JPH02208592A - X-ray detector for ct apparatus - Google Patents

X-ray detector for ct apparatus

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Publication number
JPH02208592A
JPH02208592A JP1027431A JP2743189A JPH02208592A JP H02208592 A JPH02208592 A JP H02208592A JP 1027431 A JP1027431 A JP 1027431A JP 2743189 A JP2743189 A JP 2743189A JP H02208592 A JPH02208592 A JP H02208592A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
scintillator
silicon photodiode
ray
scintillator material
Prior art date
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Pending
Application number
JP1027431A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tomotsune Yoshioka
智恒 吉岡
Takayuki Hayakawa
早川 孝之
Koichi Kato
紘一 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Healthcare Manufacturing Ltd
Original Assignee
Hitachi Medical Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Medical Corp filed Critical Hitachi Medical Corp
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Publication of JPH02208592A publication Critical patent/JPH02208592A/en
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Abstract

PURPOSE:To make it possible to prevent the dispersion in characteristics between detecting elements by combining a scintillator material wherein light- shielding applied film layer are formed at both end parts and a silicon photodiode (SPD) having sensitivity only at the central part in contact with the scintillator material. CONSTITUTION:An SPD 2 on a printed wiring board 4 and a scintillator material 1 are bonded 6. The scintillator material is separated with channel grooves 8 and partitioned with partitioning plates 3 which are inserted in the grooves. Light-shielding applied film layers 7 comprising epoxy paint and the like are formed at the end parts of the material 1. Thus the leaking of the light emitted in the scintillator is prevented. An SPDP layer 2c is provided only at the central part where the SPD 2 and the material 1 are in contact optically. A signal current in response to the incident light is obtained. A part outer than the material 1 becomes a dead zone 2g. Even if light is inputted, a signal current is not generated. In this structure, the effect of the light leaked from the end surface of the material 1 on the signal output can be decreased.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はX線cTifflliW用X線検出器に係り、
特に検出素子間の特性ばらつきを低減し、計測精度の高
いX線検出器を実現することに関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to an X-ray detector for X-ray cTifflliW,
In particular, it relates to reducing characteristic variations between detection elements and realizing an X-ray detector with high measurement accuracy.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

CT装置用X線検出器は、シンチレータと光電変換素子
を組み合わせた複数チャンネルのX線検出素子アレーを
所定の個数だけポリゴン状に配置することによって構成
される。従来の一つのX線検出素子アレーの構造を第2
図に示す。(a)は外部を、(b)(Q)は断面の構造
を示す。
An X-ray detector for a CT apparatus is constructed by arranging a predetermined number of multi-channel X-ray detection element arrays in a polygon shape, each of which is a combination of a scintillator and a photoelectric conversion element. The structure of one conventional X-ray detection element array has been changed to a second one.
As shown in the figure. (a) shows the outside, and (b) (Q) shows the cross-sectional structure.

入射してきたX線をその強度に応じて光に変換するシン
チレータ材とその光を受けて電気信号に変換する光電変
換素子を組み合わせることによりX線検出素子を構成し
ている。
An X-ray detection element is constructed by combining a scintillator material that converts incident X-rays into light according to their intensity and a photoelectric conversion element that receives the light and converts it into an electrical signal.

所定の寸法に加工されたシンチレータ材1とそのシンチ
レータ材と受光面を接するように組み合わせた光電変換
素子によってX線検出器の1素子が構成される。シンチ
レータの材質としては、シンチレーション効率(入射し
たX線エネルギーをどれだけ光エネルギーに変換できる
かを示す値)、光の透過率(シンチレータ内部で発光し
た光がどれだけ減衰せずに光電変換素子の受光面に到達
するかを示す値)、残光特性(入射X線が消滅したあと
にシンチレータでの発光が消滅するまでの時間や減少の
したかを示す特性)などを考慮して選択する必要があり
、通常BGO,CaW○番などの材料が使用されている
One element of the X-ray detector is composed of a scintillator material 1 processed to a predetermined size and a photoelectric conversion element combined so that the scintillator material and the light-receiving surface are in contact with each other. The scintillator material is determined by its scintillation efficiency (a value that indicates how much incident X-ray energy can be converted into light energy) and the light transmittance (a value that indicates how much light emitted inside the scintillator can be converted into light energy without being attenuated). It is necessary to make a selection by taking into consideration factors such as (a value indicating whether the light reaches the light receiving surface), afterglow characteristics (a characteristic indicating the time it takes for the emission from the scintillator to disappear after the incident X-ray disappears, and whether the emission has decreased), etc. Generally, materials such as BGO and CaW are used.

光電変換素子としては、入射光を電流信号に変える変換
効率の高いものであること、またシンチレータでの発光
波長付近で感度が高い材料を使用する必要があり、シリ
コンフォトダイオードなどが一般的に使用されている。
The photoelectric conversion element must have high conversion efficiency to convert incident light into a current signal, and must also use a material with high sensitivity near the emission wavelength of the scintillator; silicon photodiodes and the like are commonly used. has been done.

また、各素子は隔壁板3によってチャンネルごとに分離
されている。隔壁板3は各素子のシンチレータに入射し
たX線によって発生する二次蛍光X線やシンチレータで
の散乱X線が隣チャンネルに漏れ込むことによるクロス
トークを低減し、シンチレータでの発光を効率よく光電
変換素子の受光面に導くために使用するためのもので、
X線吸収係数の高い材料であるタングステン板あるいは
モリブデン板の表面を研磨し、さらに表面にアルミニウ
ムを蒸着し光反射率を高めたものを使用している。
Further, each element is separated into channels by a partition wall plate 3. The partition plate 3 reduces crosstalk caused by secondary fluorescent X-rays generated by X-rays incident on the scintillator of each element and scattered X-rays from the scintillator leaking into adjacent channels, and efficiently converts the light emitted by the scintillator into photoconverters. It is used to guide the light to the light receiving surface of the conversion element.
The surface of a tungsten plate or molybdenum plate, which is a material with a high X-ray absorption coefficient, is polished and aluminum is further vapor-deposited on the surface to increase the light reflectance.

このX線検出素子アレイの製造過程を第3図(a)〜(
d)に示す。まず所定の厚さの板に加工したシンチレー
タ材1と、このシンチレータ材1よりも若干幅が広く1
枚のウェハー上に数チャンネル分の素子を構成したシリ
コンフォトダイオード2を、光透過率の高い透明な接着
剤6を用いてそれぞれの中心が一致するように貼り合わ
せる(第3図(a)、(b)”)。
The manufacturing process of this X-ray detection element array is shown in Figures 3(a) to (
Shown in d). First, scintillator material 1 processed into a plate with a predetermined thickness, and scintillator material 1 slightly wider than this scintillator material 1.
Silicon photodiodes 2, each consisting of several channels of elements, are bonded together on a single wafer using a transparent adhesive 6 with high light transmittance so that their centers coincide (Fig. 3(a), (b)”).

次に、このシンチレータ板1とシリコンフォトダイオー
ド2を貼り合わせたものに、シンチレータが各チャンネ
ルごとに分離するように溝8を切る(第3図(C))。
Next, grooves 8 are cut in the scintillator plate 1 and silicon photodiode 2 bonded together so that the scintillator is separated into channels (FIG. 3(C)).

この溝加工は、シンチレータの両端にわずかに露出して
いるシリコンフォトダイオード2の信号電極等のパター
ンを位置の基準として行なう、また、溝深さはシンチレ
ータが完全に分離されるようにするために、溝の底がシ
リコンフォトダイオード2に達する程度の深さに設定し
ている。
This groove processing is performed using the pattern of the signal electrode of the silicon photodiode 2, which is slightly exposed at both ends of the scintillator, as a position reference, and the groove depth is determined so that the scintillator is completely separated. , the depth is set to such an extent that the bottom of the groove reaches the silicon photodiode 2.

最終的にはこの溝8に隔壁板3を挿入し接着剤5で固定
する。両端部での光漏れを防ぐために、接着剤5は不透
明なものを使用する。つまりここに使用する接着剤5は
、固定と遮光の二つの役割を兼ねている。
Finally, the partition plate 3 is inserted into this groove 8 and fixed with adhesive 5. An opaque adhesive 5 is used to prevent light leakage at both ends. In other words, the adhesive 5 used here has two roles: fixation and light shielding.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

前記検出器構造では、両端部を固定している不透明な接
着剤5のシンチレータ端面およびシリコンフォトダイオ
ード両端の受光面露出部分への充填が不十分であると、
シンチレータ内部での発光のうち一部は、端面から外部
に出てシリコンフォトダイオード2に入射する経路をた
どることとなる。
In the detector structure, if the opaque adhesive 5 fixing both ends is insufficiently filled into the scintillator end face and the exposed portion of the light receiving surface at both ends of the silicon photodiode,
A part of the light emitted inside the scintillator follows a path that exits from the end face and enters the silicon photodiode 2.

このシンチレータ端部から列部に出てからシリコンフォ
トダイオード2に入射する量の割合は、不透明な接着剤
5の充填状態によってばらつくことになる。これはX線
検出特性の素子間ばらつきに直接むすびつく。
The ratio of the amount that enters the silicon photodiode 2 after exiting from the end of the scintillator to the row section varies depending on the filling state of the opaque adhesive 5. This directly leads to variations in X-ray detection characteristics between elements.

X線検出素子の特性ばらつきが大きいと、計測時に誤差
を生じてしまい、最終的には画像上にアーチファクトを
生じて診断能を著しく低下させてしまうことになる。
If the characteristics of the X-ray detection element vary widely, errors will occur during measurement, and ultimately artifacts will occur on the image, significantly reducing diagnostic performance.

このように、従来の構造では、シンチレータ材1の端部
固定の接着剤の充填状態により、各素子の検出特性がば
らついてしまうという問題があった。
As described above, the conventional structure has a problem in that the detection characteristics of each element vary depending on the filling state of the adhesive fixed at the end of the scintillator material 1.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記の問題は、シンチレータ端部に遮光層を設け、7さ
らにシリコンフォトダイオード2の露出部分について光
に対する感度をもたせない構造とすることによって解決
できる。
The above problem can be solved by providing a light-shielding layer at the end of the scintillator 7 and by creating a structure in which the exposed portion of the silicon photodiode 2 is not sensitive to light.

あらかじめシンチレータ板1の側面に遮光用の塗装膜な
どを形成したものを、シンチレータ材1と接する中央部
分にのみ感度を有するシリコンフォトダイオード2と組
合せることにより、端部の接着剤5の役割は隔壁板3を
固定するためのみで、遮光の役割を兼ねる必要は無く、
充填状態によって検出特性に影響を与えることはない。
By combining a scintillator plate 1 with a coating film or the like formed on the side surface of the scintillator plate 1 in advance and a silicon photodiode 2 that is sensitive only in the central part in contact with the scintillator material 1, the role of the adhesive 5 at the end can be reduced. It is only for fixing the partition plate 3 and does not need to serve as a light shielding function.
The filling state does not affect the detection characteristics.

〔作用〕[Effect]

このようにして、各素子間の検出特性ばらつきを低減す
ることによって、計測精度をより向上することができ、
診断能の高い画像が得られるX線検出器を提供すること
が可能となる。
In this way, by reducing the variation in detection characteristics between each element, measurement accuracy can be further improved.
It becomes possible to provide an X-ray detector that can obtain images with high diagnostic ability.

〔実施例〕〔Example〕

本発明の実施例を第1図に示す。第1図(a)はX線検
出素子アレーの外観を、(b)(c)は断面を示してい
る。
An embodiment of the invention is shown in FIG. FIG. 1(a) shows the external appearance of the X-ray detection element array, and FIGS. 1(b) and 1(c) show the cross section.

印刷配線基板4上に、シリコンフォトダイオードアレー
2があり、その上にシンチレータ材1が透明な接着剤6
で貼り合わされている。各チャンネルは所定の幅の溝8
によって分離され、その溝8の中にはモリブデンあるい
はタングステンなどのX線の透過率の低い材料を用い、
その表面に光反射率が高くなるようにメツキやアルミニ
ウムの蒸着処理を施した隔壁板3によって、区分されて
いる。シンチレータ材1の端部には光を遮蔽する不透明
なエポキシ塗料などによる遮光塗膜FI7があり、シン
チレータ内部の発光が外部へ漏洩するのを防いでいる。
A silicon photodiode array 2 is placed on a printed wiring board 4, and a scintillator material 1 is placed on top of the silicon photodiode array 2 using a transparent adhesive 6.
are pasted together. Each channel has a groove 8 of a predetermined width.
The grooves 8 are made of a material with low X-ray transmittance, such as molybdenum or tungsten.
They are separated by partition plates 3 whose surfaces are plated or aluminum vapor-deposited to increase the light reflectance. At the end of the scintillator material 1, there is a light-shielding coating FI7 made of opaque epoxy paint or the like that shields light, and prevents light emitted from inside the scintillator from leaking to the outside.

隔壁板3は不透明な接着剤5によってシンチレータ材1
およびフォトダイオードアレー2に固定されている。以
下に1本実施例構造のxi検出器が入射してくるX線を
どのようにして検出するかについて述べる。
The partition plate 3 is attached to the scintillator material 1 with an opaque adhesive 5.
and is fixed to the photodiode array 2. The following describes how the xi detector having the structure of this embodiment detects incident X-rays.

第1図(a)の上方から入ってきたX線は、シンチレー
タに入射するとそのxiの強度に応じた可視光を発光す
る。シンチレータ内部で発光した光の多くは、シンチレ
ータ内部を通り直接シリコンフォトダイオード2の受光
面に入射するが、−部はシンチレータの側面から外部へ
出てから隔壁板表面で反射され再度シンチレータ内部に
戻されてシリコンフォトダイオード2の受光面に入射す
る。
When the X-rays entering from above in FIG. 1(a) enter the scintillator, they emit visible light corresponding to the intensity of xi. Most of the light emitted inside the scintillator passes through the scintillator and directly enters the light-receiving surface of the silicon photodiode 2, but the negative part goes outside from the side of the scintillator, is reflected by the surface of the partition plate, and returns to the inside of the scintillator. and enters the light receiving surface of the silicon photodiode 2.

シリコンフォトダイオード2は、その構造がらPINフ
ォトダイオードと呼ばれている。Nのサブストレート(
基層)2eの上に高抵抗率の1層2dを設け、さらにそ
の上に各チャンネルごとに分離された2層2cがあり、
信号電極2aはこの2層2cに、共通電極2fはN層2
eに電気的に接続されている。2層2cの上を表面保護
膜2bが被覆している。シリコンフォトダイオード2に
入射してきた光は、2層2cを通りぬけ、中間の1層2
dに飛び込むとそこでキャリアである電子正孔対を生成
する。この電子と正孔は、それぞれ2層2cおよびN層
2eに拡散してゆき各電極に達し信号電流となる。
The silicon photodiode 2 is called a PIN photodiode because of its structure. Substrate of N (
A high-resistivity layer 2d is provided on the base layer 2e, and on top of that, there are two layers 2c separated for each channel,
The signal electrode 2a is connected to these two layers 2c, and the common electrode 2f is connected to the N layer 2.
electrically connected to e. A surface protective film 2b covers the two layers 2c. The light incident on the silicon photodiode 2 passes through the 2nd layer 2c and passes through the 1st layer 2 in the middle.
When it jumps into d, it generates electron-hole pairs, which are carriers. These electrons and holes diffuse into the second layer 2c and the N layer 2e, respectively, and reach each electrode to become a signal current.

このようにして入射してくるX線強度に対応した信号電
流を出力するX線検出器を構成している。
In this way, an X-ray detector is configured that outputs a signal current corresponding to the intensity of incident X-rays.

本実施例では遮光塗膜層7を設けることにより、シンチ
レータ内部の発光が外部へ漏洩するのを防ぐ構造となっ
ている。また、シリコンフォトダイオード2の内部構造
も、シンチレータ材1と光学的に接する部分にのみP 
WJ2 cを設け、それより外側は2層2cを設けず1
層2dのままとする。
In this embodiment, a light-shielding coating layer 7 is provided to prevent light emitted from inside the scintillator from leaking to the outside. In addition, the internal structure of the silicon photodiode 2 also includes P only in the portion that is in optical contact with the scintillator material 1.
WJ2c is provided, and outside of that, 2 layers 2c are not provided and 1
Leave layer 2d as is.

このことにより、シリコンフォトダイオード受光面のう
ちシンチレータ材1に接する部分(PI2cがある部分
)のみ有感部分となり入射してくる光に対応した信号電
流が得られるが、シンチレータ材1より外側の部分2g
(2層2cがない部分)は不感部分となり光が入射して
も信号電流を生じることはない。
As a result, only the part of the silicon photodiode light-receiving surface that is in contact with the scintillator material 1 (the part with PI2c) becomes a sensitive part and a signal current corresponding to the incident light can be obtained, but the part outside the scintillator material 1 2g
The portion (where the second layer 2c is not present) becomes an insensitive portion and does not generate a signal current even if light is incident thereon.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

このような構造とすることによって、シンチレータ材端
面から漏洩した光による信号出力への寄与を著しく低減
することができる。このために、各素子間のX線検出特
性は、端部接着剤の充填状態によらずばらつきのない均
一なものにすることができる。
With such a structure, the contribution of light leaking from the end face of the scintillator material to the signal output can be significantly reduced. For this reason, the X-ray detection characteristics between each element can be made uniform without variation regardless of the filling state of the edge adhesive.

また、端部の接着剤は隔壁板を固定するだけなので、均
一な充填状態にする必要はなく接着の作業性が向上する
効果もある。
In addition, since the adhesive at the end only fixes the partition plate, it is not necessary to make it evenly filled, which has the effect of improving the workability of bonding.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明の実施例を示したもので、(、)は外
観を、(b)はA−Aの断面を、(c)はB−Bの断面
を示したものである。 第2図は、従来の例を示したもので、(、)は外観を、
(b)はC−Cの断面を、(Q)はD−Dの断面を示し
たものである。 第3図は、X線検出素子アレーの製作過程を示した図で
ある。 1・・・シンチレータ材、2・・・シリコンフォトダイ
オード、2a・・・シリコンフォトダイオード信号電極
、2b・・・シリコンフォトダイオード表面保護膜、2
c・・・シリコンフォトダイオード2層領域、2d・シ
リコンフォトダイオード1層領域、2e・・・シリコン
フォトダイオードN層領域、2f・・・シリコンフォト
ダイオード共通電極、2g・・・シリコンフォトダイオ
ード不感領域、3・・・隔壁板、4・・・印刷配線板、
5・・・不透明接着剤、6・・・透明接着剤、7・・・
遮光塗膜層、8・・・溝。 薯 囚
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention, in which (,) shows the external appearance, (b) shows a cross section along line A-A, and (c) shows a cross section along line B-B. Figure 2 shows a conventional example; (,) indicates the external appearance;
(b) shows a cross section along CC, and (Q) shows a cross section along D-D. FIG. 3 is a diagram showing the manufacturing process of the X-ray detection element array. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Scintillator material, 2...Silicon photodiode, 2a...Silicon photodiode signal electrode, 2b...Silicon photodiode surface protective film, 2
c...Silicon photodiode 2-layer region, 2d-Silicon photodiode 1-layer region, 2e...Silicon photodiode N-layer region, 2f...Silicon photodiode common electrode, 2g...Silicon photodiode insensitive region , 3... partition board, 4... printed wiring board,
5... Opaque adhesive, 6... Transparent adhesive, 7...
Light-shielding coating layer, 8...grooves. prisoner

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、X線管と多素子の検出器を被検体を中心に対向して
配置し、回転しながら被検体の各方向からのX線透過デ
ータを計測し、そのデータから被検体の横断面のX線透
過率の分布画像を再構成するCT装置の構成のうち、入
射したX線の強度に応じて可視光を発光するシンチレー
タ材と受光面に入射した可視光を電流信号に変換し前記
シンチレータ材より幅の広い受光面をもつ多素子PIN
型構造のシリコンフォトダイオードアレーを組み合わせ
たX線検出器において、前記シンチレータ材の両端部に
シンチレータ内部での発光が外部へ漏れていくことを防
ぐための遮光塗膜層を具備し、シリコンフォトダイオー
ドのシンチレータ材に接している部分以外は光に対する
感度をもたない構造としたことを特徴としたCT装置用
X線検出器。
1. An X-ray tube and a multi-element detector are placed facing each other with the subject at the center, and as they rotate, they measure X-ray transmission data from each direction of the subject, and from that data the cross-sectional area of the subject is determined. A CT device that reconstructs an X-ray transmittance distribution image includes a scintillator material that emits visible light according to the intensity of incident X-rays, and a scintillator that converts the visible light incident on the light receiving surface into a current signal. Multi-element PIN with a light-receiving surface wider than the material
In an X-ray detector combining a silicon photodiode array with a mold structure, a light-shielding coating layer is provided on both ends of the scintillator material to prevent light emitted from inside the scintillator from leaking to the outside, and the silicon photodiode An X-ray detector for a CT apparatus, characterized in that the X-ray detector for a CT apparatus has a structure in which the portion other than the portion in contact with the scintillator material has no sensitivity to light.
JP1027431A 1989-02-08 1989-02-08 X-ray detector for ct apparatus Pending JPH02208592A (en)

Priority Applications (1)

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JP1027431A JPH02208592A (en) 1989-02-08 1989-02-08 X-ray detector for ct apparatus

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JP (1) JPH02208592A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5506409A (en) * 1993-05-27 1996-04-09 Hitachi Medical Corporation Radiation detecting device and the manufacture thereof

Cited By (1)

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