JPH02242600A - シンクロトロン放射光発生装置 - Google Patents
シンクロトロン放射光発生装置Info
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- JPH02242600A JPH02242600A JP1060979A JP6097989A JPH02242600A JP H02242600 A JPH02242600 A JP H02242600A JP 1060979 A JP1060979 A JP 1060979A JP 6097989 A JP6097989 A JP 6097989A JP H02242600 A JPH02242600 A JP H02242600A
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H7/00—Details of devices of the types covered by groups H05H9/00, H05H11/00, H05H13/00
- H05H7/04—Magnet systems, e.g. undulators, wigglers; Energisation thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J41/00—Discharge tubes for measuring pressure of introduced gas or for detecting presence of gas; Discharge tubes for evacuation by diffusion of ions
- H01J41/12—Discharge tubes for evacuating by diffusion of ions, e.g. ion pumps, getter ion pumps
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシンクロトロン放射光発生装置（以下ＳＯＲ装
置と略す）に係り、特に、工業用の小型ＳＯＲ装置に好
適なＳＯＲ装置に関する。
置と略す）に係り、特に、工業用の小型ＳＯＲ装置に好
適なＳＯＲ装置に関する。
従来のＳＯＲ装置は、例えば分子科学研究所発行（昭和
５７年１２月）の文献ｒ ｔＪ Ｖ Ｓ ＯＲストレー
ジリング」の第５６〜５７頁に記載のように、荷電粒子
ビームを軌道に対して曲げて放射光（以下、ＳＯＲ光と
略す）を取出す偏向部には、その偏向部荷電粒子ビーム
ダクトの内部にイオンポンプを組込んでいる他はポンプ
を設置していない。
５７年１２月）の文献ｒ ｔＪ Ｖ Ｓ ＯＲストレー
ジリング」の第５６〜５７頁に記載のように、荷電粒子
ビームを軌道に対して曲げて放射光（以下、ＳＯＲ光と
略す）を取出す偏向部には、その偏向部荷電粒子ビーム
ダクトの内部にイオンポンプを組込んでいる他はポンプ
を設置していない。
これは、従来のストレージリングがある程度以上太きい
ために直線部の荷電粒子ビームダクトにスペース的な余
裕があり、イオンポンプ、及びチタンゲッタポンプ等の
取付けが容易なためである。
ために直線部の荷電粒子ビームダクトにスペース的な余
裕があり、イオンポンプ、及びチタンゲッタポンプ等の
取付けが容易なためである。
ところで、従来のＳＯＲ装置は、学術用のため敷地面積
、建設コスト等はある程度の規模まで許されるが、工業
用のＳＯＲ装置を製作する場合、敷地面積、建設コスト
等から従来と比較して相当に小形化する必要がある。
、建設コスト等はある程度の規模まで許されるが、工業
用のＳＯＲ装置を製作する場合、敷地面積、建設コスト
等から従来と比較して相当に小形化する必要がある。
このために、−偏向部当りの電子を偏向する角度も大き
くなり、従って、偏向電磁石の磁場強度も相当に」二げ
る必要」二から、通常、超電導電磁石が用いられる。又
、ストレージリングの小形化に伴い直線部の荷電粒子ビ
ームダク１〜にはＲＦキャビティ、インフレクタ等が設
置される関係」二、直線部の荷電粒子ビームダクトにポ
ンプを必要数分設置するスペース的余裕がなく、偏向都
電磁石外周のＳＯＲ光懲出ダクトにもイオンポンプを設
置する必要が生じる。
くなり、従って、偏向電磁石の磁場強度も相当に」二げ
る必要」二から、通常、超電導電磁石が用いられる。又
、ストレージリングの小形化に伴い直線部の荷電粒子ビ
ームダク１〜にはＲＦキャビティ、インフレクタ等が設
置される関係」二、直線部の荷電粒子ビームダクトにポ
ンプを必要数分設置するスペース的余裕がなく、偏向都
電磁石外周のＳＯＲ光懲出ダクトにもイオンポンプを設
置する必要が生じる。
この例を第７図に示す。
第７図は、ＳＯＲ装置における真空排気システムを構成
した工業用小型ＳＯＲ装置の偏向部を示す。該図におい
て、１は荷電粒子ビームが周回するに必要な真空室を形
成するための偏向部荷電粒子ビームダクト（偏向ダクト
）である。本例では偏向部１個所あたりの偏向角を千８
０°として２個所の偏向部と真空部で周回軌道を構成し
ているため、偏向ダクト１は半リング形状をしており。
した工業用小型ＳＯＲ装置の偏向部を示す。該図におい
て、１は荷電粒子ビームが周回するに必要な真空室を形
成するための偏向部荷電粒子ビームダクト（偏向ダクト
）である。本例では偏向部１個所あたりの偏向角を千８
０°として２個所の偏向部と真空部で周回軌道を構成し
ているため、偏向ダクト１は半リング形状をしており。
偏向ダクト１の中心軸と磁界の中心がほぼ−・致するよ
うに、Ｃ字形状をした偏向電磁石２の鉄芯が包囲してい
る。
うに、Ｃ字形状をした偏向電磁石２の鉄芯が包囲してい
る。
又、前記偏向ダクト１の外周側には、窓３ａから取出し
たＳＯＲ光をＳＯＲ装置外に導出するためのＳＯＲ光導
出ダクト３が、荷電粒子ヒーム軌道面に対して平行、且
つ偏向ダクト１に対して接線方向に、偏向電磁石２の鉄
芯を貫通して伸びている。ＳＯＲ光導出ダクト３の外側
端部は、ゲートバルブ５、及び閉止フランジ６によって
封止してあり、１例として１本だけについて図示しであ
るように、必要に応してＳ ＯＲ光ユ・−ザが使用する
ＳＯＲ光ビームライン７に閉止フランジ６を除去して接
続される。
たＳＯＲ光をＳＯＲ装置外に導出するためのＳＯＲ光導
出ダクト３が、荷電粒子ヒーム軌道面に対して平行、且
つ偏向ダクト１に対して接線方向に、偏向電磁石２の鉄
芯を貫通して伸びている。ＳＯＲ光導出ダクト３の外側
端部は、ゲートバルブ５、及び閉止フランジ６によって
封止してあり、１例として１本だけについて図示しであ
るように、必要に応してＳ ＯＲ光ユ・−ザが使用する
ＳＯＲ光ビームライン７に閉止フランジ６を除去して接
続される。
そして、偏向電磁石２の鉄芯の外枠とゲートバルブ５間
のＳＯＲ光導出ダクト３ｔにイオンポンプ４が設置され
ている。
のＳＯＲ光導出ダクト３ｔにイオンポンプ４が設置され
ている。
第８図にこのイオンポンプの概略構造を示す。
該図において、８はイオンポンプケースであり、このイ
オンポンプケース８の内部には、多数の空洞状陽極９と
、その両側に陰極１０とが配置され、電源１１と図示の
如く結線されている。そして、ポンプケース８の外側に
は、磁石１２が取付られており、前記空洞状陽極９の軸
方向と磁石１２の磁場方向１３とを一致させである。
オンポンプケース８の内部には、多数の空洞状陽極９と
、その両側に陰極１０とが配置され、電源１１と図示の
如く結線されている。そして、ポンプケース８の外側に
は、磁石１２が取付られており、前記空洞状陽極９の軸
方向と磁石１２の磁場方向１３とを一致させである。
この理由は、陽極９の中で電子がイオンポンプの主磁場
に絡みつきながら電子サイクロトロン運動を行いつつ陽
極９の空洞内をイオンポンプ主磁場の方向１３に移動せ
るも、両端の陰極１０の電場で陽極９内に押し返され、
結局電子は陽極９の空洞内に閉し込められて電子雲を形
成する。
に絡みつきながら電子サイクロトロン運動を行いつつ陽
極９の空洞内をイオンポンプ主磁場の方向１３に移動せ
るも、両端の陰極１０の電場で陽極９内に押し返され、
結局電子は陽極９の空洞内に閉し込められて電子雲を形
成する。
この電子雲の中に被排気ガス分子が飛び込むと電子と衝
突してガス分子がイオン化され、イオンは陽極９の出口
で陰極１０の電場で引寄せられ排気作用が行われる。
突してガス分子がイオン化され、イオンは陽極９の出口
で陰極１０の電場で引寄せられ排気作用が行われる。
従って、Ｍ１゛気作用を良好に行なわせるためには、空
洞状陽極９の軸方向とイオンポンプ主磁場の方向１３と
を一致させて、電子雲製陽極９内に閉じ込めておくこと
が重要である。
洞状陽極９の軸方向とイオンポンプ主磁場の方向１３と
を一致させて、電子雲製陽極９内に閉じ込めておくこと
が重要である。
」一連した構成のイオンポンプを偏向電磁石の外周側の
ＳＯＲ光導出ダクトの途中に設けているが、偏向電磁石
には漏洩磁場（第６図に矢印１４で示す）があるため、
上述の如く、排気作用を良好に行なわせるために、空洞
状陽極の軸方向とイオンポンプの主磁場方向とを一致さ
せて、電子雲を陽極内に閉じ込めようとしても、偏向電
磁石の漏洩磁場がイオンポンプまでおよび＠極内に電子
雲を閉じ込めておくことができなくなり、結局、イオン
ポンプの排気性能を大幅に低下させてしまい、特に、偏
向電磁石を超電導磁石で形成した場合にこの傾向が顕著
である。
ＳＯＲ光導出ダクトの途中に設けているが、偏向電磁石
には漏洩磁場（第６図に矢印１４で示す）があるため、
上述の如く、排気作用を良好に行なわせるために、空洞
状陽極の軸方向とイオンポンプの主磁場方向とを一致さ
せて、電子雲を陽極内に閉じ込めようとしても、偏向電
磁石の漏洩磁場がイオンポンプまでおよび＠極内に電子
雲を閉じ込めておくことができなくなり、結局、イオン
ポンプの排気性能を大幅に低下させてしまい、特に、偏
向電磁石を超電導磁石で形成した場合にこの傾向が顕著
である。
本発明は上述の点に鑑み成されたもので、その目的とす
るところは、偏向電磁石からの漏洩磁場があっても、イ
オンポンプの排気性能を損うことのないようにしたＳＯ
Ｒ装置を提供するにある。
るところは、偏向電磁石からの漏洩磁場があっても、イ
オンポンプの排気性能を損うことのないようにしたＳＯ
Ｒ装置を提供するにある。
上記目的は、偏向電磁石の漏洩磁場方向とイオンポンプ
の主磁界方向、又はイオンポンプの空洞状陽極の軸方向
とをほぼ一致させることにより達成されるが、具体的に
はイオンポンプを上記のように設置すればよく、イオン
ポンプの位置はＳＯＲ光導出ダクトの下側であっても、
側方であってもよい。
の主磁界方向、又はイオンポンプの空洞状陽極の軸方向
とをほぼ一致させることにより達成されるが、具体的に
はイオンポンプを上記のように設置すればよく、イオン
ポンプの位置はＳＯＲ光導出ダクトの下側であっても、
側方であってもよい。
上記構成とすることにより、イオンポンプの主磁場に偏
向電磁石の漏洩磁場が合成されることになり、これによ
り、イオンポンプ内の磁場強度が増す。
向電磁石の漏洩磁場が合成されることになり、これによ
り、イオンポンプ内の磁場強度が増す。
通常、磁界中の電子サイクロトロン周波数は次式で表わ
される。
される。
２ πｍ
ここで、
Ｂ：磁束密度
ｅ：電子の電荷量
ｍ：電子の質量
磁束密度Ｂの大きさに比例して、電子サイクロトロンの
周波数ｆが高くなるため、被排気ガス分子と電子との衝
突回数も増える結果、排気性能も向上することルこなる
。
周波数ｆが高くなるため、被排気ガス分子と電子との衝
突回数も増える結果、排気性能も向上することルこなる
。
以下、図示した実施例に基づき本発明の詳細な説明する
。尚、符号は従来と同一のものは同符号を使用する。
。尚、符号は従来と同一のものは同符号を使用する。
第１図、及び第２図に本発明の一実施例を示す。
ＳＯＲ装置の詳細構造については、第７図を用いて説明
したので、ここでの詳細説明は省略する。
したので、ここでの詳細説明は省略する。
該図を用いて概略構成を説明すると、超電導偏向電磁石
２の内部には、電子蓄積用の偏向部荷電粒子ビームダク
ト１が組込まれ、この偏向部荷電粒子ビームダクト１の
外周にはＳＯＲ光導出ダク１へ３が設けられ、ＳＯＲ光
ビー１１ライン７と接続されている。イオンポンプ４は
超電導偏向電磁石２の外周側位置で、ＳＯＲ光導出ダク
ｌ−３より分岐して途中に取付けられている。
２の内部には、電子蓄積用の偏向部荷電粒子ビームダク
ト１が組込まれ、この偏向部荷電粒子ビームダクト１の
外周にはＳＯＲ光導出ダク１へ３が設けられ、ＳＯＲ光
ビー１１ライン７と接続されている。イオンポンプ４は
超電導偏向電磁石２の外周側位置で、ＳＯＲ光導出ダク
ｌ−３より分岐して途中に取付けられている。
そして、本実施例ではイオンポンプ４を、該イオンポン
プ４の主磁場方向が超電導偏向電磁石２の漏洩磁場↑４
の方向と平面上はぼ一致するよう配置しである。しかも
、イオンポンプ４の取付けは、ＳＯＲ光導出ダクト３の
下側に位置するようにしている。イオンポンプ４の主磁
場方向が超電導偏向電磁石２の漏洩磁場１４の方向とほ
ぼ−・致しているということは、上述の第８図を用いて
説明した如く、イオンポンプ４の磁場方向１３と空洞状
陽極９の軸方向とが一致していることから、空洞状陽極
９の軸方向と超電導偏向電磁石２の漏洩磁場１４の方向
と一致していることであり、イオンポンプ４を、空洞状
陽極９の軸方向と超電導偏向電磁石２の漏洩磁場１４の
方向とほぼ一致するように配置したことにもなる。
プ４の主磁場方向が超電導偏向電磁石２の漏洩磁場↑４
の方向と平面上はぼ一致するよう配置しである。しかも
、イオンポンプ４の取付けは、ＳＯＲ光導出ダクト３の
下側に位置するようにしている。イオンポンプ４の主磁
場方向が超電導偏向電磁石２の漏洩磁場１４の方向とほ
ぼ−・致しているということは、上述の第８図を用いて
説明した如く、イオンポンプ４の磁場方向１３と空洞状
陽極９の軸方向とが一致していることから、空洞状陽極
９の軸方向と超電導偏向電磁石２の漏洩磁場１４の方向
と一致していることであり、イオンポンプ４を、空洞状
陽極９の軸方向と超電導偏向電磁石２の漏洩磁場１４の
方向とほぼ一致するように配置したことにもなる。
又、イオンポンプケース８内に多数の空洞状陽極９と、
その両側に陰極１０とが配置され、更に前記イオンポン
プケース８の外側に磁石１２が設置されて形成されるイ
オンポンプ４にあっては、前記空洞状陽極９の軸方向、
又は前記磁石１２の磁場方向′１３を超電導偏向電磁石
２の漏洩磁場１４の方向とほぼ一致するように形成配置
されることにもなる。
その両側に陰極１０とが配置され、更に前記イオンポン
プケース８の外側に磁石１２が設置されて形成されるイ
オンポンプ４にあっては、前記空洞状陽極９の軸方向、
又は前記磁石１２の磁場方向′１３を超電導偏向電磁石
２の漏洩磁場１４の方向とほぼ一致するように形成配置
されることにもなる。
第２図は、ＳＯＲ装置における偏向部の側面を示したも
ので、超電導偏向電磁石２からの漏洩磁＝１２ 場」４が図示の如く下側から上側に発生し、イオンポン
プ４内をある傾斜をもって貫通する。漏洩磁場］４があ
る傾きを持つことは、半径方向の磁場以外に鉛直方向成
分及び接線方向成分を有するためであり、これ等の影響
を実際の数値例で検討すると以下の通りになる。
ので、超電導偏向電磁石２からの漏洩磁＝１２ 場」４が図示の如く下側から上側に発生し、イオンポン
プ４内をある傾斜をもって貫通する。漏洩磁場］４があ
る傾きを持つことは、半径方向の磁場以外に鉛直方向成
分及び接線方向成分を有するためであり、これ等の影響
を実際の数値例で検討すると以下の通りになる。
第３図は、イオンポンプ４の主磁場方向と漏洩磁場成分
及び磁気シール１へについて説明するためのものである
。
及び磁気シール１へについて説明するためのものである
。
超電導偏向電磁石の漏洩磁束密度の半径方向成分をＢＲ
，接線方向成分をＢＴ、鉛直方向成分をＢ２で表わす。
，接線方向成分をＢＴ、鉛直方向成分をＢ２で表わす。
ここて、イオンポンプの主磁場１３はＢＲの方向に合わ
せて、イオンポンプを超電導偏向電磁石の外周に配置し
である。
せて、イオンポンプを超電導偏向電磁石の外周に配置し
である。
実施した一例によれば、磁気シールド材１５無しの状態
で、イオンポンプ中心に作用する漏洩磁束密度は、 ＢＲ＝０．１３Ｔ ＢＴ＝０．０２５Ｔ Ｂｚ＝０．０４Ｔ である。又、イオンポンプ本来の主磁場Ｂｕ・はＢ＋ｐ
＝０．１２Ｔ である。
で、イオンポンプ中心に作用する漏洩磁束密度は、 ＢＲ＝０．１３Ｔ ＢＴ＝０．０２５Ｔ Ｂｚ＝０．０４Ｔ である。又、イオンポンプ本来の主磁場Ｂｕ・はＢ＋ｐ
＝０．１２Ｔ である。
以」１の数値を用いて、第４図に示す合成磁場１Ｇと陽
極９の軸との傾き角０を求めると、０．２５４ ＝１０．５゜ となる。
極９の軸との傾き角０を求めると、０．２５４ ＝１０．５゜ となる。
以上より、本実施例によればイオンポンプ４の主磁場１
３の方向を、超電導偏向電磁石２の漏洩磁場１４の方向
と合わせることにより、イオンポンプ４の陽極９内の磁
場はＯ，］、２Ｔから０．２５４Ｔに大きくなり、従っ
て電子サイクロｈロン周波数ｆは約２倍高くなり、この
分、被ｎ１″気ガスをイオン化する回数も増し、イオン
ポンプの排気性能か単品時よりも−［〕る。一方、ＢＴ
、 Ｂ７：成分て合成磁場］６はイオンポンプ４の陽極
９軸に対して０］０．５° 傾くので、この分、イオン
ポンプ４の性能は若干低下するも、単品時よりは、まだ
高い排気性能を得ることができる。尚、第４図における
符号〕７は電子である。
３の方向を、超電導偏向電磁石２の漏洩磁場１４の方向
と合わせることにより、イオンポンプ４の陽極９内の磁
場はＯ，］、２Ｔから０．２５４Ｔに大きくなり、従っ
て電子サイクロｈロン周波数ｆは約２倍高くなり、この
分、被ｎ１″気ガスをイオン化する回数も増し、イオン
ポンプの排気性能か単品時よりも−［〕る。一方、ＢＴ
、 Ｂ７：成分て合成磁場］６はイオンポンプ４の陽極
９軸に対して０］０．５° 傾くので、この分、イオン
ポンプ４の性能は若干低下するも、単品時よりは、まだ
高い排気性能を得ることができる。尚、第４図における
符号〕７は電子である。
第３図にはさらにイオンポンプを磁性材コ−５でシール
ドした構造を示しているが、この磁性４・４１５による
磁気シールｌくの効果を以下検討する。
ドした構造を示しているが、この磁性４・４１５による
磁気シールｌくの効果を以下検討する。
前記、超電導偏向電磁石２からの漏洩磁場１４の作用す
るイオンポンプ４に、厚み１２ ｎｕｎの鋼板を被せる
ことにより、イオンポンプ中心に作用する漏洩磁場の大
きさは下記の通り小さくなる。
るイオンポンプ４に、厚み１２ ｎｕｎの鋼板を被せる
ことにより、イオンポンプ中心に作用する漏洩磁場の大
きさは下記の通り小さくなる。
Ｂｎ＝０．０３５Ｔ
ＢＴ＝Ｏ，ＯＴ
ＢＺ＝０．００５Ｔ
前記同様に傾き角Ｏは、
０．００５
１．８゜
以上より、イオンポンプ４に磁気シールドを追加した実
施例によれば、イオンポンプ４内の磁場の大きさを単品
時の０．１２Ｔから０．１５５Ｔに増し、この分、イオ
ンポンプ４の排気性能を」二げることかできた。
施例によれば、イオンポンプ４内の磁場の大きさを単品
時の０．１２Ｔから０．１５５Ｔに増し、この分、イオ
ンポンプ４の排気性能を」二げることかできた。
尚、この場合の合成磁場の傾きは１．８° と小さく無
視し得る。
視し得る。
第５図、及び第６図は、本発明の他の実施例を示すもの
で、イオンポンプ４を超電導偏向電磁石２の中心水平位
置で、かつ、ＳＯＲ光導出ダクト３の側方に配置したも
のである。
で、イオンポンプ４を超電導偏向電磁石２の中心水平位
置で、かつ、ＳＯＲ光導出ダクト３の側方に配置したも
のである。
この場合も、イオンポンプ４の主磁場方向と超電導偏向
電磁石２の漏洩磁場１４の方向とほぼ一致させである。
電磁石２の漏洩磁場１４の方向とほぼ一致させである。
尚、上述した各実施例では、イオンポンプに磁石を内蔵
したものについて説明したが、磁石を内蔵しないイオン
ポンプを用い、この磁石による作用を、偏向＠磁石の漏
洩磁場で行なわせることによっても同様な効果が得られ
ることは勿論である。
したものについて説明したが、磁石を内蔵しないイオン
ポンプを用い、この磁石による作用を、偏向＠磁石の漏
洩磁場で行なわせることによっても同様な効果が得られ
ることは勿論である。
以上説明した本発明のシンクロ＋−ロン放射光発生装置
によれば、偏向電磁石の漏洩磁場方向とイオンポンプの
主磁界方向とをほぼ一致させたものであるから、イオン
ポンプの主磁場に偏向電磁石の漏洩磁場か合成されるこ
とになり、偏向電磁石からの漏洩磁場があってもイオン
ポンプの排気性能を損うことがなく、むしろ、イオンポ
ンプの排気性能を向上させることができ、此種小型ＳＯ
Ｒ装置には非常に有効である。
によれば、偏向電磁石の漏洩磁場方向とイオンポンプの
主磁界方向とをほぼ一致させたものであるから、イオン
ポンプの主磁場に偏向電磁石の漏洩磁場か合成されるこ
とになり、偏向電磁石からの漏洩磁場があってもイオン
ポンプの排気性能を損うことがなく、むしろ、イオンポ
ンプの排気性能を向上させることができ、此種小型ＳＯ
Ｒ装置には非常に有効である。
第１図は本発明のシンクロＩ・ロン放射光発生装置の一
実施例を示す平面図、第２図は第１図の側面図、第３図
は漏洩磁場成分とイオンポンプの配置関係、及び磁気シ
ールドを説明するためのイオンポンプの部分断面斜視図
、第４図は陽極と合成磁場の傾きの関係を説明するため
の図、第５図は本発明の他の実施例を示す平面図、第６
図は第５図の側面図、第７図は従来例を示す平面図、第
８図はイオンポンプの構成を示す断面図である。 ■ ・偏向部荷電粒子ビームタク１〜．２ 超電導偏向
電磁石、３・放射光心高ダクｈ、４・・・イオンポンプ
、８ イオンポンプケース、９ 陽極、１゜陰極、１１
電源、１２・・磁石、１３ イオンポンプの主磁場、
１／ｌ・・・漏洩磁場、１５・・磁気シ第 図 ・・・偏肉部荷電粒子 ビームダクト ・・・超電導偏向電磁石 第 図 第 図 第 図 第 図
実施例を示す平面図、第２図は第１図の側面図、第３図
は漏洩磁場成分とイオンポンプの配置関係、及び磁気シ
ールドを説明するためのイオンポンプの部分断面斜視図
、第４図は陽極と合成磁場の傾きの関係を説明するため
の図、第５図は本発明の他の実施例を示す平面図、第６
図は第５図の側面図、第７図は従来例を示す平面図、第
８図はイオンポンプの構成を示す断面図である。 ■ ・偏向部荷電粒子ビームタク１〜．２ 超電導偏向
電磁石、３・放射光心高ダクｈ、４・・・イオンポンプ
、８ イオンポンプケース、９ 陽極、１゜陰極、１１
電源、１２・・磁石、１３ イオンポンプの主磁場、
１／ｌ・・・漏洩磁場、１５・・磁気シ第 図 ・・・偏肉部荷電粒子 ビームダクト ・・・超電導偏向電磁石 第 図 第 図 第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、偏向電磁石と、該偏向電磁石に包囲され、かつ、荷
電粒子ビームが周回するに必要な真空室を形成する偏向
部荷電粒子ビームダクトと、該偏向部荷電粒子ビームダ
クトの外周側に放射光を外部に取出すために接続されて
いる少なくとも１個の放射光導出ダクトと、前記偏向電
磁石の外周に位置する放射光導出ダクトの途中に接続さ
れているイオンポンプとを備えたシンクロトロン放射光
発生装置において、前記偏向電磁石の漏洩磁場の方向と
前記イオンポンプの主磁界方向とがほぼ一致するように
したことを特徴とするシンクロトロン放射光発生装置。 ２、偏向電磁石と、該偏向電磁石に包囲され、かつ、荷
電粒子ビームが周回するに必要な真空室を形成する偏向
部荷電粒子ビームダクトと、該偏向部荷電粒子ビームダ
クトの外周側に放射光を外部に取出すために接続されて
いる少なくとも１個の放射光導出ダクトと、前記偏向電
磁石の外周に位置する放射光導出ダクトの途中に接続さ
れているイオンポンプとを備えたシンクロトロン放射光
発生装置において、前記イオンポンプを、該イオンポン
プの主磁界方向と前記偏向電磁石の漏洩磁場の方向とが
ほぼ一致するように配置したことを特徴とするシンクロ
トロン放射光発生装置。 ３、偏向電磁石と、該偏向電磁石に包囲され、かつ、荷
電粒子ビームが周回するに必要な真空室を形成する偏向
部荷電粒子ビームダクトと、該偏向部荷電粒子ビームダ
クトの外周側に放射光を外部に取出すために接続されて
いる少なくとも１個の放射光導出ダクトと、前記偏向電
磁石の外周に位置する放射光導出ダクトの途中に接続さ
れているイオンポンプとを備えたシンクロトロン放射光
発生装置において、前記イオンポンプを、該イオンポン
プの主磁界方向と前記偏向電磁石の漏洩磁場の方向とが
ほぼ一致するように、前記放射光導出ダクトの下側に配
置したことを特徴とするシンクロトロン放射光発生装置
。 ４、偏向電磁石と、該偏向電磁石に包囲され、かつ、荷
電粒子ビームが周回するに必要な真空室を形成する偏向
部荷電粒子ビームダクトと、該偏向部荷電粒子ビームダ
クトの外周側に放射光を外部に取出すために接続されて
いる少なくとも１個の放射光導出ダクトと、前記偏向電
磁石の外周に位置する放射光導出ダクトの途中に接続さ
れているイオンポンプとを備えたシンクロトロン放射光
発生装置において、前記イオンポンプを、該イオンポン
プの主磁界方向と前記偏向電磁石の漏洩磁場の方向とが
ほぼ一致するように、前記放射光導出ダクトの側方に配
置したことを特徴とするシンクロトロン放射光発生装置
。 ５、偏向電磁石と、該偏向電磁石に包囲され、かつ、荷
電粒子ビームが周回するに必要な真空室を形成する偏向
部荷電粒子ビームダクトと、該偏向部荷電粒子ビームダ
クトの外周側に放射光を外部に取出すために接続されて
いる少なくとも１個の放射光導出ダクトと、前記偏向電
磁石の外周に位置する放射光導出ダクトの途中に接続さ
れ、イオンポンプケース内に多数の空洞状陽極、その両
側に陰極が配置されて形成されるイオンポンプとを備え
たシンクロトロン放射光発生装置において、前記偏向電
磁石の漏洩磁場の方向と前記イオンポンプの空洞状陽極
の軸方向とがほぼ一致するようにしたことを特徴とする
シンクロトロン放射光発生装置。 ６、前記偏向電磁石は、超電導偏向電磁石であることを
特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のシンクロト
ロン放射光発生装置。 ７、前記イオンポンプは、その周囲がシールド材で覆わ
れていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記
載のシンクロトロン放射光発生装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1060979A JPH0834130B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | シンクロトロン放射光発生装置 |
| US07/490,450 US5036290A (en) | 1989-03-15 | 1990-03-08 | Synchrotron radiation generation apparatus |
| EP90302611A EP0388123B1 (en) | 1989-03-15 | 1990-03-12 | Synchrotron radiation generation apparatus |
| DE69019769T DE69019769T2 (de) | 1989-03-15 | 1990-03-12 | Vorrichtung zur Synchrotronstrahlungserzeugung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1060979A JPH0834130B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | シンクロトロン放射光発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02242600A true JPH02242600A (ja) | 1990-09-26 |
| JPH0834130B2 JPH0834130B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=13158056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1060979A Expired - Fee Related JPH0834130B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | シンクロトロン放射光発生装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5036290A (ja) |
| EP (1) | EP0388123B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0834130B2 (ja) |
| DE (1) | DE69019769T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| EP3294045B1 (en) | 2004-07-21 | 2019-03-27 | Mevion Medical Systems, Inc. | A programmable radio frequency waveform generator for a synchrocyclotron |
| US20060045754A1 (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Peter Lukens | Ion pump for cryogenic magnet apparatus |
| EP1949404B1 (en) * | 2005-11-18 | 2016-06-29 | Mevion Medical Systems, Inc. | Charged particle radiation therapy |
| US8003964B2 (en) | 2007-10-11 | 2011-08-23 | Still River Systems Incorporated | Applying a particle beam to a patient |
| US8581523B2 (en) | 2007-11-30 | 2013-11-12 | Mevion Medical Systems, Inc. | Interrupted particle source |
| US8933650B2 (en) | 2007-11-30 | 2015-01-13 | Mevion Medical Systems, Inc. | Matching a resonant frequency of a resonant cavity to a frequency of an input voltage |
| EP2901822B1 (en) | 2012-09-28 | 2020-04-08 | Mevion Medical Systems, Inc. | Focusing a particle beam |
| TW201438787A (zh) | 2012-09-28 | 2014-10-16 | Mevion Medical Systems Inc | 控制粒子治療 |
| US10254739B2 (en) | 2012-09-28 | 2019-04-09 | Mevion Medical Systems, Inc. | Coil positioning system |
| WO2014052708A2 (en) | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Mevion Medical Systems, Inc. | Magnetic shims to alter magnetic fields |
| TW201424467A (zh) | 2012-09-28 | 2014-06-16 | Mevion Medical Systems Inc | 一粒子束之強度控制 |
| WO2014052716A2 (en) | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Mevion Medical Systems, Inc. | Magnetic field regenerator |
| CN104822417B (zh) | 2012-09-28 | 2018-04-13 | 梅维昂医疗系统股份有限公司 | 用于粒子加速器的控制系统 |
| US9301384B2 (en) | 2012-09-28 | 2016-03-29 | Mevion Medical Systems, Inc. | Adjusting energy of a particle beam |
| TWI604868B (zh) | 2012-09-28 | 2017-11-11 | 美威高能離子醫療系統公司 | 粒子加速器及質子治療系統 |
| US8791656B1 (en) | 2013-05-31 | 2014-07-29 | Mevion Medical Systems, Inc. | Active return system |
| US9730308B2 (en) | 2013-06-12 | 2017-08-08 | Mevion Medical Systems, Inc. | Particle accelerator that produces charged particles having variable energies |
| US10258810B2 (en) | 2013-09-27 | 2019-04-16 | Mevion Medical Systems, Inc. | Particle beam scanning |
| US10675487B2 (en) | 2013-12-20 | 2020-06-09 | Mevion Medical Systems, Inc. | Energy degrader enabling high-speed energy switching |
| US9962560B2 (en) | 2013-12-20 | 2018-05-08 | Mevion Medical Systems, Inc. | Collimator and energy degrader |
| US9661736B2 (en) | 2014-02-20 | 2017-05-23 | Mevion Medical Systems, Inc. | Scanning system for a particle therapy system |
| US9950194B2 (en) | 2014-09-09 | 2018-04-24 | Mevion Medical Systems, Inc. | Patient positioning system |
| US10786689B2 (en) | 2015-11-10 | 2020-09-29 | Mevion Medical Systems, Inc. | Adaptive aperture |
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| US11103730B2 (en) | 2017-02-23 | 2021-08-31 | Mevion Medical Systems, Inc. | Automated treatment in particle therapy |
| CN111093767B (zh) | 2017-06-30 | 2022-08-23 | 美国迈胜医疗系统有限公司 | 使用线性电动机而被控制的可配置准直仪 |
| WO2020185544A1 (en) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | Mevion Medical Systems, Inc. | Delivery of radiation by column and generating a treatment plan therefor |
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| JPS63121242A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-25 | Toshiba Corp | 加速器のスパツタ・イオン・ポンプ |
| JPS63198300A (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-16 | 株式会社日立製作所 | シンクロトロン放射光発生装置 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH0712000B2 (ja) * | 1987-11-02 | 1995-02-08 | 株式会社日立製作所 | シンクロトロン放射光発生装置、及びその製作方法 |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP1060979A patent/JPH0834130B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-03-08 US US07/490,450 patent/US5036290A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-12 EP EP90302611A patent/EP0388123B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-12 DE DE69019769T patent/DE69019769T2/de not_active Expired - Fee Related
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| EP0388123B1 (en) | 1995-05-31 |
| DE69019769T2 (de) | 1995-12-07 |
| EP0388123A3 (en) | 1991-07-10 |
| JPH0834130B2 (ja) | 1996-03-29 |
| DE69019769D1 (de) | 1995-07-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |