JPH02223120A - 圧力スイッチ - Google Patents
圧力スイッチInfo
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- JPH02223120A JPH02223120A JP4441389A JP4441389A JPH02223120A JP H02223120 A JPH02223120 A JP H02223120A JP 4441389 A JP4441389 A JP 4441389A JP 4441389 A JP4441389 A JP 4441389A JP H02223120 A JPH02223120 A JP H02223120A
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- diaphragm
- pressure switch
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Landscapes
- Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、流体の圧力を電気的に検出する圧力スイッチ
に関する。
に関する。
従来の技術
典型的な先行技術は、簡略化して第5図に示されている
。都市ガスなどの検出すべきガスが導かれるガス室1を
形成するケーシング2には、ダイアフラム3が設けられ
、このダイアフラム3には突起4が固定される。ガス室
1内の圧力が正常な高い値であるときには、スイッチ5
の可動接点6は固定接点7から離間しており、ガス室1
の圧力が低下すると、可動接点6が固定接点7に当接し
て電気的導通が行われる。可動接点6と固定接点7との
導通によって、ガスを供給する通路に介在された遮断弁
を遮断して安全性を確保する。
。都市ガスなどの検出すべきガスが導かれるガス室1を
形成するケーシング2には、ダイアフラム3が設けられ
、このダイアフラム3には突起4が固定される。ガス室
1内の圧力が正常な高い値であるときには、スイッチ5
の可動接点6は固定接点7から離間しており、ガス室1
の圧力が低下すると、可動接点6が固定接点7に当接し
て電気的導通が行われる。可動接点6と固定接点7との
導通によって、ガスを供給する通路に介在された遮断弁
を遮断して安全性を確保する。
発明が解決しようとする課題
このような先行技術では、可動接点6を機械的に駆動す
るためのダイアフラム3の変位量が大きくなければなら
ず、また低い圧力でダイアフラム3が確実に変位するに
は、そのダイアフラム3の受圧面積が大きくなければな
らない、したがって構成が大形化する。また、このよう
な先行技術では精密な板金加工および機械加工が不可欠
であり、量産性に欠けるとともに、比較的高価になる。
るためのダイアフラム3の変位量が大きくなければなら
ず、また低い圧力でダイアフラム3が確実に変位するに
は、そのダイアフラム3の受圧面積が大きくなければな
らない、したがって構成が大形化する。また、このよう
な先行技術では精密な板金加工および機械加工が不可欠
であり、量産性に欠けるとともに、比較的高価になる。
本発明の目的は、小形化が可能であり、構成が簡単であ
り、量産性に優れてい4圧カスイツチを提供することで
ある。
り、量産性に優れてい4圧カスイツチを提供することで
ある。
課題を解決するための手段
本発明は、通気のための貫通孔を有する電気絶縁性基板
と、 前記基板の一方表面に形成される接点と、通気孔と接点
とを覆うように形成された導電性および強磁性を有する
ダイアフラムと、前記基板に固定され、ダイアフラムに
、接点の近接方向にまたは離反方向に磁力を与える永久
磁石片とを含むことを特徴とする圧力スイッチである。
と、 前記基板の一方表面に形成される接点と、通気孔と接点
とを覆うように形成された導電性および強磁性を有する
ダイアフラムと、前記基板に固定され、ダイアフラムに
、接点の近接方向にまたは離反方向に磁力を与える永久
磁石片とを含むことを特徴とする圧力スイッチである。
作 用
本発明に従えば、ダイアフラムは導電性であり、そのダ
イアフラムの両側の圧力差によって、ダイアフラムはダ
イアフラムと永久磁石片との磁気吸引力または磁気反発
力に抗して変位し、ダイアフラムは前記絶縁性基板上の
接点と当接して導通し、または離間する。このような構
成は直重であり、小形化が可能であり、また精密な板金
加工や機械加工が必要ではなく、I産性に優れている。
イアフラムの両側の圧力差によって、ダイアフラムはダ
イアフラムと永久磁石片との磁気吸引力または磁気反発
力に抗して変位し、ダイアフラムは前記絶縁性基板上の
接点と当接して導通し、または離間する。このような構
成は直重であり、小形化が可能であり、また精密な板金
加工や機械加工が必要ではなく、I産性に優れている。
実施例
第1図は、本発明の一実施例の断面図である。
都市ガスを供給するガスメータの流量を測定する計量箱
10には、本発明に従う圧力スイッチ11が設けられる
。Siなどからなる半導体基板12上には、5i02で
ある電気絶縁性酸化膜の第1被覆7113を形成して基
板14を構成する。基板14には、エツチングによって
通気孔15が形成され、この通気孔15は計量箱10に
形成される通気孔16を介してガスが供給される計量箱
10内に開放している。この第1被覆層13上には、接
点17と、その接点17に連なって接続される導体18
とが形成される。接点17と導体18とはpt薄膜を蒸
着技術によって形成する。
10には、本発明に従う圧力スイッチ11が設けられる
。Siなどからなる半導体基板12上には、5i02で
ある電気絶縁性酸化膜の第1被覆7113を形成して基
板14を構成する。基板14には、エツチングによって
通気孔15が形成され、この通気孔15は計量箱10に
形成される通気孔16を介してガスが供給される計量箱
10内に開放している。この第1被覆層13上には、接
点17と、その接点17に連なって接続される導体18
とが形成される。接点17と導体18とはpt薄膜を蒸
着技術によって形成する。
この導体18上には、Sin、などの電気絶縁性第2被
覆層19の薄膜を化学気相成長(略称CVD)法によっ
て形成する。第1被覆Jil13および第2被覆層19
上には、導電性ダイアフラム20が接着などによって固
定される。このダイアフラム20は、強磁性かつ導電性
を有する金属製であり、たとえば、Ni上にptを蒸着
して積層した構成を有していてもよく、また鉄板上にp
tを積層した構成でもよく、また鉄とNiの合金であっ
てもよい。
覆層19の薄膜を化学気相成長(略称CVD)法によっ
て形成する。第1被覆Jil13および第2被覆層19
上には、導電性ダイアフラム20が接着などによって固
定される。このダイアフラム20は、強磁性かつ導電性
を有する金属製であり、たとえば、Ni上にptを蒸着
して積層した構成を有していてもよく、また鉄板上にp
tを積層した構成でもよく、また鉄とNiの合金であっ
てもよい。
永久磁石片34は、半導体基板本体12の接点17とは
反対側に固定されており、第1図の上下方向に磁極が形
成されて磁化される。この永久磁石片34の磁力によっ
て、ダイアフラム20の変位部21は接点17に、自然
状態で弾発的に磁気吸引される。
反対側に固定されており、第1図の上下方向に磁極が形
成されて磁化される。この永久磁石片34の磁力によっ
て、ダイアフラム20の変位部21は接点17に、自然
状態で弾発的に磁気吸引される。
計JillO内のガスの圧力の上昇によって、正常時に
、変位部21は接点17から第1図のように離間して電
気的に遮断している。ダイアフラム20の変位部21の
外周に連なる取付部22は、通気孔15と接点17とを
外囲して、前述のように第1波贋層13と第2被覆層1
9との上に接着などによって固定される°。
、変位部21は接点17から第1図のように離間して電
気的に遮断している。ダイアフラム20の変位部21の
外周に連なる取付部22は、通気孔15と接点17とを
外囲して、前述のように第1波贋層13と第2被覆層1
9との上に接着などによって固定される°。
第2図は、第2被覆層19とダイアフラム20とを省略
した基板14の平面図である。導体18の端部18aと
、ダイアフラム20の取付部22上の接続部22aには
、リード線23.24が第1図で示されるように接続さ
れる。第1および第2被覆層13.19は、SiN4で
あってもよく、またAINであってもよく、その他の電
気絶縁性材料であってもよい。
した基板14の平面図である。導体18の端部18aと
、ダイアフラム20の取付部22上の接続部22aには
、リード線23.24が第1図で示されるように接続さ
れる。第1および第2被覆層13.19は、SiN4で
あってもよく、またAINであってもよく、その他の電
気絶縁性材料であってもよい。
リード線23は、電界効果トランジスタ25のゲート電
極26に接続される。この電界効果トランジスタ25は
、半導体基板本I*12に形成されることによって、構
成が小形化されるけれども、基板14とは別の半導体基
板に構成されてもよい。
極26に接続される。この電界効果トランジスタ25は
、半導体基板本I*12に形成されることによって、構
成が小形化されるけれども、基板14とは別の半導体基
板に構成されてもよい。
第3図を参照して、圧力スイッチ11の動作を説明する
。計量箱10内のガスの圧力が正常であって、大きな値
を有しているときには、ダイアフラム20は第3[1(
2)で示されているように永久磁石片34の磁気吸引力
に抗して、その変位部21が接点17から離間し、電気
的に遮断して、電界効果トランジスタ25は導通する。
。計量箱10内のガスの圧力が正常であって、大きな値
を有しているときには、ダイアフラム20は第3[1(
2)で示されているように永久磁石片34の磁気吸引力
に抗して、その変位部21が接点17から離間し、電気
的に遮断して、電界効果トランジスタ25は導通する。
計量箱10内のガス圧力が低下すると、第3図(1)で
示されるように永久磁石片34の磁気吸引力によって、
ダイアフラム20の変位部21は接点17に当接して電
気的に導通する。これによって電界効果トランジスタ2
5は遮断する。
示されるように永久磁石片34の磁気吸引力によって、
ダイアフラム20の変位部21は接点17に当接して電
気的に導通する。これによって電界効果トランジスタ2
5は遮断する。
第4図を参照して、都市ガスは管路27から遮@弁30
を介してガスメータ28に供給され、そのガスメータ2
8に設けられている計1箱10に導かれ、流盈が計測さ
れる。ガスメータ28からのガスは管路29からガス燃
焼機器31に供給される。ガスメータ28の上部に、制
御部32を設け、この中に少なくともマイクロコンピュ
ータ33、圧力スイッチ11を組込む、マイクロコンピ
ュータ33は、電界効果トランジスタ25の出力に応答
し、その電界効果トランジスタ25が遮断したとき、す
なわち計量箱1.0内のガスの圧力が低下したとき、遮
断弁30を閏じて、ガスの立ち消えによる事故を防止し
て安全性を確保する。この他に、!vJ御部32の中に
過流量センサ35、感震器36などを組込み、ガス流量
が異常に多いときや地震が起こったとき、遮断弁30を
閉じて、事故を防止して安全を確保することもできる。
を介してガスメータ28に供給され、そのガスメータ2
8に設けられている計1箱10に導かれ、流盈が計測さ
れる。ガスメータ28からのガスは管路29からガス燃
焼機器31に供給される。ガスメータ28の上部に、制
御部32を設け、この中に少なくともマイクロコンピュ
ータ33、圧力スイッチ11を組込む、マイクロコンピ
ュータ33は、電界効果トランジスタ25の出力に応答
し、その電界効果トランジスタ25が遮断したとき、す
なわち計量箱1.0内のガスの圧力が低下したとき、遮
断弁30を閏じて、ガスの立ち消えによる事故を防止し
て安全性を確保する。この他に、!vJ御部32の中に
過流量センサ35、感震器36などを組込み、ガス流量
が異常に多いときや地震が起こったとき、遮断弁30を
閉じて、事故を防止して安全を確保することもできる。
本発明はガスの圧力を検出するだけでなく、気体および
粉粒体の圧力を検出するようにしてもよい。
粉粒体の圧力を検出するようにしてもよい。
本発明の他の実施例として、ダイアフラム20の少なく
とも変位部21には厚み方向に磁極を有するように予め
磁化してもよい、このようにダイアフラム20の少なく
とも変位部21を磁化した場合、その変位部21と永久
磁石片34とが相互の離反方向に磁気反発力を生じるよ
うに、変位部21と永久磁石片34との相互に対向する
磁極を同一となるように構成してしよく、この場き、通
気孔15側のガスの圧力がそのダイアフラム20の通気
孔15と反対側の大気圧に比べて小さくなり、これによ
って接点17と変位部21とが当接して電気的導通が達
成される。
とも変位部21には厚み方向に磁極を有するように予め
磁化してもよい、このようにダイアフラム20の少なく
とも変位部21を磁化した場合、その変位部21と永久
磁石片34とが相互の離反方向に磁気反発力を生じるよ
うに、変位部21と永久磁石片34との相互に対向する
磁極を同一となるように構成してしよく、この場き、通
気孔15側のガスの圧力がそのダイアフラム20の通気
孔15と反対側の大気圧に比べて小さくなり、これによ
って接点17と変位部21とが当接して電気的導通が達
成される。
発明の効果
以上のように本発明によれば、構成が小形化され、構成
が簡単であり、先行技術に関連して述べた精密な板金加
工および機械加工を必要とせず、量産性が優れた圧力ス
イッチが実現される。
が簡単であり、先行技術に関連して述べた精密な板金加
工および機械加工を必要とせず、量産性が優れた圧力ス
イッチが実現される。
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は基板14
と接点17を示す関連化した平面図、第3図は圧力スイ
ッチ11の動作を説明するための断面図、第4図は圧力
スイッチ11に関連する構成を示すブロック図、第5図
は先行技術の簡略化した断面図である。 11・・圧力スイッチ、12・・半導体基板本体、13
−・・第1 被ff M、14−・・基板、15.16
−通気孔、17・・・接点、18・・・導体、1つ・・
・第2被覆層、20・・・ダイアフラム、21・・・変
位部1,22・・・取付部 代理人 弁理士 西教 圭一部 第 1 図 第 図 第 図 +マ 第 図 第 図
と接点17を示す関連化した平面図、第3図は圧力スイ
ッチ11の動作を説明するための断面図、第4図は圧力
スイッチ11に関連する構成を示すブロック図、第5図
は先行技術の簡略化した断面図である。 11・・圧力スイッチ、12・・半導体基板本体、13
−・・第1 被ff M、14−・・基板、15.16
−通気孔、17・・・接点、18・・・導体、1つ・・
・第2被覆層、20・・・ダイアフラム、21・・・変
位部1,22・・・取付部 代理人 弁理士 西教 圭一部 第 1 図 第 図 第 図 +マ 第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 通気のための貫通孔を有する電気絶縁性基板と、前記基
板の一方表面に形成される接点と、 通気孔と接点とを覆うように形成された導電性および強
磁性を有するダイアフラムと、 前記基板に固定され、ダイアフラムに、接点の近接方向
にまたは離反方向に磁力を与える永久磁石片とを含むこ
とを特徴とする圧力スイッチ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4441389A JPH02223120A (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | 圧力スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4441389A JPH02223120A (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | 圧力スイッチ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02223120A true JPH02223120A (ja) | 1990-09-05 |
Family
ID=12690816
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4441389A Pending JPH02223120A (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | 圧力スイッチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02223120A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7157653B1 (en) | 2005-09-20 | 2007-01-02 | Deltrol Controls | Magnetic latching switch |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4926762A (ja) * | 1972-07-05 | 1974-03-09 | ||
JPS4957377A (ja) * | 1972-10-02 | 1974-06-04 |
-
1989
- 1989-02-22 JP JP4441389A patent/JPH02223120A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4926762A (ja) * | 1972-07-05 | 1974-03-09 | ||
JPS4957377A (ja) * | 1972-10-02 | 1974-06-04 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7157653B1 (en) | 2005-09-20 | 2007-01-02 | Deltrol Controls | Magnetic latching switch |
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