JPH02247093A - Ｌｄチップキャリア固定構造 - Google Patents
Ｌｄチップキャリア固定構造Info
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- JPH02247093A JPH02247093A JP1066024A JP6602489A JPH02247093A JP H02247093 A JPH02247093 A JP H02247093A JP 1066024 A JP1066024 A JP 1066024A JP 6602489 A JP6602489 A JP 6602489A JP H02247093 A JPH02247093 A JP H02247093A
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- chip carrier
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ＬＤチップキャリア固定構造に関し、
ペルチェ素子のセラミック基板上に金属部材を埋め込み
、これを介在させることによりＬＤチップキャリアとペ
ルチェ素子とのレーザ溶接による簡易であり且つ確実な
固定を可能にすると共に、両者の密着性をより向上させ
得るＬＤチップキャリア固定構造を提供することを目的
とし、ＬＤチップを搭載した金属材で成るＬＤチップキ
ャリアとペルチェ素子のセラミック基板とを固定する構
造において、ＬＤチップキャリアとセラミック基板との
接触面に近接するセラミック基板上の領域に金属部材を
埋め込み且つＬＤチップキャリアと金属部材との間に所
定の間隙を設け、ＬＤチップキャリア及び金属部材にま
たがってレーザ照射を行うことによりこれらを溶着させ
、以てＬＤチップキャリアとペルチェ素子のセラミック
基板とを密着固定するように構成する。
、これを介在させることによりＬＤチップキャリアとペ
ルチェ素子とのレーザ溶接による簡易であり且つ確実な
固定を可能にすると共に、両者の密着性をより向上させ
得るＬＤチップキャリア固定構造を提供することを目的
とし、ＬＤチップを搭載した金属材で成るＬＤチップキ
ャリアとペルチェ素子のセラミック基板とを固定する構
造において、ＬＤチップキャリアとセラミック基板との
接触面に近接するセラミック基板上の領域に金属部材を
埋め込み且つＬＤチップキャリアと金属部材との間に所
定の間隙を設け、ＬＤチップキャリア及び金属部材にま
たがってレーザ照射を行うことによりこれらを溶着させ
、以てＬＤチップキャリアとペルチェ素子のセラミック
基板とを密着固定するように構成する。
本発明は、ＬＤチップを搭載した金属材で成るＬＤチッ
プキャリアをペルチェ素子の絶縁用のセラミック基板に
固定する構造に関する。
プキャリアをペルチェ素子の絶縁用のセラミック基板に
固定する構造に関する。
光通信用の発光側のレーザ・ダイオード（以下、ＬＤ）
モジュールにおいては、安定した性能を確保する等のた
めＬＤチップの適正な温度管理を行っている（例えば、
温度が変化すると発振波長が変化する）。これは例えば
第３図に示す如く、ＬＤチップ（図示せず）を搭載する
金属材で成るＬＤチップキャリア５１をペルチェ素子５
２の絶縁用セラミック基板５２ａに密着固定し、このペ
ルチェ素子５２によりＬＤチップの温度制御を行ってい
る。ＬＤチップキャリア５１とセラミック基板５２ａと
の固定は熱伝達性（主として冷却特性）及び取付は強度
の面からセラミック基板５２ａの取付は上面をメタライ
ズ（Ａｕ） ５３ シた後、この上にＬＤチップキャリ
ア５１を全面的に密着させて半田５４にて取付は固定し
ている。
モジュールにおいては、安定した性能を確保する等のた
めＬＤチップの適正な温度管理を行っている（例えば、
温度が変化すると発振波長が変化する）。これは例えば
第３図に示す如く、ＬＤチップ（図示せず）を搭載する
金属材で成るＬＤチップキャリア５１をペルチェ素子５
２の絶縁用セラミック基板５２ａに密着固定し、このペ
ルチェ素子５２によりＬＤチップの温度制御を行ってい
る。ＬＤチップキャリア５１とセラミック基板５２ａと
の固定は熱伝達性（主として冷却特性）及び取付は強度
の面からセラミック基板５２ａの取付は上面をメタライ
ズ（Ａｕ） ５３ シた後、この上にＬＤチップキャリ
ア５１を全面的に密着させて半田５４にて取付は固定し
ている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかるに、従来の半田付けによる固定方法ではその半田
付けの信頼性向上等のため不活性ガス雰囲気内で作業を
行わなければならず、また、半田５４のクリープ現象に
よりＬＤチップキャリア５１の所望の取付は精度を維持
しにくいという不都合がある。このため、不活性ガス雰
囲気内での作業が不要であり取付は強度上価れたレーザ
溶接によりＬＤチップキャリア５１を固定することがで
きれば望ましい。しかしながら、セラミック材料はレー
ザ溶接できないため、セラミック基板５２ａは勿論のこ
と、これをメタライズしたとしても、このセラミック基
板５２ａとＬＤチップキャリア５１とを直接レーザ溶接
することは実際上できない。
付けの信頼性向上等のため不活性ガス雰囲気内で作業を
行わなければならず、また、半田５４のクリープ現象に
よりＬＤチップキャリア５１の所望の取付は精度を維持
しにくいという不都合がある。このため、不活性ガス雰
囲気内での作業が不要であり取付は強度上価れたレーザ
溶接によりＬＤチップキャリア５１を固定することがで
きれば望ましい。しかしながら、セラミック材料はレー
ザ溶接できないため、セラミック基板５２ａは勿論のこ
と、これをメタライズしたとしても、このセラミック基
板５２ａとＬＤチップキャリア５１とを直接レーザ溶接
することは実際上できない。
また、ＬＤチップキャリアとペルチェ素子との間に透き
間があると、その断熱空間によりペルチェ素子によるＬ
Ｄチップの冷却（加熱）効率が低下するため、ＬＤチッ
プキャリアとセラミック基板（ペルチェ素子）とは密着
させることが望まれる。
間があると、その断熱空間によりペルチェ素子によるＬ
Ｄチップの冷却（加熱）効率が低下するため、ＬＤチッ
プキャリアとセラミック基板（ペルチェ素子）とは密着
させることが望まれる。
以上の点に鑑み本発明においては、セラミック基板上に
金属部材を埋め込め、これを介在させることによりＬＤ
チップキャリアとセラミック基板とのレーザ溶接を可能
にすると共に、両者の密着性をより向上させ得るＬＤチ
ップキャリア固定構造を提供することを目的とする。
金属部材を埋め込め、これを介在させることによりＬＤ
チップキャリアとセラミック基板とのレーザ溶接を可能
にすると共に、両者の密着性をより向上させ得るＬＤチ
ップキャリア固定構造を提供することを目的とする。
上記目的を解決するために本発明に係るＬＤチップキャ
リア固定構造によれば、ＬＤチップを搭載した金属材で
成るＬＤチップキャリアとペルチェ素子のセラミック基
板とを固定する構造において、ＬＤチップキャリアとセ
ラミック基板との接触面に近接するセラミック基板上の
領域に金属部材を埋め込み且つＬＤチップキャリアと金
属部材との間に所定の間隙を設け、ＬＤチップキャリア
及び金属部材にまたがってレーザ照射を行うことにより
これらを溶着させ、以てＬＤチップキャリアとペルチェ
素子のセラミック基板とを密着固定することを構成上の
特徴とする。
リア固定構造によれば、ＬＤチップを搭載した金属材で
成るＬＤチップキャリアとペルチェ素子のセラミック基
板とを固定する構造において、ＬＤチップキャリアとセ
ラミック基板との接触面に近接するセラミック基板上の
領域に金属部材を埋め込み且つＬＤチップキャリアと金
属部材との間に所定の間隙を設け、ＬＤチップキャリア
及び金属部材にまたがってレーザ照射を行うことにより
これらを溶着させ、以てＬＤチップキャリアとペルチェ
素子のセラミック基板とを密着固定することを構成上の
特徴とする。
ペルチェ素子のセラミック基板上に埋め込んだ金属部材
とＬＤチップキャリアとがレーザ照射されて溶着する。
とＬＤチップキャリアとがレーザ照射されて溶着する。
これによりＬＤチップキャリアとペルチェ素子とが確実
に固定される。しかも、参々漏部材及びＬＤチップキャ
リア間に所定の間隙があるため、溶着後にこの部分に凝
縮力による密着力が作用して両部材間の密着性が向上す
る。
に固定される。しかも、参々漏部材及びＬＤチップキャ
リア間に所定の間隙があるため、溶着後にこの部分に凝
縮力による密着力が作用して両部材間の密着性が向上す
る。
以下、図示実施例に基づき本発明を説明する。
第１及び２図は本発明の一実施例を示し、１は図示しな
いＬＤチップを搭載するステンレス鋼製のＬＤチップキ
ャリア、２はペルチェ素子である。
いＬＤチップを搭載するステンレス鋼製のＬＤチップキ
ャリア、２はペルチェ素子である。
−ｉにペルチェ素子は、２種類の導体を互いに両端で接
続して電流を流したときに起きる吸熱・発熱現象を利用
して小容量のものを主として冷却することに用いられる
。２ａはペルチェ素子２絶縁用のセラミン、り基板であ
る。
続して電流を流したときに起きる吸熱・発熱現象を利用
して小容量のものを主として冷却することに用いられる
。２ａはペルチェ素子２絶縁用のセラミン、り基板であ
る。
前述の如く、ＬＤチップキャリア１とセラミック基板２
ａとを直接レーザ溶接して固定することは困難であるの
で、先ずセラミック基板２ａに低熱伝導性金属、例えば
ステンレス鋼を焼結等の方法により埋め込み（この場合
、上方に抜けにくいように例えば図示の如く逆Ｔ字状に
埋め込む）、さらにこの埋め込み部材５の上面とＬＤチ
ップキャリア１及びセラミック基板２ａの接触面Ｓとの
間に段差Ｈ（０〜５０ＩＩｍ程度）を設ける。そして、
ＬＤチップキャリア１及び埋め込み部材５にまたがって
レーザ照射を行う。これにより、両部材１５のレーザ照
射部が溶けて一体化し、ＬＤチップキャリア１を埋め込
み部材５ひいてはペルチェ素子２のセラミック基板２ａ
に固定することができる。すなわち、レーザ溶接が可能
となり上記従来の半田イ」け作業に伴う不都合を一掃で
きる。しかも段差Ｈを設けであるので、レーザ溶接部（
照射部）Ａにおいて溶着後の凝固収縮により両部材１゜
５間に引張力が内在することになり、ＬＤチップキャリ
ア１及びセラミック基板２ａの接触面Ｓにおける密着性
が高まる結果、段差を設けずに単に固定するものと比較
してペルチェ素子２によるＬＤチップ（図示せず）の冷
却（あるいは加熱）効率を維持・向上させることが可能
となる。
ａとを直接レーザ溶接して固定することは困難であるの
で、先ずセラミック基板２ａに低熱伝導性金属、例えば
ステンレス鋼を焼結等の方法により埋め込み（この場合
、上方に抜けにくいように例えば図示の如く逆Ｔ字状に
埋め込む）、さらにこの埋め込み部材５の上面とＬＤチ
ップキャリア１及びセラミック基板２ａの接触面Ｓとの
間に段差Ｈ（０〜５０ＩＩｍ程度）を設ける。そして、
ＬＤチップキャリア１及び埋め込み部材５にまたがって
レーザ照射を行う。これにより、両部材１５のレーザ照
射部が溶けて一体化し、ＬＤチップキャリア１を埋め込
み部材５ひいてはペルチェ素子２のセラミック基板２ａ
に固定することができる。すなわち、レーザ溶接が可能
となり上記従来の半田イ」け作業に伴う不都合を一掃で
きる。しかも段差Ｈを設けであるので、レーザ溶接部（
照射部）Ａにおいて溶着後の凝固収縮により両部材１゜
５間に引張力が内在することになり、ＬＤチップキャリ
ア１及びセラミック基板２ａの接触面Ｓにおける密着性
が高まる結果、段差を設けずに単に固定するものと比較
してペルチェ素子２によるＬＤチップ（図示せず）の冷
却（あるいは加熱）効率を維持・向上させることが可能
となる。
尚、レーザ溶接部Ａは図示の如く不連続でもあるいは連
続的に線に沿って行ってもよい。
続的に線に沿って行ってもよい。
以上の如く本発明によれば、半田付けに伴う上記従来技
術の不都合を一掃でき、レーザ溶接により手軽に且つ確
実にＬＤチップキャリアをペルチェ素子に固定すること
ができ、また両者の密着性向上による冷却（加熱）効率
の維持・向上が図れる。
術の不都合を一掃でき、レーザ溶接により手軽に且つ確
実にＬＤチップキャリアをペルチェ素子に固定すること
ができ、また両者の密着性向上による冷却（加熱）効率
の維持・向上が図れる。
第１図は本発明に係るＬＤチップキャリア固定構造の一
実施例の斜視図、 第２図は第１図に示す実施例の正面図、第３図は従来の
ＬＤチップキャリア固定構造の正面図である。 ■・・・ＬＤチップキャリア、 ２ａ・・・セラミック基板、 Ａ・・・レーザ溶接部、 Ｓ・・・接触面。 ２・・・ペルチェ素子、 ５・・・埋め込み部材、 Ｈ・・・段差、
実施例の斜視図、 第２図は第１図に示す実施例の正面図、第３図は従来の
ＬＤチップキャリア固定構造の正面図である。 ■・・・ＬＤチップキャリア、 ２ａ・・・セラミック基板、 Ａ・・・レーザ溶接部、 Ｓ・・・接触面。 ２・・・ペルチェ素子、 ５・・・埋め込み部材、 Ｈ・・・段差、
Claims (1)
- １、ＬＤチップを搭載した金属材で成るＬＤチップキャ
リア（１）とペルチェ素子（２）のセラミック基板（２
ａ）とを固定する構造において、ＬＤチップキャリア（
１）とセラミック基板（２ａ）との接触面（Ｓ）に近接
するセラミック基板（２ａ）上の領域に金属部材（５）
を埋め込み且つＬＤチップキャリア（１）と金属部材（
５）との間に所定の間隙（Ｈ）を設け、ＬＤチップキャ
リア（１）及び金属部材（５）にまたがってレーザ照射
を行うことによりこれらを溶着させ、以てＬＤチップキ
ャリア（１）とペルチェ素子（２）のセラミック基板（
２ａ）とを密着固定することを特徴とするＬＤチップキ
ャリア固定構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1066024A JP2619523B2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | Ｌｄチップキャリア固定構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1066024A JP2619523B2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | Ｌｄチップキャリア固定構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02247093A true JPH02247093A (ja) | 1990-10-02 |
| JP2619523B2 JP2619523B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=13303939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1066024A Expired - Lifetime JP2619523B2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | Ｌｄチップキャリア固定構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2619523B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5960142A (en) * | 1996-08-13 | 1999-09-28 | Nec Corporation | Peltier cooler and semiconductor laser module using Peltier cooler |
| JP2005114298A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Citizen Watch Co Ltd | 温度調節装置 |
| CN1311208C (zh) * | 2002-04-22 | 2007-04-18 | 小原株式会社 | 电阻焊接装置的冷却方法 |
| US7241966B2 (en) * | 2004-09-02 | 2007-07-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Wafer level package fabrication method using laser illumination |
-
1989
- 1989-03-20 JP JP1066024A patent/JP2619523B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5960142A (en) * | 1996-08-13 | 1999-09-28 | Nec Corporation | Peltier cooler and semiconductor laser module using Peltier cooler |
| CN1311208C (zh) * | 2002-04-22 | 2007-04-18 | 小原株式会社 | 电阻焊接装置的冷却方法 |
| JP2005114298A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Citizen Watch Co Ltd | 温度調節装置 |
| US7241966B2 (en) * | 2004-09-02 | 2007-07-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Wafer level package fabrication method using laser illumination |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2619523B2 (ja) | 1997-06-11 |
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