltd | Bonded body of metallic sheet and target for superconducting ceramic and formation of superconducting thin film |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006336103A (en) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Applied Materials Inc | Elastomer bonding of large area sputtering target |
| JP2020105613A (en) * | 2018-12-28 | 2020-07-09 | 株式会社アルバック | Target assembly and manufacturing method of the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2745145B2 (en) | 1998-04-28 |
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