JPH02218173A - Photoconductive infrared ray detecting element - Google Patents
Photoconductive infrared ray detecting elementInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
水１艮・カドミウム・テルル
ｅ）のエピタキシャル結晶を用いて構成される光電感型
の赤外線検知素子に関し、
工数を削減して、歩留りを向上できるようにすることを
目的とし、
エピタキシャル基板上に、水銀・カドミウム・テルル（
Ｈｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ）からなる第１、第２、第３
のエピタキシャル層を順次積層してなり、前記カドミウ
ムと水銀の配合比（ｘ）を前記第３のエピタキシャル層
よりも前記第１のエピタキシャル層で小さく、かつ前記
第２のエピタキシャル層で大きくすることで、前記第１
、第２、第３のエピタキシャル層をそれぞれ遮光用、絶
縁用、受光素子用とするように構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] The present invention relates to a photoelectric-sensitive infrared sensing element constructed using an epitaxial crystal of water, cadmium, and tellurium, which reduces man-hours and improves yield. Mercury, cadmium, tellurium (
Hg+-x Cdx Te)
epitaxial layers are sequentially laminated, and the compounding ratio (x) of cadmium and mercury is made smaller in the first epitaxial layer and larger in the second epitaxial layer than in the third epitaxial layer. , said first
, the second and third epitaxial layers are configured to be used for light shielding, insulation, and light receiving element, respectively.
本発明は、水銀・カドミウム・テルル（Ｈｇ＋−ｘＣｄ
ｘＴｅ）のエピタキシャル結晶を用いて構成される光電
感型の赤外線検知素子に関する。The present invention is based on mercury, cadmium, tellurium (Hg+-xCd).
The present invention relates to a photoelectric-sensitive infrared sensing element constructed using an epitaxial crystal of (xTe).
従来、ＨｇＣｄＴｅのエピタキシャル結晶を用いた光電
導型赤外線検知素子は、第４図に示すように構成されて
いる。Conventionally, a photoconductive infrared sensing element using an epitaxial crystal of HgCdTe is constructed as shown in FIG.
同図において、サファイアでできた基板１上に遮光膜２
が設けられ、更にその上に、受光素子としてのＨｇＣｄ
Ｔｅのエピタキシャル層３が接着剤４により貼り付けら
れている。そして、上記エピタキシャル層３の表面には
、受光部５を除いて電極６が形成されている。ここで、
上記の遮光膜２を設ける必要があるのは、エピタキシャ
ル層３間にできている隙間７から素子内部に侵入した光
が基板ｌの底面で反射し、これが迷光となってエピタキ
シャル層３に吸収されることによる光学クロストーク特
性の劣化を防止するためである。In the figure, a light shielding film 2 is placed on a substrate 1 made of sapphire.
is provided, and furthermore, HgCd as a light receiving element is provided thereon.
A Te epitaxial layer 3 is attached with an adhesive 4. Electrodes 6 are formed on the surface of the epitaxial layer 3 except for the light receiving section 5. here,
The reason why it is necessary to provide the above-mentioned light-shielding film 2 is that light that enters the inside of the device through the gap 7 formed between the epitaxial layers 3 is reflected at the bottom surface of the substrate l, and this becomes stray light and is absorbed by the epitaxial layer 3. This is to prevent deterioration of optical crosstalk characteristics due to
このような構成の赤外線検知素子を製造するには、まず
、第５図（ａ）に示すようにＣｄＴｅ （もしくはＣｄ
ＺｎＴｅ）のエピタキシャル基板８上にＨｇＣｄＴｅの
エピタキシャル層３を数十μｍ程度の厚さに成長させた
後、このエピタキシャル層３を研磨により厚さ１０μｍ
程度まで薄層化する。To manufacture an infrared sensing element with such a configuration, first, as shown in FIG. 5(a), CdTe (or Cd
After growing an epitaxial layer 3 of HgCdTe to a thickness of about several tens of μm on an epitaxial substrate 8 of ZnTe, this epitaxial layer 3 is polished to a thickness of 10 μm.
Thin the layer to a certain extent.
続いて、第５図（ｂ）に示すように、サファイアの基板
１上に真空蒸着等で薄く遮光膜２を形成した後、この上
に、上記エピタキシャル層３を下側にエピタキシャル基
板８を上側にして、接着剤４で貼り付ける。その後、最
上面にあるＣｄＴｅのエピタキシャル基板８を研磨で除
去して、第５図（Ｃ）に示すようにエピタキシャル層３
を露出させ、このエピタキシャル層３に対し選択的にエ
ツチングを施すことにより、第４図に示したような形状
にパターニングする。そして最後に、エピタキシャル層
３の表面に、真空蒸着等により電極６を形成する。Subsequently, as shown in FIG. 5(b), after forming a thin light-shielding film 2 on the sapphire substrate 1 by vacuum evaporation or the like, the epitaxial layer 3 is placed on the lower side and the epitaxial substrate 8 is placed on the upper side. and paste it with adhesive 4. Thereafter, the CdTe epitaxial substrate 8 on the uppermost surface is removed by polishing, and the epitaxial layer 3 is formed as shown in FIG. 5(C).
By exposing the epitaxial layer 3 and selectively etching it, it is patterned into the shape shown in FIG. Finally, an electrode 6 is formed on the surface of the epitaxial layer 3 by vacuum evaporation or the like.
上記従来の赤外線検知素子では、第５図に示したエピタ
キシャル基板８をそのまま素子の基板として使用せずに
、第４図に示したように別個の基板１を用意し、この上
にエピタキシャル層３を接着した構造としている。これ
は、もしＣｄＴｅのエピタキシャル基板８をそのまま素
子の基板として使用したとすると、その上のエピタキシ
ャル層３との間に第４図に示したような遮光膜２を形成
することが不可能なので、どうしても第６図に示すよう
に素子内部で迷光ｌが生じてしまい、これが光学クロス
トーク特性を劣化させる原因となるからである。In the conventional infrared sensing element described above, the epitaxial substrate 8 shown in FIG. 5 is not used as it is as the element substrate, but a separate substrate 1 is prepared as shown in FIG. 4, and an epitaxial layer 3 is formed on this. It has a structure in which it is glued together. This is because if the CdTe epitaxial substrate 8 were to be used as it is as a device substrate, it would be impossible to form the light shielding film 2 as shown in FIG. 4 between it and the epitaxial layer 3 above it. This is because stray light L inevitably occurs inside the element as shown in FIG. 6, which causes deterioration of the optical crosstalk characteristics.
そのため、上記従来の検知素子を製造するためには、上
述したようにエピタキシャル層３を研磨して薄層化する
工程、サファイアの基板１上にエピタキシャル層３を接
着する工程、及びＣｄＴｅのエピタキシャル基板８を全
て研磨で除去する工程等が必要になることから、全体の
工数が非常に多くなり、歩留り低下の原因になるという
問題点があった。Therefore, in order to manufacture the above-mentioned conventional sensing element, the steps of polishing the epitaxial layer 3 to make it thinner as described above, bonding the epitaxial layer 3 onto the sapphire substrate 1, and forming the CdTe epitaxial substrate. Since it is necessary to perform a process of removing all of 8 by polishing, there is a problem that the total number of steps becomes extremely large, which causes a decrease in yield.
本発明は、工数を削減して、歩留りを向上させることの
できる光電導型赤外線検知素子を提供することを目的と
する。An object of the present invention is to provide a photoconductive infrared sensing element that can reduce the number of man-hours and improve yield.
（課題を解決するための手段）
本発明の赤外線検知素子は、エピタキシャル基板をその
まま素子の基板として使用できるように、遮光膜と絶縁
膜の働きをするエピタキシャル層を追加して、多層エピ
タキシャル構造としたものである。すなわち、エピタキ
シャル基板上に、水銀・カドミウム・テルルＣＨｇ＋−
ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ）からなる第１、第２、第３のエピタ
キシャル層を順次積層した構造とし、カドミウムと水銀
の配合比（ｘ）を第３のエピタキシャル層よりも第１の
エピタキシャル層で小さくし、かつ第３のエピタキシャ
ル層よりも第２のエピタキシャル層で大きくすることで
、これら第１、第２、第３のエピタキシャル層をそれぞ
れ遮光用、絶縁用、受光素子用としたものである。(Means for Solving the Problems) The infrared sensing element of the present invention has a multilayer epitaxial structure by adding an epitaxial layer that functions as a light shielding film and an insulating film so that the epitaxial substrate can be used as the element substrate as it is. This is what I did. That is, on the epitaxial substrate, mercury, cadmium, tellurium CHg+-
A structure in which first, second, and third epitaxial layers made of (x Cd In addition, by making the second epitaxial layer larger than the third epitaxial layer, these first, second, and third epitaxial layers are used for light shielding, insulation, and light receiving element, respectively.
水銀・カドミウム・テルル（Ｈｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ
）は、そのカドミウムと水銀の配合比であるＸ値を変化
させると、それに伴って応答波長と比抵抗が変化し、す
なわちＸ値が大きいほど応答波長が短く、かつ比抵抗が
高くなる。本発明は、この特性を利用している。Mercury, cadmium, tellurium (Hg+-x Cdx Te
), when the X value, which is the compounding ratio of cadmium and mercury, is changed, the response wavelength and specific resistance change accordingly. That is, the larger the X value, the shorter the response wavelength and the higher the specific resistance. The present invention takes advantage of this property.
上述したように、受光素子となる第３のエピタキシャル
層（最上層）よりも第１のエピタキシャル層のＸ値を小
さくすると、第１のエピタキシャル層の応答波長が第３
のエピタキシャル層よりも長くなる。すると、第１のエ
ピタキシャル層で吸収可能な光がその隙間を縫って内部
に侵入した場合であっても、この侵入光は全て第１のエ
ピタキシャル層で吸収されてしまい、迷光となることが
ない。すなわち、第１のエピタキシャル層が遮光膜とし
て作用する。As mentioned above, when the X value of the first epitaxial layer is made smaller than that of the third epitaxial layer (top layer) which becomes the light receiving element, the response wavelength of the first epitaxial layer becomes the third epitaxial layer.
epitaxial layer. Then, even if light that can be absorbed by the first epitaxial layer enters the interior through the gap, all of this intruding light will be absorbed by the first epitaxial layer and will not become stray light. . That is, the first epitaxial layer acts as a light shielding film.
このように第１のエピタキシャル層のＸ値を小さくする
と、それに伴って比抵抗が小さくなり、受光素子として
の第３のエピタキシャル層をショートさせるおそれがあ
る。そこで、第１のエピタキシャル層と第３のエピタキ
シャル層の間に第２のエピタキシャル層を設け、そのＸ
値を第３のエピタキシャル層よりも大きくしである。こ
れにより、第２のエピタキシャル層は比抵抗が大きくな
り、上記ショートを防止する絶縁膜として作用する。When the X value of the first epitaxial layer is reduced in this manner, the specific resistance is reduced accordingly, and there is a possibility that the third epitaxial layer as a light receiving element may be short-circuited. Therefore, a second epitaxial layer is provided between the first epitaxial layer and the third epitaxial layer, and the
This value is larger than that of the third epitaxial layer. As a result, the second epitaxial layer has a large resistivity and acts as an insulating film that prevents the above-mentioned short circuit.
以上の構成からなる赤外線検知素子によれば、あえて従
来のように遮光膜を設けなくとも、エピタキシャル結晶
内部で、迷光による光学クロストーク特性の劣化を防止
することができる。According to the infrared sensing element having the above configuration, it is possible to prevent deterioration of optical crosstalk characteristics due to stray light inside the epitaxial crystal without intentionally providing a light shielding film as in the conventional case.
従って、エピタキシャル基板をそのまま素子の基板とし
て使用することができるようになり、これに伴って、従
来必要だった多（の製造工程を除去できるようになり、
歩留りの向上が実現される。Therefore, it is now possible to use the epitaxial substrate as it is as a device substrate, and along with this, it has become possible to eliminate the multiple manufacturing steps that were previously required.
An improvement in yield is realized.
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図は、本発明の一実施例に係る光電導型赤外線検知
素子の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a photoconductive infrared sensing element according to an embodiment of the present invention.
同図において、ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅ等でできた厚さ
８００ｕｍ程度のエピタキシャル基板１０上に、いずれ
もＨｇＩ−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅからなる第１、第２、第３
のエピタキシャル層１１．１２．１３がそれぞれ厚さ１
〜３μｍ、１〜３μｍ２１０μｍ程度に順次積層された
多層エピタキシャル構造となっている。そして、第３の
エピタキシャル層１３は、受光素子として所定の形状に
パターニングされており、その表面には、５０μｍ×５
０μｍ程度の広さの受光部１４を除いて電極１５が形成
されている。In the figure, on an epitaxial substrate 10 made of CdTe, CdZnTe, etc. and having a thickness of about 800 um, first, second, and third layers made of HgI-x Cdx Te are formed.
epitaxial layers 11, 12, 13 each have a thickness of 1
It has a multilayer epitaxial structure in which layers are sequentially stacked to a thickness of ~3 μm, 1 to 3 μm, and 210 μm. The third epitaxial layer 13 is patterned into a predetermined shape as a light-receiving element, and its surface has a 50 μm×5
Electrodes 15 are formed except for the light receiving part 14, which has a width of about 0 μm.
更に、上記第１、第２、第３のエピタキシャル層１１、
工２．１３の組成を決定するカドミウムと水銀の配合比
（ＨｇＩ−ｘ Ｃｄｘ ＴｅのＸ値）をそれぞれＸＩ
、Ｘｚ 、ＸＺ とすると、これらが以下の関係を満足
するように設定しである。Furthermore, the first, second and third epitaxial layers 11,
The compounding ratio of cadmium and mercury (X value of HgI-x Cdx Te) that determines the composition of Step 2.13 is determined by XI, respectively.
, Xz, and XZ, these are set so that they satisfy the following relationship.
ＸＺ ＞ＸＺ＞Ｘ。XZ ＞XZ＞X.
すなわち、受光素子としての第３のエピタキシャル層１
３のＸ値（ｘ３）よりも第１のエピタキシャル層１１の
Ｘ値（ｘ、）を小さ（すると共に、第３のエピタキシャ
ル層１３のＸ値（χ３）よりも第２のエピタキシャルＦ
Ｊ１２のＸ値（ｘ２）を大きくしである。例えば、Ｘｚ
＝０．２の場合は、ＸＩ ＝０．１５程度、Ｘｚ＝０．
５〜１．０程度となるようにする。That is, the third epitaxial layer 1 as a light receiving element
The X value (x, ) of the first epitaxial layer 11 is smaller than the X value (x3) of the third epitaxial layer 13 (and the second epitaxial layer F
This is done by increasing the X value (x2) of J12. For example, Xz
= 0.2, XI = about 0.15, Xz = 0.
It should be about 5 to 1.0.
前述したように、ＨｇＩ−ｘ Ｃｄｚ Ｔｅは、そのＸ
値が大きいほど応答波長が短く、かつ比抵抗が高くなる
という特性を有している。このことから、上記のように
ＸＺよりもｘ、の値を小さくすると、第１のエピタキシ
ャル層１１の応答波長が第３のエピタキシャル層１３よ
りも長くなる。すなわち、第２図に示すように波長領域
Ａ、Ｂ、Ｃ（Ａ＜Ｂ＜Ｃ）を考え、第３のエピタキシャ
ル層１３の応答波長が領域ＡまでとなるようにＸＺを設
定した場合、これに対しｘＩをｘ３よりも小さく設定す
ることにより、第１のエピタキシャル層１１の応答波長
を領域Ａよりも長い領域Ｂまでとすることができ、よっ
て第３のエピタキシャル層１３で吸収可能な全ての波長
を吸収できるようになる。例えばＸｓ ＝０．２とした
第３のエピタキシャル層１３の応答波長は１０μｍ帯ま
でであるが、Ｘ＋＝０゜１５と小さ（した第１のエピタ
キシャル層１１の応答波長は数十μｍ以上と長くなる。As mentioned above, HgI-x Cdz Te is
It has the characteristics that the larger the value, the shorter the response wavelength and the higher the specific resistance. From this, when the value of x is smaller than XZ as described above, the response wavelength of the first epitaxial layer 11 becomes longer than that of the third epitaxial layer 13. In other words, considering wavelength regions A, B, and C (A<B<C) as shown in FIG. 2, and setting XZ so that the response wavelength of the third epitaxial layer 13 is up to region A, this By setting xI smaller than x3, the response wavelength of the first epitaxial layer 11 can be extended to region B, which is longer than region A. Therefore, all the wavelengths that can be absorbed by the third epitaxial layer 13 can be Be able to absorb wavelengths. For example, the response wavelength of the third epitaxial layer 13 with Xs = 0.2 is up to the 10 μm band, but the response wavelength of the first epitaxial layer 11 with X+ = 0°15 is as long as several tens of μm or more. Become.
一方、ＸＺよりもｘ２の値を大きくすると、第２のエピ
タキシャル層１２の応答波長が第３の工ピタキシャル層
１３よりも短くなる。すなわち、第２図において、ｘ２
をｘ３よりも大きく設定することにより、第２のエピタ
キシャル層１２の応答波長を領域Ａよりも短い領域まで
とすることができ、よって第３のエピタキシャル層１３
で吸収可能な全ての光を透過するようになる。On the other hand, when the value of x2 is made larger than XZ, the response wavelength of the second epitaxial layer 12 becomes shorter than that of the third epitaxial layer 13. That is, in Fig. 2, x2
By setting x3 to be larger than x3, the response wavelength of the second epitaxial layer 12 can be made to a region shorter than region A, and therefore
All the light that can be absorbed will be transmitted.
これらのことから、第１図に示すように、第３のエピタ
キシャル層１３の隙間１６を通って赤外光りが入射した
場合、第２のエピタキシャル層１２は波長領域Ａ、Ｂ、
Ｃ（第２図参照）の全ての光を透過するが、その下の第
１のエピタキシャル層１１が波長領域Ａ、Ｂの光を吸収
する遮光膜として働く。そのため、エピタキシャル基板
１０の内部には、波長領域Ｃの光のみが入射する。この
光がエピタキシャル基Ｆｉ１０の底面で反射した場合で
も、領域Ｃの光は検知素子である第３のエピタキシャル
層１３で吸収されないので、この光は迷光とならず、よ
って迷光によるクロストーク特性の劣化は防止される。From these facts, as shown in FIG. 1, when infrared light enters through the gap 16 of the third epitaxial layer 13, the second epitaxial layer 12 is exposed to wavelength ranges A, B,
The first epitaxial layer 11 underneath acts as a light-shielding film that absorbs light in the wavelength ranges A and B, while transmitting all the light in wavelength ranges A and B (see FIG. 2). Therefore, only light in the wavelength region C enters the inside of the epitaxial substrate 10. Even if this light is reflected by the bottom surface of the epitaxial group Fi10, the light in the region C is not absorbed by the third epitaxial layer 13, which is a detection element, so this light does not become stray light, and therefore the crosstalk characteristics deteriorate due to stray light. is prevented.
ここで、上記のようにＸｌの値を小さくすると、それに
伴って第１のエピタキシャル層１１の比抵抗が小さくな
るが、この第１のエピタキシャル層１１と第３のエピタ
キシャル層１３との間に、ｘ２の大きな、すなわち比抵
抗の大きな第２のエピタキシャル層１２が絶縁膜として
存在するので、第３のエピタキシャル層１３が第１のエ
ピタキシャル層１１によりシゴートしてしまうというこ
とはない。Here, when the value of Xl is decreased as described above, the resistivity of the first epitaxial layer 11 is decreased accordingly, but between the first epitaxial layer 11 and the third epitaxial layer 13, Since the second epitaxial layer 12 with a large x2, that is, a large specific resistance exists as an insulating film, the third epitaxial layer 13 is not displaced by the first epitaxial layer 11.
以上のことから、上記構成の赤外線検知素子によれば、
受光素子としての第３のエピタキシャル層１３に対して
、第１のエピタキシャル層１１が遮光膜として作用し、
第２のエピタキシャル層１２が絶縁膜として作用するの
で、エピタキシャル結晶の内部において、迷光による光
学クロストーク特性の劣化を防止することができる。From the above, according to the infrared sensing element with the above configuration,
The first epitaxial layer 11 acts as a light shielding film for the third epitaxial layer 13 as a light receiving element,
Since the second epitaxial layer 12 acts as an insulating film, deterioration of optical crosstalk characteristics due to stray light inside the epitaxial crystal can be prevented.
よって、従来のような遮光膜を必要としなくなるので、
エピタキシャル基板１０をそのまま素子の基板として使
用することができるようになる。Therefore, there is no need for a conventional light-shielding film,
The epitaxial substrate 10 can now be used as it is as a substrate for an element.
すなわち、上記構成の赤外線検知素子を製造するには、
まず第３図に示すように、ＣｄＴｅ等からなるエピタキ
シャル基板ｌＯ上に、Ｈｇ＋−ｘＣｄｘＴｅからなる第
１、第２、第３のエピタキシャル層１１．１２．１３を
、それぞれＸ値をＸＺ ＞ｘ。That is, in order to manufacture the infrared sensing element having the above configuration,
First, as shown in FIG. 3, first, second, and third epitaxial layers 11, 12, and 13 made of Hg+-xCdxTe are formed on an epitaxial substrate lO made of CdTe or the like, each with an X value of XZ>x.
＞Ｘ、となるように変えなから液相又は気相エピタキシ
ャル法により順次成長させていく、続いて、第３のエピ
タキシャル層１３に対してのみ選択的にエツチングを施
すことにより、第１図に示したような所定形状にパター
ニングする。最後に、第３のエピタキシャル層１３の表
面に、真空蒸着等により電極１５を形成する。> Pattern it into a predetermined shape as shown. Finally, the electrode 15 is formed on the surface of the third epitaxial layer 13 by vacuum evaporation or the like.
このように、本実施例の赤外線検知素子を製造する場合
には、従来のようにエピタキシャル層を研磨して薄層化
する工程、サファイアの基板上にエピタキシャル層を接
着する工程、及びＣｄＴｅのエピタキシャル基板を全て
研磨で除去する工程等が一切不要になることから、全体
の工数が非常に少な（なり、よって歩留りを著しく向上
させることができる。As described above, when manufacturing the infrared sensing element of this example, the steps of polishing the epitaxial layer to make it thin as in the conventional method, bonding the epitaxial layer onto the sapphire substrate, and CdTe epitaxial Since the process of removing the entire substrate by polishing is completely unnecessary, the total number of steps is extremely small (therefore, the yield can be significantly improved).
なお、エピタキシャル成長を気相成長で行う場合には、
エピタキシャル基板１０は、上述したＣｄＴｅやＣｄＺ
ｎＴｅ以外のものを使用することができる。In addition, when epitaxial growth is performed by vapor phase growth,
The epitaxial substrate 10 is made of the above-mentioned CdTe or CdZ.
Materials other than nTe can be used.
また、各エピタキシャル層のＸ値は、受光素子として必
要な応答波長に対応するＸｌに対して、ＸＺ＞Ｘｌ＞Ｘ
Ｉの関係を満たす範囲内でいろいろと選択することがで
きる。In addition, the X value of each epitaxial layer is XZ>Xl>X with respect to Xl corresponding to the response wavelength required as a light receiving element.
Various choices can be made within the range that satisfies the relationship I.
以上説明したように、本発明によれば、従来のように遮
光膜を設けなくとも、エピタキシャル結晶内部に遮光作
用を持たせたので、迷光による光学クロストーク特性の
劣化を防止することができる。そのため、エピタキシャ
ル基板をそのまま素子の基板として使用することができ
るようになり、これに伴って、従来必要だった多（の製
造工程を除去でき、よって、歩留りを著しく向上させる
ことができる。As described above, according to the present invention, the epitaxial crystal has a light-shielding effect inside the epitaxial crystal without providing a light-shielding film as in the conventional case, so that deterioration of optical crosstalk characteristics due to stray light can be prevented. Therefore, the epitaxial substrate can be used as it is as a substrate for an element, and along with this, the multiple manufacturing steps that were conventionally required can be eliminated, and the yield can therefore be significantly improved.
第１図は本発明の一実施例に係る光電導型赤外線検知素
子の斜視図、
第２図は同実施例に係る各エピタキシャル層における光
波長領域に対する透過と吸収の関係を示す図、
第３図は同実施例の赤外線検知素子を製造する際の一工
程で得られる多層エピタキシャル基板の斜視図、
第４図は従来の光電導型赤外線検知素子の斜視図、
第５図（ａ）〜（Ｃ）は第４図に示した従来の赤外線検
知素子の製造工程図、
第６図はエピタキシャル基板を素子の基板として使用し
た赤外線検知素子の斜視図である。
１０・・・エピタキシャル基板、
１１・・・第１のエピタキシャル層、
１２・・・第２のエピタキシャル層、
１３・・・第３のエピタキシャル層、
１４・・・受光部、
１５・・・電極。FIG. 1 is a perspective view of a photoconductive infrared sensing element according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the relationship between transmission and absorption in the light wavelength range in each epitaxial layer according to the same embodiment, and FIG. 3 The figure is a perspective view of a multilayer epitaxial substrate obtained in one step of manufacturing the infrared sensing element of the same example, Figure 4 is a perspective view of a conventional photoconductive infrared sensing element, and Figures 5 (a) to ( C) is a manufacturing process diagram of the conventional infrared sensing element shown in FIG. 4, and FIG. 6 is a perspective view of an infrared sensing element using an epitaxial substrate as the element substrate. DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... Epitaxial substrate, 11... First epitaxial layer, 12... Second epitaxial layer, 13... Third epitaxial layer, 14... Light receiving part, 15... Electrode.
Claims (1)
テルル（Ｈｇ＿１＿−＿ｘＣｄ＿ｘＴｅ）からなる第１
、第２、第３のエピタキシャル層（１１、１２、１３）
を順次積層してなり、前記カドミウムと水銀の配合比（
ｘ）を前記第３のエピタキシャル層よりも前記第１のエ
ピタキシャル層で小さく、かつ前記第２のエピタキシャ
ル層で大きくすることで、前記第１、第２、第３のエピ
タキシャル層をそれぞれ遮光用、絶縁用、受光素子用と
したことを特徴とする光電導型赤外線検知素子。On the epitaxial substrate (10), mercury, cadmium,
The first consisting of tellurium (Hg_1_−_xCd_xTe)
, second and third epitaxial layers (11, 12, 13)
are sequentially laminated, and the mixing ratio of cadmium and mercury (
x) is smaller in the first epitaxial layer than in the third epitaxial layer and larger in the second epitaxial layer, so that the first, second, and third epitaxial layers are used for light shielding, respectively; A photoconductive infrared sensing element characterized by being used for insulation and for a light receiving element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038196A JPH02218173A (en) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | Photoconductive infrared ray detecting element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038196A JPH02218173A (en) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | Photoconductive infrared ray detecting element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02218173A true JPH02218173A (en) | 1990-08-30 |
Family
ID=12518602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1038196A Pending JPH02218173A (en) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | Photoconductive infrared ray detecting element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02218173A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5241196A (en) * | 1991-10-15 | 1993-08-31 | Santa Barbara Research Center | Photoresponsive device including composition grading and recessed contacts for trapping minority carriers |
-
1989
- 1989-02-20 JP JP1038196A patent/JPH02218173A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5241196A (en) * | 1991-10-15 | 1993-08-31 | Santa Barbara Research Center | Photoresponsive device including composition grading and recessed contacts for trapping minority carriers |
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