JPH02225689A - めっき方法及びめっき装置 - Google Patents

めっき方法及びめっき装置

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JPH02225689A
JPH02225689A JP4418189A JP4418189A JPH02225689A JP H02225689 A JPH02225689 A JP H02225689A JP 4418189 A JP4418189 A JP 4418189A JP 4418189 A JP4418189 A JP 4418189A JP H02225689 A JPH02225689 A JP H02225689A
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JP
Japan
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plating
inert gas
plating solution
tank
soln
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Pending
Application number
JP4418189A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinji Yoshinaga
真二 吉永
Kiyoto Hamamura
浜村 清人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP4418189A priority Critical patent/JPH02225689A/ja
Publication of JPH02225689A publication Critical patent/JPH02225689A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/42Electroplating: Baths therefor from solutions of light metals
    • C25D3/44Aluminium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/10Agitating of electrolytes; Moving of racks

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、電気アルミニュウムめっき等の非水性のめっ
き液を用いて対象物に電気めっきを行なうめっき方法及
びめっき装置に関するものである。
(従来の技術) たとえば、サーマルプリンターヘッドに用いられ・るセ
ラミック基板から成る回路部品は、厚さが約1鵬程度の
平板を成し、片面にアルミニュウム等を導体として回路
が形成されている。
このようなアルミニュウムを導体とした回路部品には、
セラミック基板の他に、ガラス−エポキシ積層板、ガラ
ス基板等が用いられ、各種の電子製品の重要部品となっ
ていることは周知のとおりである。
これらの基板にアルミニュウムを導体とした回路を形成
するのに、従来は、蒸着等の乾式の方法が採用されてい
たが、最近になって、電気めっきの採用の可否が検討さ
れるようになった。
すなわち、数μm以上のアルミニュウムの膜厚を得るの
に、蒸着法等では時間がかかるのに対し、電気めっき法
では短時間で済むという利点が注目され、電気アルミニ
ュウムめっきの方法及び装置の開発が始められている。
電気アルミニュウムめっきを行なうには、周知のとおり
、水溶液のめっき液からアルミニュウムを析出させるこ
とが困難なことから、非水性の有機電解液から成るめっ
き液を用いることが一般的で、特開昭62−70592
号や特開昭62−70593号にはめっき液が示されて
いる。
しかしながら、このようなアルミニュウムのめっき液に
は、空気中の水分や酸素との接触によって化学変化を起
こし、めっき性能が著しく低下するという問題がある。
そのため、特公昭58−54196号公報に示されため
っき装置では、空気中の水分や酸素からめっき液を保護
するために、めっき槽の上部に予備室(スルース室)を
設け、めっき槽と予備室の間に開閉蓋を゛設けるととも
に、予備室と外部の間にゲートを設け、めっき槽と予備
室を密閉できるようにするとともに、めっき槽と予備室
に不活性ガスを供給することができるようにし5、めっ
き槽には常に不活性ガスを充満させておき、ゲートを開
いてめっきを行なう対象物を予備室に入れた後、ゲート
で予備室を密閉し、予備室に不活性ガスを充満させた後
、開閉蓋を開いて対象物を予備室からめっき槽に入れ、
再び開閉蓋を閉じてめっきを行なうという繁雑な操作を
行なっている。
また、めっきに際しては、対象物及びアノード(陽極)
の表面のめっき液を均一に撹拌する必要があるが、電気
アルミニュウムめっきに用いるめっき液は、非水性の有
機電解液であるため、水溶液のめっき液に比べて、粘性
が高いのが一般的で、従来のような、対象物の回転、ポ
ンプによるめっき液の循環、プロペラによる撹拌では、
対象物やアノードの表面に対するめつき液の撹拌が不十
分となったり、不均一となったりし易く、均一なめっき
厚さ及び外観を得難くなったり、アノードの溶解が困難
になったり、アノード表面の酸化により電気抵抗が増加
したりするという問題かある。
(発明が解決しようとする課題) 上述したように、電気アルミニュウムめっき等の非水性
のめっき液を用いる場合には、めっき液を空気中の水分
や酸素から保護するために、めっき装置の構造が複雑に
なるとともに、対象物をめっき液に入れたり出したりす
るのに繁雑な操作が必要になるという問題があり、また
、めっき液の撹拌が不十分となったり、不均一となった
りし易く、めっき特性、アノードの溶解性、電気抵抗の
増加等の問題が発生する。
(発明の構成〕 (課題を解決するための手段) 本発明の請求項1は、非水性のめっき液を用いて対象物
に電気めっきを行なうめっき方法に関するものであって
、めっき液に不活性ガスを注入し、この不活性ガスの気
泡によって対象物の近傍とアノードの近傍のめっき液を
撹拌するとともに、この不活性ガスによってめっき槽の
内部のめっき液上の空間をめっき槽の外部よりも高い圧
力に維持するものである。
本発明の請求項2は、非水性のめっき液を用いて対象物
に電気めっきを行なうめっき装置に関するものであって
、対象物を出入れする開口部を小さくした半密閉状態の
めっき槽と、このめっき槽の内部のめっき液中の対象物
及びアノードのF方に位置して設けられた不活性ガスの
散気管とを具備したものである。
(作用) 本発明の請求項1のめっき装置は、めっき液に不活性ガ
スを注入することにより、この不活性ガスの気泡をめっ
き液中で上昇させ、これを利用して、対象物の近傍とア
ノードの近傍のめっき液を撹拌し、さらに、めっき液上
に上昇した不活性ガスをめっき槽の内部のめっき液上の
空間に充満させるとともに、この不活性ガスによりめっ
き槽の内部の空間をめっき槽の外部よりも高い圧力に維
持し、これによって、不活性ガスが常にめっき槽の内部
から外部に流出する状態にして、外部からめっき槽の内
部に空気が進入するのを阻止するものである。
本発明の請求項2のめつき装置は、散気管からめっき液
中に不活性ガスを散気すると、不活性ガスの気泡がめつ
き液中で対象物とアノードに上昇して、対象物とアノー
ドの近傍のめつき液を撹拌し、さらに、めっき液上に上
昇した不活性ガスが、半密閉状態のめっき槽の内部のめ
つき液上の空間に充満して、めつき槽の内部の空間をめ
つき槽の外部よりも高い圧力に維持し、これによって、
不活性ガスが常にめっき槽の内部から開口部を介して外
部に流出する状態にして、外部からめつき槽の内部に空
気が進入するのを阻止するものである。
(実施例) 本発明のめっき方法及びめっき装置の実施例を図面を参
照して説明する。
電気めっきを行なう対象物は、銅、ニッケル、鉄等の金
属はもちろん、セラミック等の絶縁物に対しても、間接
的に行なうことができる。
以下に、サーマルプリンターヘッドに用いるセラミック
基板に予め約0.5μmのアルミニュウムの蒸着皮膜を
形成しておき、この蒸着皮膜の上に回路導体として約5
μmのアルミニウムのめっき皮膜を形成する例を説明す
る。
第1図において、1はめっき槽で、このめっき槽1は、
平板状の対象物2を出入れする開口部3を除いてほぼ密
閉状態で、開口部3も、平板状の対象物2を垂直状態で
上方から出入れするようにして最小のスリット状とし、
開口面積を小さくしてあり、全体として半密閉状態とな
っている。
そして、上記めっき槽1の内部には、塩化アルミニュウ
ム及びブチルピリジウムクロライドをそれぞれ1モルず
つ溶融した非水性のめっき液6が、上部に空間7を残し
た状態で、入れられているとともに、板状のアルミニュ
ウムのアノード8が、プラス側の通電支持部材9を介し
て垂直に設置され、めっき液6に浸漬されている。
また、上記対象物2は、マイナス側の通電支持部材1G
に垂直に支持されて、上記開口部3からめっき槽1内に
入れられ、めっき液6に浸漬された状態で、その垂直な
めっき面11を上記アノード8に平行に対向するように
なっている。
そして、上記めっき槽1内に入れらた対象物2とアノー
ド5の間のめっき槽1の底部は散気管14が配設され、
この散気管14にはバルブ15を介して不活性ガスとし
て水分を除去した窒素ガスが供給されるようになってお
り、また、めっき槽1の上部には供給口16が形成され
、この供給口1Gにもバルブ17を介して不活性ガスと
して水分を除去した窒素ガスが供給されるようになって
いる。
そうして、このような構成により、対象物2のめっき面
目にアルミニュウムめっきを行なう際には、通電支持部
材9.10に所定の電力を供給するとともに、バルブ1
5を開いて散気管14に窒素ガス19を供給する。
すると、散気管14に形成された多数の微細な小孔から
めっき液6中に窒素ガス1gが散気され、窒素ガス1g
が、多数の気泡2Gとなって、めっき液6中で対象物1
1とアノード8の表面に上昇し、対象物11とアノード
8の近傍のめっき液6に上昇流を起こしながら、めっき
液6を撹拌する。
したがって、供給する窒素ガス19の量を制御すること
によって、粘度の高い非水性のめっき液6に対しても強
い撹拌作用を得ることができ、しかも、この撹拌は、多
数の気泡20によって行なわれるが、個々の気泡20は
、単調に垂直方向に浮上するのではなく、形を変えなが
ら水平方向にも遊動するので、撹拌が均一かつ確実とな
り、これによって、対象物2のめっき面11に均一な膜
厚のアルミニュウムのめっき皮膜を形成することができ
るとともに、めっき皮膜の外観も良好になり、そして、
アノード8が溶解し易くなり、アノード8表面の酸化に
よる電気抵抗の増加も少なくなり、めっき皮膜を効率的
に形成することができる。
さらに、めっき液6を撹拌した窒素ガス19の気泡20
は、めっき液6上に上昇し、スリット状の開口面積の小
さい開口部3のみを開口した半密閉状態のめっき槽1の
内部のめっき液6上の空間7に充満する。
したがって、めっき槽1の内部の空間7が窒素ガス1g
によりめつき槽1の外部よりも高い圧力となり、窒素ガ
ス19の供給を続けることにより、空間7が高い圧力に
維持され、これによって、窒素ガス1gが常にめつき槽
1の内部から開口部3を介して外部に流出する状態とな
り、外部からめつき槽1の内部に空気が進入するのを阻
止して、めっき液6を空気中の水分や酸素から保護する
ことができ、めっき性能の低下を最少限に押えることが
できる。
そして、所定の膜厚のめつき皮膜が得られたら、通電を
止め、通電支持部材10を上昇し、対象物2を、めっき
液6から引上げ、開口部3から取出し、この後、次のめ
っき作業を行なう場合には、通電支持部材10に支持し
た新たな対象物2を、開口部3からめっき槽1に入れて
めっき液6に浸漬し、通電を再開する。
また、次のめっき作業を行なわない場合には、バルブ1
7を開いて供給口16に窒素ガス19を供給し、この後
、バルブ15を閉じて散気管14に対する窒素ガス1g
の供給を止める。
すると、めっき槽1の内部の空間7が、散気管14から
の窒素ガス!9に代わって、供給口16からの窒素ガス
19により、めつき槽1の外部よりも高い圧力に維持さ
れ、これによって、窒素ガス19が常にめっき槽1の内
部から開口部3を介して外部に流出する状態となり、外
部からめつき槽1の内部に空気が進入するのを阻止して
、めっき液6を空気中の水分や酸素から保護することが
でき、めっき性能の低下を最少限に押えることができ、
この状態で、めっき液6をめつき槽1内に保管すること
ができる。
なお、めっき作業を行なわない状態では、開口部3に蓋
を設けると、供給口16から供給する窒素ガス19の量
を少な(したり、供給口16からの窒素ガス19の供給
を停止することができ、めっき作業を行なっている場合
でも、開口部3に通電支持部材3を囲む蓋を設けると、
めっき液6の撹拌に支障をきたさないことを条件に、散
気管14から供給する窒素ガス19の量を少なくするこ
とができる。
このように、窒素ガス19により、めっき液6の撹拌が
でき、そして、撹拌に用いた窒素ガス1gにより、めっ
き槽1内の圧力を高めることができるので、厳密な気密
構造が不要になるとともに、厳密な気密環境下での対象
物2の移動操作が不要となり、めっき装置の構造及びめ
っき作業が極めて簡単になる。
なお、この実施例では、浴温的25℃、電流密度的IA
/dtrfで、5μmのアルミニウムのめっき皮膜を形
成するのに要する時間は約25分である。
また、アルミニュウムのめっきに先だって、対象物2の
めっき面11のアルミニュウムの蒸着皮膜を脱水したト
ルエン等の有機溶剤に浸漬して洗浄したり、対象物2の
めっき面11のアルミニュウムの蒸着皮膜の一部をめっ
き液6中で陽極電解して電解エツチングを行なうと、蒸
着皮膜に対するめっき皮膜の密着性が向上する。
第2図は第1図に示した実施例の変形例で、そのまま第
1図の■−■視断面断面図ることができる。
この変形例は、めっき槽1の底部に仕切り壁25を設け
、仕切り壁25の一側部をめっき液溜り26としてめっ
き液6を入れ、仕切り壁25の他側部を洗浄液溜り27
としてベンゼン、トルエン、キシレン等の有機溶剤を洗
浄液28として入れ、開口部3をめっき液溜り26の上
部から洗浄液溜り27の上部まで形成した構造である。
そして、この変形例では、めっき前に対象物2を洗浄液
溜り27の洗浄液28に浸漬することによって、対象物
2の洗浄を行ない、この後、図示矢印29のように、通
電支持部材10を移動することにより、洗浄後の対象物
2を、窒素ガス1gによる不活性雰囲気下から取出すこ
となく、めっき液溜り26のめっき液6に移動してその
ままめっきを行なうことができ、さらに、めっき後の対
象物2を、窒素ガス19による不活性雰囲気下から取出
すことなく、洗浄液溜り27の洗浄液28に移動してそ
のまま洗浄を行なうことができるので、めっき皮膜をよ
り一層良好に形成することができる。
また、このように、めっき液溜り26と洗浄液溜り2丁
を複数設けると、大量生産に容易に対応することができ
る。
次に、第3図及び第4図はこの実施例でアルミニュウム
のめっきを行なうサーマルプリンターヘッド用のセラミ
ック基板を示すものである。
このサーマルプリンターヘッドは、約5μmのアルミニ
ュウムのめつき皮膜を施した共通電極31と個々の発熱
回路群32を約0.8■の厚さのセラミック基板33に
多層形成したもので、発熱部34は、グレーズ層35上
に個々の発熱回路群32として形成され、真空スパッタ
リングによるタンタル及びその酸化物から成る抵抗膜3
6とアルミニュウムの皮膜37等が用いられる。
そして、電気アルミニュウムめっきによるめっき皮膜は
、スパッタリングされたアルミニュウムの皮膜37の上
に高容量の導体すなわち共通電極31として用いられる
なお、めっきを行なう対象物としては、セラミック基板
に限らず、ガラス、半導体、金属等でもよく、また、対
象物の形状も平板状に限らず、めっき液6中で気泡20
が溜るような下向きの凹部ができなければ、様々に形状
のものに適用することができる。
〔発明の効果〕
上述したように、本発明によれば、非水性のめっき液を
用いて対象物に電気めっきを行なう際に、不活性ガスの
気泡により、めっき液を撹拌し、撹拌に用いた不活性ガ
スにより、めっき槽内の圧力を高めて、めっき液を空気
中の水分や酸素から保護するので、厳密な気密構造が不
要になるとともに、厳密な気密環境下での対象物の移動
操作が不要となり、めっき装置の構造及びめっき作業が
極めて簡単になり、そして、気泡によるめっき液の撹拌
は、供給する不活性ガスの量を制御することによって、
粘度の高い非水性のめっき液に対しても強い撹拌作用を
得ることができ、しかも、この撹拌は、多数の気泡によ
って行なわれるが、個々の気泡は、単調に垂直方向に浮
上するのではなく、形を変えながら水平方向にも遊動す
るので、撹拌が均一かつ確実となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のめつき方法及びめっき装置の実施例を
示す縦断面図、第2図はその変形例を示す第1図の■−
■視に対応する縦断面図、第3図はめっきを行なう対象
物としてのサーマルプリンターヘッド用のセラミック基
板の斜視図、第4図はその断面図である。 1・・めっき槽、2・・対象物、3・・開口部、6・・
めっき液、7・・空間、8・・アノード、14・・散気
管、19・・不活性ガスとしての窒素ガス、2G・・気
泡。 T「 O 竿!困

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)非水性のめっき液を用いて対象物に電気めっきを
    行なうめっき方法であって、 めっき液に不活性ガスを注入し、この不活性ガスの気泡
    によって対象物の近傍とアノードの近傍のめっき液を撹
    拌するとともに、この不活性ガスによってめっき槽の内
    部のめっき液上の空間をめっき槽の外部よりも高い圧力
    に維持することを特徴とするめっき方法。
  2. (2)非水性のめっき液を用いて対象物に電気めっきを
    行なうめっき装置であって、 対象物を出入れし不活性ガスが流出する開口部をスリッ
    ト状にした半密閉状態のめっき槽と、このめっき槽の内
    部のめっき液中の対象物及びアノードの下方に位置して
    設けられた不活性ガスの散気管とを具備したことを特徴
    とするめっき装置。
JP4418189A 1989-02-23 1989-02-23 めっき方法及びめっき装置 Pending JPH02225689A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013133480A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 非プロトン性極性溶媒から水分を除去する方法及び装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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