JPH02205049A - Wafer positioning system - Google Patents

Wafer positioning system

Info

Publication number
JPH02205049A
JPH02205049A JP1024611A JP2461189A JPH02205049A JP H02205049 A JPH02205049 A JP H02205049A JP 1024611 A JP1024611 A JP 1024611A JP 2461189 A JP2461189 A JP 2461189A JP H02205049 A JPH02205049 A JP H02205049A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
angle
center
eccentricity
pixel number
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1024611A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shin Ito
慎 伊藤
Shuichi Chikamatsu
秀一 近松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority to JP1024611A priority Critical patent/JPH02205049A/en
Publication of JPH02205049A publication Critical patent/JPH02205049A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PURPOSE:To correct the eccentricity of a wafer quickly and with high accuracy for positioning by a method wherein the variation curve of a pixel number detected by a linear sensor in regard to the circumference of the wafer and an angle signal are processed. CONSTITUTION:A detection signal is outputted from a pixel detected in accordance with the circumferential radial position in regard to the rotation center of a wafer 1 and the signal is inputted to a pixel number detecting circuit 7. The outputted pixel number is inputted to a microprocessor 4 together with an angle signal from an angle detector 8 and the angle of the center of the orientation flat(OF) of the wafer 1, the angle of the eccentricity of the wafer 1 from the center of the OF and the eccentricity are calculated and stored in a memory 4a. In accordance with the stored data read out of the memory 4a, the wafer 1 is turned until the angle of the center OFc of the OF agrees with a reference angel and stopped by a rotation control circuit 5 and a spindle motor 6a. Then the wafer 1 is attracted by an attracting mechanism 10 are shifted to the direction of the eccentricity. The shift distance can be obtained by multiplying the stored eccentricity by a suitable factor.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、ウェハの位置決め方式に関し、詳しくは、
ウェハのオリエンティシロンOフラット(OF)を基準
位・置に一致させるとともに、回転中心に対するウェハ
の偏心を修正して位置決めする方式に関するものである
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a wafer positioning method, and in detail,
The present invention relates to a method of positioning the wafer by aligning the wafer's orientation O-flat (OF) with a reference position and correcting the eccentricity of the wafer with respect to the center of rotation.

[従来の技術] 半導体製品のICチップは、シリコンなどのウェハに対
してマスクによりICパターンが投影露光され、所定の
処理が行われた後、チップ毎にカットされて製作される
。各処理装置ではICチップを正しく位置決めして処理
されるので、位置決めのためにウェハに設けられている
オリエンティション会フラット(OF)を処理装置の基
準位置に一致させて装着することが必要である。
[Prior Art] IC chips for semiconductor products are manufactured by projecting and exposing an IC pattern onto a wafer of silicon or the like using a mask, performing predetermined processing, and then cutting the wafer into individual chips. Since IC chips are correctly positioned and processed in each processing device, it is necessary to align the orientation flat (OF) provided on the wafer with the reference position of the processing device for positioning purposes. .

第4図(a)、(b)および(e)は、OFの形式を示
すもので、図(a)においてウェハ1の外周に直線吠の
OFが1箇所設けられており、図(b)では、互いに直
角方向の2箇所にOFlとこれより短いOF2が設けら
れている。これに対して、図(c)はOF2の代わりに
V字形のノツチが設けられている。位置決めには、図(
a)、(C)の場合はOFが、また図(b)のウェハで
はOFIが対象とされ、これらの中心を基準角度に一致
させるものである。
4(a), (b), and (e) show the format of the OF. In FIG. 4(a), one straight OF is provided on the outer periphery of the wafer 1, and in FIG. 4(b) In this case, an OFl and a shorter OF2 are provided at two positions perpendicular to each other. On the other hand, in Figure (c), a V-shaped notch is provided instead of OF2. For positioning, please refer to the figure (
In the case of a) and (C), the OF is targeted, and in the case of the wafer in FIG. 3(b), the OF is targeted, and their centers are made to coincide with the reference angle.

第5図(a)l(b)は従来のウェハの位置決め方式の
実施例を説明するもので、図(a)においてウェハ1の
外周に対して、例えば3個の光学センサ2a + 2 
b + 2 cを配設し、ウェハを回転して各センサが
すべて受光する位置を検出し、これを基準位置(角度)
として位置決めする。図(b)においてはOFの位置で
リニアセンサ3の受光画素の番号が変化するので、その
番号変化によりOFを検出して位置決めするものである
FIGS. 5(a) and 5(b) illustrate an embodiment of a conventional wafer positioning method. In FIG.
b + 2 c, rotate the wafer, detect the position where all the sensors receive light, and set this as the reference position (angle).
position as. In Figure (b), the number of the light receiving pixel of the linear sensor 3 changes at the OF position, so the OF is detected and positioned based on the change in number.

[解決しようとする課題] −1−記の第5図(a)の位置決め方式においては、基
準位置に対してOFは一致するが、第4図(b)のよう
にOF l+ OF 2がある場合は、なんらかの方法
によりOFI を判別することが必要である。
[Problem to be solved] In the positioning method shown in FIG. 5(a) described in -1-, OF matches the reference position, but as shown in FIG. 4(b), there is OF l + OF 2. In this case, it is necessary to determine the OFI by some method.

またウェハ1に偏心があるときは、その方向は勿論、偏
心量も検出されず、従って偏心の修正を行うことができ
ない。これに対して、第5図(b)の方式においては、
まずOFを水準位置に合わせた後、外周部の偏心による
リニアセンサの受光画素の番号の変化状態を調べ、ある
程度試行錯誤によりウェハを移動して、番号変化が最小
となるように修正する方式が行われている。最近におけ
る高密度化したICチップに対しては上記の修正方式に
より高精度の位置合わせ養なすには時間が長く1かかる
欠点がある。これに対して、迅速かつ、高精度に位置合
わせする方式が必要とされている。
Further, when the wafer 1 has eccentricity, not only the direction but also the amount of eccentricity is not detected, and therefore the eccentricity cannot be corrected. On the other hand, in the method shown in FIG. 5(b),
First, the method is to align the OF with the level position, then check how the numbers of the light-receiving pixels of the linear sensor change due to the eccentricity of the outer periphery, move the wafer through some trial and error, and correct it so that the number changes are minimized. It is being done. For recent high-density IC chips, there is a drawback that it takes a long time to achieve high-precision alignment using the above correction method. In response, there is a need for a method for quick and highly accurate positioning.

この発明は以上に鑑みてなされたもので、」1記の図(
b)のリニアセンサの方式を一歩進めて、1箇所または
2箇所にOFが設けられたウェハに対して、迅速かつ高
精度に偏心を修正して位置合わせを行うウェハの位置決
め方式を提供することを目的とするものである。  □
   ゛  ′[課題を解決するための手段] この発明は、円板の外周にオリエンティション・フラッ
ト(OF)を設けたウェハの位置決めにおいて、ウェハ
の回転中心に対する外周の半径位置を検出するリニアセ
ンサを設け、回転機構によりウェハを1回転し、回転角
度データとリニアセンサの検出した半径位置に対する画
素番号の変化曲線とにより、OFの中心の角度とこの中
心角度に対するウェハの偏心方向の角度および偏心量を
算出してメモリに記憶し、該メモリに記憶された上記中
心角度、偏心方向の角度および偏心量を読み出して、回
転機構によりウェハを回転してOFの中心を基準角度に
停止し、かつ、ウェハを偏心方向と反対方向に偏心量だ
け移動する。
This invention has been made in view of the above, and is shown in Figure 1 (
To provide a wafer positioning method that takes the linear sensor method of b) one step further and quickly and accurately corrects eccentricity and aligns a wafer with OFs provided at one or two locations. The purpose is to □
[Means for Solving the Problems] The present invention uses a linear sensor that detects the radial position of the outer circumference of the wafer with respect to the center of rotation in positioning a wafer having an orientation flat (OF) provided on the outer circumference of the disk. The wafer is rotated once by the rotation mechanism, and the angle of the center of the OF, the angle of the eccentric direction of the wafer with respect to this center angle, and the amount of eccentricity are determined using the rotation angle data and the change curve of pixel number with respect to the radial position detected by the linear sensor. is calculated and stored in a memory, the center angle, the angle in the eccentric direction, and the amount of eccentricity are read out from the memory, and the wafer is rotated by a rotation mechanism to stop the center of the OF at a reference angle, and The wafer is moved by the eccentric amount in the opposite direction to the eccentric direction.

を記画素番号の変化曲線に対してマイクロプロセッサの
2次微分処理により、″ウニ“ハの外周に対する画素番
号の極小値および極大値を検出し、極小値または極大値
により、OFの小心め角度またはウェハの偏心方向の角
度を算出する。    :を記において、ウェハに対し
て直角方向の企箇所にOFが設けられでいるときは、・
リニアセンサにより検出された半径位置に対する画素番
号のうち、小さい番号に相当するOFを位1置決め用の
OFとするもめである。
The minimum and maximum values of the pixel number with respect to the outer periphery of the "urchin" are detected by the microprocessor's second-order differential processing with respect to the change curve of the pixel number, and the small centering angle of the OF is determined based on the minimum value or maximum value. Or calculate the angle of the eccentric direction of the wafer. : When the OF is provided at a location perpendicular to the wafer, ・
This is a conflict in which the OF corresponding to the smaller number among the pixel numbers corresponding to the radial position detected by the linear sensor is set as the OF for position 1 positioning.

[作用] この発明によるウェハ位置決め方式の作用を第1図(a
) ;(b)、(c’)および(d)により説明する。
[Operation] The operation of the wafer positioning method according to the present invention is shown in FIG.
); explained by (b), (c') and (d).

図(a)において、ウェハ1の外周に対して、その回転
中心0よりの半径位置を検出するり′三アセンサ3を設
ける。図(b)はOFの中心点OFcが基準角度にある
ときを示し、ウェハは直径p 2−+ plの方向に偏
心しく点線)、偏心量はδ、rl=δr2である。直径
p、−p2に対して直角方向の直径ct −C2は無偏
心である。回転中心Oに対してウェハの中心は0′に移
動しており、半径0−OFcに対して直径Pt −P2
は角度o1 またはC2の方向にある。いま、回転機構
によりウェハを1回転するとき、リニアセンサ3が検出
した外周に対する画素番号はOFと偏心により変化する
。ここで、画素番号は例えば内側より半径方向に順次大
きくなるように付与されており、受光した画素のうち最
小の番号が外周の位置を示す。
In Figure (a), a sensor 3 is provided on the outer periphery of the wafer 1 to detect the radial position from the center of rotation 0 of the wafer. Figure (b) shows a case where the center point OFc is at the reference angle, the wafer is eccentric in the direction of the diameter p2-+pl (dotted line), and the eccentricity is δ, rl=δr2. The diameter ct -C2 in the direction perpendicular to the diameters p and -p2 is non-eccentric. The center of the wafer has moved to 0' with respect to the rotation center O, and the diameter Pt -P2 with respect to the radius 0-OFc.
is in the direction of angle o1 or C2. Now, when the wafer is rotated once by the rotation mechanism, the pixel number with respect to the outer periphery detected by the linear sensor 3 changes depending on the OF and eccentricity. Here, the pixel numbers are assigned such that they increase in the radial direction from the inside, for example, and the smallest number among the pixels that receive light indicates the position on the outer periphery.

以下においては、便宜上最小の番号を画素番号とする。In the following, for convenience, the smallest number will be referred to as the pixel number.

図(c)は回転角度θに対する画素番号の変化曲線で、
無偏心の点CI +  C2に対する画素番号Ncに対
して、偏心により極大値を示すpl と極小値を示すp
2が現れる。またOFの付近で画素番号は変化して中心
点OFcにおいて極小値となる。図は、偏心をことさら
大きくしたもので、実際にはおおよそセンタリングされ
て偏心は小さいものであるが、OFCの変化量はかなり
大きい。
Figure (c) is a change curve of pixel number against rotation angle θ,
For the pixel number Nc for the non-eccentric point CI + C2, pl, which shows the maximum value due to eccentricity, and p, which shows the minimum value, due to eccentricity.
2 appears. Further, the pixel number changes near OF and reaches a minimum value at the center point OFc. The figure shows a particularly large eccentricity; in reality, it is roughly centered and the eccentricity is small, but the amount of change in OFC is quite large.

なお、番号の付与を上記と逆にすると、極大、極小など
は入れ替わる。
Note that if the numbering is reversed from the above, the maximum, minimum, etc. will be swapped.

」−記の変化曲線データに対してマイクロプロセッサに
よる二次微分処理を行うと、その零点が曲線の極小値ま
たは極大値を示すので、これらの極小値または極大値と
回転角度データによりOFcの角度と、OFcに対する
1)1 またはp2の角凍θ1または02が算出されて
メモリに記憶される。
When a microprocessor performs second-order differential processing on the change curve data described in "-, the zero point indicates the minimum or maximum value of the curve, so the angle of OFc can be calculated using these minimum or maximum values and rotation angle data. Then, the angle freeze θ1 or 02 of 1)1 or p2 for OFc is calculated and stored in the memory.

このデータを読み出して、回転機構によりウェハを回転
してOFcを基準角度に一致させた後、角度θl (ま
たはC2)の方向にウェハを移動する。
After reading this data and rotating the wafer using a rotation mechanism to match OFc with the reference angle, the wafer is moved in the direction of angle θl (or C2).

移動量δrはpt  (またはI)2)の中心線Ncよ
りの偏差δr1′(またはδr2′)に適当な係数を乗
じて求められる。
The amount of movement δr is determined by multiplying the deviation δr1' (or δr2') of pt (or I)2) from the center line Nc by an appropriate coefficient.

ウェハの2箇所にOF l* OF 2があるときは、
図(d)に示すように画素番号曲線には、それぞれの中
心点0Fclと0Fc2の2箇所に対して極小値Nl 
とN2が現れるが、前記のようにOFtに比較してOF
2は短いのでNs <N2となり、位置決め用にOFl
が識別される。なお、OF2の代わりにVノツチが設け
られた場合も同様である。
When there are OF l* OF 2 in two places on the wafer,
As shown in Figure (d), the pixel number curve has a local minimum value Nl at two locations, each center point 0Fcl and 0Fc2.
and N2 appear, but as mentioned above, compared to OFt, OF
2 is short, so Ns < N2, and OFl is used for positioning.
is identified. Note that the same applies when a V-notch is provided instead of OF2.

以上における回転機構およびウェハの移動に対する制御
と画素番号に対するデータ処理はマイクロプロセッサに
より行われる。
The control of the rotation mechanism and movement of the wafer and the data processing of pixel numbers are performed by a microprocessor.

[実施例コ 第2図はこの発明によるウェハ位置決め方式の実施例の
回路構成図を示し、第3図(a)、(b)は第2図に対
する概略のフローチャートである。
[Embodiment] FIG. 2 shows a circuit configuration diagram of an embodiment of the wafer positioning method according to the present invention, and FIGS. 3(a) and 3(b) are schematic flowcharts for FIG. 2.

第2図において、ウェハ1はスピンドル6に吸着されて
スピンドルモータ6aにより回転される。
In FIG. 2, a wafer 1 is attracted to a spindle 6 and rotated by a spindle motor 6a.

回転角度は角度検出器8により検出されて角度信号が出
力される。ウェハ1の外周に対して投光器3aより光ビ
ームを投光し、これを1次元CCDのリニアセンサ3に
より受光する。ウェハ1の回転中心に対する外周の半径
位置に従って、受光した画素より受光信号が出力され、
これが画素番号検出回路7に入力する。画素に対する番
号は内側より半径方向に順次付与されたものとし、受光
した各画素のうち最小番号を画素番号として検出して出
力される。出力された画素番号は、角度検出器8よりの
角度信号とともにマイクロプロセッサ(MPC)4に入
力して、前記した方法により、OFの中心の角度とこれ
に対するウェハの偏心方向の角度および偏心量が算出さ
れて、これらのデータがメモリ4aに記憶される。この
データを読み出して回転制御回路5、スピンドルモータ
6aにより、OFの中心OFcが基準角度に一致する角
度までウェハlを回転して停止する。ついで、マイクロ
プロセッサ4の指令によりスピンドル6の吸着を解放し
、移動機構9の吸着機構10によりウェハ1を吸着して
偏心方向に移動する。移動量は前記の記憶された偏心量
に対して適当な係数を乗じて求められる。なお、移動方
法どして上記と異なる、例えば、ウェハ1とスピンドル
6などの回転機構全体をXY移動機構に搭載して移動す
る方法でも差し支えなく、その場合はウェハ1はスピン
ドル6に吸着したまま移動する。
The rotation angle is detected by an angle detector 8 and an angle signal is output. A light beam is projected onto the outer periphery of the wafer 1 from a light projector 3a, and is received by a one-dimensional CCD linear sensor 3. A light reception signal is output from the light receiving pixel according to the radial position of the outer circumference with respect to the rotation center of the wafer 1,
This is input to the pixel number detection circuit 7. Numbers are assigned to pixels sequentially from the inside in the radial direction, and the lowest number among each pixel that receives light is detected and output as the pixel number. The output pixel number is input to the microprocessor (MPC) 4 along with the angle signal from the angle detector 8, and the angle of the center of the OF, the angle of the eccentric direction of the wafer relative to this, and the amount of eccentricity are determined by the method described above. These data are calculated and stored in the memory 4a. This data is read, and the rotation control circuit 5 and spindle motor 6a rotate the wafer 1 to an angle at which the center OFc coincides with the reference angle, and then the wafer 1 is stopped. Next, the spindle 6 is released from suction by a command from the microprocessor 4, and the wafer 1 is suctioned by the suction mechanism 10 of the moving mechanism 9 and moved in an eccentric direction. The amount of movement is determined by multiplying the stored eccentricity amount by an appropriate coefficient. Note that the movement method may be different from the above, for example, a method in which the entire rotating mechanism such as wafer 1 and spindle 6 is mounted on an XY movement mechanism and moved; in that case, wafer 1 remains attracted to spindle 6. Moving.

第3図(a)のブローチヤードにおいて、まずウェハが
回転され■、ウェハの外周に対する前記した画素番号が
検出されてメモリに記憶される■。
In the broach yard of FIG. 3(a), the wafer is first rotated (2), and the above-mentioned pixel number for the outer circumference of the wafer is detected and stored in the memory (2).

マイクロプロセッサにより該画素番号曲線に対して2次
微分処理がなされて零点が検出され■、これがOFの中
心OFcおよび偏心による極大値plと極小値p2を示
す。第1図(c)におけるpl(またはp2)と中心線
Ncとの間隔、すなわち偏心量δrl’(またはδr2
′)が算出される■。角度信号を参照して% OF c
とpt  (またはp2)の角度θl (またはθ2)
とを算出し■、OFcが基準角度に一致するようにウェ
ハを回転して停止する■。停止したウェハを、偏心方向
(直径P1− P2 )と反対方向に移動量δr1だけ
移動して■、位置決めが終了する。移動量δrlは予め
の測定により求められた係数を上記のδr1′に乗じて
えられる。図(b)は、2箇所にOFが設けられたウェ
ハに対するもので、前記したように中心0Fc1と0F
C2に対する画素番号N1とN2のうちの小さい方が位
置決め用のOFに対するものであるから、その大小を比
較する■。
The microprocessor performs second-order differential processing on the pixel number curve and detects a zero point (2), which indicates the center OFc and the local maximum value pl and local minimum value p2 due to eccentricity. The distance between pl (or p2) and the center line Nc in FIG. 1(c), that is, the eccentricity δrl' (or δr2
′) is calculated■. % OF c with reference to the angle signal
and pt (or p2) angle θl (or θ2)
Calculate ■, rotate the wafer so that OFc matches the reference angle, and stop ■. The stopped wafer is moved by a movement amount δr1 in the direction opposite to the eccentric direction (diameter P1-P2), and positioning is completed. The amount of movement δrl can be obtained by multiplying the above δr1' by a coefficient determined by measurement in advance. Figure (b) is for a wafer with OFs provided at two locations, as described above, the center 0Fc1 and 0Fc1.
The smaller of the pixel numbers N1 and N2 for C2 is for the positioning OF, so compare the sizes.

Nlが小さいときは0Fct とpl  (または1)
2)の角度θ1 (またはθ2)を算出し■、N2が小
さいときは0FC2に対するθ1 (またはθ2)を算
出する[相]。このステップ■〜[相]は、図(a)の
■の代わりに■と■の間に挿入される。
When Nl is small, 0Fct and pl (or 1)
2) Calculate the angle θ1 (or θ2), and when N2 is small, calculate θ1 (or θ2) for 0FC2 [phase]. These steps (■) to [phase] are inserted between (2) and (2) instead of (2) in Figure (a).

[発明の効果] 以上の説明により明らかなように、この発明によるウェ
ハ位置決め方式においては、ウェハの外周に対するリニ
アセンサの受光した画素番号の変化曲線と角度信号とを
処理することにより、OFの中心の角度と、回転中心に
対するウェハの偏心方向の角度および偏心量が求められ
、中心の角度によりOFを基準角度に回転停止し、偏心
方向と反対方向にウェハを移動じて偏心が修正されるも
ので、各機構の動作とデータ処理はマイクロプロセッサ
により行われ、1箇所または2箇所にOFが設けられた
いずれのウェハに対しても、高精度な位置決めが迅速に
なされる効果には大きいものがある。
[Effects of the Invention] As is clear from the above explanation, in the wafer positioning method according to the present invention, the center of the OF is The angle, the angle of the eccentric direction of the wafer with respect to the center of rotation, and the amount of eccentricity are determined, and the eccentricity is corrected by stopping the rotation of the OF at a reference angle based on the angle of the center, and moving the wafer in the opposite direction to the eccentric direction. The operation of each mechanism and data processing are performed by a microprocessor, and it has a great effect on quickly and highly accurate positioning for any wafer with one or two OFs. be.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(a)、(b)、(c)および(d)は、この発
明によるウェハ位置決め方式の作用説明図、第2図は、
この発明によるウェハ位置決め方式の実施例における回
路構成図、第3図(a)および(b)は、第2図に対す
るフローチャート図、第4図(aL(b)および(C)
はウェハに設けられるオリエンティシロンjフラット(
OF)およびVノツチの配置の説明・図、第5図(a)
および(b)は、ウエノ1に対する従来の位置決め方式
の説明図である。 1・・・ウェハ、     ・2・・・光学センサ、3
・・・リニアセンサ、  3a・・・投光器、4・・・
マイクロプロセッサ、4a・・・メモリ、5・・・回転
制御回路、  6・・・スピンドル、8、a ・・・ス
ピンドルモータ、 7・・・画素番号検出回路、8・・・・角度検出器、9
・・・移動機構、10・・・吸着機構。
FIGS. 1(a), (b), (c), and (d) are explanatory diagrams of the operation of the wafer positioning method according to the present invention, and FIG.
FIGS. 3(a) and 3(b) are circuit configuration diagrams in an embodiment of the wafer positioning method according to the present invention, and FIGS.
is the orientisilon j flat provided on the wafer (
Explanation/diagram of the arrangement of OF) and V-notch, Fig. 5(a)
and (b) are explanatory diagrams of a conventional positioning method for the wafer 1. 1... Wafer, 2... Optical sensor, 3
... Linear sensor, 3a... Floodlight, 4...
Microprocessor, 4a...Memory, 5...Rotation control circuit, 6...Spindle, 8,a...Spindle motor, 7...Pixel number detection circuit, 8...Angle detector, 9
...Movement mechanism, 10...Adsorption mechanism.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)円板の外周にオリエンティション・フラット(以
下OFと略称)を設けたウェハの位置決めにおいて、該
ウェハの回転中心に対する外周の半径位置を検出するリ
ニアセンサを設け、マイクロプロセッサに制御された回
転機構により該ウェハを1回転し、該回転の角度データ
と該リニアセンサの検出した上記半径位置に対する画素
の番号の変化曲線とにより、上記OFの中心の角度と該
中心角度に対する上記ウェハの偏心方向の角度および偏
心量を算出してメモリに記憶し、該記憶された中心角度
、偏心方向の角度および偏心量を読み出して、上記回転
機構によりウェハを回転してOFの中心を基準角度に停
止し、かつ、該ウェハを該偏心方向と反対方向に該偏心
量だけ移動することを特徴とする、ウェハ位置決め方式
(1) In positioning a wafer with an orientation flat (hereinafter abbreviated as OF) on the outer circumference of a disk, a linear sensor is provided to detect the radial position of the outer circumference with respect to the rotation center of the wafer, and the sensor is controlled by a microprocessor. The wafer is rotated once by the rotation mechanism, and the angle of the center of the OF and the eccentricity of the wafer with respect to the center angle are determined based on the angle data of the rotation and the change curve of the pixel number with respect to the radial position detected by the linear sensor. The direction angle and the amount of eccentricity are calculated and stored in the memory, the stored center angle, the angle of the eccentric direction and the amount of eccentricity are read out, and the wafer is rotated by the rotation mechanism and stopped at the center of the OF at the reference angle. and moving the wafer by the eccentric amount in a direction opposite to the eccentric direction.
(2)上記画素番号の変化曲線に対してマイクロプロセ
ッサの2次微分処理により、上記外周に対する該画素番
号の極小値および極大値を検出し、該極小値または極大
値により、上記OFの中心の角度またはウェハの偏心方
向の角度を算出する、請求項1記載のウェハ位置決め方
式。
(2) The minimum value and maximum value of the pixel number with respect to the outer circumference are detected by the microprocessor's second-order differential processing on the change curve of the pixel number, and the center of the OF is determined based on the minimum value or maximum value. The wafer positioning method according to claim 1, wherein an angle or an angle in an eccentric direction of the wafer is calculated.
(3)上記ウェハに対して直角方向の2箇所に設けられ
たOFに対して、上記リニアセンサによりそれぞれ検出
された上記半径位置に対する画素番号のうち、変化量の
大きい画素番号を示すOFを位置決め用のOFとする、
請求項1記載のウェハ位置決め方式。
(3) For the OFs provided at two locations perpendicular to the wafer, position the OF that indicates the pixel number with the largest change among the pixel numbers corresponding to the radial position detected by the linear sensor. As OF for
The wafer positioning method according to claim 1.
JP1024611A 1989-02-02 1989-02-02 Wafer positioning system Pending JPH02205049A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1024611A JPH02205049A (en) 1989-02-02 1989-02-02 Wafer positioning system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1024611A JPH02205049A (en) 1989-02-02 1989-02-02 Wafer positioning system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02205049A true JPH02205049A (en) 1990-08-14

Family

ID=12142946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1024611A Pending JPH02205049A (en) 1989-02-02 1989-02-02 Wafer positioning system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02205049A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04290455A (en) * 1991-03-19 1992-10-15 Hitachi Electron Eng Co Ltd Wafer prealignment system
US5264918A (en) * 1991-03-13 1993-11-23 Tokyo Electron Yamanashi Limited Method and device for detecting the center of a wafer
US5513948A (en) * 1991-05-17 1996-05-07 Kensington Laboratories, Inc. Universal specimen prealigner

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60167009A (en) * 1984-02-10 1985-08-30 Hitachi Ltd Method and device for positioning plate type body
JPS6132539A (en) * 1984-07-25 1986-02-15 Hitachi Ltd Positioning device of wafer
JPS62271445A (en) * 1986-02-03 1987-11-25 プロコニクス・インタ−ナシヨナル・インコ−ポレ−テツド Aligner

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60167009A (en) * 1984-02-10 1985-08-30 Hitachi Ltd Method and device for positioning plate type body
JPS6132539A (en) * 1984-07-25 1986-02-15 Hitachi Ltd Positioning device of wafer
JPS62271445A (en) * 1986-02-03 1987-11-25 プロコニクス・インタ−ナシヨナル・インコ−ポレ−テツド Aligner

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5264918A (en) * 1991-03-13 1993-11-23 Tokyo Electron Yamanashi Limited Method and device for detecting the center of a wafer
JPH04290455A (en) * 1991-03-19 1992-10-15 Hitachi Electron Eng Co Ltd Wafer prealignment system
US5513948A (en) * 1991-05-17 1996-05-07 Kensington Laboratories, Inc. Universal specimen prealigner

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5452521A (en) Workpiece alignment structure and method
US5194743A (en) Device for positioning circular semiconductor wafers
US5125791A (en) Semiconductor object pre-aligning method
US7723710B2 (en) System and method including a prealigner
JPH04284647A (en) Method and apparatus for detecting central position of wafer
JPH11219894A (en) Aligner for wafer
TW201145437A (en) Method for specifying center position of substrate
JP4289961B2 (en) Positioning device
JPH02205049A (en) Wafer positioning system
JP3223584B2 (en) Apparatus and method for centering semiconductor wafer
JP2626582B2 (en) Wafer position measurement unit and wafer alignment unit and method
JPH01169939A (en) Centering equipment for semiconductor wafer
CN208938952U (en) Wafer circumference vision positioning and rotating device
JPH02292843A (en) Wafer positioning device
JP2001057380A (en) Semiconductor wafer centering device
JP3295915B2 (en) Semiconductor wafer positioning method and apparatus
TWI843132B (en) Alignment device
JP3275430B2 (en) Peripheral exposure apparatus, element manufacturing method and element
JP2001209978A (en) Method for positioning disk
WO2024075818A1 (en) Robot system, aligner, and alignment method for semiconductor substrate
KR20020076461A (en) Semiconductor wafer align system
CN117878017A (en) Wafer positioning and correcting method, system and device
JPH0530304B2 (en)
US6490026B1 (en) Method and system for aligning object to be processed with predetermined target article
JPH04249340A (en) Alignment method of semiconductor wafer