JPH02230698A - プラズマ計測方法 - Google Patents
プラズマ計測方法Info
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- JPH02230698A JPH02230698A JP1050878A JP5087889A JPH02230698A JP H02230698 A JPH02230698 A JP H02230698A JP 1050878 A JP1050878 A JP 1050878A JP 5087889 A JP5087889 A JP 5087889A JP H02230698 A JPH02230698 A JP H02230698A
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- plasma
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- Pending
Links
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Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、低温プラズマを利用した装置において、発光
分析法によりプラズマの計測及び制御を行うプラズマ計
測方法に関するものである。
分析法によりプラズマの計測及び制御を行うプラズマ計
測方法に関するものである。
従来、プラズマ計１１｝１方法には、質量分析法、探針
法、発光分析法、電極電圧法、圧力変化法等がある。こ
のうち発光分析法は、最も簡単で安価な方法であり、プ
ラズマ系を乱さないため、ドライエッチングの終点検出
モニタとして一般的に用いられている。
法、発光分析法、電極電圧法、圧力変化法等がある。こ
のうち発光分析法は、最も簡単で安価な方法であり、プ
ラズマ系を乱さないため、ドライエッチングの終点検出
モニタとして一般的に用いられている。
しかし、従来の発光分析法はチャンバーの特定箇所でプ
ラズマの広範囲領域の発光を検ＢＡ ｔ，ているため、
平均化された発光しか検出できないという問題点を有し
ていた。本発明はこのような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、場所によるプラズマ状態の違
いを計測し、チャンバー内のプラズマ分布を知り得るプ
ラズマ計測方法を提供することにある。
ラズマの広範囲領域の発光を検ＢＡ ｔ，ているため、
平均化された発光しか検出できないという問題点を有し
ていた。本発明はこのような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、場所によるプラズマ状態の違
いを計測し、チャンバー内のプラズマ分布を知り得るプ
ラズマ計測方法を提供することにある。
本発明のプラズマ計測方法は、箱型チャンバーを有する
プラズマ発生装置において、前記箱型チャンバーの側面
ＸｓＹ方向に発光検出子を並設し、このＸＳＹ両方向の
発光検出子より得られるプラズマ発光強度に応じた電気
信号を演算処理することにより、チャンバー内の水平面
内プラズマ分布を計測することを特徴とする。
プラズマ発生装置において、前記箱型チャンバーの側面
ＸｓＹ方向に発光検出子を並設し、このＸＳＹ両方向の
発光検出子より得られるプラズマ発光強度に応じた電気
信号を演算処理することにより、チャンバー内の水平面
内プラズマ分布を計測することを特徴とする。
第１図は、本発明の実施例におけるドライエッチング装
置の概略図である。箱型エッチングチャンパー１内には
、試料台電極２と対向電極３が設置されている。エッチ
ングガス導入後、この両電極間に高周波を印加すること
によりプラズマが形成され、試料台電極２上の基板４の
被膜がエッチングされる。発光検出子５は、エッチング
チャンパー１側面に取り付けられており、水平面内にお
けるプラズマ発光分布を計測する。
置の概略図である。箱型エッチングチャンパー１内には
、試料台電極２と対向電極３が設置されている。エッチ
ングガス導入後、この両電極間に高周波を印加すること
によりプラズマが形成され、試料台電極２上の基板４の
被膜がエッチングされる。発光検出子５は、エッチング
チャンパー１側面に取り付けられており、水平面内にお
けるプラズマ発光分布を計測する。
第２図は、上記エッチング装置の平面図である。
以下、エッチングチャンパー１前面をＸ軸、側面をｙ軸
に設定する。Ｘ軸側には、発光検出子ＤＸ，、ＤＸ２・
・・Ｄｘｆｉが、ｙ軸側には、発光検出子ＤＹ，、ＤＹ
２・・・ＤＹ＋ｉが並列に配置されている。ここで、各
発光検出子（Ｄｘｌ−Ｄｘ．、ＤＹ１〜ＤＹｎ）には同
一空間の発光を測定ｉ〜ないような光学系を用いている
。各発光検出子は、それぞれの発光検出子により得られ
た信号を処理するための演算系６に接続されている。
に設定する。Ｘ軸側には、発光検出子ＤＸ，、ＤＸ２・
・・Ｄｘｆｉが、ｙ軸側には、発光検出子ＤＹ，、ＤＹ
２・・・ＤＹ＋ｉが並列に配置されている。ここで、各
発光検出子（Ｄｘｌ−Ｄｘ．、ＤＹ１〜ＤＹｎ）には同
一空間の発光を測定ｉ〜ないような光学系を用いている
。各発光検出子は、それぞれの発光検出子により得られ
た信号を処理するための演算系６に接続されている。
あるエッチング条件下でプラズマ形成後、発光検出子（
Ｄｘ＋、Ｄ ｘｚ− Ｄ ｘ−）を用いて、ｙ軸に平行
な微小領域幅（Ｘ１、Ｘ２・・・ｘ６）の発光がそれぞ
れ計ハ１される。同時に、発光検出子（ＤＹＩ−ＤＹ２
・・・Ｄ ｙ−）を用いて、Ｘ軸に平行な微小幅領域（
Ｖｌ％Ｙ２・・・ｙ．）の発光がそれぞれ計測される。
Ｄｘ＋、Ｄ ｘｚ− Ｄ ｘ−）を用いて、ｙ軸に平行
な微小領域幅（Ｘ１、Ｘ２・・・ｘ６）の発光がそれぞ
れ計ハ１される。同時に、発光検出子（ＤＹＩ−ＤＹ２
・・・Ｄ ｙ−）を用いて、Ｘ軸に平行な微小幅領域（
Ｖｌ％Ｙ２・・・ｙ．）の発光がそれぞれ計測される。
そして、上記各発光検出子により得られた信号は演算系
６に入力され、その時のエッチング条件下におけるプラ
ズマ状態がｘｙ平面内での相対発光強度分布として出力
される。
６に入力され、その時のエッチング条件下におけるプラ
ズマ状態がｘｙ平面内での相対発光強度分布として出力
される。
以上のように、本発明は、チャンバー前面（Ｘ軸側）か
ら計１１）ＩＬた発光検出データと側面（ｙ軸側）から
計測した発光検出データより、２次元（ｘｙ平而内）の
プラズマ発光分布を計測することができる。
ら計１１）ＩＬた発光検出データと側面（ｙ軸側）から
計測した発光検出データより、２次元（ｘｙ平而内）の
プラズマ発光分布を計測することができる。
本実施例においては、チャンバー前面（Ｘ軸側）及び側
面（ｙ軸側）上に並列に配列された各発光検出子により
発光分布を計測したが、前面、側面に１つずつの発光検
出子を用いて、各発光検出子をそれぞれＸ軸上、ｙ軸上
に沿って走査する方法によっても同様な測定が可能であ
る。
面（ｙ軸側）上に並列に配列された各発光検出子により
発光分布を計測したが、前面、側面に１つずつの発光検
出子を用いて、各発光検出子をそれぞれＸ軸上、ｙ軸上
に沿って走査する方法によっても同様な測定が可能であ
る。
また、本発明の適用はドライエッチング装置に限定され
ず、スパッタリング装置等の一般的なプラズマ発生装置
に及ぶものである。
ず、スパッタリング装置等の一般的なプラズマ発生装置
に及ぶものである。
以上説明した本発明のプラズマπ１測方法は、水平面内
におけるプラズマ発光状態の場所による違いを計測する
ことができるので、装置固有のプラズマ特性あるいはプ
ラズマ発生条件と発光状態との関係を把握することがで
きる。従って、その結果をプロセス条件にフィードバッ
クすることにより、装置、条件を制御することが容易と
なる。また、局所的に発光分析を行うため、エッチング
の終点検出の確実性等のプロセスの安定化・自動化を図
ることができる。
におけるプラズマ発光状態の場所による違いを計測する
ことができるので、装置固有のプラズマ特性あるいはプ
ラズマ発生条件と発光状態との関係を把握することがで
きる。従って、その結果をプロセス条件にフィードバッ
クすることにより、装置、条件を制御することが容易と
なる。また、局所的に発光分析を行うため、エッチング
の終点検出の確実性等のプロセスの安定化・自動化を図
ることができる。
第１図は本発明をドライエッチング装置に適用した場合
の一実施例を示す概略図、第２図は第１図の平面図を示
す。
の一実施例を示す概略図、第２図は第１図の平面図を示
す。
１ ・ ・ 拳 ・ ・
２ 命 φ ・ ・ ・
３一争−・・
４ ・ ・ ・ ・ ・
５ ・ ・ ψ ・ ・
６ ・ ・ 中 ・ ・
Ｄｘ，〜ＤＸｎ・
ＤＹ＋〜ＤＹｎ’
ｘ １ 〜ｘＩｌ 瞭
ｙ １ 〜３’ｅ ’
エッチングチャンバー
試料台電極
対向電極
基板
発光検出子
演算系
Ｘ方向に配置した発光検出子
ｙ方向に配置した発光検出子
発光検出子（Ｄｘ＋−Ｄｘ．）の
それぞれにより計測されるｙ
軸に平行な微小幅領域
・発光検出子（ＤＹＩ〜ＤＹ．）の
それぞれにより計測されるＸ
軸に平行な微小幅領域
以上
Claims (1)
- 箱型チャンバーを有するプラズマ発生装置において、前
記箱型チャンバーの側面ｘ、ｙ方向に発光検出子を並設
し、このｘ、ｙ両方向の発光検出子より得られるプラズ
マ発光強度に応じた電気信号を演算処理することにより
、チャンバー内の水平面内プラズマ分布を計測すること
を特徴とするプラズマ計測方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1050878A JPH02230698A (ja) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | プラズマ計測方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1050878A JPH02230698A (ja) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | プラズマ計測方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02230698A true JPH02230698A (ja) | 1990-09-13 |
Family
ID=12870983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1050878A Pending JPH02230698A (ja) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | プラズマ計測方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02230698A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5510095A (en) * | 1990-09-20 | 1996-04-23 | Kawasaki Steel Corporation | Production of high-purity silicon ingot |
| JP2017502259A (ja) * | 2013-11-01 | 2017-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理における空間分解発光分光分析 |
-
1989
- 1989-03-02 JP JP1050878A patent/JPH02230698A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5510095A (en) * | 1990-09-20 | 1996-04-23 | Kawasaki Steel Corporation | Production of high-purity silicon ingot |
| JP2017502259A (ja) * | 2013-11-01 | 2017-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理における空間分解発光分光分析 |
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