JPH02205256A - リフロー半田付け方法及び装置 - Google Patents

リフロー半田付け方法及び装置

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JPH02205256A
JPH02205256A JP2318989A JP2318989A JPH02205256A JP H02205256 A JPH02205256 A JP H02205256A JP 2318989 A JP2318989 A JP 2318989A JP 2318989 A JP2318989 A JP 2318989A JP H02205256 A JPH02205256 A JP H02205256A
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air
blower
heater
substrate
heated
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Yatsuji Yokota
八治 横田
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Eiteitsuku Tekutoron Kk
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、リフロー半田付は方法及び装置に係り、特に
空気循環用の送風機をコンベアの下方にのみ配置するこ
とによって空気が加熱用のヒータに負圧によって流入す
るようにしてヒータ全面における加熱空気の温度、風速
及び風量を均一化して温度むらをなくすと共に、基板の
両面を同時にリフロー半田付けを行うために空気循環経
路の途中に連通接続された吸引パイプから基板の上面に
接触した加熱空気の還流を吸引して基板の下面に接触さ
せて基板の上面、下面の温度差の低減を図ったリフロー
半田付は方法及び装置に関する。また本発明は、片面リ
フロー半田付けを行うために吸引パイプに開閉部材を装
着して該吸引パイプから吸引された外気を基板の下面に
接触させて基板の上面、下面の温度差の拡大を図り、基
板の品質、歩走りの向上を図ったリフロー半田付は方法
及び装置に関する。
従来の技術 リフロー半田付は装置は、溶融半田槽を用いず、ポリマ
基板等の基板に電子部品を搭載して要半田付は箇所にペ
ースト状のクリーム半田を塗り、該基板をコンベアによ
り搬送してブレヒータにより予備加熱して徐々に温度を
上げ、最後段階で半田付はヒータにより短時間で半田付
は温度(約230℃以上)まで加熱してクリーム半田を
溶融させて電子部品を基板上の導電回路に半田付けする
装置である。
従来のリフロー半田付は装置においては、ヒータには電
熱器を用い、該電熱器から放射される遠赤外線によって
基板を加熱しようとするものが主流であるが、一般にヒ
ータと基板とは離れているため、ヒータの温度は要加熱
温度である150℃乃至250℃よりもはるかに高い温
度に設定されなければならない。そして静止した空気を
媒体として基板を加熱するわけであるが、コンベアによ
って搬送される基板の速度を遅くすれば高温に、該速度
を速くすれば低温に加熱されることになり、結果として
基板の温度はコンベアの搬送速度の調節によって管理し
なければならない。このため、新規の基板に半田付けを
行う段取替えの場合には、実際に何回にもわたって基板
を流して温度上昇をチエツクして、最適条件を見つけた
後に装置を本格的に作動させなければならないため、温
度管理が非常に難しいという欠点があった。また、たと
え基板全体について最適条件が見つかったとしても、基
板に搭載される電子部品の熱容量は個々に相当具なるた
め、熱容量の最大の電子部品と最小のものとでは、同一
基板で約50℃もの温度差が生じることが不可避であり
、この温度差によって熱容量の最小の電子部品や熱に弱
いQFP  (クワットフラットパッケージ) 、PL
CC(プラスチックリーデツドチップキャリヤ)等が半
田付けによって破損してしまうおそれがあった。また予
備加熱における温度上昇もかなり急激となるため、基板
及び電子部品に対する熱的ショックが大きいという欠点
があった。
また更に、基板の上面で電熱器から放射される遠赤外線
が遮断されるため、基板の下面の温度は上面より低く、
相当な温度差(実測によれば80℃)が生じることが不
可避であり、基板の上面及び下面に搭載された電子部品
を同時に半田付けすることは困難であった。このため基
板の半田付けを片面ずつ2回に分けて行う能率の悪い作
業方法を採らざるを得ないという欠点があった。
また上記のように、同一基板で約50℃もの温度差の生
じるリフロー半田付は装置によって電子部品の搭載され
た基板を片面ずつ2回に分けて半田付けを行なった場合
、時として既に半田付けされた熱容量の最小の電子部品
において半田が再溶融して該電子部品の重量を支えきれ
ずに基板から脱落して欠品となり、不良基板を製造して
しまうという欠点があった。
またこのような加熱方法の欠点のほとんどを改良するも
のとして、特殊な液体を蒸発させて、その蒸気を所定の
温度(例えば215℃)に加熱し、該蒸気の温度を最高
限度の温度として管理し、それ以上の温度には基板が絶
対に温度上昇しないようにした、いわゆるベーパフェー
ズ法が実用に供されており、この方法を用いたリフロー
半田付は装置は上記欠点のほとんどを解消して、加熱さ
れた蒸気の温度に熱的に飽和させて基板のどの部分も例
えば215℃に均一に加熱できるのが最大の長所である
。しかし、熱媒体が蒸気であるため、予備加熱において
、温度上昇が非常に急激となり、基板及び電子部品に対
する熱的ショックが大きく、熱に弱い叶PやPLCC等
では破損が生じたりするおそれがあった。またこの方法
で用いられる例えばフロリナートと称される特殊な液体
は非常に高価であり、−旦使用した後は蒸発してなくな
ってしまい、回収は不可能であるから、半田付はコスト
が高くつくという重大な欠点があり、その使用範囲が限
定されていた。またこのほか、加熱時の温度上昇は順調
に行われるものの、半田付は後においては基板の冷却の
際に温度が下降しにくいという欠点があった。
目  的 本発明は、上記した従来技術の欠点を除くためになされ
たものであって、その目的とするところは、送風機によ
って空気を強制的にかなりの風速(例えば3 m /s
ec )で循環させ、該循環する空気をヒータにより加
熱することにより該空気の熱伝導率の低い点を風速で補
って電子部品が搭載されて搬送される基板の上面に接触
させて加熱して半田付けを行うことによって、基板及び
電子部品が加熱空気に対して時間の経過と共に次第に熱
的に飽和して加熱されるようにすることで、急激な温度
上昇を防止して、基板及び電子部品に対する熱的ショッ
クをなくし、熱に弱いQFPやPLCC又はFl(: 
 (フラットアイシー)チップその他のSMD(サーフ
ェスマウンテッドデイバイス)についても半田付けによ
って破損することがないようにすることである。また他
の目的は、基板の温度上昇の精度を極めて高いもの(例
えば±2℃程度)とすることである。更に他の目的は、
熱容量の異なる基板や電子部品であっても、各部を従来
のベーパフェーズ法と同程度に均一の温度分布で加熱で
きるようにすることである。また他の目的は、ベーパフ
ェーズ法におけるような高価な加熱媒体を不要とするこ
とであり、またこれによって半田付はコストをベーパフ
ェーズ法に比べて大幅に低減し、装置の使用範囲を拡大
することである。更に他の目的は、基板の各部をむらな
く加熱できるようにすることによって、どの部分も一定
の温度で可能な限り低い温度で半田付けできるようにし
、電子部品に対する半田付けの悪影響を極小とすること
である。
また他の目的は、内部ケーシングの立上り部に貫通して
接続された吸引パイプを設けて該吸引パイプの一端より
上昇空気循環通路に沿って還流する加熱空気を吸引し、
その他端から該加熱空気を基板の下面に向けて吐出させ
ることによって、基板の両面をむらなく加熱できるよう
にすることであり、またこれによって両面半田付けも可
能とし、半田付は作業の能率向上及び半田付はコストの
低減を図ることである。
更に他の目的は、内部ケーシングの立上り部及び外部ケ
ーシングの立上り部に貫通して接続された吸引パイプと
該吸引パイプの一端に嵌挿されて上昇空気循環通路に沿
って還流する加熱空気又は外気のいずれかを選択的に吸
引可能とする開閉部材を設けることによって、基板の下
面に搭載された電子部品が既に半田付けされている場合
には外気を該基板の下面に接触させて電子部品の温度上
昇を抑制し、加熱による悪影響を取り除き基板の半田付
は品質の向上を図ることである。また一方、基板の下面
に搭載されている電子部品が未半田付けの場合には外気
を塞ぎ、上昇空気循環ifl路に沿って還流する加熱空
気を吸引パイプより吸引して該吸引パイプの他端から該
加熱空気を基板の下面に向けて吐出させることによって
、基板の両面をむらな(加熱できるようにすることであ
り、またこれによって両面同時半田付けも可能とし、半
田付は作業の能率向上及び半田付はコストの低減を図る
ことである。更に他の目的は、吸引パイプに開閉部材を
嵌挿させることによって、片面半田付は及び両面半田付
けに適した温度分布が容易に調整できるという多機能型
のリフロー半田付は装置を実用に供し得るようにするこ
とである。
構成 要するに本発明方法(請求項1)は、送風機によって空
気を循環させ、該循環する空気をヒータにより加熱して
電子部品が搭載されて搬送される基板に接触させて該基
板を加熱するリフロー半田付は方法において、前記基板
の搬送経路の下方にのみ配設された前記送風機により該
搬送経路の上方から下方に向かって前記空気を循環させ
、前記送風機の吸引力により生じた負圧によって前記空
気を前記ヒータに流入させて加熱し、加熱空気を前記基
板の上面に接触させた後、前記送風機から吐出される該
加熱空気を下方から上方に循環させる上昇空気循環通路
の途中で前記加熱空気を上方から下方に循環させる下降
空気循環通路に連通させる吸引パイプによって吸引され
た前記加熱空気を前記基板の下面に接触させて半田付け
することを特徴とするものである。
また本発明方法(請求項2)は、送風機によって空気を
循環させ、該循環する空気をヒータにより加熱して電子
部品が搭載されて搬送される基板に接触させて該基板を
加熱するリフロー半田付は方法において、前記基板の搬
送経路の下方にのみ配設された前記送風機により該搬送
経路の上方から下方に向かって前記空気を循環させ、前
記送風機の吸引力により生じた負圧によって前記空気を
前記ヒータに流入させて加熱し、加熱空気を前記基板の
上面に接触させた後、前記基板の下面に臨む空間を該加
熱空気を下方から上方に循環させる上昇空気循環通路の
途中又は外気に連通させ開閉部材の操作によって連通経
路が切り換えられるようにした吸引パイプによって吸引
された前記加熱空気を前記基板の下面に接触させること
又は前記吸引パイプによって吸引された前記外気を前記
基板の下面に接触させることを前記開閉部材の操作で選
択して半田付けすることを特徴とするものである。
また本発明装置(請求項3)は、送風機と、該送風機に
よって空気を循環させる空気循環通路と、該空気循環通
路中に配設されて前記空気を流入させながら加熱するヒ
ータと、電子部品が搭載された基板を搬送するコンベア
とを備えたリフロー半田付は装置において、前記送風機
を前記コンベアの下方にのみ配設し、該コンベアの上方
に前記ヒータを配設し、前記空気循環通路は、前記送風
機により吸引された前記空気が前記ヒータの収容された
内部ケーシング内に流入して加熱され前記基板の上面に
接触するようにした下降空気循環通路と、前記送風機か
ら外部ケーシング内に吐出された空気が上昇して前記ヒ
ータの上方に戻される上昇空気循環通路とが連通して形
成されており、一端が前記上昇空気循環通路に臨んで開
口して他端が前記下降空気循環通路内を搬送される前記
基板の下面に臨んで開口し、前記内部ケーシングの立上
り部に貫通して接続された吸引パイプを備えたことを特
徴とするものである。
また本発明装置(請求項4)は、送風機と、該送風機に
よって空気を循環させる空気循環通路と、該空気循環通
路中に配設されて前記空気を流入させながら加熱するヒ
ータと、電子部品が搭載された基板を搬送するコンベア
とを備えたリフロー半田付は装置において、前記送風機
を前記コンベアの下方にのみ配設し、該コンベアの上方
に前記ヒータを配設し、前記空気循環通路は、前記送風
機により吸引された前記空気が前記ヒータの収容された
内部ケーシング内に流入して加熱され前記基板の上面に
接触するようにした下降空気循環通路と、前記送風機か
ら外部ケーシング内に吐出された空気が上昇して前記ヒ
ータの上方に戻される上昇空気循環通路とが連通して形
成されており、一端が外気に臨んで開口して他端が前記
下降空気循環通路内を搬送される前記基板の下面に臨ん
で開口しており更に前記上昇空気循環通路に臨む適所位
置に吸気口が形成されて前記外部ケーシングの立上り部
及び前記内部ケーシングの立上り部に貫通して接続され
た吸引パイプと、パイプ状に形成されて前記吸引パイプ
の一端に回動又は摺動自在に嵌挿されており一端に形成
された開口部を開閉自在に切り換え得る開閉弁が該一端
に設けられ他端には前記吸引パイプに形成された前記吸
気口を開閉させる切欠部を設けてなる開閉部材とを備え
たことを特徴とするものである。
以下本発明を図面に示す実施例に基いて説明する。第1
図において、本発明(請求項3)に係るリフロー半田付
は装置11は、送風機12と、空気循環通路13と、ヒ
ータ14と、コンベア15と、吸引パイプ1とを備えて
おり、送風機12をコンベア15の下方にのみ配設し、
該コンベアの上方にヒータ14を配設し、空気循環通路
13は、送風機12により吸引された空気がヒータ14
に流入して加熱され基板16に接触する下降空気循環通
路13Dと、送風機12から吐出される空気が上昇して
ヒータ14の上方にもどされる上昇空気循環通路13U
とが連通して形成されたちのである。
またヒータ14の上方には、上昇空気循環通路13Uか
ら流入した空気の流速を著しく低速にして停滞させるよ
うにした容量の大きな空気室18が設けられている。
送風機12は、例えばシロッコファン等の遠心送風機を
用いており、該送風機12の複数のブレード12aを上
部のドーナツ形円板12bと下部の円板12cとに固定
して形成されており、円板12cは回転軸19の上端1
9aに固着されており、回転軸19は一対の軸受20,
21により回動自在に支承されている。これらの軸受2
0,21はリフロー半田付は装置11の基台22に夫々
固着されており、回転軸19の下端19bにはプーリ2
3がナンド24により固定され、該プーリには■ベルト
25が巻き掛けられ、該Vベルトは送風機12を駆動す
るための電動モータ26の回転軸26aに固定されたプ
ーリ28に巻き掛けられている。電動モータ26は、ブ
ラケット29にボルト30により固定され、該ブラケッ
トは基台22に固着されている。
このようにして送風機12の各駆動機構30はすべてヒ
ータ14及びコンベア15の下方に位置しており、即ち
リフロー半田付は装置11内の温度分布からすれば最も
低温の位置に設置されている。
空気循環通路13は、基Fi16の搬送方向(紙面と直
角方向)に対して左右方向に形成され、外部ケーシング
33と内部ケーシング34との間に形成されており、基
板16の進行方向左右両側の上昇空気循環通路13Uが
同一の通路面積を有するように構成されている。なお外
部ケーシング33は例えば断熱材で形成されており、内
部ケーシング34は鋼板等で形成されている。
また空気循環通路13は、送風機12の周囲において水
平方向に形成され、外部ケーシング33の立上り部33
aにおいて垂直に立ち上がって空気室18に連通し、こ
の空気室18は非常に容量を大きく形成してあり、例え
ば約100 J程度に形成されている。
外部ケーシング33の天井部33bは特に断熱性の大き
い断熱材35によって形成されており、該断熱材は結合
部材36によって立上り部33aと結合され、更に基台
22にアングル部材38によって固定された換気用の上
部フード39に固定されている。上部フード39には基
板16の進行方向左右両側に複数の換気口39aが形成
され、最上部39bには排気ファン40が取り付けられ
ている。この排気ファン40はリフロー半田付は装置1
1で発生した有機溶剤の蒸気やフランクスガス等を外部
に排気するためのものである。
ヒータ14は、空気循環通路13中に配設されており、
空気を流入させながらこれを加熱するようにしたもので
あって、所定の間隔で配置された電熱器43を熱伝導性
の良好な金属、例えばアルミニウムからなる金属板44
でサンドイッチ構造に上下から挟圧保持してなり、金属
板44には空気がその板厚方向に流れて熱交換が行われ
るようにした多数の空気穴44aが設けられている。電
熱器43は、接続端子43aにおいて外部の電源(図示
せず)に電気的に接続されて該電源から電力を供給され
るようになっている。なおヒータ14の下方には温度セ
ンサ45が下降空気循環通路13Dの略中央部に配置さ
れており、該温度センサはコンピュータ(図示せず)に
電気的に接続されている。また温度センサ45の下方に
は基板16の搬送経路48となるコンベア15が設けら
れている。
コンベア15は、各リンク49aから基板16を載置す
るためのピン50が突出形成されたエンドレスチェーン
49が構成されており、該エンドレスチェーンの基板1
6の搬送方向に対する直角方向の幅は図示されていない
幅調整ハンドルによって広狭適宜調節することができる
ようになっている。
吸引パイプ1は、基板16の進行方向左右両側の内部ケ
ーシング34の立上り部34aに形成された貫通穴34
dに嵌挿され、吸引パイプ1に固着されたフランジ部材
2によって立上り部34aに対して略直角に夫々複数本
ずつ固定されている。
吸引パイプ1の一端1aに形成された開口部1bは上昇
空気循環通路13Uに臨んでおり、他端ICに形成され
た開口部1dは基板16の下面16bに臨んで開口して
いる。なお吸引パイプ1は内部ケーシング34と同様に
熱伝導性の良い鋼板等で形成されている。
内部ケーシング34の底部34bには送風機12の直径
と略等しい直径の空気穴34cが形成されている。
次に、第2図において、本発明(請求項4)に係るリフ
ロー半田付は装置11は、送風機12と、空気循環通路
13と、ヒータ14と、コンベア15と、吸引パイプ3
とを備えたものであって、送風機12、空気循環通路1
3、ヒータ14及びコンベア15は、第1図に示す場合
と同一であるので、同一の部分には図面に同一の符号を
付してその説明を省略する。
吸引パイプ3は、基vi16の進行方向左右両側の内部
ケーシング34の立上り部34aに形成された貫通穴3
4dに嵌挿され、吸引パイプ3に固着されたフランジ部
材4によって立上り部34aに対して略直角に夫々複数
本ずつ固定されている。
また該吸引パイプの一端3aは外部ケーシング33の立
上り部33aに形成された貫通穴33cに圧入され、一
端3aに形成された開口部3bは外気に臨んで露出して
いる。他端3Cに形成された開口部3dは基板16の下
面16bに臨んで開口している。更に吸引パイプ3には
上昇空気循環通路13Uに臨む適所位置に下向きに吸気
口3eが形成されている。また吸引パイプ3の一端3a
には、パイプ状に形成された開閉部材5が回動或いは摺
動自在(非円形パイプの場合、摺動自在のみとなる。)
に嵌挿されてる。
該開閉部材の一端5aには、例えば螺形弁等のような開
閉弁6が装着されており、一端5aに形成された開口部
5dから外気を吸引し又はこれを遮断することができる
ようになっている。開閉部材5の他端5bには切欠部5
Cが形成されており、該切欠部により吸引パイプ3に形
成された吸気口3eの開閉を行うようになっている。
なお、空気循環通路13を横切って配設された吸引パイ
プ3が加熱空気によって加熱されて該吸引パイプによっ
て吸引された外気の温度上昇を抑える目的で、吸引パイ
プ3は断熱性に優れた材料で形成するのが望ましい。
なお、上記説明における空気は、大気中に存在する窒素
約79%、酸素その他の気体約21%からなる自然の空
気に限定されるものでなく、例えば上記自然の空気から
酸素その他の気体を除去した窒素ガスのみであってもよ
く、実用的には窒素純度99.9%、好ましくは99.
99%のものを使用することが可能であり、この窒素ガ
スは市販の窒素ボンベ等により供給することができる。
そして本発明リフロー半田付は方法(請求項1)は、第
1図に示すように、送風機12によって空気を循環させ
、該循環する空気をヒータ14により加熱して電子部品
65が搭載されて搬送される基板16に接触させて該基
板を加熱するリフロー半田付は方法において、基板16
の搬送経路48の下方にのみ配設された送風機12によ
り該搬送経路の上方から下方に向かって空気を循環させ
、送風機12の吸引力により生じた負圧によって空気を
ヒータ14に流入させて加熱し、加熱空気を基板16の
上面16aに接触させた後、送風機12から吐出される
該加熱空気を下方から上方に循環させる上昇空気循環通
路の途中で加熱空気を上方から下方に循環させる下降空
気循環通路に連通させる吸引パイプ1によって吸引され
た加熱空気を基板16の下面16bに接触させる方法で
ある。
また本発明リフロー半田付は方法(請求項2)は、第2
図乃至第4図に示すように、送風機12によって空気を
循環させ、該循環する空気をヒータ14により加熱して
電子部品65が搭載されて搬送される基板16に接触さ
せて該基板を加熱するリフロー半田付は方法において、
基板16の搬送経路48の下方にのみ配設された送風機
12により該搬送経路の上方から下方に向かって空気を
循環させ、送風機12の吸引力により生じた負圧によっ
て空気をヒータ14に流入させて加熱し、加熱空気を基
板16の上面16aに接触させた後、基板16の下面1
6bに臨む空間を該加熱空気を下方から上方に循環させ
る通路の途中又は外気に連通せしめ開閉部材5の操作に
よって連通経路が切り換えられるようにした吸引パイプ
3によって吸引された加熱空気を基板16の下面16b
に接触させること又は吸引パイプ3によって吸引された
外気を基板16の下面16bに接触させることを開閉部
材5の操作で選択して半田付けする方法である。
作用 本発明は、上記のように構成されており、以下その作用
について説明する。まず第1図において、リフロー半田
付は装置11 (請求項3)について説明すると、電動
モータ26が回転することにより、その回転軸26a及
びプーリ28を介してVベルト25がプーリ23を駆動
し、これによって回転軸19が一方向に回転して送風機
12の各ブレード12aが高速度で回転を開始する。す
ると下降空気循環通路13D内は大気圧よりも圧力が小
さく、即ち負圧となるため、空気室18から矢印Aで示
す如く該下降空気循環通路13Dを通って、空気はヒー
タ14の空気穴44aに流入し、ここで電熱器43によ
り加熱された金属板44によって熱交換を受けて高温の
加熱空気となって、矢印Bの如く下降してコンベア15
により搬送される基板16及びこれに搭載された電子部
品65に接触してこれを加熱する。
この場合、従来のように上方に配設された送風機によっ
て増圧された空気をヒータ14に押し込む方式を取って
おらず、そして内部ケーシング34内の下降空気循環通
路13Dを負正にしてこの負圧によって空気の流速の著
しく低い、即ち空気が停滞した空気室18から吸引する
ようにしているため、ヒータ14の全面における空気穴
44aから略均−の流量の空気が吸入されてヒータ14
の全面から均一な熱容量を持った加熱空気が下降して基
板16の上面16a及び電子部品65に接触することに
なる。これによって基板16の上面16aが均一に加熱
されることになる。この時点における基板16の下面1
6bは熱伝導性の悪い基板16によって加熱空気の接触
が阻止されるので、上面16aにくらべて表面温度は低
くなっている。
しかし上昇空気循環通路13U内の加熱空気を吸引パイ
プ1によって吸引して基板16の下面16bに吐出させ
ることによって基板16の全面が均一に加熱されること
になる。即ち、ヒータ14の全面から均一な熱容量を持
った加熱空気は、矢印C及びDの如く内部ケーシング3
4の立上り部34aに沿って下降し、該内部ケーシング
の底部34bの空気穴34cを通って送風機12により
吸引され、矢印Eの如く図中左右方向に流れて上昇空気
循環通路13U内を矢印Gの如く上昇する。
矢印Gの方向に上昇する加熱空気の一部は吸引パイプ1
の一端1aの開口部1bより矢印Hの如く該吸引パイプ
内に吸引されて他端1cの開口部ldから基板16の下
面16bに向けて矢印Iの如く吹き付けられる。これに
よって基板16の下面16bも均一に加熱されるので、
上面16aと共に下面16bにも同時に電子部品65を
リフロー半田付けすることができる。
吸引パイプlで吸引されなかった加熱空気は矢印Jの如
く上昇して空気室18にもどされる。この場合において
、ヒータ14によって加熱された空気の温度は温度セン
サ45によって逐次検出されてその検出結果がコンピュ
ータに送られ、該コンピュータは所定の温度の空気が得
られるように常時電熱器43に対する電力の調節を行う
また外部ケーシング33は断熱材で形成されているため
、ヒータ14の熱が外部に逃げる割合が非常に少なく熱
効率は非常に高いものとなる。また加熱中に基板16等
から発生する有機溶剤のガスやフラックスガスは、排気
ファン40を回転させることによって換気口39aから
矢印にの如(流入する空気と共に矢印りの如く外部の排
気ダクト(図示せず)に押し出されて排気される。
次に、第3図乃至第9図によりリフロー半田付は装置1
1 (請求項4)の作用について説明する。
ただし上記第1図の場合と同一の作用については説明を
省略する。
第3図及び第5図に示すように、開閉部材5の一端5a
に装着された開閉弁6を閉じて開口部5dから流入する
外気を遮断し、他端5bに形成された切欠部5cが吸引
パイプ3に形成された吸気口3eを開く如く開閉部材5
を調節した状態でのリフロー半田付は装置11内を循環
する加熱空気の流れは、第1図と同じである。即ち、送
風機12により吸引されて図中左右方向に流れて上昇空
気循環通路13U内を矢印Gの方向に上昇する加熱空気
の一部は吸引パイプ3の吸気口3eより矢印Hの如く該
吸引パイプ内に吸引されて他端3Cの開口部3dから基
板16の下面16b向けて矢印■の如く吹き付けられる
この結果、基板16の上面16a及び下面16bが均一
に加熱されるので、第9図に示すように、基板16の下
面16bに搭載された電子部品65を接着剤66例えば
紫外線硬化型のもので固定し、上面16aに搭載された
電子部品65と同時にリフロー半田付けする場合に好都
合な雰囲気温度となり好結果が得られる。
次に第4図及び第6図に示すように、開閉部材5の一端
5aに装着された開閉弁6を開き、他端5bが吸引パイ
プ3の吸気口3eを閉じる如く開閉部材5を調節した状
態でのリフロー半田付は装置ll内を循環する加熱空気
は、吸引パイプ3内には全く流入することなく、送風機
12により吸引されて図中左右方向に流れて上昇空気循
環通路13U内を矢印G及び矢印Jの方向に上昇して空
気室18にもどされる。また送風機12によって吸引さ
れた結果、内部ケーシング34内の下降空気循環通路1
3Dが負圧となり、開閉部材5の開口部5dより矢印H
の如く低温(室温)の外気が吸引パイプ3内に流入して
他端3Cの開口部3dから基板16の下面16bに向け
て矢印Iの如く吹き付けられ、該下面に搭載された電子
部品65が冷却される。
この結果第7図に示すように、基板16の上面16aに
搭載された電子部品65を先ずリフロー半田付けした後
、第8図に示すように、第7図において下面16bであ
った面を上にして搭載された電子部品65をリフロー半
田付けする場合、すでに半田付けされている電子部品6
5が下向きとなることによって再加熱されて半田部67
が再溶融する問題は、上記の如く基板16の下面16b
に吹き付けられる低温の外気で冷却されるので解消させ
ることができ、基板16につきその片面ずつのリフロー
半田付けを行うことが十分に可能となる。
例えばリフロー半田付は装置11 (請求項3)におい
て、第10図に示すように、基板16の上面16aに搭
載された熱容量の大きい電子部品65Aと熱容量の非常
に小さい電子部品65B及び基板16の下面16bに搭
載された熱容量の非常に小さい電子部品65Cとについ
て温度上昇曲線を調べた試験結果について説明すると、
第11図に示すように、電子部品65Aは熱容量が大き
いために最初から2分経過までの予備加熱においても温
度上昇が電子部品65Bに比べて遅いが、空気の温度で
ある約145℃に対して次第に熱的に飽和して該空気の
温度に一致したところで平衡状態となり、半田付はゾー
ンにおいても急激にではあるが電子部品65Bに比べる
と若干遅れて温度が上昇し、半田付は温度に達してクリ
ーム半田が熔融して半田付けがなされ、その後に半田付
はゾーンから出ると急速に冷却される。
これに対して熱容量の非常に小さい電子部品65Bは、
実線で示すように、2分経過までの予備加熱においても
電子部品65Aに比べてより速く温度が上昇するが、や
はり空気の温度に熱的に飽和して平衡状態となり、予備
加熱においては電子部品65A、65B間に最終的には
何ら温度的な差はなく、また半田付はゾーンにおいても
電子部品65Aに比べてより急速に温度が上昇して半田
付は温度に達するが、その最高温度は電子部品65A、
65B間においてほとんど差はなく、この差は±2℃の
範囲とすることが可能である。
一方、基板16の下面16bに搭載された熱容量の非常
に小さい電子部品65Cは、−点鎖線で示すように、予
備加熱ゾーン及び半田付はゾーンにおいて電子部品65
Bと路間等の温度上昇の立上り傾向を示すが、各ゾーン
における熱的に飽和したときの電子部品65Cの最高温
度は電子部品65Bより約lO℃低くなる程度とするこ
とが可能であることが立証された。
これに対して従来の遠赤外線加熱方式のリフロー半田付
は装置において同様に電子部品65A。
65B及び65Dとについて温度上昇曲線を調べた試験
結果について説明すると、第12図及び第13図に示す
ように、電子部品65Aは熱容量が大きいために最初か
ら2分経過までの予備加熱において温度上昇が電子部品
65Bに比べて遅(、熱的に飽和点に達することなく半
田付はゾーンに移行し、急激に温度が上昇して電子部品
65Bに比べて時間的に遅れて半田付は温度に到達して
半田付けがなされ、その後半田付はゾーンから出ると急
速に冷却される。
これに対して熱容量の非常に小さい電子部品65Bは、
実線で示すように、2分経過までの予備加熱において電
子部品65Aに比べてより速く温度が上昇し予備加熱に
おいて電子部品65A。
65B間に大きな温度差が生じ、また半田付はゾーンに
おいても電子部品65Aに比べてより急速に温度が上昇
して半田付は温度に達し、その最高温度は電子部品65
Bの方が電子部品65Aよりも約50℃高くなっている
一方、基板16の下面16bに搭載された熱容量の大き
い電子部品65Dは、−点鎖線で示すように、予備加熱
ゾーン及び半田付はゾーンにおいて電子部品65Aと路
間等の温度上昇の立上り傾向を示すが、各ゾーンにおけ
る熱的に飽和したときの電子部品65Dの最高温度は電
子部品65Aより約30℃低(なり、熱容量の大小異な
る電子部品65の搭載された基板16の両面を同時にリ
フロー半田付けを行うとすれば、最高温度の差は約80
℃に達し、半田付は可能な温度に調整することは困難と
なるような大きな温度差が生じた。即ち、このような従
来例に比べて、いかに本発明が優秀であるかが立証され
た。
また本発明では、電動モータ26、■ベルト25、回転
軸19及び送風機12等の駆動機構30をすべてヒータ
14及びコンベア15の下方にのみ配設したので、運動
質量がリフロー半田付は装置11の下方に集中する結果
となり、このためこれらの駆動装置30から発生する振
動及び騒音を従来品に比べて非常に低減化することが可
能である。またこの低い位置においては、ヒータ14の
熱の影響が少ないため、温度が低くなっており、従って
電動モータ26及び軸受20,21に対する悪影響が極
めて少なく、これらの耐久性を大幅に向上させることが
できる。
効果 本発明は、上記したように送風機によって空気を強制的
にかなりの風速(例えば3 m / sec )で循環
させ、該循環する空気をヒータにより加熱することによ
り該空気の熱伝導率の低い点を風速で補って電子部品が
搭載されて搬送される基板の上面に接触させて加熱して
半田付けを行うようにしたので、基板及び電子部品が加
熱空気に対して時間の経過と共に次第に熱的に飽和して
加熱されるようにすることができ、急激な温度上昇を防
止して、基板及び電子部品に対する熱的ショックをなく
すことができ、熱に弱いΩFPやPLCC又はFICチ
ップその他のSMDについても半田付けによって破損す
ることがないようにするこ止ができる効果がある。また
基板の温度上昇の精度を極めて高いものく例えば±2℃
程度)とすることができる効果がある。更には熱容量の
異なる基板や電子部品であっても、各部を従来のベーパ
フェーズ法と同程度に均一の温度分布で加熱できるとい
う効果がある。またベーパフェーズ法におけるような高
価な加熱媒体を不要とすることができ、この結果半田付
はコストをベーパフェーズ法に比べて大幅に低減するこ
とができ、装置の使用範囲を拡大することができる効果
がある。更には、基板の各部をむらなく加熱できるよう
にしたので、どの部分も一定の温度で可能な限り低い温
度で半田付けできるようにすることができ、電子部品に
対する半田付けの悪影響を極小とすることができる効果
が得られる。
また内部ケーシングの立上り部に貫通して接続された吸
引パイプを設けて該吸引パイプの一端より基板の上面と
接触し、上昇空気循環通路に沿って還流する加熱空気を
吸引して吸引パイプの他端から該加熱空気を基板の下面
に向けて吐出させるようにしたので、基板の両面をむら
なく加熱できるようにすることができる効果があり、こ
の結果両面同時半田付けも可能になり、半田付は作業の
能率向上及び半田付はコストの低減を図ることができる
効果がある。更に内部ケーシングの立上り部及び外部ケ
ーシングの立上り部に貫通して接続された吸引パイプと
該吸引パイプの一端に嵌挿されて上昇空気循環通路に沿
って還流する加熱空気又は外気のいずれかを選択的に吸
引可能とする開閉部材を設けたので、基板の下面に搭載
された電子部品がすでに半田付けされている場合には外
気を該基板の下面に接触させて電子部品の温度上昇を抑
制できるため、片面ずつのリフロー半田付けも可能とな
り、加熱による悪影響を取り除き基板の半田付は品質の
向上を図ることができるという効果が得られる。また一
方、基板の下面に搭載されている電子部品が未半田付け
の場合には外気を塞ぎ、上昇空気循環通路に沿って還流
する加熱空気を吸引パイプより吸引して該吸引パイプの
他端から該加熱空気を基板の下面に向けて吐出させるよ
うにしたので、基板の両面をむらなく加熱できるという
効果が得られ、この結果両面の同時リフロー半田付けも
可能となり、半田付は作業の能率向上及び半田付はコス
トの低減を図ることができる効果がある。また吸引パイ
プに開閉部材を嵌挿したので、片面半田付は及び両面半
田付けの双方に適した温度分布が容易に得られ、しかも
これらのいずれかを選択使用できるという多機能型のリ
フロー半田付は装置を実用に供することができる効果が
得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図から第11図は本発明の実施例に係り、第1図は
リフロー半田付は装置(請求項3)及び該装置内におけ
る空気の流れを示す縦断面図、第2図はリフロー半田付
は装置(請求項4)の縦断面図、第3図は第2図のリフ
ロー半田付は装置において基板の下面に加熱空気を吐出
させるようにしたときの空気の流れを示す縦断面図、第
4図は第2図のリフロー半田付は装置において基板の下
面に外気を吐出させるようにしたときの空気の流れを示
す縦断面図、第5図は第2図のリフロー半田付は装置の
吸引パイプの吸気口より加熱空気を吸引したときの空気
の流れを示す部分正面図、第6図は第2図のリフロー半
田付は装置の吸引パイプの一端より外気を吸引したとき
の空気の流れを示す部分正面図、第7図は片面ずつリフ
ロー半田付けするときの基板の上面に搭載された電子部
品の状態を示す基板の部分側面図、第8図はすでに半田
付けされた基板の下面を上にして基板の両面に搭載され
た電子部品の状態を示す基板の部分側面図、第9図は両
面を同時にリフロー半田付けするときの基板に搭載され
た電子部品の状態を示す基板の部分側面図、第10図は
試験片とじての基板の側面図、第11図は本発明装置に
よって両面リフロー半田付けするときの電子部品の温度
上昇曲線を示す線図、第12図及び第13図は従来例に
係り、第12図は試験片としての基板の側面図、第13
図は電子部品の温度上昇曲線を示す線図である。 ■は吸引パイプ、1aは一端、lcは他端、3は吸引パ
イプ、3aは一端、3cは他端、3eは吸気口、5は開
閉部材、5aは一端、5bは他端5cは切欠部、5dは
開口部、6は開閉弁、11はリフロー半田付は装置、1
2は送風機、13は空気循環通路、13Dは下降空気循
環通路、13Uは上昇空気循環通路、14はヒータ、1
5はコンベア、16は基板、16aは上面、16bは下
面、33は外部ケーシング、33aは立上り部、34は
内部ケーシング、34aは立上り部である。 第1図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 送風機によって空気を循環させ、該循環する空気を
    ヒータにより加熱して電子部品が搭載されて搬送される
    基板に接触させて該基板を加熱するリフロー半田付け方
    法において、前記基板の搬送経路の下方にのみ配設され
    た前記送風機により該搬送経路の上方から下方に向かっ
    て前記空気を循環させ、前記送風機の吸引力により生じ
    た負圧によって前記空気を前記ヒータに流入させて加熱
    し、加熱空気を前記基板の上面に接触させた後、前記送
    風機から吐出される該加熱空気を下方から上方に循環さ
    せる上昇空気循環通路の途中で前記加熱空気を上方から
    下方に循環させる下降空気循環通路に連通させる吸引パ
    イプによって吸引された前記加熱空気を前記基板の下面
    に接触させて半田付けすることを特徴とするリフロー半
    田付け方法。 2 送風機によって空気を循環させ、該循環する空気を
    ヒータにより加熱して電子部品が搭載されて搬送される
    基板に接触させて該基板を加熱するリフロー半田付け方
    法において、前記基板の搬送経路の下方にのみ配設され
    た前記送風機により該搬送経路の上方から下方に向かっ
    て前記空気を循環させ、前記送風機の吸引力により生じ
    た負圧によって前記空気を前記ヒータに流入させて加熱
    し、加熱空気を前記基板の上面に接触させた後、前記基
    板の下面に臨む空間を該加熱空気を下方から上方に循環
    させる上昇空気循環通路の途中又は外気に連通させ開閉
    部材の操作によって連通経路が切り換えられるようにし
    た吸引パイプによって吸引された前記加熱空気を前記基
    板の下面に接触させること又は前記吸引パイプによって
    吸引された前記外気を前記基板の下面に接触させること
    を前記開閉部材の操作で選択して半田付けすることを特
    徴とするリフロー半田付け方法。 3 送風機と、該送風機によって空気を循環させる空気
    循環通路と、該空気循環通路中に配設されて前記空気を
    流入させながら加熱するヒータと、電子部品が搭載され
    た基板を搬送するコンベアとを備えたリフロー半田付け
    装置において、前記送風機を前記コンベアの下方にのみ
    配設し、該コンベアの上方に前記ヒータを配設し、前記
    空気循環通路は、前記送風機により吸引された前記空気
    が前記ヒータの収容された内部ケーシング内に流入して
    加熱され前記基板の上面に接触するようにした下降空気
    循環通路と、前記送風機から外部ケーシング内に吐出さ
    れた空気が上昇して前記ヒータの上方に戻される上昇空
    気循環通路とが連通して形成されており、一端が前記上
    昇空気循環通路に臨んで開口して他端が前記下降空気循
    環通路内を搬送される前記基板の下面に臨んで開口し、
    前記内部ケーシングの立上り部に貫通して接続された吸
    引パイプを備えたことを特徴とするリフロー半田付け装
    置。 4 送風機と、該送風機によって空気を循環させる空気
    循環通路と、該空気循環通路中に配設されて前記空気を
    流入させながら加熱するヒータと、電子部品が搭載され
    た基板を搬送するコンベアとを備えたリフロー半田付け
    装置において、前記送風機を前記コンベアの下方にのみ
    配設し、該コンベアの上方に前記ヒータを配設し、前記
    空気循環通路は、前記送風機により吸引された前記空気
    が前記ヒータの収容された内部ケーシング内に流入して
    加熱され前記基板の上面に接触するようにした下降空気
    循環通路と、前記送風機から外部ケーシング内に吐出さ
    れた空気が上昇して前記ヒータの上方に戻される上昇空
    気循環通路とが連通して形成されており、一端が外気に
    臨んで開口して他端が前記下降空気循環通路内を搬送さ
    れる前記基板の下面に臨んで開口しており更に前記上昇
    空気循環通路に臨む適所位置に吸気口が形成されて前記
    外部ケーシングの立上り部及び前記内部ケーシングの立
    上り部に貫通して接続された吸引パイプと、パイプ状に
    形成されて前記吸引パイプの一端に回動又は摺動自在に
    嵌挿されており一端に形成された開口部を開閉自在に切
    り換え得る開閉弁が該一端に設けられ他端には前記吸引
    パイプに形成された前記吸気口を開閉させる切欠部を設
    けてなる開閉部材とを備えたことを特徴とするリフロー
    半田付け装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE39437E1 (en) 1998-10-23 2006-12-19 Kabushiki Kaisha Ohara Negative thermal expansion glass ceramic

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