JPH02229696A - プラズマ加工用電極の製造方法及び電極 - Google Patents
プラズマ加工用電極の製造方法及び電極Info
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- JPH02229696A JPH02229696A JP1048632A JP4863289A JPH02229696A JP H02229696 A JPH02229696 A JP H02229696A JP 1048632 A JP1048632 A JP 1048632A JP 4863289 A JP4863289 A JP 4863289A JP H02229696 A JPH02229696 A JP H02229696A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
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- B23K35/02—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape
- B23K35/0205—Non-consumable electrodes; C-electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Arc Welding In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く産業上の利用分野〉
本発明は酸素プラズマアークトーチ又はエアプラズマア
ークトーチに用いられる電極に関するものである． く従来の技術〉 今日、鋼板等の被加工材を切断又は溶接する際に、動作
ガスとして酸素を用いる酸素プラズマアーク、或いは動
作ガスとして空気を用いるエアプラズマアークを使用す
ることが一般的に行われている． 前記プラズマアークを発生するための電極として、銅又
は銅合金によって製作されたホルダーに作用インサート
としてハフニウム又はハフニウム合金からなる線材を嵌
装したものが知られている（特許第７４６０３５号》． 前記技術に於いて、所定長さに切断したφ１．６〜φ２
．０のハフニウム又はハフニウム合金（以下『ハフニウ
ム』という）からなる作用インサートを用いると共に、
ホルダーに作用インサートの径と同径の孔を穿設し、こ
の孔に該作用インサートを圧入することで電極を構成し
ている．また前記技術によれば、電極の寿命を向上させ
ることが可能となる。
ークトーチに用いられる電極に関するものである． く従来の技術〉 今日、鋼板等の被加工材を切断又は溶接する際に、動作
ガスとして酸素を用いる酸素プラズマアーク、或いは動
作ガスとして空気を用いるエアプラズマアークを使用す
ることが一般的に行われている． 前記プラズマアークを発生するための電極として、銅又
は銅合金によって製作されたホルダーに作用インサート
としてハフニウム又はハフニウム合金からなる線材を嵌
装したものが知られている（特許第７４６０３５号》． 前記技術に於いて、所定長さに切断したφ１．６〜φ２
．０のハフニウム又はハフニウム合金（以下『ハフニウ
ム』という）からなる作用インサートを用いると共に、
ホルダーに作用インサートの径と同径の孔を穿設し、こ
の孔に該作用インサートを圧入することで電極を構成し
ている．また前記技術によれば、電極の寿命を向上させ
ることが可能となる。
く発明が解決しようとする課題〉
然し、作用インサートとしての前記ハフニウムの面粗度
にバラツキがあり、一例えば作用インサートをホルダー
に圧入する際に、該作用インサートがホルダーに穿設し
た孔の表面を陥ることがあり、このため、圧入された作
用インサートとホルダーとの接触面に於ける密着度にバ
ラツキが発生する虞がある． 前記の如くして、作用インサートとホルダーとの密着度
にバラツキが生じた場合、製造された個々の電極の寿命
にバラツキが生じ、平均耐久時間を短くしている．例え
ば作用インサートとホルダーとが完全に密着していない
場合には、前記作用インサートとホルダーとの接触面に
於ける電気伝導度及び熱伝導度が低下し、このためプラ
ズマアークの発生による熱が作用インサートからホルダ
ーに平均して伝達されず、作用インサートが局部的に溶
融し消耗が促進されることで電極の寿命が短くなる． 本発明の目的は、作用インサートとホルダーとの接触面
にセラミックス層を設けることで、作用インサートとホ
ルダーとの密着性を向上させ、これにより耐久性を向上
させたプラズマ加工用電極の製造方法とプラズマ加工用
電極を提供することにある。
にバラツキがあり、一例えば作用インサートをホルダー
に圧入する際に、該作用インサートがホルダーに穿設し
た孔の表面を陥ることがあり、このため、圧入された作
用インサートとホルダーとの接触面に於ける密着度にバ
ラツキが発生する虞がある． 前記の如くして、作用インサートとホルダーとの密着度
にバラツキが生じた場合、製造された個々の電極の寿命
にバラツキが生じ、平均耐久時間を短くしている．例え
ば作用インサートとホルダーとが完全に密着していない
場合には、前記作用インサートとホルダーとの接触面に
於ける電気伝導度及び熱伝導度が低下し、このためプラ
ズマアークの発生による熱が作用インサートからホルダ
ーに平均して伝達されず、作用インサートが局部的に溶
融し消耗が促進されることで電極の寿命が短くなる． 本発明の目的は、作用インサートとホルダーとの接触面
にセラミックス層を設けることで、作用インサートとホ
ルダーとの密着性を向上させ、これにより耐久性を向上
させたプラズマ加工用電極の製造方法とプラズマ加工用
電極を提供することにある。
く課題を解決するための手段〉
上記課題を解決するためのプラズマ加工用電極の製造方
法は、所定長さに切断したハフニウム又はハフニウム合
金からなる作用インサートの表面に導電性セラミックス
を積層形成し、前記導電性セラミックス層を形成した作
用インサートを銅又は銅合金からなるホルダーの所定位
置に形成した貫通孔に挿入した後、前記ホルダーを外周
から押圧して導電性セラミックス層を形成した作用イン
サートとホルダーとを密着させることを特徴としたもの
である。
法は、所定長さに切断したハフニウム又はハフニウム合
金からなる作用インサートの表面に導電性セラミックス
を積層形成し、前記導電性セラミックス層を形成した作
用インサートを銅又は銅合金からなるホルダーの所定位
置に形成した貫通孔に挿入した後、前記ホルダーを外周
から押圧して導電性セラミックス層を形成した作用イン
サートとホルダーとを密着させることを特徴としたもの
である。
またプラズマ加工用非消耗型電極は、内部に冷却流体を
流通するための通孔を形成した銅又は銅合金からなるホ
ルダーと、前記ホルダーの前端面から前記通孔まで貫通
して嵌装されたハフニウム又はハフニウム合金からなる
作用インサートと、前記ホルダーと作用インサートとの
接触面に設けられた導電性セラミックス層と、により構
成されるものである． く作用〉 上記プラズマ加工用電極の製造方法によれば、作用イン
サートの表面に導電性セラミックス（以下『セラミック
スｊという）を積層形成することで、作用インサートに
セラミックス層を密着させることが出来る。そして表面
にセラミックス層を形成した作用インサートをホルダー
に穿設した貫通孔に挿入し、その後ホルダーの外周から
押圧することで、前記セラミックス層を形成した作用イ
ンサートとホルダーとを密着させることが出来る．この
ため、ホルダーと作用インサートとの密着度を均一にし
たプラズマ加工用電極を得ることが出来る． またプラズマ加工用電極は、作用インサートとホルダー
との接触面に導電性セラミックス層を設けたので、該セ
ラミックス層を作用インサートとホルダーとの間の熱遮
壁として機能させることが出来る．即ち、導電性セラミ
ックス層の融点が高いため、作用インサートが溶融した
場合に該インサートの溶融及び酸化による熱のホルダー
に対する伝導を導電性セラミックス層が遮断することで
、ホルダーの過熱を防止することが出来る．このため、
ホルダーの溶融による破壊が防止され、従って、電極の
寿命を延長することが出来る。
流通するための通孔を形成した銅又は銅合金からなるホ
ルダーと、前記ホルダーの前端面から前記通孔まで貫通
して嵌装されたハフニウム又はハフニウム合金からなる
作用インサートと、前記ホルダーと作用インサートとの
接触面に設けられた導電性セラミックス層と、により構
成されるものである． く作用〉 上記プラズマ加工用電極の製造方法によれば、作用イン
サートの表面に導電性セラミックス（以下『セラミック
スｊという）を積層形成することで、作用インサートに
セラミックス層を密着させることが出来る。そして表面
にセラミックス層を形成した作用インサートをホルダー
に穿設した貫通孔に挿入し、その後ホルダーの外周から
押圧することで、前記セラミックス層を形成した作用イ
ンサートとホルダーとを密着させることが出来る．この
ため、ホルダーと作用インサートとの密着度を均一にし
たプラズマ加工用電極を得ることが出来る． またプラズマ加工用電極は、作用インサートとホルダー
との接触面に導電性セラミックス層を設けたので、該セ
ラミックス層を作用インサートとホルダーとの間の熱遮
壁として機能させることが出来る．即ち、導電性セラミ
ックス層の融点が高いため、作用インサートが溶融した
場合に該インサートの溶融及び酸化による熱のホルダー
に対する伝導を導電性セラミックス層が遮断することで
、ホルダーの過熱を防止することが出来る．このため、
ホルダーの溶融による破壊が防止され、従って、電極の
寿命を延長することが出来る。
〈実施例〉
以下上記手段を適用したプラズマ加工用電極の一実施例
について図を用いて説明する。
について図を用いて説明する。
第１図は本発明による電極の断面説明図、第２図は要部
斜視説明図、第３図は本発明の電極を用いて酸素プラズ
マ加工する際の模式説明図、第４図は本発明の電極と比
較するために用いた電極の断面説明図である。
斜視説明図、第３図は本発明の電極を用いて酸素プラズ
マ加工する際の模式説明図、第４図は本発明の電極と比
較するために用いた電極の断面説明図である。
第１図及び第２図に於いて、銅又は銅合金からなるホル
ダー１の先端に前端面１ａが形成されており、且つ内部
には例えば水等の冷却流体を流通させるための通孔１ｂ
が形成されている．また前端面１ａと対向する通孔１ｂ
側の面には、ホルダー１の中心と一致した突起ＩＣが形
成されている。
ダー１の先端に前端面１ａが形成されており、且つ内部
には例えば水等の冷却流体を流通させるための通孔１ｂ
が形成されている．また前端面１ａと対向する通孔１ｂ
側の面には、ホルダー１の中心と一致した突起ＩＣが形
成されている。
ホルダー１の中心には、前端面１ａから通孔１ｂまで貫
通孔１ｄが形成されている． 前記貫通孔１ｄには、前端面１ａと面一に、ハフニウム
又はハフニウム合金からなる作用インサート２がホルダ
ー１の前端面１ａから通孔１ｂまで貫通して嵌装されて
いる。
通孔１ｄが形成されている． 前記貫通孔１ｄには、前端面１ａと面一に、ハフニウム
又はハフニウム合金からなる作用インサート２がホルダ
ー１の前端面１ａから通孔１ｂまで貫通して嵌装されて
いる。
前記貫通孔１ｄに嵌装した作用インサート２とホルダー
１との接触面には導電性セラミックス３が設けられてい
る． 次に、上記の如く構成された電極の製造方法について説
明する． 先ず、ハフニウム線材を所定長さに切断し、作用インサ
ート２を製作する。次に、この作用インサート２の表面
にセラミックスＮ３を積層形成する． 前記作用インサート２の表面にセラミックス層３を形成
する場合、例えば導電性セラミックス原料を作用インサ
ート２の表面に均一の厚さで溶射して形成することが出
来る。本実施例では、セラミックス原料として炭化珪素
（ＳｉＣ）を用い、このＳｉＣをハフニウムの表面に溶
射した後、溶射の際に発生するブローホールをレーザー
ビームを照射して封孔処理すると共に、作用インサート
２の表面に積層したセラミックス層３の表面の粗度を均
一にすることで、表面にセラミックス層３を積層した作
用インサート２を得た。
１との接触面には導電性セラミックス３が設けられてい
る． 次に、上記の如く構成された電極の製造方法について説
明する． 先ず、ハフニウム線材を所定長さに切断し、作用インサ
ート２を製作する。次に、この作用インサート２の表面
にセラミックスＮ３を積層形成する． 前記作用インサート２の表面にセラミックス層３を形成
する場合、例えば導電性セラミックス原料を作用インサ
ート２の表面に均一の厚さで溶射して形成することが出
来る。本実施例では、セラミックス原料として炭化珪素
（ＳｉＣ）を用い、このＳｉＣをハフニウムの表面に溶
射した後、溶射の際に発生するブローホールをレーザー
ビームを照射して封孔処理すると共に、作用インサート
２の表面に積層したセラミックス層３の表面の粗度を均
一にすることで、表面にセラミックス層３を積層した作
用インサート２を得た。
また作用インサート２の表面にセラミックス層３を形成
するに際し、例えば導電性セラミックス原料を粘土状に
混成した中間材料を用い、該粘土状セラミックス原料を
作用インサート２の表面に塗布し、これを焼成して形成
することも出来る．本実施例では、ＳｉＣに酸化イント
リウム（Ｙｔ（ｈ）を添加した粘土状中間材料をハフニ
ウムの表面に均一に粘着させ、これを約１５００〜１６
００℃の温度で焼成して表面にセラミックス層３を積層
した作用インサート２を得た。
するに際し、例えば導電性セラミックス原料を粘土状に
混成した中間材料を用い、該粘土状セラミックス原料を
作用インサート２の表面に塗布し、これを焼成して形成
することも出来る．本実施例では、ＳｉＣに酸化イント
リウム（Ｙｔ（ｈ）を添加した粘土状中間材料をハフニ
ウムの表面に均一に粘着させ、これを約１５００〜１６
００℃の温度で焼成して表面にセラミックス層３を積層
した作用インサート２を得た。
次に、ホルダー１の内部に通孔１ｂを穿設すると共に突
起ＩＣを形成する。そしてホルダーｌの前端面１ａ側か
ら、該ホルダーｌに貫通孔１ｄを穿設する．このとき、
貫通孔１ｄの径は、作用インサート２の表面に積層した
セラミックス層３の外径よりも僅かに大きな径で穿設す
る．次いで、ホルダー１に穿設した貫通孔１ｄに、表面
にセラミックス層３を積層した作用インサート２を挿入
し、ホルダー１を外周から均一に押圧する。即ち、ホル
ダー１を外周から均一に押圧することで冷間鍛造を施し
、これによりホルダー１とセラミックス層３を積層した
作用インサート２とを均一に密着させることが出来る。
起ＩＣを形成する。そしてホルダーｌの前端面１ａ側か
ら、該ホルダーｌに貫通孔１ｄを穿設する．このとき、
貫通孔１ｄの径は、作用インサート２の表面に積層した
セラミックス層３の外径よりも僅かに大きな径で穿設す
る．次いで、ホルダー１に穿設した貫通孔１ｄに、表面
にセラミックス層３を積層した作用インサート２を挿入
し、ホルダー１を外周から均一に押圧する。即ち、ホル
ダー１を外周から均一に押圧することで冷間鍛造を施し
、これによりホルダー１とセラミックス層３を積層した
作用インサート２とを均一に密着させることが出来る。
上記の如くしてホルダー１の貫通孔１ｄにセラミックス
Ｎ３を積層した作用インサート２を嵌装し、必要に応じ
て該ホルダーｌの前端面１ａを旋削してホルダー１の前
端面１ａと作用インサート２及びセラミックス層３を同
一面とすることで、プラズマ加工用電極を製造すること
が出来る。
Ｎ３を積層した作用インサート２を嵌装し、必要に応じ
て該ホルダーｌの前端面１ａを旋削してホルダー１の前
端面１ａと作用インサート２及びセラミックス層３を同
一面とすることで、プラズマ加工用電極を製造すること
が出来る。
次に、上記の如くして製造されたプラズマ加工用電極を
用いて鋼板Ａを切断する場合を第３図によって説明する
． 図に於いて、ホルダー１は電極台４に螺合等の手段によ
って着脱可能に取り付けられている。またホルダー１の
通孔１ｂには、冷却水を導通ずるための冷却管５が配設
されている。プラズマトーチ本体６の先端にはノズルキ
ャップ７が着脱可能に取り付けられており、該キャンプ
７の内部は冷却水によって冷却されている．そして前記
ノズルキャップ７によってノズル８が形成されている。
用いて鋼板Ａを切断する場合を第３図によって説明する
． 図に於いて、ホルダー１は電極台４に螺合等の手段によ
って着脱可能に取り付けられている。またホルダー１の
通孔１ｂには、冷却水を導通ずるための冷却管５が配設
されている。プラズマトーチ本体６の先端にはノズルキ
ャップ７が着脱可能に取り付けられており、該キャンプ
７の内部は冷却水によって冷却されている．そして前記
ノズルキャップ７によってノズル８が形成されている。
またホルダー１とノズルキャップ７とで形成する空間に
は酸素通孔９から酸素ガスが供給されている． 上記構成に於いて、作用インサート２を陰極とし、綱板
Ａを陽極としてプラズマ電流を印加すると、ノズル８か
らはプラズマアーク１０と酸素ガスが鋼板Ａに向かって
噴射され、該鋼板八の表面を溶融すると共に、熱化学的
に鋼板Ａを切断する．この状態でプラズマトーチと鋼板
Ａを相対的に移動することで、該綱板Ａに対する切断が
進行する。
は酸素通孔９から酸素ガスが供給されている． 上記構成に於いて、作用インサート２を陰極とし、綱板
Ａを陽極としてプラズマ電流を印加すると、ノズル８か
らはプラズマアーク１０と酸素ガスが鋼板Ａに向かって
噴射され、該鋼板八の表面を溶融すると共に、熱化学的
に鋼板Ａを切断する．この状態でプラズマトーチと鋼板
Ａを相対的に移動することで、該綱板Ａに対する切断が
進行する。
次に本発明による電極と第４図に示すようにホルダー１
とハフニウムからなる作用インサート２との接触面にセ
ラミックス層３を設けない電極との比較実験例について
説明する。
とハフニウムからなる作用インサート２との接触面にセ
ラミックス層３を設けない電極との比較実験例について
説明する。
プラズマ加工用電極を下記の条件で製作し、得られた電
極を用いて同一条件のもとて耐久実験を実施した． 電極の寸法 作用インサートの径 １．６鶴作用イン
サートの長さ ８ｆｌホルダーの径
ｌｉｓｔセラミックス層の厚さ
０．２ｔｍセラミックス層の長さ
８鶴切断条件 プラズマアーク電流 ２５０Ａ酸素ガス流
量 ４０Ｎ １ ／ｗｉｎアーク時間
１ ｗｉｎアーク停止時間
２５ｓｅｃ〔実験例１〕 前記条件で切断されたハフニウムの表面にＳｉＣを溶射
し、溶射後レーザービームを照射して封孔処理を施すこ
とで、作用インサート２にセラミックス層３を積層した
。前記作用インサート２をホルダー１に嵌装してプラズ
マ加工用ｆｆｉｐｉを製作し、該電極が破壊されるまで
の耐久実験を行った結果、アーク発生回数は６０〜１０
０回であった．同一条件に於ける第４図に示すプラズマ
加工用電極は５０回で破壊された（以下第４図に示す電
掻を用いた場合の破壊回数を『標準耐久数』という）。
極を用いて同一条件のもとて耐久実験を実施した． 電極の寸法 作用インサートの径 １．６鶴作用イン
サートの長さ ８ｆｌホルダーの径
ｌｉｓｔセラミックス層の厚さ
０．２ｔｍセラミックス層の長さ
８鶴切断条件 プラズマアーク電流 ２５０Ａ酸素ガス流
量 ４０Ｎ １ ／ｗｉｎアーク時間
１ ｗｉｎアーク停止時間
２５ｓｅｃ〔実験例１〕 前記条件で切断されたハフニウムの表面にＳｉＣを溶射
し、溶射後レーザービームを照射して封孔処理を施すこ
とで、作用インサート２にセラミックス層３を積層した
。前記作用インサート２をホルダー１に嵌装してプラズ
マ加工用ｆｆｉｐｉを製作し、該電極が破壊されるまで
の耐久実験を行った結果、アーク発生回数は６０〜１０
０回であった．同一条件に於ける第４図に示すプラズマ
加工用電極は５０回で破壊された（以下第４図に示す電
掻を用いた場合の破壊回数を『標準耐久数』という）。
〔実験例２〕
前記条件で切断されたハフニウムの表面にＳｉＣにＹ，
０，を添加したグリーンフィルムを巻き付け、これを約
１５００〜１６００℃で焼成して作用イソサート２にセ
ラミックス層３を積層した．前記作用インサート２をホ
ルダー１に嵌装してプラズマ加工用電極を製作し、該電
極が破壊されるまでの耐久実験を行った結果、アーク発
生回数は６０〜９０回であった。このときの標準耐久数
は５０回であった．〔実験例３〕 ホルダー１にハフニウムの径φ１．６よりも０．４鰭大
きいφ２．００の貫通孔１ｄを穿設し、該貫通孔ｌｄに
作用インサート２を挿入すると共に、作用インサート２
とホルダー１の間隙にＳｉＣの粉末を充填し、高圧ホッ
トプレスを用いてＳｉＣを焼成することで、作用インサ
ート２とホルダー１との間にセラミックスＮ３を形成し
て、プラズマ加工用電極を製作した。前記電極が破壊さ
れるまでの耐久実験を行った結果、アーク発生回数は７
０〜９０回であった．このときの４Ｍ１！耐久数は５０
回であった。
０，を添加したグリーンフィルムを巻き付け、これを約
１５００〜１６００℃で焼成して作用イソサート２にセ
ラミックス層３を積層した．前記作用インサート２をホ
ルダー１に嵌装してプラズマ加工用電極を製作し、該電
極が破壊されるまでの耐久実験を行った結果、アーク発
生回数は６０〜９０回であった。このときの標準耐久数
は５０回であった．〔実験例３〕 ホルダー１にハフニウムの径φ１．６よりも０．４鰭大
きいφ２．００の貫通孔１ｄを穿設し、該貫通孔ｌｄに
作用インサート２を挿入すると共に、作用インサート２
とホルダー１の間隙にＳｉＣの粉末を充填し、高圧ホッ
トプレスを用いてＳｉＣを焼成することで、作用インサ
ート２とホルダー１との間にセラミックスＮ３を形成し
て、プラズマ加工用電極を製作した。前記電極が破壊さ
れるまでの耐久実験を行った結果、アーク発生回数は７
０〜９０回であった．このときの４Ｍ１！耐久数は５０
回であった。
上記したように、作用インサート２とホルダー１との間
に導電性セラミックス層３を設けたところ、電極の寿命
は標準耐久回数に比較して約２０〜１００％向上した． く発明の効果〉 以上詳細に説明したように、本発明のプラズマ加工用電
極の製造方法によれば、ホルダーと作用インサートとの
密着度を向上させることが出来る．この結果、得られた
個々のプラズマ加工用電極の寿命が均一に向上させるこ
とが出来る。
に導電性セラミックス層３を設けたところ、電極の寿命
は標準耐久回数に比較して約２０〜１００％向上した． く発明の効果〉 以上詳細に説明したように、本発明のプラズマ加工用電
極の製造方法によれば、ホルダーと作用インサートとの
密着度を向上させることが出来る．この結果、得られた
個々のプラズマ加工用電極の寿命が均一に向上させるこ
とが出来る。
また本発明のプラズマ加工用電極によれば、作用インサ
ートとホルダーとの間に導電性セラミックス層を設ける
ことで、熱伝導性が改善しこの結果プラズマ加工用電極
の寿命を向上させることが出来る等の特徴を有するもの
である。
ートとホルダーとの間に導電性セラミックス層を設ける
ことで、熱伝導性が改善しこの結果プラズマ加工用電極
の寿命を向上させることが出来る等の特徴を有するもの
である。
第１図は本発明による電極の断面説明図、第２図は要部
斜視説明図、第３図は本発明の電極を用いて酸素プラズ
マ加工する際の模式説明図、第４図は本発明の電極と比
較するために用いた電極の断面説明図である． Ａは鋼板、１はホルダー、１ｄは貫通孔、２は作用イン
サート、３はセラミックス層、６はトーチ本体、７はノ
ズルキャップ、８はノズルである。 特許出願人 小池酸素工業株式会社
斜視説明図、第３図は本発明の電極を用いて酸素プラズ
マ加工する際の模式説明図、第４図は本発明の電極と比
較するために用いた電極の断面説明図である． Ａは鋼板、１はホルダー、１ｄは貫通孔、２は作用イン
サート、３はセラミックス層、６はトーチ本体、７はノ
ズルキャップ、８はノズルである。 特許出願人 小池酸素工業株式会社
Claims (2)
- （１）所定長さに切断したハフニウム又はハフニウム合
金からなる作用インサートの表面に導電性セラミックス
を積層形成し、前記導電性セラミックス層を形成した作
用インサートを銅又は銅合金からなるホルダーの所定位
置に形成した貫通孔に挿入した後、前記ホルダーを外周
から押圧して導電性セラミックス層を形成した作用イン
サートとホルダーとを密着させることを特徴としたプラ
ズマ加工用電極の製造方法。 - （２）内部に冷却流体を流通するための通孔を形成した
銅又は銅合金からなるホルダーと、前記ホルダーの前端
面から前記通孔まで貫通して嵌装されたハフニウム又は
ハフニウム合金からなる作用インサートと、前記ホルダ
ーと作用インサートとの接触面に設けられた導電性セラ
ミックス層と、により構成したことを特徴としたプラズ
マ加工用電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1048632A JPH02229696A (ja) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | プラズマ加工用電極の製造方法及び電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1048632A JPH02229696A (ja) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | プラズマ加工用電極の製造方法及び電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02229696A true JPH02229696A (ja) | 1990-09-12 |
Family
ID=12808751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1048632A Pending JPH02229696A (ja) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | プラズマ加工用電極の製造方法及び電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02229696A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0677976U (ja) * | 1993-03-29 | 1994-11-01 | 日鐵溶接工業株式会社 | プラズマ加工用電極 |
| JP2002239736A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-28 | Koike Sanso Kogyo Co Ltd | プラズマトーチ用電極 |
-
1989
- 1989-03-02 JP JP1048632A patent/JPH02229696A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0677976U (ja) * | 1993-03-29 | 1994-11-01 | 日鐵溶接工業株式会社 | プラズマ加工用電極 |
| JP2002239736A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-28 | Koike Sanso Kogyo Co Ltd | プラズマトーチ用電極 |
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