JPH0224949A - Locating device for device processing with focused ion beam - Google Patents

Locating device for device processing with focused ion beam

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JPH0224949A
JPH0224949A JP63175940A JP17594088A JPH0224949A JP H0224949 A JPH0224949 A JP H0224949A JP 63175940 A JP63175940 A JP 63175940A JP 17594088 A JP17594088 A JP 17594088A JP H0224949 A JPH0224949 A JP H0224949A
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JP
Japan
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ion beam
optical system
image
beam irradiation
computer
Prior art date
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JP63175940A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideaki Kyogoku
京極 英明
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Seiko Instruments Inc
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Seiko Instruments Inc
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To provide a location alignment device easy to define the processing zone by furnishing an optical microscope, image display device, stage moving device, and operation command means of beam irradiation optical system. CONSTITUTION:A parallel pattern 17 is processed on a metal film band 18. At this time, the mouth of a computer 16 is operated on the image of a display device, and a film-equipped part is specified. The computer 16 drives a stage moving device 11, and a stage 2 is moved for a distance corresponding to the interaxis distance of a microscope 12 and an ion beam irradiation optical system. Then the ion beam irradiation optical system 4 is operated according to the stored information in the computer 16, and focused ion beam is projected only onto the processing zone. The number of picture elements in the X and Y directions in the image zone is made equal to the max. input value to a D/A converter 20, and the length between picture elements on display device 6 is made the same as the beam motion length at one step of the D/A converter. A deflection signal is delivered from the computer 16 through a control circuit 21, A/D converter 20, and amplifier 22, and thus a deflection plate 19 is driven. Accordingly the processing zone can be defined easily and quickly.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、半導体IC,などのデバイスを集束イオン
ビームを用いて加工、修正する装置に関し、特にデバイ
ス上の加工位置を合せる位置合せ装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to an apparatus for processing and modifying devices such as semiconductor ICs using a focused ion beam, and particularly relates to an alignment apparatus for aligning the processing position on the device. .

[発明の概要] 近年における半導体素子(LSI)の大規模化、高集積
化に伴なうパターン膜の加工及び欠陥修正技術を向上進
歩させるために、集束イオンビーム装置の近くに光学顕
微鏡を設ける一方、光学顕微鏡の像を光電変換素子を介
してディジタル表示する画像表示装置と、前記イオンビ
ーム照射光学系の光軸と前記光学顕微鏡の光軸との間で
前記X−Yステージを移動させるステージ移動装置と、
前記画像表示装置の表示上で指定された前記デバイスの
加工領域のみを照射するよう前記イオンビーム照射光学
系を作動させる指定手段と、を備え、加工部分や欠陥部
分の観察、検索は光学顕微鏡で行ない、加工又は欠陥修
正時にはデバイスを移動させてイオンビーム照射光学系
で加工するようにした。
[Summary of the Invention] An optical microscope is provided near a focused ion beam device in order to improve and advance pattern film processing and defect correction technology as semiconductor devices (LSI) have become larger and more highly integrated in recent years. On the other hand, an image display device that digitally displays an image of an optical microscope via a photoelectric conversion element, and a stage that moves the X-Y stage between the optical axis of the ion beam irradiation optical system and the optical axis of the optical microscope. a mobile device;
a specifying means for activating the ion beam irradiation optical system so as to irradiate only the processing area of the device specified on the display of the image display device, and observing and searching for processing parts and defective parts with an optical microscope; During processing or defect correction, the device was moved and processed using an ion beam irradiation optical system.

[従来技術] 近年、半導体素子が大規模化、高集積化されるようにな
った背景の1つには、半導体素子の製造技術の著しい発
達を挙げることができる。半導体素子製造技術の1つに
、いわゆるFIB技術がある。このFIB技術は、半導
体素子の表面を拡大して描写し観察する技術であるとと
もに、この半導体素子に描かれるパターンを加工修正す
る技術を兼ねるものである。
[Prior Art] One of the reasons why semiconductor devices have become larger and more highly integrated in recent years is the remarkable development of semiconductor device manufacturing technology. One of the semiconductor device manufacturing techniques is the so-called FIB technique. This FIB technique is a technique for enlarging and describing and observing the surface of a semiconductor element, and also serves as a technique for processing and correcting a pattern drawn on this semiconductor element.

このFIB技術の概略を第3図に示す。加工対象である
デバイス(例えば半導体素子)1は、X−Yステージ2
に載置される。このX−Yステージ2とは、照射される
集束イオンビームの光軸に対して直角な平面内で移動可
能に構成されているものである。X−Yステージ2はデ
バイス1とともに真空室3内に収納されている。この真
空室3において、図示しないガス銃により所定の化合物
ガスが吹き付けられ、この化合物ガス雰囲気中において
イオンビーム照射光学系4により、集束イオンビームが
デバイス1上の加工領域に照射される。この照射により
、例えばデバイス1表面のパターンの欠落部分を埋める
ことができる。
An outline of this FIB technology is shown in FIG. A device to be processed (for example, a semiconductor element) 1 is placed on an X-Y stage 2
will be placed on. This XY stage 2 is configured to be movable within a plane perpendicular to the optical axis of the focused ion beam to be irradiated. The XY stage 2 and the device 1 are housed in a vacuum chamber 3. In this vacuum chamber 3, a predetermined compound gas is blown by a gas gun (not shown), and in this compound gas atmosphere, a focused ion beam is irradiated onto the processing area on the device 1 by an ion beam irradiation optical system 4. By this irradiation, for example, missing portions of the pattern on the surface of the device 1 can be filled.

このとき欠落等が存在する欠陥部分を発見するために、
従来は、先ず集束イオンビーム装置を観察モードにして
デバイス1の表面を前記イオンビによって検出し、この
検出信号を画像表示装置6に導き、デバイス表面の画像
を形成し、形成した画像上において加工すべき加工領域
を指定させ、次いで前記集束イオンビーム装置を加工モ
ードにして指定された領域のみを集束イオンビームによ
り照射していた。このときの指定及びイオンビーム照射
光学系の制御は指定手段7によって行なわれていた。
At this time, in order to discover defective parts such as missing parts,
Conventionally, first, the surface of the device 1 is detected by the ion beam with the focused ion beam device in observation mode, and this detection signal is led to the image display device 6 to form an image of the device surface, and processing is performed on the formed image. A region to be processed is designated, and then the focused ion beam device is set in processing mode to irradiate only the designated region with the focused ion beam. At this time, the designation and the control of the ion beam irradiation optical system were performed by the designation means 7.

[発明が解決しようとする課題] しかしながら以上の従来技術によると、デバイス表面の
画像を形成するときに、デバイスである保護膜の表面か
らも生じ、これによって形成される画像は保護膜表面の
凹凸によって生じるコントラストがついてしまう。この
ため保護股下のパターンは正確に観察できないことが多
かった。
[Problem to be Solved by the Invention] However, according to the above-mentioned prior art, when an image is formed on the surface of a device, the image is also generated from the surface of the protective film which is the device, and the image formed thereby is caused by unevenness on the surface of the protective film. The contrast caused by this will be added. For this reason, it was often impossible to accurately observe the pattern of the protected inseam.

従来、このようなときには正確に観察できる他の部分の
パターン画像から、設計データのパターンに基づき加工
修正すべき領域を確定させ、この確定した加工領域にイ
オンビームの光軸を一致させるように前記X−Yステー
ジ2を移動させていた。このため加工領域とイオンビー
ムの光軸の位置合せ操作が煩雑となり、時間がかかつて
いた。
Conventionally, in such cases, the area to be processed and corrected is determined based on the pattern of the design data from pattern images of other parts that can be observed accurately, and the optical axis of the ion beam is aligned with the determined processing area. X-Y stage 2 was being moved. For this reason, the operation for aligning the processing area and the optical axis of the ion beam becomes complicated and time-consuming.

また、加工修正すべき領域を探すために、半導体素子表
面の加工領域以外の部分にもイオンビームを照射せねば
ならず、半導体索子(デバイス)の損傷を招く恐れがあ
った。
In addition, in order to find a region to be processed and corrected, it is necessary to irradiate the ion beam onto a portion of the surface of the semiconductor element other than the processed region, which may cause damage to the semiconductor device.

この発明は以上の問題点に鑑みてなされたもので、加工
領域の確定が容易で、デバイス上の不必要な部分にイオ
ンビームを照射する必要のない位置合せ装置を提供する
ことを目的とする。
This invention has been made in view of the above problems, and aims to provide an alignment device that allows easy determination of a processing area and eliminates the need to irradiate unnecessary parts of a device with an ion beam. .

[課題を解決するための手段] この発明は、前記目的を達成するため、集束イオンビー
ム装置のイオンビーム照射光学系の近くに光学顕微鏡を
設ける一方、光学顕微鏡の像を光電変換素子を介してデ
ィジタル表示する画像表示装置と、前記イオンビーム照
射光学系の光軸と前記光学顕微鏡の光軸との間で前記X
−Yステージを移動させるステージ移動装置と、前記画
像表示装置の表示上で指定された前記デバイスの加工領
域のみを照射するよう前記イオンビーム照射光学系を作
動させる指定手段と、を備えたことを要旨とするもので
ある。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention provides an optical microscope near the ion beam irradiation optical system of a focused ion beam device, and transmits an image of the optical microscope through a photoelectric conversion element. The X
- a stage moving device for moving the Y stage; and a specifying means for operating the ion beam irradiation optical system so as to irradiate only the processing area of the device specified on the display of the image display device. This is a summary.

[作  用1 光学顕微鏡の光は前記保護膜を透過するので、形成され
る画像は保護膜下のパターンを明瞭に写し出すことがで
きる。また、光学顕微鏡の光はイオンビームのようにデ
バイスをI ilさせることはない。
[Function 1] Since the light from the optical microscope passes through the protective film, the formed image can clearly show the pattern under the protective film. Furthermore, the light from an optical microscope does not illuminate the device like an ion beam.

したがって、光学顕微鏡によって安全、確実なデバイス
観察を行ない、このデバイスの欠陥部分を検出する。そ
して、この欠陥位置を記憶した後、X−Yステージを駆
動してデバイスを光学顕微鏡とイオンビーム照射光学系
との間で移動させる。
Therefore, a defective portion of the device is detected by safely and reliably observing the device using an optical microscope. After this defect position is memorized, the X-Y stage is driven to move the device between the optical microscope and the ion beam irradiation optical system.

その後イオンビーム照射光学系によって集束イオンビー
ムがデバイスの欠陥部分に照射され、欠陥修正等の加工
が行なわれる。
Thereafter, the ion beam irradiation optical system irradiates the defective portion of the device with a focused ion beam to perform processing such as defect correction.

[実 施 例] 第1図は、この発明の一実施例を示す。なお従来例を示
す第3図と同一の部分については同一の番号を付して説
明を省略する。X−Yステージ2の上に据えられた加工
対象物であるデバイス1は、半導体素子である。まず加
工修正が行なわれる前に、ステージ移動装置11により
X−Yステージ2が駆動されデバイス1が光学顕微鏡1
2の下に位置りる。光学顕微鏡12に捉えられた画像は
CODカメラのような光電変換素子13により、電気信
号に変換される。この電気信号、すなわち映像信号は、
A−D (アナログ・ディジタル)変換器14によりデ
ィジタル信号に変換される。その後、画像メモリ15に
導かれ、前記ディジタル信号による画像データがストッ
クされる。このストックされた画像データを、コンピュ
ータ16がディジタル信号として呼び出し、このコンピ
ユータ16内部のビデオ・メモリに転送し、画像表示装
置6に表示する。これにより画像表示装置6には前記光
学顕微鏡で得られた像が表示される。
[Example] FIG. 1 shows an example of the present invention. Note that the same parts as in FIG. 3 showing the conventional example are given the same numbers and the description thereof will be omitted. A device 1, which is a workpiece placed on the XY stage 2, is a semiconductor element. First, before processing correction is performed, the X-Y stage 2 is driven by the stage moving device 11, and the device 1 is moved to the optical microscope 1.
Located below 2. The image captured by the optical microscope 12 is converted into an electrical signal by a photoelectric conversion element 13 such as a COD camera. This electrical signal, or video signal, is
It is converted into a digital signal by an AD (analog-to-digital) converter 14. Thereafter, it is guided to the image memory 15, and image data based on the digital signal is stored therein. The computer 16 reads this stocked image data as a digital signal, transfers it to the video memory inside the computer 16, and displays it on the image display device 6. Thereby, the image obtained by the optical microscope is displayed on the image display device 6.

この画像表示装置6により探し出された加工領域を示す
像の例を第2図に示す。この図にはパターンの一部が、
互いに平行な状態で存在する2つのパターン部分17と
して表われている。この2つのパターン部分17を接続
する加工修正を行なう場合についてみる。図中中央の帯
18のように金属膜を形成して加工、修正しようとする
場合には、まず画像表示装置の画像の上にコンピュータ
16のマウス操作などによって、金属膜付をしようとす
る部分(図中中央の帯の部分)を指定する。
An example of an image showing the processing area found by the image display device 6 is shown in FIG. In this figure, part of the pattern is
It appears as two pattern portions 17 that are parallel to each other. Let us now consider the case where processing correction is performed to connect these two pattern portions 17. When processing or modifying a metal film by forming a metal film, such as the band 18 in the center of the figure, first place the metal film on the area on which the metal film is to be applied by operating the computer 16's mouse over the image on the image display device. (The band in the center of the figure) is specified.

この指定は、例えばマウスによって帯の外周を囲む枠を
描くことによっておこなわれる。この枠の発生は、一般
的にソフトを介しておこなっているので、コンピュータ
16はこの枠のすべての点の位置を知ることができる。
This designation is performed, for example, by drawing a frame surrounding the outer periphery of the band using a mouse. Since this frame is generally generated through software, the computer 16 can know the positions of all points in this frame.

そして、コンピュータ16はこの加工領域を加工する際
に、まずステージ移動装置11を駆動して、光学顕微鏡
12の光軸とイオンビーム照射光学系4の光軸との間の
距離だけX−Yステージ2を移動させる。この距離は固
定されたものであり正確に定められる。そしてこの移動
がおこなわれた後、コンピュータ16が記憶している前
記枠の情報に従って、この枠の中のみ(加工領域のみ)
を集束イオンビームにより照射するようにイオンビーム
照射光学系4を作動させる。この作動は、イオンビーム
照射光学系4のX及びY方向に設けられた偏向板19の
電圧が正しく制御されることによりおこなわれる。正し
く制御するために、例えば、画像表示装置の像を表示す
る領域のX及びY方向の画素の数と、偏向板19を制御
するD/Aコンバータ20のX及びYの最大ディジタル
入力値を等しくし、かつ画像表示装置6上の像の画素間
の長さとD/Aコンバータの1ステツプで制御されるイ
オンビームの変更量、デバイス上の移動する長さを等し
くする。
When processing this processing area, the computer 16 first drives the stage moving device 11 to move the XY stage by the distance between the optical axis of the optical microscope 12 and the optical axis of the ion beam irradiation optical system 4. Move 2. This distance is fixed and precisely defined. After this movement is performed, according to the information of the frame stored in the computer 16, only the inside of this frame (processing area only) is processed.
The ion beam irradiation optical system 4 is operated to irradiate with a focused ion beam. This operation is performed by correctly controlling the voltage of the deflection plate 19 provided in the X and Y directions of the ion beam irradiation optical system 4. For correct control, for example, the number of pixels in the X and Y directions of the image display area of the image display device and the maximum digital input values of X and Y of the D/A converter 20 that controls the deflection plate 19 are made equal. In addition, the length between pixels of the image on the image display device 6, the amount of change of the ion beam controlled by one step of the D/A converter, and the length of movement on the device are made equal.

そして、コンピュータ16から、前記枠の位置座標デー
タを走査制御回路21に送り出し、この走査制御回路2
1はD/Aコンバータ20に前記枠の内部のみにイオン
ビームを照射するようにディジタル量の走査信号を送出
する。この走査信号は偏向増幅器22により増幅されて
、偏向板19に導かれる。
Then, the computer 16 sends the position coordinate data of the frame to the scan control circuit 21.
1 sends a digital scanning signal to the D/A converter 20 so as to irradiate only the inside of the frame with the ion beam. This scanning signal is amplified by the deflection amplifier 22 and guided to the deflection plate 19.

[発明の効果] 光学顕微鏡の光は、保護膜を透過して、保護股下のパタ
ーンを正確に捉えて画像を形成することができる。これ
により、従来のように保護膜表面の凹凸によるコントラ
ストが画像に表われることはなく、加工領域の確定を容
易におこなうことができる。したがって加工領域を確定
するのに短時間ですむ。
[Effects of the Invention] Light from an optical microscope can pass through the protective film and accurately capture the pattern of the protected inseam to form an image. As a result, contrast due to unevenness on the surface of the protective film does not appear in the image as in the conventional case, and the processing area can be easily determined. Therefore, it takes a short time to determine the machining area.

また、光学顕微鏡の光はデバイスの表面を損(セするこ
とがなく、イオンビームは確定された加工領域のみに照
射することができる。
Furthermore, the light from the optical microscope does not damage the surface of the device, and the ion beam can be irradiated only to the defined processing area.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明のイオンビーム加工されるデバイスの
加工位置合せ装置の一実施例を示すためのブロック図、
第2図は第1図の作用を表わすため画像表示装置6に表
示された像の一例を示す図、第3図は従来の装置を表わ
すためのブロック図である。 1・・・デバイス、2・・・X−Yステージ、3・・・
真空至、4・・・集束イオンビーム照射系、5・・・2
次イオン検出器、6・・・画像表示装置、7・・・指定
手段、11・・・ステージ移動装置、12・・・光学顕
微鏡、13・・・光電変換素子、14・・・A−D変換
器、15・・・画像メモリ、16・・・コンピュータ、
17・・・パターン部分、18・・・帯、19・・・偏
向板。 特許出願人  セイコー電子工業株式会社代 理 人 
 弁理士  林   敬之助第2図
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the processing alignment apparatus for a device processed by an ion beam according to the present invention;
FIG. 2 is a diagram showing an example of an image displayed on the image display device 6 to represent the operation of FIG. 1, and FIG. 3 is a block diagram showing a conventional device. 1...device, 2...X-Y stage, 3...
To vacuum, 4...Focused ion beam irradiation system, 5...2
Next ion detector, 6... Image display device, 7... Specifying means, 11... Stage moving device, 12... Optical microscope, 13... Photoelectric conversion element, 14... A-D Converter, 15... Image memory, 16... Computer,
17... Pattern portion, 18... Band, 19... Deflection plate. Patent applicant: Seiko Electronic Industries Co., Ltd. Agent
Patent Attorney Keinosuke Hayashi Figure 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 加工対象であるデバイスを載せるX−Yステージと、所
定の化合物ガス雰囲気中で前記デバイスに集束イオンビ
ームを照射するイオンビーム照射光学系と、前記イオン
ビーム照射光学系の近くに設けられた光学顕微鏡と、光
学顕微鏡の像を光電変換素子を介してディジタル表示す
る画像表示装置と、前記イオンビーム照射光学系の光軸
と前記光学顕微鏡の光軸との間で前記X−Yステージを
移動させるステージ移動装置と、前記画像表示装置の表
示上で指定された前記デバイスの加工領域のみを照射す
るよう前記イオンビーム照射光学系を作動させる指定手
段と、を備えた集束イオンビームによるデバイス加工位
置合せ装置。
An X-Y stage on which a device to be processed is mounted, an ion beam irradiation optical system that irradiates the device with a focused ion beam in a predetermined compound gas atmosphere, and an optical microscope provided near the ion beam irradiation optical system. an image display device that digitally displays an image of an optical microscope via a photoelectric conversion element; and a stage that moves the X-Y stage between the optical axis of the ion beam irradiation optical system and the optical axis of the optical microscope. A device processing positioning apparatus using a focused ion beam, comprising: a moving device; and a specifying means for operating the ion beam irradiation optical system so as to irradiate only the processing region of the device specified on the display of the image display device. .
JP63175940A 1988-07-13 1988-07-13 Locating device for device processing with focused ion beam Pending JPH0224949A (en)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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