JPH02246180A - Manufacture of semiconductor laser - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
化合物半導体レーザ、より詳しくは、埋め込み型半導体
レーザの製造方法に関し、
マストランスポート現象を抑制して好ましくないｎ−ｒ
ｎＰがＩｎＰ上側クラッド層側面に形成されるのを回避
して、特性向上を図った半導体レーザの製造方法を提供
することを目的とし、
ＩｎＰ下側クラッド層と、Ｉｎｔ−ａ６ａ＠＾５ｂＰｔ
−ｂ活性層と、ＩｎＰ上側クラッド層と、Ｉｎ １−ｃ
ＧａｃＡｓｄＰ Ｉ−１キャップ層とを少なくとも順次
形成した多層構造体にし、キャップ層の上にマスク層を
形成し、多層構造体をＨｅｒと、Ｈ８０２と、Ｈ２Ｏと
の混合液によってメサエッチングしてメサ型構造体にし
、そして、該メサ型構造体をＩｎＰ層で埋め込む埋め込
み型半導体レーザの製造方法に右いて、メサ型構造体に
する際にＩｎＰ上側クラッド層の上端部が９．ｏ。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding a method for manufacturing a compound semiconductor laser, more specifically, a buried semiconductor laser, the mass transport phenomenon is suppressed and undesirable n-r
The purpose of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor laser with improved characteristics by avoiding the formation of nP on the side surface of the InP upper cladding layer.
-b active layer, InP upper cladding layer, In 1-c
A multilayer structure is formed in which a GacAsdP I-1 cap layer is formed at least sequentially, a mask layer is formed on the cap layer, and the multilayer structure is mesa-etched using a mixed solution of Her, H802, and H2O to form a mesa shape. According to a method of manufacturing a buried semiconductor laser in which the mesa-type structure is formed into a structure and the mesa-type structure is embedded with an InP layer, the upper end of the InP upper cladding layer is 9. o.
以上の角度を有するように、ＩｎＧａＡｓＰキャップ層
のＧａ又はＡｓの組成比（ｃ又はｄ値）をＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層のＧａ又はＡｓの組成比（ａ又はｂ値）以下に
するように構成する。The Ga or As composition ratio (c or d value) of the InGaAsP cap layer is adjusted so that the InGaAsP cap layer has the above angle.
The composition ratio of Ga or As (a or b value) of the P active layer is set to be equal to or lower than that of the P active layer.
本発明は、化合物半導体レーザ、より詳しくは、埋め込
み型半導体レーザの製造方法に関する。The present invention relates to a compound semiconductor laser, and more particularly, to a method for manufacturing a buried semiconductor laser.
第３Ｅ図に示す従来のＩｎＰ ／ＩｎＧａＡｓＰ系半導
体レーザを製造するには、まず、第３Ａ図に示すように
ｎ−ＩｎＰ基板１上に連続液相エピタキシャル成長法に
よってｎ−ＩｎＰ下側クラツド層２、ＩｎＧａＡｓＰ活
性層（Ｅｇ ＝０．８ｅＶ） ３、ｐ−ＩｎＰ上側ク
ラツド層４およびＧ１−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層（Ｅ
ｇ ＝１．Ｑ３ｅＶ）５を少なくとも順次形成し多層構
造にす・る。そして、キャップ層５の上に５ｉ０２など
のマスク材を全面に形成し、選択エツチングによってス
トライブ状のマスク層６にする。To manufacture the conventional InP/InGaAsP semiconductor laser shown in FIG. 3E, first, as shown in FIG. 3A, an n-InP lower cladding layer 2 is formed on an n-InP substrate 1 by continuous liquid phase epitaxial growth. InGaAsP active layer (Eg = 0.8 eV) 3, p-InP upper cladding layer 4 and G1-InGaAsP cap layer (E
g=1. Q3eV)5 is formed at least sequentially to form a multilayer structure. Then, a mask material such as 5i02 is formed on the entire surface of the cap layer 5, and a striped mask layer 6 is formed by selective etching.
第３Ｂ図に示すように、Ｈｅｒ と、Ｈ８口、と、８．
０との混合液（エツチング液）によって多層構造体をエ
ツチングしてメサ型構造にする。As shown in FIG. 3B, Her, H8 mouth, and 8.
The multilayer structure is etched into a mesa-type structure using a mixed solution (etching solution) with 0 and 0.
５ｉｎ２マスク層６の庇部分をエツチング除去して、第
３Ｄ図に示すように、キャップ層５の上に依然としてマ
スク層として残す。The eaves portion of the 5in2 mask layer 6 is etched away, leaving it still as a mask layer on the cap layer 5, as shown in FIG. 3D.
次に、ｐ−ＩｎＰ層１０右よびｎ−ＩｎＰ層１１ （第
３Ｄ図）を液相エピタキシャル成長法によって形成して
埋め込みを行なうわけであるが、該エビ成長前にメサ型
構造体をＩｎＰ板とともに昇温して所定高温状態にする
必要がある。このＩｎＰ板によってそのＰ（リン）成分
が解離してリン雰囲気にしであるが、それでも上側クラ
ッド層４右よびキャップ層５の上端部コーナからＰ成分
が解離してしまう。さらにこれら上端部コーナのＩｎ成
分はマイグレーションし、第３Ｃ図での破線で示すよう
にＩｎＰ ７の再成長が生じ、生じたＩｎＰ ７はｎ型
になっている。このような現象がマストランスポートと
呼ばれており、上側クラッド層４の側面上にｎ−ＩｎＰ
層７が形成されてしまう。このときに、上側クラッド層
４の上端部はそのコーナ角度θが９０’以下であること
がわかった。Next, the p-InP layer 10 and the n-InP layer 11 (Fig. 3D) are formed by liquid phase epitaxial growth and buried, but before the growth, the mesa structure is formed together with the InP plate. It is necessary to raise the temperature to a predetermined high temperature state. Although the P (phosphorus) component is dissociated by this InP plate into a phosphorus atmosphere, the P component is still dissociated from the right side of the upper cladding layer 4 and the upper end corner of the cap layer 5. Furthermore, the In component at the upper end corners migrates, and as shown by the broken line in FIG. 3C, InP 7 re-grows, and the resulting InP 7 becomes n-type. This phenomenon is called mass transport, and n-InP is deposited on the side surface of the upper cladding layer 4.
Layer 7 is formed. At this time, it was found that the corner angle θ of the upper end portion of the upper cladding layer 4 was 90′ or less.
それから、第３Ｄ図に示すように、ｐ−ＩｎＰ層１０お
よびｎ−ＩｎＰ層１１０２層埋め込みを行なう。Then, as shown in FIG. 3D, the p-InP layer 10 and the n-InP layer 1102 are buried.
次に、Ｓｉ口、マスク層６をエツチング除去し、さらに
、キャップ層５をエツチング除去する。そして、第３Ｅ
図に示すように、ｐ−ＩｎＰ層１２を液相エピタキシャ
ル成長法で全体を覆うように形成する。゛このｐ−Ｉｎ
Ｐ層１２の上にｐ型電極（Ａｕ−Ｚｎ）１３を、一方、
ＩｎＰ基板１の上にｎ型電極（Ａｕ−３ｎ）１４を形成
して、半導体レーザが得られる。Next, the Si port and the mask layer 6 are etched away, and the cap layer 5 is further etched away. And the 3rd E
As shown in the figure, a p-InP layer 12 is formed by liquid phase epitaxial growth to cover the entire structure.゛This p-In
A p-type electrode (Au-Zn) 13 is placed on the P layer 12, while
An n-type electrode (Au-3n) 14 is formed on the InP substrate 1 to obtain a semiconductor laser.
なお、上述の場合にキャップ層を除去して新らたにｐ−
ＩｎＰ層を形成しているが、ｐ−ＩｎＰ層を形成するこ
となく ＩｎＧａＡｓＰキャップ層およびｎｏ−１ｎ
Ｐ埋め込み層上にｎ型電極を形成してもよい。Note that in the above case, the cap layer is removed and a new p-
Although an InP layer is formed, an InGaAsP cap layer and a no-1n layer are formed without forming a p-InP layer.
An n-type electrode may be formed on the P buried layer.
上述したようにマストランスポートによってｐ−ＩｎＰ
上側クラッド層の側面にｎ−ＩｎＰ層が形成されると、
レーザ素子のシリーズ抵抗が増大して、第２図中の実線
Ａで示すように電流１ （ｍ＾〉に対する光出力Ｌ
（ｍＷ）の特性（７０℃にて）は不十分である。電流を
大きくしていったときに、効率が低下し、かつ光出力も
飽和し、大きな光出力が得られない。As mentioned above, p-InP is produced by mass transport.
When an n-InP layer is formed on the side surface of the upper cladding layer,
As the series resistance of the laser element increases, the optical output L for a current 1 (m^) increases as shown by the solid line A in Figure 2.
(mW) characteristics (at 70°C) are insufficient. When the current is increased, the efficiency decreases and the optical output is saturated, making it impossible to obtain a large optical output.
本発明の目的は、マストランスポート現象を抑制して好
ましくないｎ−ＩｎＰがＩｎＰ上側クラッド層側面に形
成されるのを回避して、特性向上を図った半導体レーザ
の製造方法を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor laser in which characteristics are improved by suppressing the mass transport phenomenon and avoiding the formation of undesirable n-InP on the side surface of the InP upper cladding layer. be.
上述の目的が、ＩｎＰ下側クラッド層と、ＩＪ−ａＧａ
ａＡｓｂＰ ｔ−ｂ活性層と、ｌｎＰ上側クラッド層と
、ＩｎＩ−ｃＧａｃＡｓｄＰ ｌ−ｄキャップ層とを少
なくとも順次形成した多層構造体にし、キャップ層の上
にマスク層を形成し、多層構造体をＨｅｒと、Ｈ２Ｏ２
と、Ｈ３０との混合液によってメサエッチングしてメサ
型構造体にし、そして、該メサ型構造体をＩｎＰ層で埋
め込む埋め込み型半導体レーザの製造方法において、メ
サ型構造体にする際にＩｎＰ上側クラッド層の上端部が
９０°以上の角度を有するように、ＩｎＧａＡｓＰキャ
ップ層のＧａ又はＡｓの組成比（ｃ又はｄ値）をＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層のＧａ又はＡｓの組成比（ａ又はｂ値）
以下にすることを特徴とする半導体レーザの製造方法に
よって達成される。If the above purpose is to form an InP lower cladding layer and an IJ-aGa
A multilayer structure is formed in which an aAsbP t-b active layer, an InP upper cladding layer, and an InI-cGacAsdP ld cap layer are formed at least sequentially, a mask layer is formed on the cap layer, and the multilayer structure is formed with Her. , H2O2
In a method for manufacturing a buried semiconductor laser in which a mesa-type structure is formed by mesa etching using a mixed solution of H30 and H30, and the mesa-type structure is embedded with an InP layer, the InP upper cladding is The Ga or As composition ratio (c or d value) of the InGaAsP cap layer is adjusted to InGaAsP so that the upper end of the layer has an angle of 90° or more.
Ga or As composition ratio (a or b value) of the aAsP active layer
This is achieved by a semiconductor laser manufacturing method characterized by the following.
本発明者は、メサエッチングにおいてＩｎＰ上側クラッ
ド層の上端部の角度θを９０＠以上にすれば、埋め込み
のための液層エピタキシャル成長の直前に生じていたマ
ストランスポート現象は大幅に抑制できて、クラッド層
側面上への叶ＩｎＰがほとんど形成されないことを見出
した。そして、角度θを９０℃以上にすることは、クラ
ッド層の上と下にあるＩｎＧａＡｓＰ層のエッチ速度を
コントロールすれば可能であり、上のＩｎＧａＡｓＰキ
ャップ層のエッチ速度を下のＩｎＧａＡｓＰ活性層のエ
ッチ速度よりも大きいか又は同じにすれば良い。そして
、エツチング混合液によるＩｎ １−１１６ａＪｓｙＰ
Ｉ−ｙのエッチ速度はその組成でＧａ又はＡｓの割合
が多いほど、つまり、Ｘ又はｙの値が大きいほどエッチ
速度は大きくなり、すなわち、禁制帯幅（エネルーギャ
ップ、Ｅｇ ）の大きいほどエッチ速度は小さい。The present inventor has found that by setting the angle θ of the upper end of the InP upper cladding layer to 90@ or more during mesa etching, the mass transport phenomenon that occurred immediately before the liquid layer epitaxial growth for embedding can be significantly suppressed. It has been found that almost no InP is formed on the side surface of the cladding layer. Setting the angle θ to 90°C or more is possible by controlling the etch rate of the InGaAsP layers above and below the cladding layer, and the etch rate of the upper InGaAsP cap layer can be made lower than the etch rate of the InGaAsP active layer below. may be larger or the same. Then, In 1-116aJsyP by etching mixture
The etch rate of I-y increases as the proportion of Ga or As increases, that is, the value of X or y increases. In other words, the larger the forbidden band width (energy gap, Eg) The speed is small.
したがって、半導体レーザの発光波長によって活性層の
組成が決まり、それに応じてキャップ層の組成もＥｇが
同じかより小さくなるものにする。Therefore, the composition of the active layer is determined by the emission wavelength of the semiconductor laser, and accordingly, the composition of the cap layer is made to have the same or smaller Eg.
以下、添付図面を参照して本発明の実施態様例によって
本発明を説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described by way of example embodiments with reference to the accompanying drawings.
第１Ａ図〜第１Ｅ図は本発明に係る半導体レーザの製造
方法にしたがった製造工程を説明する埋め込み型半導体
レーザの断面図である。1A to 1E are cross-sectional views of a buried semiconductor laser illustrating the manufacturing process according to the semiconductor laser manufacturing method according to the present invention.
第１Ａ図に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板２１上に従来と
同様に連続液相エピタキシャル成長法によってｎ−Ｉｎ
Ｐ（不純物濃度：約２ Ｘ １０ ”ｃｍ−”）の下側
クラッド層２２、Ｉｎｎ、 、Ｇａ、１＾Ｓｏ、 ５ｓ
Ｐｏ、 ｒｓ（不純物濃度：約Ｉ Ｘ １０ ”Ｃｍ−
’、厚さ：約０．１５Ｊ１１． Ｅｇ＝０．８ｅＶ）の
活性層２３ 、ｐ−ｆｎＰ（不純物濃度：約５ Ｘ １
０１７ｃｍ−’、厚さ：約０．４ＪＩＩｌ）ノ上側クラ
ッド層２４およびＩｎａ、 ８ＧａＯ，ａＡｓｏ、 ５
ｓＰｏ、 ＋ｓ（不純物濃度：約ｌＸｌ０”ｃｍ″″３
、厚さ： Ｏ，ｉｓＳＥｇ ＝０．８ｅＶ）のキャップ
層２５を順次形成し、多層構造にする。この場合は、本
発明にしたがって、キャップ層２５の禁制帯幅Ｅｇを活
性層のＥｇと同じにしである。そして、キャップ層２５
の上にＳｉｎ２層を全面に形成し、選択エツチングによ
ってストライプ幅が約３−のＳｉｎ、マスク層２６とす
る。As shown in FIG. 1A, n-InP is grown on an n-InP substrate 21 by continuous liquid phase epitaxial growth as in the past.
Lower cladding layer 22 of P (impurity concentration: about 2 x 10 "cm-"), Inn, , Ga, 1^So, 5s
Po, rs (Impurity concentration: approx. I x 10"Cm-
', Thickness: approx. 0.15J11. Eg=0.8eV) active layer 23, p-fnP (impurity concentration: about 5×1
017cm-', thickness: about 0.4JIIl) upper cladding layer 24 and Ina, 8GaO, aAso, 5
sPo, +s (Impurity concentration: approx. lXl0"cm""3
, thickness: O, isSEg =0.8 eV) to form a multilayer structure. In this case, according to the invention, the forbidden band width Eg of the cap layer 25 is made equal to the Eg of the active layer. And the cap layer 25
A Sin2 layer is formed on the entire surface, and selective etching is performed to form a Sin mask layer 26 having a stripe width of about 3-.
臭化水素水（４７ｗｔ％）６ｃｃと、過酸化水素水（３
１ｗｔ％）３ｃｃと、水３０ｃｃの混合液をエツチング
液として用意し、これで多層構造体を約５分間エツチン
グすると、第１Ｂ図に示すように、メサ型構造になる。6 cc of hydrogen bromide solution (47 wt%) and 3 cc of hydrogen peroxide solution
A mixed solution of 3 cc of 1wt%) and 30 cc of water is prepared as an etching solution, and when the multilayer structure is etched with this for about 5 minutes, it becomes a mesa-type structure as shown in FIG. 1B.
このエツチング液ではＩｎＰよりもＩｎＧａＡｓＰの４
元系材料のエッチ速度が速く、ＩｎＰ上側クラッド層２
４の上端部はその角度θが第１Ｃ図に示すように９０°
以上となり、活性層２３０幅は約ＩＪｍとなる。In this etching solution, InGaAsP has a 4
The etch rate of the base material is fast, and the InP upper cladding layer 2
The angle θ of the upper end of 4 is 90° as shown in Figure 1C.
As a result, the width of the active layer 230 is approximately IJm.
次に、Ｓｉｎ、マスク層２６をバッフアート弗酸液によ
ってエツチングして、庇部分を除去し、第１Ｄ図に示す
ように、キャップ層２５の上にマスク層２６として残す
。Next, the Sin mask layer 26 is etched with a buffered hydrofluoric acid solution to remove the eaves portion, leaving the mask layer 26 on the cap layer 25 as shown in FIG. 1D.
液層エピタキシャル成長前に所定温度までメサ型構造体
をＩｎＰ板とともに昇温する。このときに、従来はマス
トランスポート現象はほとんど起こらずにｆｎＰ上側ク
ラッド層２４の側面にｎ−ＩｎＰは付着していない。そ
して、ｐ−ＩｎＰ層３０およびｎ−ＩｎＰ層３１の２層
埋め込みを、第１Ｄ図に示すように、行なう。Before liquid layer epitaxial growth, the mesa structure and the InP plate are heated to a predetermined temperature. At this time, conventionally, the mass transport phenomenon hardly occurs and n-InP does not adhere to the side surfaces of the fnP upper cladding layer 24. Then, two-layer embedding of the p-InP layer 30 and the n-InP layer 31 is performed as shown in FIG. 1D.
次に、Ｓｉ口、マスク層２６をバッフアート弗酸液によ
って完全にエツチング除去し、さらに、キャップ層２５
をエツチング除去する。そして、第１Ｅ図に示すように
、ｐ−ＩｎＰ層３２を液層エピタキシャル成長法で全体
を覆うように形成する。このｐ−ＩｎＰｎＰ２Ｏ５にｐ
型電極３３を、一方、ＩｎＰ基板２１の上にｎ型電極３
４を形成して、埋め込み型半導体レーザが得られる。得
られた半導体レーザのＩ−Ｌ特性（７０℃にて）は第２
図の破線Ｂで示すようになり、従来の１００ｍＡ時に６
ｍＷの光出力であったものが８ｍＷに向上し、より大き
な光出力が得られる。Next, the Si port and the mask layer 26 are completely etched away using a buffered hydrofluoric acid solution, and then the cap layer 25 is completely etched away.
Remove by etching. Then, as shown in FIG. 1E, a p-InP layer 32 is formed by liquid layer epitaxial growth to cover the entire surface. In this p-InPnP2O5, p
On the other hand, the n-type electrode 3 is placed on the InP substrate 21.
4, a buried semiconductor laser is obtained. The I-L characteristics (at 70°C) of the obtained semiconductor laser were as follows.
As shown by the broken line B in the figure, 6
The optical output of mW has been improved to 8 mW, and a larger optical output can be obtained.
以上説明したように、本発明によれば、ＩｎＰ上側クラ
ッド層側面へのマストランスポートによるｎ−ＩｎＰの
付着（再成長）がほとんどないので、レーザ素子のシリ
ーズ抵抗の増加が防げる。そして、半導体レーザの光出
力の向上が図れる。As described above, according to the present invention, since there is almost no adhesion (regrowth) of n-InP due to mass transport to the side surface of the InP upper cladding layer, an increase in the series resistance of the laser element can be prevented. Furthermore, the optical output of the semiconductor laser can be improved.
第１Ａ図〜第１Ｅ図は、本発明に係る製造方法による製
造工程を説明する埋め込み型半導体レーザの断面図であ
り、
第２図は、半導体レーザの電流（１）−光出力（Ｌ）特
性を示すグラフであり、
第３Ａ図〜第３Ｅ図は従来の製造工程による埋め込み型
半導体レーザの断面図である。
２１・・・ＩｎＰ基板、
２２・・・ｎ−ＩｎＰ下側クラツド層、２３ ・−Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層、
２４・・・ｐ−ＩｎＰ上側クラツド層、２５・・・夏ｎ
ＧａＡｓＰキャップ層、３０ ・・−ｐ−ＩｎＰ層、
３１−ｎ−ＩｎＰ層、３２・・・ｐ−ＩｎＰ層、
３４・・・ｎ型電極。
３３・・・ｐ型電極、1A to 1E are cross-sectional views of an embedded semiconductor laser for explaining the manufacturing process according to the manufacturing method according to the present invention, and FIG. 2 shows the current (1)-light output (L) characteristics of the semiconductor laser. FIG. 3A to FIG. 3E are cross-sectional views of an embedded semiconductor laser according to a conventional manufacturing process. 21...InP substrate, 22...n-InP lower cladding layer, 23.-In
GaAsP active layer, 24...p-InP upper cladding layer, 25... summer n
GaAsP cap layer, 30...-p-InP layer,
31-n-InP layer, 32... p-InP layer, 34... n-type electrode. 33...p-type electrode,
Claims (1)
ａＡＳ＿ｂＰ＿１＿−＿ｂ活性層と、ＩｎＰ下側クラッ
ド層と、Ｉｎ＿１＿−＿ｃＧａ＿ｃＡｓ＿ｄＰ＿１＿−
＿ｄキャップ層とを少なくとも順次形成した多層構造体
にし、前記キャップ層の上にマスク層を形成し、前記多
層構造体をＨＢｒと、Ｈ＿２Ｏ＿２とＨ＿２Ｏとの混合
液によってメサエッチングしてメサ型構造体にし、そし
て、該メサ型構造体をＩｎＰ層で埋め込む埋め込み型半
導体レーザの製造方法において、前記メサ型構造体にす
る際に前記ＩｎＰ上側クラッド層の上端部が９０°以上
の角度を有するように、前記ＩｎＧａＡｓＰキャップ層
のＧａ又はＡｓの組成比（ｃ又はｄ値）を前記ＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層のＧａ又はＡｓの組成比（ａ又はｂ値）以
下にすることを特徴とする半導体レーザの製造方法。1. InP lower cladding layer and In_1_-_aGa_
aAS_bP_1_-_b active layer, InP lower cladding layer, In_1_-_cGa_cAs_dP_1_-
_d cap layer is formed at least sequentially to form a multilayer structure, a mask layer is formed on the cap layer, and the multilayer structure is mesa-etched with a mixed solution of HBr, H_2O_2, and H_2O to obtain a mesa-type structure. and in the method for manufacturing a buried semiconductor laser in which the mesa-type structure is embedded with an InP layer, the upper end of the InP upper cladding layer has an angle of 90° or more when forming the mesa-type structure. , the Ga or As composition ratio (c or d value) of the InGaAsP cap layer is
A method for manufacturing a semiconductor laser, characterized in that the composition ratio (a or b value) of Ga or As in an AsP active layer is set to below.
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|---|---|---|---|
| JP6494889A JPH02246180A (en) | 1989-03-18 | 1989-03-18 | Manufacture of semiconductor laser |
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| JP6494889A JPH02246180A (en) | 1989-03-18 | 1989-03-18 | Manufacture of semiconductor laser |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6494889A Pending JPH02246180A (en) | 1989-03-18 | 1989-03-18 | Manufacture of semiconductor laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02246180A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5748659A (en) * | 1994-11-22 | 1998-05-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US7072557B2 (en) | 2001-12-21 | 2006-07-04 | Infinera Corporation | InP-based photonic integrated circuits with Al-containing waveguide cores and InP-based array waveguide gratings (AWGs) and avalanche photodiodes (APDs) and other optical components containing an InAlGaAs waveguide core |
| JP2012248746A (en) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Manufacturing method of optical semiconductor device |
-
1989
- 1989-03-18 JP JP6494889A patent/JPH02246180A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5748659A (en) * | 1994-11-22 | 1998-05-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US7072557B2 (en) | 2001-12-21 | 2006-07-04 | Infinera Corporation | InP-based photonic integrated circuits with Al-containing waveguide cores and InP-based array waveguide gratings (AWGs) and avalanche photodiodes (APDs) and other optical components containing an InAlGaAs waveguide core |
| JP2012248746A (en) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Manufacturing method of optical semiconductor device |
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