JPH02225365A - 電子デバイス用誘電体磁器組成物 - Google Patents
電子デバイス用誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH02225365A JPH02225365A JP1044964A JP4496489A JPH02225365A JP H02225365 A JPH02225365 A JP H02225365A JP 1044964 A JP1044964 A JP 1044964A JP 4496489 A JP4496489 A JP 4496489A JP H02225365 A JPH02225365 A JP H02225365A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- dielectric ceramic
- ceramic composition
- dielectric
- range
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 26
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
利用産業分野
この発明は、電子デバイス用誘電体磁器組成物、特に、
磁器組成物の特性が低損失で、温度特性の良好なること
を利用する各種デバイス用、すなわち、１話度補償用コ
ンデンサを初め、ＳＨＦ’ｔＩＶで低損失なることを利
用する衛星放送直接受信用、ダウンコンバーター用等の
誘電体共振器、マイクロ波ストリップライン基板等に用
いられる誘電体磁器組成物に係り、ＣａＯ−Ｇａ２Ｏ３
−Ｔａ２Ｏ５系からなる新規な組成で、Ｑ、ｚｆ、 ｅ
ｒ特性のすぐれた磁器となした電子デバイス用誘電体磁
器組成物に関する。
磁器組成物の特性が低損失で、温度特性の良好なること
を利用する各種デバイス用、すなわち、１話度補償用コ
ンデンサを初め、ＳＨＦ’ｔＩＶで低損失なることを利
用する衛星放送直接受信用、ダウンコンバーター用等の
誘電体共振器、マイクロ波ストリップライン基板等に用
いられる誘電体磁器組成物に係り、ＣａＯ−Ｇａ２Ｏ３
−Ｔａ２Ｏ５系からなる新規な組成で、Ｑ、ｚｆ、 ｅ
ｒ特性のすぐれた磁器となした電子デバイス用誘電体磁
器組成物に関する。
背景技術
一般に、ＳＨＦ帯用８して用いられる誘電体磁器組成物
としては、従来、ベロブスカイ型化合物中でも特に下記
組成物の Ｂａ（Ｂｉ・Ａｌ）０３型 （但しＡ；Ｔａ、Ｎｂ Ｂ；２価金属イオン （Ｚｎまたはさらに、Ｎｉ、 Ｃｏ、 Ｍｎの１種また
は２種以上）、 の複合プロブスカイト型化合物が広く利用されている。
としては、従来、ベロブスカイ型化合物中でも特に下記
組成物の Ｂａ（Ｂｉ・Ａｌ）０３型 （但しＡ；Ｔａ、Ｎｂ Ｂ；２価金属イオン （Ｚｎまたはさらに、Ｎｉ、 Ｃｏ、 Ｍｎの１種また
は２種以上）、 の複合プロブスカイト型化合物が広く利用されている。
すなわち、
（１）Ｂａ（Ｚｎ４−Ｔａｉ）０３系４＝、４（２）Ｂ
ａ（Ｚｎ４−Ｎｂ−１）０３系相等である。
ａ（Ｚｎ４−Ｎｂ−１）０３系相等である。
このＳＨＦ帯に利用される誘電体磁器組成物に要求され
る高εｒ、高Ｑ、１ｆ＝０、等の特性は厳しく、かかる
特性に合致させるためには、組成制御が重要である。
る高εｒ、高Ｑ、１ｆ＝０、等の特性は厳しく、かかる
特性に合致させるためには、組成制御が重要である。
従来の誘電体磁器組成物では組成制御、特に、前記組成
物中に含有されるＺｎが蒸発し易いため、Ｚｎの制御が
重要であり、また、Ｚｎは焼成時に、セラミックス外面
に拡散、凝集して所謂皮″を形成し易く、内質の均一な
セラミックスを安定して得ることが困難であり、特性の
安定したセラミックスを得ることが困難であった。（参
考文献Ｊ、Ａｍ。
物中に含有されるＺｎが蒸発し易いため、Ｚｎの制御が
重要であり、また、Ｚｎは焼成時に、セラミックス外面
に拡散、凝集して所謂皮″を形成し易く、内質の均一な
セラミックスを安定して得ることが困難であり、特性の
安定したセラミックスを得ることが困難であった。（参
考文献Ｊ、Ａｍ。
Ｃｅｒａｍ Ｓｏｃ、 ６８ ［１０］ ５４６−５１
（１９８５））また、温度特性Ｉｆに関しても、用途に
よっては負の値が要求される場合があり、従来からの材
料では負の１ｆを有しながら、高Ｑ（低損失）の材料が
えられなかった。（参考文献Ｃｅｒａｒｎ ｆｏｒ Ｍ
ｉｃｒｏｗａｖｅＤｉｅｌｅｃｔｉｃ Ｒｅ５ｏｎａｔ
ｏｒ １９８３．ｌ６１４９．ｐｐ６１〜７０）発明の
目的 この発明は、従来の複合プロブスカイト型化合物のかか
る現状に鑑み、従来の誘電体磁器組成物と同等またはそ
れ以上のＱ、 ｔｆ、εｒ特性を有したセラミックスを
安定的に得ることができる新規な電子デバイス用誘電体
磁器組成物の提供を目的としている。
（１９８５））また、温度特性Ｉｆに関しても、用途に
よっては負の値が要求される場合があり、従来からの材
料では負の１ｆを有しながら、高Ｑ（低損失）の材料が
えられなかった。（参考文献Ｃｅｒａｒｎ ｆｏｒ Ｍ
ｉｃｒｏｗａｖｅＤｉｅｌｅｃｔｉｃ Ｒｅ５ｏｎａｔ
ｏｒ １９８３．ｌ６１４９．ｐｐ６１〜７０）発明の
目的 この発明は、従来の複合プロブスカイト型化合物のかか
る現状に鑑み、従来の誘電体磁器組成物と同等またはそ
れ以上のＱ、 ｔｆ、εｒ特性を有したセラミックスを
安定的に得ることができる新規な電子デバイス用誘電体
磁器組成物の提供を目的としている。
発明の概要
この発明は、前記複合プロブスカイト型化合物の欠点を
解消した磁器組成物を目的に、新規なＡ（ＢｎＩ４−Ｂ
Ｉｖ４）０３組成（Ａ：アルカリ土類金属、ＢＩｌ［。
解消した磁器組成物を目的に、新規なＡ（ＢｎＩ４−Ｂ
Ｉｖ４）０３組成（Ａ：アルカリ土類金属、ＢＩｌ［。
３価元素、Ｂａ；Ｔａ）について種々検討した結果、Ｃ
ａＯＧａ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５系組成において、マイクロ
波帯域での特性のすぐれた磁器が得られることを知見し
、完成したものである。
ａＯＧａ２Ｏ３−Ｔａ２Ｏ５系組成において、マイクロ
波帯域での特性のすぐれた磁器が得られることを知見し
、完成したものである。
この発明は、基本組成を、
ＸＣａＯＹＧａ２Ｏ３− ＺＴａ２Ｏ５と表し、組成範
囲を限定するｘ、 ｙ、 ｚが一ド記式で囲まれる組成
からなることを特徴とする電子デバイス用誘電体磁器組
成物である。
囲を限定するｘ、 ｙ、 ｚが一ド記式で囲まれる組成
からなることを特徴とする電子デバイス用誘電体磁器組
成物である。
Ｘ＋Ｙ＋Ｚ、、＝１００（％）
６２≦Ｘ≦７５．．０ （％）
４≦Ｙ≦３０（％）
１０．０≦Ｚ≦２１（％）
発明の構成
この発明において組成を、
ｘ十ｙ＋ｚ ＝１００（％）
６２≦Ｘ≦７５．０ （％）
４≦Ｙ≦３０（％）
１０．０≦２≦２ｉ（％） で囲まれる領域に限定した
理由は、 Ｚ値が２１％を越えると、焼結しにくくなり緻密な磁器
が得られ難く、また、Ｚ値が１０％未満、Ｙ値が６２％
未満、７５．０％を越えると、さらにＹ値が４％未満、
３０％を越えると、Ｑ値の劣化が著しくなり好ましくな
いためである。
理由は、 Ｚ値が２１％を越えると、焼結しにくくなり緻密な磁器
が得られ難く、また、Ｚ値が１０％未満、Ｙ値が６２％
未満、７５．０％を越えると、さらにＹ値が４％未満、
３０％を越えると、Ｑ値の劣化が著しくなり好ましくな
いためである。
この発明において、好ましい誘電体磁器組成物は、
６２くＸ≦７２（％）
８≦Ｙ≦２Ｏ（％）
１５≦Ｚ≦Ｌ８．５ （％ン で囲まれる組成であるが
、 特に、Ｘ ＝ ６６．６６％、Ｙ ＝ １６．６６％、
Ｚ ＝ １６．６６％ （７）近傍が良好である。
、 特に、Ｘ ＝ ６６．６６％、Ｙ ＝ １６．６６％、
Ｚ ＝ １６．６６％ （７）近傍が良好である。
発明の効果
この発明の誘電体磁器組成物は、９ＧＨｚにおけるＱは
３０００〜１ｏｏｏｏ、Ｔ、ｆ≦−５０ｐｐｍ／”Ｃ１
ｃｒ１９〜２７となり、従来の誘電体磁器組成物では内
質均一なセラミックスを安定的に得ることができる。
３０００〜１ｏｏｏｏ、Ｔ、ｆ≦−５０ｐｐｍ／”Ｃ１
ｃｒ１９〜２７となり、従来の誘電体磁器組成物では内
質均一なセラミックスを安定的に得ることができる。
なお、この発明においては、Ｃａ２＋をＳｒ２＋、Ｂａ
２＋などのアルカリ土類イオンで約２Ｏｍｏｌ／％以下
で置換したり、Ｇａ３＋をＡ１３”、Ｌａ３＋、Ｓｍ３
＋などの３価金属イオンで約２Ｏｍｏｌ／％以下で置換
してイ）はぼ同等の効果が得られる。また、Ｔａｂ＋を
約２Ｏｍｏｌ／％以下のＮｂ５＋で置換しても同様の高
Ｑの磁器が得られる。
２＋などのアルカリ土類イオンで約２Ｏｍｏｌ／％以下
で置換したり、Ｇａ３＋をＡ１３”、Ｌａ３＋、Ｓｍ３
＋などの３価金属イオンで約２Ｏｍｏｌ／％以下で置換
してイ）はぼ同等の効果が得られる。また、Ｔａｂ＋を
約２Ｏｍｏｌ／％以下のＮｂ５＋で置換しても同様の高
Ｑの磁器が得られる。
実施例
原料を第１表に示した組成になるように秤量し、ボール
ミルにて湿式混合し、１２５０°Ｃに２時間仮焼した後
、再度ボールミルにて平均粒径１ｐｍ程度に粉砕した。
ミルにて湿式混合し、１２５０°Ｃに２時間仮焼した後
、再度ボールミルにて平均粒径１ｐｍ程度に粉砕した。
この粉砕粉を加圧成形Ｌ、１４５０℃に焼成して、寸法
９ｍｍΦＸ３．６ｍｍｔの焼結体を得た。
９ｍｍΦＸ３．６ｍｍｔの焼結体を得た。
得られた焼結体について、２５℃、９ＧＨｚにおける比
誘電率εｒ、 Ｑ、共振周波数の温度係数ｄ（ｐｐｍ／
’Ｃ）を測定し、その結果を第１表に示す。
誘電率εｒ、 Ｑ、共振周波数の温度係数ｄ（ｐｐｍ／
’Ｃ）を測定し、その結果を第１表に示す。
なお、第１表における比誘電率とＱは、Ｈａｋｋｉａｎ
ｄ Ｃｅｌｅｍａｎらによる誘電体共振器法により測定
したもので、共振周波数の温度係数ｄ、誘電率、誘電率
の温度係数Ｉεとは、磁器の線熱膨張係数ｑとの間に下
記式の々１」き関係がある。
ｄ Ｃｅｌｅｍａｎらによる誘電体共振器法により測定
したもので、共振周波数の温度係数ｄ、誘電率、誘電率
の温度係数Ｉεとは、磁器の線熱膨張係数ｑとの間に下
記式の々１」き関係がある。
１ｆ＝−１／２ｔｅ−ａ
第１表の結果より明らかなように、この発明による誘電
体磁器組成物は、共振周波数の温度係数は、０近傍から
一８０ｐｐｍ／”Ｃ付近まで広く、低損失、高誘電率材
料であることが分る。
体磁器組成物は、共振周波数の温度係数は、０近傍から
一８０ｐｐｍ／”Ｃ付近まで広く、低損失、高誘電率材
料であることが分る。
以下余白
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基本組成を ＸＣａＯ−ＹＧａ＿２Ｏ＿３−ＺＴａ＿２Ｏ＿５ と表し、組成範囲を限定するＸ，Ｙ，Ｚが下記式で囲ま
れる組成からなることを特徴とする電子デバイス用誘電
体磁器組成物。 Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００（％） ６２≦Ｘ≦７５．０（％） ４≦Ｙ≦３０（％） １０．０≦Ｚ≦２１（％）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1044964A JPH02225365A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1044964A JPH02225365A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02225365A true JPH02225365A (ja) | 1990-09-07 |
| JPH0581549B2 JPH0581549B2 (ja) | 1993-11-15 |
Family
ID=12706172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1044964A Granted JPH02225365A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02225365A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110511028A (zh) * | 2019-09-03 | 2019-11-29 | 浙江大学 | 超低损耗微波介质陶瓷 |
-
1989
- 1989-02-23 JP JP1044964A patent/JPH02225365A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110511028A (zh) * | 2019-09-03 | 2019-11-29 | 浙江大学 | 超低损耗微波介质陶瓷 |
| CN110511028B (zh) * | 2019-09-03 | 2020-11-03 | 浙江大学 | 超低损耗微波介质陶瓷 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0581549B2 (ja) | 1993-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7397332B2 (en) | High-frequency dielectric ceramic composition, dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer, and communication apparatus | |
| US6380117B2 (en) | Dielectric material and process for producing the same | |
| JP4609744B2 (ja) | マイクロ波用誘電体磁器組成物 | |
| JP2515611B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| US5013695A (en) | Dielectric ceramic composition | |
| JP2736439B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH02225365A (ja) | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 | |
| US20030032546A1 (en) | Dielectric ceramic composition for microwave use | |
| JP3843176B2 (ja) | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 | |
| JPH02285616A (ja) | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 | |
| JPH03295855A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2003146752A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH03290358A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2684248B2 (ja) | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 | |
| JPH0680467A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06333426A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JPH02107550A (ja) | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 | |
| JP2684255B2 (ja) | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 | |
| KR100234018B1 (ko) | Catio₃＋ca（mg⅓nb⅔）o₃계 고주파용 유전체 세라믹 조성물 | |
| JPH02107551A (ja) | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 | |
| JPH03290359A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| KR100234020B1 (ko) | Catio₃＋ca（mg⅓ta⅔）o₃계 고주파용 유전체 세라믹 조성물 | |
| KR19990053775A (ko) | （１－ｘ）｛（１－ｙ）ＣａＴｉＯ₃＋ｙＣａＺｒＯ₃｝＋ｘＣａ（Ｍｇ⅓Ｎｂ⅔）Ｏ₃계 고주파용 유전체 세라믹 조성물 | |
| KR0162873B1 (ko) | 고주파용 유전체 자기 조성물 | |
| JPH02107552A (ja) | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071115 Year of fee payment: 14 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081115 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091115 Year of fee payment: 16 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091115 Year of fee payment: 16 |