JP3223584B2 - Apparatus and method for centering semiconductor wafer - Google Patents

Apparatus and method for centering semiconductor wafer

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JP3223584B2 JP17733892A JP17733892A JP3223584B2 JP 3223584 B2 JP3223584 B2 JP 3223584B2 JP 17733892 A JP17733892 A JP 17733892A JP 17733892 A JP17733892 A JP 17733892A JP 3223584 B2 JP3223584 B2 JP 3223584B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置におい
て半導体ウエハを搬送するときにウエハのセンタおよび
平坦部の位置角（オリフラ）を正確に合せるための装置
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for accurately adjusting the position angle (orientation flat) of a center and a flat portion of a semiconductor wafer when a semiconductor wafer is carried in a semiconductor manufacturing apparatus.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体ウエハの製造装置において、半導
体ウエハを積重ねて収納するカセットから他のカセット
へ、または検査や加工のための各ステージへ、あるいは
各ステージ相互間の移送時などには、正確にウエハのセ
ンタ合せ（ウエハの中心位置を基準位置に合せること）
をする必要がある。また、ウエハの平坦部（又は切欠
部）の角度合せ（ウエハの平坦部（又は切欠部）の中心
線を特定の角度に合せること）をする必要がある。通
常、カセットや各ステージにはこのセンタ合せ機能は備
わっていないので、これらの間を移送する途中にウエハ
のセンタ合せ及びウエハの平坦部（又は切欠部）の角度
合せをする装置を追加する方法が行なわれている。2. Description of the Related Art In a semiconductor wafer manufacturing apparatus, when a semiconductor wafer is stacked and stored from a cassette to another cassette, or to each stage for inspection or processing, or when transferring between stages, an accurate operation is required. Alignment of the wafer to the center (align the center position of the wafer to the reference position)
Need to do. Further, it is necessary to adjust the angle of the flat portion (or notch) of the wafer (to adjust the center line of the flat portion (or notch) of the wafer to a specific angle). Usually, a cassette or each stage does not have this centering function. Therefore, a method of adding a device for centering a wafer and aligning an angle of a flat portion (or a notch) of a wafer during transfer between the cassettes and the stages. Is being done.

【０００３】このための装置には、ウエハがＮＣ装置な
どによって事前にほぼ真円に近い状態に加工されている
ことに着目し、ウエハを回転させてそのエッジ位置を回
転角度に対応させて検出記憶し、検出信号の最大値，最
小値によってウエハの中心位置の偏心量と偏心角度とを
算出し、この偏心データによってウエハのセンタ合せを
行うようにしたものや、さらにウエハにはその結晶方向
を示すために周辺部にオリフラとよばれる平坦部（また
は切欠部）が設けられているが、これらのオリフラ部等
の開始点および終了点においては他の部分におけるより
もエッジ位置の変化が急になるのでエッジ位置信号の変
化率が一定以上となったところを算出することによっ
て、オリフラ部（または切欠部）が存在する角度を判別
し、オリフラ部（または切欠部）の中心線（ウエハ１の
中心位置とオリフラ部（または切欠部）の中心位置とを
結ぶ直線）の角度を修正して、このオリフラ部等を搬送
装置等の他のステージに対して特定の位置となるように
同一の装置で行うようにしたものが提案されている。[0003] An apparatus for this purpose focuses on the fact that a wafer is previously processed into an almost perfect circle state by an NC apparatus or the like, and rotates the wafer to detect an edge position corresponding to the rotation angle. The eccentricity and the eccentric angle of the center position of the wafer are calculated based on the maximum value and the minimum value of the detection signal, and the center of the wafer is adjusted based on the eccentricity data. A flat portion (or a notch) called an orientation flat is provided in the peripheral portion to indicate that the edge position changes more sharply at the start and end points of these orientation flat portions than at other portions. The angle at which the orientation flat (or notch) exists is determined by calculating where the rate of change of the edge position signal has exceeded a certain value, and the orientation flat (or notch) is determined. Is notched, the angle of the center line (a straight line connecting the center position of the wafer 1 and the center position of the orientation flat (or notch)) is corrected, and the orientation flat or the like is moved to another stage such as a transfer device. There has been proposed an apparatus in which the same apparatus is used so as to be located at a specific position.

【０００４】図１は、このような従来装置の例を示す構
成図である。同図において１はセンタ合せの対象となる
半導体ウエハであり、ターンテーブル２の上に載置され
ている。３はターンテーブル２を回転させるためのター
ンテーブル回転機構であり、電動機４にて駆動される。
５はウエハ１の端縁（エッジ）位置を検出するための検
出器であり、投光器５ａおよび光センサ５ｂからなる。
この光センサ５ｂは受光量に応じて出力が特定の関係を
保ちながら連続的に変化するものであり、ＣＣＤ（電荷
結合素子）や商品名ＰＳＤ（ｐｏｓｉｔｉｏｎ ｓｅｎ
ｓｉｔｉｖｅｄｅｔｅｃｔｏｒ）とよばれる入射光量に
対して出力が直線的に変化するものが使用される。６は
ターンテーブル２の回転角度に相当する電動機４の回転
量を検出するエンコーダ、７は光センサ５ｂの出力とエ
ンコーダ６の出力とを１対のデータとしてターンテーブ
ル２の一定回転角度毎に記憶する記憶回路である。ここ
で光センサ５ｂの出力がアナログ信号である場合には記
憶回路７と光センサ５ｂとの間にＡ／Ｄ変換器を設けて
デイジイタル信号に変換される。８はＡ／Ｄ変換器の出
力信号を記憶回路７に書き込み、必要時に読み出してウ
エハ１の中心位置の偏心量と偏心角度とを算出し、修正
信号（回転角度および水平方向位置の各信号）を出力す
る中央演算処理回路（以後ＣＰＵという）であり、マイ
クロコンピュータが利用される。このＣＰＵ８はマイク
ロコンピュータを用いて、プログラムによりエッジ位置
の検出時にテーブルを回転させウエハの各回転角度に対
応する信号を一旦受け取り記憶回路７に転送する。９は
ターンテーブル駆動用電動機４の回転を制御するための
サーボ制御回路であり、ＣＰＵ８からの指令信号に応じ
て電動機４を駆動し、回転量がＣＰＵ８からの指令量と
一致するところで停止させる通常のサーボ制御回路であ
る。１０はターンテーブル２をその回転駆動機構ごと図
のＸＹ水平面内で移動させるためのＸＹテーブル式の移
動機構であり、ＣＰＵ８の出力に応じてテーブル２を移
動させてウエハ１の位置を修正するものであり、ＸＹテ
ーブル駆動用制御回路１１によって位置制御される。こ
こで、図１乃至図３について説明する前に、従来技術の
図４を参照して、ウエハ１とターンテーブル２との位置
関係について説明する。同図（ｂ）は、ウエハ１の中心
位置Ｗｃとターンテーブル２の回転中心位置Ｔｃとが一
致するようにウエハ１がターンテーブル２に搭載された
図であって、後述する光センサー５ｂとターンテーブル
２の回転中心位置Ｔｃとを結ぶ直線をＸ軸とし、このＸ
軸に直行する軸をＹ軸とする。次に、同図（ｄ）は、ウ
エハ１が任意の位置角度でターンテーブル２に搭載され
た図であって、まずウエハ１の中心位置Ｗｃがターンテ
ーブル２の回転中心位置Ｔｃに対して偏心量ΔＬだけず
れて搭載され、それに加えてＸ軸（上述した光センサー
５ｂとターンテーブル２の回転中心位置Ｔｃとを結ぶ直
線）と、ウエハ１の中心位置Ｗｃとターンテーブル２の
回転中心位置Ｔｃとを結ぶ直線とのなす偏心角度θｖ
（従来技術の偏心角度）を有して搭載されている。FIG. 1 is a configuration diagram showing an example of such a conventional apparatus. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a semiconductor wafer to be centered, which is mounted on a turntable 2. Reference numeral 3 denotes a turntable rotating mechanism for rotating the turntable 2, which is driven by an electric motor 4.
Reference numeral 5 denotes a detector for detecting an edge position of the wafer 1, and includes a light projector 5a and an optical sensor 5b.
The output of the optical sensor 5b continuously changes while maintaining a specific relationship in accordance with the amount of received light, and includes a CCD (charge-coupled device) and a product name PSD (position sensor).
A device whose output changes linearly with respect to the amount of incident light, which is referred to as a “savedetector”, is used. Reference numeral 6 denotes an encoder for detecting the rotation amount of the electric motor 4 corresponding to the rotation angle of the turntable 2. Reference numeral 7 stores the output of the optical sensor 5b and the output of the encoder 6 as a pair of data for each fixed rotation angle of the turntable 2. Memory circuit. If the output of the optical sensor 5b is an analog signal, an A / D converter is provided between the storage circuit 7 and the optical sensor 5b to convert the signal into a digital signal. Numeral 8 writes the output signal of the A / D converter into the storage circuit 7, reads it out when necessary, calculates the amount of eccentricity and the eccentricity angle of the center position of the wafer 1, and corrects the signals (each signal of the rotation angle and the horizontal position). And a central processing circuit (hereinafter referred to as a CPU) for outputting the data. The CPU 8 uses a microcomputer to rotate the table when an edge position is detected by a program, and once receives a signal corresponding to each rotation angle of the wafer and transfers the signal to the storage circuit 7. Reference numeral 9 denotes a servo control circuit for controlling the rotation of the motor 4 for driving the turntable. The servo control circuit 9 drives the motor 4 in response to a command signal from the CPU 8 and stops the motor 4 when the rotation amount matches the command amount from the CPU 8. Is a servo control circuit. Reference numeral 10 denotes an XY table type moving mechanism for moving the turntable 2 together with its rotary drive mechanism in the XY horizontal plane in the figure, and for correcting the position of the wafer 1 by moving the table 2 according to the output of the CPU 8. And the position is controlled by the XY table driving control circuit 11. Here, before describing FIGS. 1 to 3, the positional relationship between the wafer 1 and the turntable 2 will be described with reference to FIG. 4 of the related art. FIG. 2B is a diagram in which the wafer 1 is mounted on the turntable 2 so that the center position Wc of the wafer 1 and the rotation center position Tc of the turntable 2 coincide with each other. A straight line connecting the rotation center position Tc of the table 2 is defined as an X axis.
An axis orthogonal to the axis is defined as a Y axis. Next, FIG. (D) is the wafer 1 is a view which is mounted on the turntable 2 at an arbitrary angular position, first eccentric center position Wc of the wafer 1 is with respect to the rotation center position Tc of the turntable 2 In addition to the above, the X-axis (a straight line connecting the optical sensor 5b and the rotation center position Tc of the turntable 2), the center position Wc of the wafer 1 and the rotation center position Tc of the turntable 2 are added. Eccentric angle θv with a straight line connecting
(The eccentric angle of the prior art).

【０００５】図１の装置の動作を図２のフローチャート
を参照して説明する。第１図において、図示しない搬送
装置によってウエハ１がターンテーブル２の上に載せら
れると電動機４が回転し、これによって駆動されるター
ンテーブル回転機構３によってウエハが所定角度（例え
ば１度）回転する。このときエッジ位置検出器５の光セ
ンサ５ｂはセンサ真下のウエハによって減量されて到達
する光の量に応じた出力を発生し、この出力はウエハ回
転量信号とともに一対のデータ（θx ，Ｌx ）として記
憶回路７に記憶される。さらにターンテーブル２を所定
角度回転し、エッジ位置の検出、記憶をくりかえし、ウ
エハが原位置（θx ＝０）から３６０度回転するまで続
ける。ウエハの全周のエッジ位置の検出が終了すると次
にＣＰＵ８は、記憶回路７に記憶されたデータを順次読
み出し、エッジ位置信号の最大値Ｌmax と最小値Ｌmin
およびそれぞれに該当するウエハの回転角度θmax ，θ
min を算出する。ＣＰＵ８はまた、このエッジ位置信号
Ｌmax とＬmin との差からウエハのターンテーブル２の
回転中心位置Ｔｃに対する直径方向の偏心量信号ΔＬ＝
（Ｌmax −Ｌmin ）／２を得、θmax （またはθmin ）
から偏心角度信号を得て、ターンテーブル２の回転中心
位置Ｔｃに対するウエハ１の中心位置Ｗｃのｘ、ｙ平面
における偏位信号（ｘ，ｙ）＝（ΔＬｃｏｓθmin ，Δ
Ｌｓｉｎθmin ）または（ｘ，ｙ）＝（−ΔＬｃｏｓθ
max ，−ΔＬｓｉｎθmax ）を算出しＸＹテーブル制御
回路１１にこれらによって定まる修正信号を供給してセ
ンタ合せを行う。The operation of the apparatus shown in FIG. 1 will be described with reference to the flowchart shown in FIG. In FIG. 1, when a wafer 1 is placed on a turntable 2 by a transfer device (not shown), an electric motor 4 rotates, and the turntable rotating mechanism 3 driven by this rotates the wafer by a predetermined angle (for example, 1 degree). . At this time, the optical sensor 5b of the edge position detector 5 generates an output corresponding to the amount of light that reaches and is reduced by the wafer immediately below the sensor, and this output is output as a pair of data (θx, Lx) together with the wafer rotation amount signal. It is stored in the storage circuit 7. Further, the turntable 2 is rotated by a predetermined angle, the detection and storage of the edge position are repeated, and the process is continued until the wafer is rotated 360 degrees from the original position (θx = 0). When the detection of the edge positions on the entire circumference of the wafer is completed, the CPU 8 sequentially reads out the data stored in the storage circuit 7 and obtains the maximum value Lmax and the minimum value Lmin of the edge position signal.
And the rotation angles θmax, θ of the corresponding wafers
Calculate min. From the difference between the edge position signals Lmax and Lmin, the CPU 8 calculates the eccentricity amount signal ΔL in the radial direction with respect to the rotation center position Tc of the turntable 2 of the wafer.
(Lmax−Lmin) / 2, and θmax (or θmin)
, The eccentricity angle signal is obtained from the rotation center position Tc of the turntable 2 and the eccentricity signal (x, y) of the center position Wc of the wafer 1 on the x, y plane = (ΔLcos θmin, Δ
L sin θ min) or (x, y) = (− ΔL cos θ)
max, -ΔL sin θ max), and supplies a correction signal determined by these to the XY table control circuit 11 to perform centering.

【０００６】ここでウエハエッジ位置検出器５とこれか
ら得られる信号について説明する。図３は検出器５の部
分を拡大して示した説明図であり、図中図１と同機能の
ものには同符号を付してある。投光器５ａからの光は図
中矢印にて模式的に示すようにウエハ１によって遮られ
てその一部が減じられて残りが光センサ５ｂに到達す
る。そこで光センサ５ｂとして入力光量に正比例して出
力が変化するものを用いるとその出力はウエハ１のエッ
ジ部の位置によって変化するＬの長さに比例した信号と
なる。それ故、ウエハの中心位置Ｗｃがターンテーブル
の回転中心位置Ｔｃに対してエッジ位置検出器５側に偏
位していれば出力信号は小となり、反対側に偏位してお
れば大なる信号となる。Here, the wafer edge position detector 5 and signals obtained therefrom will be described. FIG. 3 is an enlarged explanatory view showing a part of the detector 5, and those having the same functions as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. The light from the light projector 5a is blocked by the wafer 1 as schematically shown by an arrow in the figure, a part thereof is reduced, and the rest reaches the optical sensor 5b. Therefore, if a sensor whose output changes in direct proportion to the input light quantity is used as the optical sensor 5b, the output becomes a signal proportional to the length of L which changes according to the position of the edge portion of the wafer 1. Therefore, if the center position Wc of the wafer is displaced toward the edge position detector 5 with respect to the rotation center position Tc of the turntable, the output signal is small, and if the center position Wc is displaced on the opposite side, the output signal is large. Becomes

【０００７】このときの光センサ５ｂの出力変化の様子
を図４の線図にて示す。同図（ａ）および（ｃ）は横軸
をウエハの回転角度θとし縦軸を光センサ５ｂの出力Ｌ
としてある。また同図（ａ）は同図（ｂ）に示すように
ウエハ１がターンテーブル２の中心と一致しているとき
の出力であり、この場合は先に述べたようにウエハ１が
ＮＣ工作装置などによって真円に加工されていることか
ら光センサ５ｂの出力は直線状となる。同図（ｃ）は同
図（ｄ）に示すようにウエハ１の中心がターンテーブル
２の回転中心位置ＴｃからＸＹテーブル１０のＸＹ平面
第１象限方向に偏心角度θｖで距離ΔＬだけずれている
ときの出力を示している。このとき光センサ５ｂの出力
はターンテーブル２が図の矢印方向に回転するにしたが
って略正弦波状に変化することになる（ターンテーブル
２が回転すると、ウエハ１も回転する）。その変化の振
幅は出力の最大値をＬmax 、最小値をＬmin とすれば
（Ｌmax −Ｌmin ）であり、偏心量ΔＬの２倍に相当す
る。またＬ＝Ｌmin のときの角度θmin が、ウエハ１の
回転開始前の状態におけるウエハ１の偏心角度θｖに相
当する。それ故、これらの信号から現在のウエハのセン
タ位置が座標（ｘ，ｙ）＝（ΔＬｃｏｓθmin ，ΔＬｓ
ｉｎθmin ）にあることが判る。（θmax を採用すると
きは（ｘ，ｙ）＝（−ΔＬｃｏｓθmax ，−ΔＬｓｉｎ
θmax ）となる。）したがってＸＹテーブルをｘ方向に
−ΔＬｃｏｓθmin ，ｙ方向に−ΔＬｓｉｎθmin だけ
移動させればウエハのセンタ合せができることになる。FIG. 4 is a diagram showing how the output of the optical sensor 5b changes at this time. 12A and 12C, the horizontal axis represents the rotation angle θ of the wafer, and the vertical axis represents the output L of the optical sensor 5b.
There is. FIG. 3A shows an output when the wafer 1 is aligned with the center of the turntable 2 as shown in FIG. 3B. In this case, as described above, the wafer 1 is The output of the optical sensor 5b becomes a straight line because it is processed into a perfect circle by the above method. FIG. 3C shows that the center of the wafer 1 is displaced from the rotation center position Tc of the turntable 2 by the distance .DELTA.L at the eccentric angle .theta.v in the direction of the first quadrant of the XY table 10 as shown in FIG. The output at the time is shown. At this time, the output of the optical sensor 5b changes in a substantially sinusoidal manner as the turntable 2 rotates in the direction of the arrow in the drawing (when the turntable 2 rotates, the wafer 1 also rotates). If the maximum value of the output is Lmax and the minimum value is Lmin, the amplitude of the change is (Lmax-Lmin), which is equivalent to twice the amount of eccentricity ΔL. The angle θmin when L = Lmin corresponds to the eccentric angle θv of the wafer 1 before the rotation of the wafer 1 starts. Therefore, from these signals, the current center position of the wafer is represented by coordinates (x, y) = (ΔLcos θmin, ΔLs
inθmin). (When adopting θmax, (x, y) = (− ΔLcosθmax, −ΔLsin
θmax). Therefore, the wafer can be centered by moving the XY table by -ΔLcos θmin in the x direction and by -ΔLsinθmin in the y direction.

【０００８】図１の従来装置において、ウエハの周縁部
にオリフラ部（または切欠部）が設けられている場合の
センタ合せおよびオリフラ部（または切欠部）の位置合
せを同時に行うときの動作をつぎに説明する。In the conventional apparatus shown in FIG. 1, the operation for simultaneously performing the center alignment and the alignment of the orientation flat portion (or notch portion) when the orientation flat portion (or notch portion) is provided in the peripheral portion of the wafer is as follows. Will be described.

【０００９】図５（ａ）は、周縁部の一部にオリフラ部
（イ）が設けられているウエハの平面図であり、同図
（ｂ）ないし（ｅ）はこのような形状のウエハが種々の
方向に偏心してターンテーブルに載せられたときのエッ
ジ位置検出器５の出力波形の例を示したものである。図
５（ａ）のような形状のウエハを回転させたとき、同図
（ｂ）ないし（ｅ）に見られるようにそのオリフラ部
（または切欠部）（イ）において他の円周形状の部分と
は著しく異なった出力変化を示す。特にその両端部にお
いては極めて大きな変化率を示すのでエッジ位置検出器
５の出力の変化率を監視することによってオリフラ部の
位置を検知することができる。このためにエッジ位置検
出信号の変化率が一定以上になったところをオリフラ部
の端と判断するようにＣＰＵ８のプログラムを構成して
おく。FIG. 5A is a plan view of a wafer provided with an orientation flat (a) at a part of the peripheral edge, and FIGS. 5B to 5E show wafers having such a shape. FIG. 6 shows examples of output waveforms of the edge position detector 5 when the eccentricity is placed on a turntable in various directions. When a wafer having a shape as shown in FIG. 5A is rotated, as shown in FIGS. 5B to 5E, another circumferential portion is formed in the orientation flat portion (or cutout portion) (a). Shows a significantly different output change. In particular, since both ends show an extremely large change rate, the position of the orientation flat can be detected by monitoring the change rate of the output of the edge position detector 5. For this reason, the program of the CPU 8 is configured so that a point where the change rate of the edge position detection signal becomes equal to or more than a predetermined value is determined as the end of the orientation flat portion.

【００１０】この場合、変化率の限界は円周部を検出し
ているときの最大変化率がウエハの偏心量によって異な
るので、出力信号の最大値と最小値との差、即ち概略の
ウエハ偏心量、に応じて定めるようにすればよい。また
オリフラ部（あるいは切欠部）の位置とウエハ１の偏心
角度とによって偏心量の算出方法が異なるのでこれを判
別することも必要となる。In this case, the limit of the change rate is the difference between the maximum value and the minimum value of the output signal, that is, the approximate wafer eccentricity, because the maximum change rate when the circumferential portion is detected varies depending on the eccentricity of the wafer. What is necessary is just to determine according to quantity. In addition, since the method of calculating the amount of eccentricity differs depending on the position of the orientation flat (or notch) and the eccentric angle of the wafer 1, it is necessary to determine the eccentricity.

【００１１】図６および図７にこれを行うときのフロー
チャートを示す。ここでステップ１から７まではオリフ
ラ部のない図４の場合と同じである。光センサ５ｂの出
力信号のうち最大値と最小値は平坦部の存在のために真
の値が得られていない可能性があるが、ステップ８では
ステップ７で得られた最大値Ｌmax と最小値Ｌmin とか
ら（Ｌmax −Ｌmin ）を得、これによって変化率の上限
値αを定める。次にステップ９にて角度θ＝０度から３
６０度に至る間の出力信号Ｌの変化率ΔＬｘ／Δθxを
計算し、｛ΔＬｘ／Δθx≧αの絶対値｝となる最初の
位置の角度θ1と最後の位置の角度θnとを探す。このθ
1とθnとの中間の角度 Δθ＝｛（θn−θ1）／２｝＋θ1 を求めると、回転原位置からこのΔθだけ回転した位置
に平坦部の中心が存在することになる。FIGS. 6 and 7 show flowcharts for performing this operation. Steps 1 to 7 are the same as those in FIG. 4 without the orientation flat. The maximum value and the minimum value of the output signal of the optical sensor 5b may not have a true value because of the presence of the flat portion. In step 8, the maximum value Lmax and the minimum value obtained in step 7 are obtained. (Lmax-Lmin) is obtained from Lmin and the upper limit α of the rate of change is determined. Next, at step 9, the angle θ = 0 to 3
The change rate ΔLx / Δθx of the output signal L up to 60 degrees is calculated, and the angle θ1 of the first position and the angle θn of the last position that satisfy {the absolute value of ΔLx / Δθx ≧ α} are searched. This θ
When the intermediate angle Δθ = {(θn−θ1) / 2} + θ1 between 1 and θn is obtained, the center of the flat portion exists at a position rotated by Δθ from the original rotation position.

【００１２】つぎに出力最大（Ｌ＝Ｌmax ）となるとき
の角度θmax がθ1 ≦θmax ≦θnの関係にあるか否か
を判断し、θ1 ≦θmax ≦θn が成立する場合には先に
ウエハを回転することによって得られたステップ７の最
大値Ｌmax に対応する位置はオリフラ部の中に含まれる
図５（ｃ）のような状態であるので真の最大値Ｌmaxは
得られていないことになる。そこで基準として最小値Ｌ
min を採用し、Ｌminに相当する角度θmin を偏心角度
（センタずれの角度）とし、これより９０度離れた点
（θmin ≦２７０度のときはθmin ＋９０度、θmin ＞
２７０度ではθmin −９０度）の出力を中間値Ｌc とし
て採用し、ウエハ１の中心位置Ｗｃの偏心量ΔＬ＝Ｌc
−Ｌmin を得る。この結果からウエハ１の中心位置Ｗｃ
の現在位置座標（ｘ，ｙ）＝（ΔＬｃｏｓθmin ，ΔＬ
ｓｉｎθmin ）を得る。（但し、光センサ５ｂの方向を
＋ｘとする。）Next, it is determined whether or not the angle θmax at which the output reaches the maximum (L = Lmax) is in the relationship of θ1 ≦ θmax ≦ θn. If θ1 ≦ θmax ≦ θn is satisfied, the wafer is first removed. Since the position corresponding to the maximum value Lmax of the step 7 obtained by the rotation is in the state shown in FIG. 5C included in the orientation flat portion, the true maximum value Lmax has not been obtained. . Therefore, the minimum value L
The angle θmin corresponding to Lmin is defined as the eccentric angle (the angle of the center deviation), and a point 90 degrees away from this (θmin + 90 degrees when θmin ≦ 270 degrees, θmin>
The output of [theta] min-90 [deg.] At 270 [deg.] Is adopted as the intermediate value Lc, and the amount of eccentricity [Delta] L of the center position Wc of the wafer 1 is equal to Lc.
-Lmin is obtained. From this result, the center position Wc of the wafer 1 is obtained.
Current position coordinates (x, y) = (ΔLcosθmin, ΔL
sin θmin). (However, the direction of the optical sensor 5b is + x.)

【００１３】一方、出力Ｌが最大値Ｌmax となる角度θ
max がθ1 とθn の間にないときはオリフラ部は他の位
置にあるので、最大偏心量としてステップ７で得られた
Ｌmax を採用し、偏心角度θｖに対応する角度としてθ
max を採用する。この場合、実際のウエハ１の中心位置
Ｗｃは、θmax＋１８０度の方向にある。（図５
（ｂ），（ｄ），（ｅ）のような場合。）On the other hand, the angle θ at which the output L reaches the maximum value Lmax
When max is not between .theta.1 and .theta.n, the orientation flat portion is located at another position, so Lmax obtained in step 7 is adopted as the maximum eccentric amount, and .theta. is set as the angle corresponding to the eccentric angle .theta.v.
Use max. In this case, the actual center position Wc of the wafer 1 is in the direction of θmax + 180 degrees. (FIG. 5
Cases such as (b), (d), and (e). )

【００１４】次にθmax に対して＋９０度隣の角度又は
−９０度隣の角度θf （以下、平坦部判定角度θfとい
う）が、オリフラ部（または切欠部）を示す角度（θ1
乃至θn）内であるか否かの判定を行い、オリフラ部
（または切欠部）を示す角度内であればθmax に対して
２７０度先（または９０度手前または２７０度手前）の
角度を中間角度θc とし、そのときのエッジ位置検出器
５の出力値を中間値Ｌc として採用する。また、平坦部
判定角度θf がオリフラ部（または切欠部）を示す角度
内でなければ、平坦部判定角度θfを中間角度θc と
し、そのときのエッジ位置検出器５の出力値を中間値Ｌ
c として採用して、ウエハ１の偏心量ΔＬ＝Ｌmax −Ｌ
c を得る。このとき、中間角度θｃは、表１のようにな
る。すなわち、平坦部判定角度θfが、ウエハ１のオリ
フラ部（または切欠部）を示す角度内でない場合は、θ
ｃ＝θｆとする。なお、この中間角度θｃに対応するエ
ッジ位置検出器５の出力値が中間値Ｌｃとなる。しか
し、平坦部判定角度θfが、ウエハ１のオリフラ部（ま
たは切欠部）を示す角度内の場合は、平坦部判定角度θ
ｆに対して１８０度異なる角度を中間角度θｃとする。
なお、この中間角度θｃに対応するエッジ位置検出器５
の出力値が中間値Ｌｃとなる。ただし、記憶手段に記憶
した角度データの範囲が０度乃至３６０度なので、平坦
部判定角度θｆ及び中間角度θｃは、角度データの範囲
内に収まるようにする必要がある。この条件を満たすよ
うにするためには、表１に示したような場合分けが必要
になる。Next, an angle θf adjacent to +90 degrees or an angle θf adjacent to −90 degrees with respect to θmax (hereinafter referred to as a flat portion determination angle θf) is an angle (θ1) indicating the orientation flat portion (or notch portion).
To θn), and if it is within the angle indicating the orientation flat (or notch), the angle 270 degrees ahead (or 90 degrees or 270 degrees before) of θmax is set to the intermediate angle. θc, and the output value of the edge position detector 5 at that time is adopted as the intermediate value Lc. If the flat portion determination angle θf is not within the angle indicating the orientation flat portion (or notch portion), the flat portion determination angle θf is set to the intermediate angle θc, and the output value of the edge position detector 5 at that time is set to the intermediate value L.
c, the amount of eccentricity of the wafer 1 ΔL = Lmax−L
Get c. At this time, the intermediate angle θc is as shown in Table 1. That is, when the flat portion determination angle θf is not within the angle indicating the orientation flat portion (or notch portion) of the wafer 1, θ
Let c = θf. Note that the output value of the edge position detector 5 corresponding to the intermediate angle θc becomes the intermediate value Lc. However, when the flat portion determination angle θf is within the angle indicating the orientation flat portion (or notch portion) of the wafer 1, the flat portion determination angle θ
An angle that differs from f by 180 degrees is defined as an intermediate angle θc.
The edge position detector 5 corresponding to the intermediate angle θc
Becomes the intermediate value Lc. However, since the range of the angle data stored in the storage means is 0 degrees to 360 degrees, the flat portion determination angle θf and the intermediate angle θc need to be within the range of the angle data. In order to satisfy this condition, it is necessary to divide the cases as shown in Table 1.

【００１５】[0015]

【表１】 [Table 1]

【００１６】このときの検出器の出力波形の例を図８に
示す。同図（ａ）は表１の１に（ｂ），（ｃ）は表１の
２に、（ｄ）は表１の３にそれぞれ相当する（但しθ1
＜θf ＜θn のとき）。上記の結果からウエハ１の中心
位置Ｗｃの現在位置座標（ｘ，ｙ）＝（−ΔＬｃｏｓθ
max ，−ΔＬｓｉｎθmax ）を得る。FIG. 8 shows an example of the output waveform of the detector at this time. FIG. 3A corresponds to 1 in Table 1 (b), (c) corresponds to 2 in Table 1, and (d) corresponds to 3 in Table 1 (provided that θ1
<Θf <θn). From the above result, the current position coordinates (x, y) of the center position Wc of the wafer 1 = (− ΔLcos θ)
max, -ΔL sin θ max).

【００１７】[0017]

【発明が解決しようとする課題】このような、ウエハの
中心位置合せの精度は、現在次第に厳しくなってきてお
り、例えば中心位置で±０．２５mm、またオリフラ部の
角度合せの精度は±０．２５度程度が要求されるように
なってきている。このような要求を満足するには、最低
でもウエハの１回転で３６０度／０．２５度＝１，４４
０以上のエッジ位置信号に関するデータが必要となる。
さらに、ウエハを回転させるためのターンテーブルの駆
動機構には若干の精度上の誤差が存在すること、および
ウエハの中心位置ずれとオリフラ位置角度のずれとは同
時に存在し（図５の（ａ），ないし（ｅ））、これらが
総合した結果としてエッジ位置信号が得られるものであ
るので、さらに検出精度が悪くなるために、実際にはこ
れらの５倍以上のデータ数を確保しておくことが必要に
なる。そこで通常は１回転当り７５００個程度のデータ
を取るようになっている。The accuracy of the center alignment of the wafer is becoming increasingly strict at present, for example, ± 0.25 mm at the center position, and the accuracy of the angular alignment of the orientation flat portion is ± 0. Approximately 25 degrees is required. In order to satisfy such a requirement, at least 360 degrees / 0.25 degrees = 1,44 in one rotation of the wafer.
Data relating to an edge position signal of 0 or more is required.
In addition, there is a slight error in accuracy in the drive mechanism of the turntable for rotating the wafer, and the shift of the center position of the wafer and the shift of the orientation flat position angle exist simultaneously (FIG. 5A). , Or (e)), since an edge position signal is obtained as a result of integrating them, the detection accuracy is further deteriorated. Is required. Therefore, usually, about 7,500 pieces of data are taken per rotation.

【００１８】しかし、上記従来装置においては、エッジ
位置検出器５の出力を一旦ＣＰＵ８に取り込み、ＣＰＵ
８に設定されたプログラムにより、このエッジ位置信号
に関するデータを順次記憶回路に書き込み記憶するよう
になっている。ここで、ウエハのエッジ位置をエッジ位
置検出器５で検出し、この検出値をＡ／Ｄ変換器でデイ
ジイタル信号に変換してＣＰＵ８を経由して記憶回路７
に格納するときを考える。この場合、Ａ／Ｄ変換器の動
作時間はエッジ位置信号に関するデータ１個当り３０μ
ｓ程度必要であり、またＡ／Ｄ変換器からデータを取り
出して記憶回路７の所定の番地に書き込むためのＣＰＵ
８の処理時間に５０μｓ程度必要となり、合計８０μｓ
がデータ１個当りの処理時間として必要となる。ここで
ウエハを１秒間に１回転（３６０度）させるとすると、
データの検出・記憶の速度は１／（８０×１０-6）＝１
２５，０００回が上限となる。通常は動作の安全を考え
ると限界の６０％程度、即ち７５００回程度に選定する
のが限度である。このように選定すると必要な数のデー
タの検出記憶中はＣＰＵが完全に占有されてしまい、他
の作業は全く行なう余地がない。それ故、ウエハの中心
位置ずれ量、オリフラ位置のずれ角度およびこれらの修
正量の演算は、ウエハを１回転させて、エッジ位置信号
に関するデータをすべて記憶した後にこれらのデータを
読み出して実施することになる。However, in the above-mentioned conventional apparatus, the output of the edge position detector 5 is once taken into the CPU 8 and
In accordance with the program set to 8, the data relating to the edge position signal is sequentially written and stored in the storage circuit. Here, the edge position of the wafer is detected by an edge position detector 5, the detected value is converted into a digital signal by an A / D converter, and stored in a storage circuit 7 via a CPU 8.
Consider when storing in In this case, the operation time of the A / D converter is 30 μm per data relating to the edge position signal.
and a CPU for extracting data from the A / D converter and writing the data to a predetermined address of the storage circuit 7.
Approximately 50 μs is required for processing time of 8 and a total of 80 μs
Is required as the processing time per data. Here, assuming that the wafer is rotated once (360 degrees) per second,
The speed of data detection and storage is 1 / (80 × 10 −6) = 1
The upper limit is 25,000. Normally, considering the safety of operation, the limit is about 60% of the limit, that is, about 7,500 times. With this selection, the CPU is completely occupied during the detection and storage of the required number of data, and there is no room for other operations. Therefore, the calculation of the shift amount of the center position of the wafer, the shift angle of the orientation flat position, and the correction amount thereof is performed by rotating the wafer once, storing all the data relating to the edge position signal, and reading out these data. become.

【００１９】そこで従来においては、検出精度を向上さ
せるために、先ず中心ずれを１回目のエッジ位置検出操
作によって算出し、その結果によって中心位置ずれを修
正した後に、再度ウエハを回転させてほぼ直線状の位置
データとオリフラ部のみが上に凸となる形状のデータを
得て、このデータから演算することによってオリフラ位
置を検出し、その結果によってオリフラの位置を所定の
角度に一致させる操作を行うようにしている。このため
に、従来の装置においては、ウエハ回転，エッジ位置信
号に関するデータの検出・記憶のために１秒×２回＝２
秒、記憶データの読み出しに１．５秒×２回＝３秒、読
み出したデータによって中心位置ずれおよびオリフラ部
のずれ角度の演算，修正に３ないし５秒が必要となっ
て、合計８ないし１０秒が必要であった。Therefore, conventionally, in order to improve the detection accuracy, the center shift is first calculated by the first edge position detecting operation, the center position shift is corrected based on the result, and then the wafer is rotated again to obtain a substantially straight line. The position data of the shape and the data of the shape in which only the orientation flat is convex upward are obtained, the orientation of the orientation flat is detected by calculating from this data, and the operation of matching the position of the orientation flat to a predetermined angle is performed based on the result. Like that. For this reason, in the conventional apparatus, 1 second.times.2 times = 2 times for detecting and storing data relating to the wafer rotation and the edge position signal.
Seconds, 1.5 seconds × 2 times = 3 seconds for reading stored data, 3 to 5 seconds are required for calculating and correcting the center position shift and the shift angle of the orientation flat portion depending on the read data, for a total of 8 to 10 seconds. Seconds were needed.

【００２０】[0020]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記従来装置
よりも高精度でかつ高速の位置決めが可能なウエハのセ
ンタ合せ装置を提案したものであって、ウエハエッジ位
置検出に際して検出信号をデイジイタル信号に変換した
後にＣＰＵを経由することなくデータを直接記憶回路に
転送するＤＭＡデータ転送手段を設けて、データ検出，
記憶を高速にするとともにこれらの作業中におけるＣＰ
Ｕ占有率を極力低下させて、記憶デ−タ数の大幅な増加
とＣＰＵの空き時間にデータの演算処理を行わせること
によって、センタ合せのための所要時間の短縮を実現し
たものである。またデータ演算処理手順を変更して、ウ
エハを完全に一周させなくても必要なデータが得られた
時点でエッジ位置の検出・記憶を中止し、中心位置およ
びオリフラ位置のずれ量の演算および修正動作を行うよ
うにしたものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention proposes an apparatus for centering a wafer which can be positioned with higher accuracy and higher speed than the above-mentioned conventional apparatus. When a wafer edge position is detected, a detection signal is converted into a digital signal. DMA data transfer means for transferring data directly to the storage circuit without going through the CPU after conversion to
In addition to speeding up memory,
By reducing the U occupancy as much as possible, the number of stored data is greatly increased, and data processing is performed during the idle time of the CPU, thereby shortening the time required for center alignment. Also, by changing the data calculation processing procedure, the detection and storage of the edge position is stopped when the necessary data is obtained without completely rotating the wafer, and the calculation and correction of the deviation amount between the center position and the orientation flat position An operation is performed.

【００２１】[0021]

【実施例】図９に本発明の実施例を示す。同図において
ウエハ１はターンテーブル２に載せられ、ターンテーブ
ル２は電動機４にてθ軸まわりに回転駆動され、その回
転量はθ軸エンコーダ６にて検出される。また、ウエハ
１の端縁位置に関する信号はウエハエッジ位置検出器５
の光センサ５ｂによってアナログ信号として検出され
る。これらは図１に示した従来装置と同じである。ま
た、ターンテーブル２およびその回転駆動用の電動機４
およびエンコーダ６はＸ軸テーブル２１に載置されてお
り、このＸ軸テーブル２１はＸ軸テーブル駆動用の電動
機２２ａおよび送りネジ２２ｂによって図のｘ1 −ｘ2
方向に移動される。このＸ軸方向の移動量は電動機２２
ａに連結されたＸ軸用エンコーダ２２ｃによって検出さ
れる。２３ａはウエハ１をターンテーブルから持ち上げ
て分離するためのリフタであり、電磁弁２３ｂによって
駆動されるエヤシリンダ２３ｃに連結されて図のＺ方向
に駆動される。２４は、Ａ／Ｄ変換器であり、光センサ
５ｂのアナログ信号出力をデイジイタル信号に変換す
る。２５は記憶回路、２６はＤＭＡデータ転送回路であ
り、２７は中央演算処理回路（ＣＰＵ），２８ａおよび
２８ｂは電動機制御回路，２９ａおよび２９ｂは比較器
でありＣＰＵ２７からの電動機回転量指令信号を受けて
それぞれの電動機４、および２２ａの回転量信号に変換
する電動機制御回路２８ａ，２８ｂの出力とエンコーダ
６および２２ｃの出力とを比較し、差信号によって各電
動機を駆動する。FIG. 9 shows an embodiment of the present invention. In FIG. 1, a wafer 1 is placed on a turntable 2, and the turntable 2 is driven to rotate around a θ-axis by an electric motor 4, and the amount of rotation is detected by a θ-axis encoder 6. A signal relating to the edge position of the wafer 1 is supplied to a wafer edge position detector 5.
Is detected as an analog signal by the optical sensor 5b. These are the same as the conventional device shown in FIG. Also, a turntable 2 and an electric motor 4 for rotationally driving the turntable 2
And the encoder 6 are mounted on an X-axis table 21. The X-axis table 21 is driven by an electric motor 22a for driving the X-axis table and a feed screw 22b.
Moved in the direction. The amount of movement in the X-axis direction is
This is detected by the X-axis encoder 22c connected to a. A lifter 23a lifts and separates the wafer 1 from the turntable, and is connected to an air cylinder 23c driven by a solenoid valve 23b and driven in the Z direction in the figure. An A / D converter 24 converts an analog signal output of the optical sensor 5b into a digital signal. 25 is a storage circuit, 26 is a DMA data transfer circuit, 27 is a central processing circuit (CPU), 28a and 28b are motor control circuits, 29a and 29b are comparators, and receives a motor rotation amount command signal from the CPU 27. The outputs of the motor control circuits 28a and 28b, which convert the signals into rotation amount signals of the respective motors 4 and 22a, are compared with the outputs of the encoders 6 and 22c, and each motor is driven by the difference signal.

【００２２】なお、ターンテーブル２およびＸ軸テーブ
ル２１を駆動する電動機としてパルスモータを用いると
きには、エンコーダ６および２２ｃは必要ではなく、Ｃ
ＰＵ２７からの駆動指令パルス数に応じて駆動すればよ
い。When a pulse motor is used as an electric motor for driving the turntable 2 and the X-axis table 21, the encoders 6 and 22c are not necessary, and C
What is necessary is just to drive according to the number of drive command pulses from PU27.

【００２３】次に、ＤＭＡデータ転送回路２６について
説明する。ＤＭＡデータ転送回路２６はダイレクトメモ
リアクセス回路の略であり、組み合わせるＣＰＵに対応
した回路がＬＳＩの形で市販されているものが使用でき
る。例えばＣＰＵとしてインテル社の８０８５ＭＰＵを
用いるときにはＤＭＡとして８２３７Ａ形，ザイログ社
のＺ８０ＭＰＵに対してはＺ８０ＤＭＡ形が、またモト
ローラ社の６８０９ＭＰＵに対しては６８４４形のＤＭ
Ａ（以上いずれも米国メーカの形名）等がある。Next, the DMA data transfer circuit 26 will be described. The DMA data transfer circuit 26 is an abbreviation of a direct memory access circuit, and a circuit corresponding to a CPU to be combined is commercially available in the form of an LSI. For example, when using Intel's 8085 MPU as the CPU, the DMA 8237A type, the Z80 DMA type for Zilog's Z80 MPU, and the 6844 type DM for Motorola's 6809 MPU.
A (both are model names of US manufacturers).

【００２４】このＤＭＡデータ転送回路は、入出力機器
間、入出力機器とメモリ間、メモリとメモリとの間のそ
れぞれにおいて、ＣＰＵを経由することなくデータを直
接転送する回路であり、この間において、ＣＰＵに対し
てはデータバスの解放、復帰のための信号のやりとりだ
けであるので、ＣＰＵを占有する時間はデータをＣＰＵ
経由で転送する場合の数％以下のわずかの時間でよい。
この結果ウエハエッジ位置の検出・記憶動作とデータ処
理とをウエハの回転中に実施することができるようにな
る。This DMA data transfer circuit is a circuit for directly transferring data between an input / output device, between an input / output device and a memory, and between a memory and a memory without passing through a CPU. Since the CPU only needs to exchange signals for releasing and returning the data bus, the time occupying the CPU is limited
Only a short time of less than a few percent is required when transferring via.
As a result, the wafer edge position detection / storage operation and data processing can be performed while the wafer is rotating.

【００２５】以下、図９の実施例について、図１０乃至
図１２を参照して説明する。まず、図１０及び図１１の
フローチャートを説明する前に、図１２を参照して、幾
何学的に偏心量Ｌe及び偏心角度θeを算出する方法につ
いて説明する。 Hereinafter, the embodiment of FIG. 9 will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG. First, FIG. 10 and FIG.
Before explaining the flowchart, FIG.
How to calculate the eccentricity Le and the eccentric angle θe
Will be described.

【００２６】図１２において、ウエハの平坦部または切
欠部の終端部に対応するターンテー ブル２の回転角度を
θx1とし、この回転角度θx1から９０度ずつ異なるター
ンテーブル２の角度回転をそれぞれθx2、θx3及びθx4
とする。また、エッジ位置検出器５の位置とターンテー
ブル２の回転中心位置とを結ぶ直線をＸ軸とし、回転角
度θx1に対応するウエハの平坦部または切欠部の終端部
のウエハの端縁位置Ｐx1とターンテーブル２の回転中心
位置とを結ぶ直線を基線とする。また、回転角度θx1な
いしθx4に対するエッジ位置信号をＬx1ないしＬx4とす
れば、ＣＰＵ２７にてターンテーブル２の回転中心位置
Ｔｃに対するウエハ１の中心位置Ｗｃのずれ量（偏心
量）Ｌe とＸ軸に対するウエハの中心位置Ｗｃのずれ角
度（偏心角度）θe を（式１）乃至（式３）によって算
出できる。但し、偏心角度算出用角度θ0 は３６０度回
転（回転開始前と同じ）したときのターンテーブル２の
回転中心位置Ｔｃとウエハ１の中心位置Ｗｃとを結ぶ直
線（以下、偏心角度軸という）と基線とがなす角度、θ
STはこのときのＸ軸と上記基線とのなす角度である。な
お、例えば図１２の場合、このθSTの大きさは（３６０
°−θx1）に相当するのでθx1が決定されると既知とな
る。また、ターンテーブル２の回転中心位置Ｔｃ、ウエ
ハの中心位置Ｗｃ、Ｘ軸、θx1ないしθx4等の相互関係
は図１２に示す通りであり、これから各計算式が成立す
ることは容易に理解できる。 Referring to FIG . 12, a flat portion or cut
The rotation angle of the turntable 2 corresponding to the end portion of the cut-out portion
θx1 and a rotation angle different from this rotation angle θx1 by 90 degrees.
Θ2, θx3, and θx4, respectively.
And In addition, the position of the edge position detector 5 and the turn
The line connecting the center of rotation of the bull 2 to the X axis is the X axis, and the rotation angle
The end of the flat or notched portion of the wafer corresponding to the degree θx1
Edge position Px1 of the wafer and the rotation center of the turntable 2
A straight line connecting the position is set as a base line. Also, the rotation angle θx1
Let Lx1 to Lx4 be the edge position signals for chair θx4.
Then, the rotation center position of the turntable 2 is determined by the CPU 27.
The amount of deviation of the center position Wc of the wafer 1 from Tc (eccentricity)
Amount) Le and deviation angle of wafer center position Wc with respect to X axis
Degree (eccentric angle) θe is calculated by (Equation 1) to (Equation 3).
I can get out. However, the eccentric angle calculation angle θ0 is 360 degrees
Of the turntable 2 when rolling (same as before the start of rotation)
A direct link between the rotation center position Tc and the center position Wc of the wafer 1
The angle between the line (hereinafter referred to as the eccentric angle axis) and the base line, θ
ST is the angle between the X axis and the base line at this time. What
In the case of FIG. 12, for example, the magnitude of θST is (360
° -θx1), it becomes known when θx1 is determined.
You. Further, the rotation center position Tc of the turntable 2 and the wafer
Correlation between center position Wc of C, X axis, θx1 to θx4, etc.
Is as shown in FIG. 12, from which each formula is established.
It is easy to understand.

【００２７】[0027]

【式１】 (Equation 1)

【式２】 (Equation 2)

【式３】 (Equation 3)

【００２８】次に、Ｌe ，θe ，θ0を用いてセンタ合
せ（ウエハの中心位置を基準位置に合せること）、平坦
部（又は切欠部）の角度合せ（ウエハの平坦部（又は切
欠部）の中心線を特定の角度に合せること）をする方法
について説明する。まず、ターンテーブル２をθe だけ
回転させて、Ｘ軸上にウエハ１の中心位置Ｗｃを移動さ
せる。次にリフタ２３ａを上昇させ、ウエハ１をターン
テーブル２から持ちあげる。この後にＸ軸テーブル２１
をＬe（図１２の場合） だけ移動させる。さらに、リフ
タ２３ａを下降させてウエハをターンテーブルの上に戻
すとセンタ合せ（中心合せ）が完了する。 Next, centering is performed using Le, θe, and θ0.
(Set the center position of the wafer to the reference position), flat
Angle adjustment of the part (or notch) (the flat part (or notch) of the wafer
To adjust the center line of the notch to a specific angle)
Will be described. First, turntable 2 is moved only by θe
To move the center position Wc of the wafer 1 on the X axis.
Let Next, lifter 23a is raised, and wafer 1 is turned.
Lift from Table 2. After this, the X-axis table 21
Is moved by Le (in the case of FIG. 12). In addition, riffs
Lowers the wafer 23a and returns the wafer to the turntable.
Then, the center alignment (center alignment) is completed.

【００２９】この後に、ターンテーブル２を回転させて
平坦部の中心線（ウエハ１の中心位置Ｗｃとオリフラ部
の中心位置（角度θxcに対応する位置）とを結ぶ直線）
が所定角度に一致するまで回転させて角度合わせが終了
する。 After that, the turntable 2 is rotated
Center line of flat portion (center position Wc of wafer 1 and orientation flat portion
Line connecting to the center position (position corresponding to angle θxc)
Rotate until the angle matches the specified angle to complete the angle adjustment
I do.

【００３０】なお、中心合わせ完了時には、オリフラ部
の中心線がＸ軸に対して傾いているので、オリフラ部の
中心線をＸ軸に一致させる場合、通常は偏心量Ｌeが小
さいので、実用上は、（θ0＋１／２・α）だけターン
テーブル２の角度を修正すればよい。しかし、偏心量Ｌ
eが大きい場合又は正確にオリフラの中心線を所定角度
に一致させたい場合は、偏心角度算出用角度θ0及び偏
心量Ｌｅ及びオリフラ部の終了点までの角度θx1及びθ
x1に対応するエッジ位置信号Ｌx1等から、数学的に偏心
量修正後角度θｋを算出して、偏心角度算出用角度θ0
の代わりに偏心 量修正後角度θkを使用すればよい。す
なわち、（θｋ＋１／２・α）によってターンテーブル
２を回転させればよい。例えば、図１２の場合、下記の
ように数学的に偏心量修正後角度θｋを算出することが
できる。なお、偏心量修正後角度θkとは、図１２に示
すように、ターンテーブル２の回転中心位置Ｔｃとウエ
ハ１の中心位置Ｗｃとを結ぶ偏心角度軸と、ウエハ１の
中心位置Ｗｃと角度θx1に対応する位置Ｐx1とを結ぶ直
線とのなす角度である。まず、ターンテーブル２の回転
中心位置Ｔcから位置Ｐx1までの距離ＴcＰx1（距離Ｔc
Ｐx1は、Ｌx1に対応する。すなわち、エッジ位置検出器
とターンテーブル２との距離は、仕様で決まっているの
で、Ｌx1が分かれば、距離ＴcＰx1を算出することがで
きる）及び偏心量Ｌｅ及び偏心角度算出用角度θ0によ
って、ウエハ１の中心位置Ｗcから位置Ｐx1までの距離
ＷcＰx1を次式によって算出できる。なお、ウエハは、
直径、平坦部の大きさ等の仕様が決まっているので、ウ
エハ１の半径であるＷcＰx1は仕様で決まっている値を
使用することもできる。 ＷcＰx1 ＝ √（ＴcＰx1 2 ＋Ｌe 2 −２*ＴcＰx1*Ｌe*ｃｏ
ｓ(θ0)） また、位置Ｐx1から偏心角度軸に対して垂直な直線を引
いたときの交点を位置Ｐkとすると、∠ＰkＰx1Ｔcは次
式で算出できる。 ∠ＰkＰx1Ｔc ＝ １８０−９０−θ0 ［°］ さらに、位置Ｐkから位置Ｐx1までの距離ＰkＰx1は、次
式によって算出できる。 ＰkＰx1 ＝ ＴcＰx1*ｃｏｓθ （θ＝∠ＰkＰx1Ｔc） よって、θkは次式で算出できる。 θk ＝ ｓｉｎ-1(ＰkＰx1／ＷcＰx1) ［°］ さらに、オリフラ部の中心線がＸ軸に対してγ度傾いた
位置にするには中心合せ完了時にオリフラ部の中心線が
Ｘ軸に対して（θ0 ＋１／２・α）だけ傾いているから
γ−（θ0 ＋１／２・α）だけ回転させればよい。この
場合も、偏心量Ｌeが大きい場合又は正確にオリフラの
中心線を所定角度に一致させたい場合は、前述の場合と
同様に、偏心角度算出用角度θ0の代わりに偏心量修正
後角度θｋを使用してγ−（θｋ＋１／２・α）によっ
てターンテーブル２を回転させればよい。 When the centering is completed, the orientation flat
Of the orientation flat is tilted with respect to the X axis.
When the center line is aligned with the X axis, the eccentricity Le is usually small.
So, in practice, turn (θ0 + 1/2 · α)
What is necessary is just to correct the angle of the table 2. However, the amount of eccentricity L
If e is large or the centerline of the orientation flat is at a predetermined angle
If it is desired to match the eccentric angle calculation angle θ0 and the eccentric angle
The center amount Le and the angles θx1 and θ to the end point of the orientation flat portion
Mathematical eccentricity from edge position signal Lx1 etc. corresponding to x1
The angle θk after the amount correction is calculated, and the eccentric angle calculation angle θ0
Instead, the angle θk after the correction of the eccentricity may be used. You
In other words, turntable by (θk + 1/2 · α)
2 can be rotated. For example, in the case of FIG.
It is possible to mathematically calculate the angle θk after correcting the eccentricity
it can. The eccentricity corrected angle θk is shown in FIG.
As described above, the rotation center position Tc of the turntable 2 and the weight
An eccentric angle axis connecting the center position Wc of c
A straight line connecting the center position Wc and the position Px1 corresponding to the angle θx1
This is the angle that the line makes. First, turntable 2 rotation
Distance TcPx1 from center position Tc to position Px1 (distance Tc
Px1 corresponds to Lx1. That is, the edge position detector
The distance between the car and the turntable 2 is determined by the specifications
Then, if Lx1 is known, the distance TcPx1 can be calculated.
And the eccentric amount Le and the eccentric angle calculation angle θ0.
Thus, the distance from the center position Wc of the wafer 1 to the position Px1
WcPx1 can be calculated by the following equation. The wafer is
Specifications such as diameter and size of flat part are fixed.
WcPx1, which is the radius of Eha1, is the value determined by the specification.
Can also be used. WcPx1 = √ (TcPx1 2 + Le 2 -2 * TcPx1 * Le * co
s (θ0)) A straight line perpendicular to the eccentric angle axis is drawn from the position Px1.
Assuming that the point of intersection is position Pk, ∠PkPx1Tc is
It can be calculated by the formula. ∠PkPx1Tc = 180−90−θ0 [°] Further, the distance PkPx1 from the position Pk to the position Px1 is given by
It can be calculated by the formula. PkPx1 = TcPx1 * cos θ (θ = ∠PkPx1Tc) , θk can be calculated by the following equation. θk = sin-1 (PkPx1 / WcPx1) [°] Further, the center line of the orientation flat is inclined by γ degrees with respect to the X axis.
The center line of the orientation flat is
Because it is inclined by (θ0 + 1/2 · α) with respect to the X axis
What is necessary is just to rotate by γ− (θ0 + ／ · α). this
Also, when the eccentricity Le is large or the orientation flat
If you want to make the center line coincide with the predetermined angle,
Similarly, eccentricity correction instead of eccentric angle calculation angle θ0
By using the rear angle θk, γ− (θk + 1/2 · α)
Then, the turntable 2 may be rotated.

【００３１】次に図９の実施例を図１０および図１１の
フローチャートにより説明する。図９ないし図１１にお
いて、図示しない搬送手段によってウエハ１がターンテ
ーブル２に載せられるとウエハ１のセンタ合せ及びウエ
ハ１のオリフラ部の角度合せ動作が開始される。初めに
記憶回路に記憶されるθx およびカウンタｘを０にセッ
トし、光センサ５ｂの出力を待って記憶回路２５にその
ときの回転角度θx （＝０）とともに記憶する。また、
光センサ５ｂの出力は最低でも１Ｖ程度あるので、ステ
ップ５では、記憶回路２５から光センサの出力信号Ｌx
を読み込みＣＰＵに入力して、Ｌx≠０であるかを判別
する。Ｌx≠０であれば、測定開始と判断してステップ
６に移るが、Ｌx＝０であれば再度、記憶回路２５から
光センサの出力信号Ｌｘを読み込み、ＣＰＵに入力し
て、Ｌx≠０であるかを判別する。ステップ６では、記
憶回路２５から読み込みＣＰＵに入力した光センサ５ｂ
の出力信号ＬxからΔＬx＝Ｌx −Ｌx-1 を演算する。ス
テップ７では、ΔＬx／Δθx＞ΔＬmax （但しΔθxは
単位回転角度、ΔＬmax はそれまでの出力変化率ΔＬx
／Δθxの最大値）を調べる。スタート時は当然、Ｌx
＝Ｌx-1 、ΔＬx＝ΔＬmax＝０なのでΔＬx／Δθx＝Δ
Ｌmax ＝０となりステップ９に移る。ステップ７におい
て、ΔＬx／Δθx＞ΔＬmaxが成立する場合は、ステッ
プ８で、このΔＬｘ／Δθxを新たなΔＬｍａｘとす
る。その後、ステップ１３に移る。ステップ９では、θ
x≧３６０度であるかを判別する。θx≧３６０度のとき
は、ターンテーブル２が３６０度回転しているので、ス
テップ１２にて、角度θx1ないしθx4に対応するエッジ
位置信号Ｌx1ないしＬx4を算出して、その後ステップ２
１に移る。ステップ９でθx≧３６０度でないときは、
ステップ１０に移る。ステップ１０では、角度θx1ない
しθx4を選定できたかを判別し、角度θx1ないしθx4が
選定できていれば、ステップ１１に移り、角度θx1ない
しθx4が選定できていなければ、ステップ１８に移る。
ステップ１１では、角度θx1ないしθx4に対応するエッ
ジ位置信号Ｌx1ないしＬx4が全部算出できる状態である
か、すなわち、角度θx1ないしθx4のときのエッジ位置
が全部検出できているかを判別し、全部検出できていれ
ば、ステップ１２にて、角度θx1ないしθx4に対応する
エッジ位置信号Ｌx1ないしＬx4を算出し て、その後ステ
ップ２１に移る。なお、この時点でθx≧３６０度でな
いときは、ターンテーブル２を３６０度まで回転させて
からステップ２１に移ればよい。ステップ１１でエッジ
位置信号Ｌx1ないしＬx4が全部算出できる状態でないと
きは、ステップ１８に移る。 Next, the embodiment of FIG. 9 will be described with reference to the flowcharts of FIGS. 10 and 11. 9 to 11, when the wafer 1 is placed on the turntable 2 by the transfer means (not shown), the centering operation of the wafer 1 and the angle adjusting operation of the orientation flat portion of the wafer 1 are started. First, .theta.x and the counter x stored in the storage circuit are set to 0, and after waiting for the output of the optical sensor 5b, it is stored in the storage circuit 25 together with the rotation angle .theta.x (= 0) at that time. Also,
Since the output of the optical sensor 5b is at least about 1 V, in step 5, the output signal Lx
Is read and input to the CPU to determine whether Lx ≠ 0. If Lx ≠ 0, it is determined that measurement has started, and the process proceeds to step 6. If Lx = 0, the output signal Lx of the optical sensor is read from the storage circuit 25 again and input to the CPU. Determine if there is. In step 6, the optical sensor 5b read from the storage circuit 25 and input to the CPU
ΔLx = Lx−Lx−1 is calculated from the output signal Lx. In step 7, ΔLx / Δθx > ΔLmax (where Δθx is the unit rotation angle, and ΔLmax is the output change rate ΔLx
/ Maximum value of Δθx ). When starting, of course, Lx
= Lx-1 and ΔLx = ΔLmax = 0, so ΔLx / Δθx = Δ
Lmax = 0, and the routine proceeds to step 9 . In step 7, if ΔLx / Δθx > ΔLmax is satisfied, in step 8, this ΔLx / Δθx is set as a new ΔLmax. Thereafter, the process proceeds to step S13. In step 9, θ
It is determined whether x ≧ 360 degrees. When θx ≧ 360 degrees
Since the turntable 2 is rotated 360 degrees,
At step 12, edges corresponding to angles θx1 to θx4
After calculating the position signals Lx1 to Lx4,
Move to 1. If θx ≧ 360 degrees is not satisfied in step 9,
Move to step 10. In step 10, there is no angle θx1
Then, it is determined whether or not θx4 can be selected, and the angles θx1 to θx4 are determined.
If the selection has been made, the process proceeds to step 11, where the angle θx1 does not exist.
If θx4 has not been selected, the process proceeds to step 18.
In step 11, the edges corresponding to the angles θx1 to θx4
In this state, all the position signals Lx1 to Lx4 can be calculated.
That is, the edge position at the angle θx1 to θx4
Determine whether all have been detected, and if all have been detected,
For example, in step 12, the angles correspond to the angles θx1 to θx4.
After calculating the edge position signals Lx1 to Lx4,
Move to step 21. At this point, θx ≧ 360 degrees.
If you do n’t want to turn the turntable 2 up to 360 degrees
Then, the process may proceed to step 21. Edge in step 11
Unless all the position signals Lx1 to Lx4 can be calculated.
If yes, go to step 18.

【００３２】次にステップ１３にて（ｘ−１）の符号が
判断される（Δθxの回転を２回以上行ったかの判
断）。スタート時の場合ｘ＝０、すなわちｘ−１＝−１
であるので、ｘ−１＞０が不成立となる。そのために、
ステップ１８にスキップしてさらにターンテーブル２を
Δθx回転させると共に、ｘ＝ｘ＋１及びθｘ＝θｘ＋
Δθxを実行する。ステップ１８の後ステップ４に戻
り、（θx ，Ｌx ）を記憶回路に格納する。その後、ス
テップ５乃至１３を実行するが、このときｘ＝１なの
で、ステップ１３でｘ−１＞０が不成立となる。そのた
めに、再度ステップ１８にスキップしターンテーブル２
を、Δθx回転させると共に、ｘ＝ｘ＋１及びθｘ＝θ
ｘ＋Δθxを実行する。その後、前述と同様に、ステッ
プ４乃至１３を実行するが、このときｘ＝２なので、ス
テップ１３では、ｘ−１＞０が成立する。そのために、
ステップ１４に移る。Next, at step 13, the sign of (x-1) is determined ( whether the rotation of Δθx has been performed twice or more). At the start , x = 0, ie, x-1 = -1
Therefore, x-1> 0 is not established. for that reason,
Skip to step 18 for more turntable 2
While rotating Δθx , x = x + 1 and θx = θx +
Execute Δθx . After step 18 , the process returns to step 4 to store (θx, Lx) in the storage circuit. Thereafter, steps 5 to 13 are executed. At this time, since x = 1, x-1> 0 is not established in step 13 . Therefore, skip to step 18 again and turntable 2
Are rotated by Δθx , and x = x + 1 and θx = θ
Execute x + Δθx . Later, in the same manner as described above, it executes the steps 4 to 13, since this case x = 2, the scan <br/> step 13, x-1> 0 is satisfied. for that reason,
Move to step 14 .

【００３３】ステップ１４では、このときのΔＬxと１
回前のΔＬx-1 とを比較しΔＬx ／ΔＬx-1 ＞ｋ（但し
ｋはあらかじめ定めた定数）を調べて、これが成立しな
いときはオリフラ部の端部でないと判断してステップ１
８に移った後、ステップ４以降のステップを実行する。
ΔＬx ／ΔＬx-1 ＞ｋのときはエッジ位置の変化量が大
きいのでオリフラ部の始端部であると判断し、ステップ
１５に移る。ステップ１５では、このときまでの回転角
θx ＝Ｘ・Δθxと予め判っているオリフラ部の中心角
αとから、オリフラ内になく（端部は含む）、かつ相互
に回転角で９０度離れた角度（θx1，θx2，θx3，θx
4）を選定する。その後、ステップ１６に移る。ステッ
プ１６では、前述したθx1，θx2，θx3，θx4に対応す
るエッジ位置信号Ｌx1，Ｌx2，Ｌx3，Ｌx4を算出する。
このときθx1として採用すべき角度は、例えば、現在の
θx にオリフラ部の中心角αを加えた角度θx1＝θx ＋
αを採用すればよいが、他の３点は（θx ＋α）の値に
よって表２のように決定する。In step 14 , ΔLx at this time and 1
Times (the where k predetermined constant) before comparing the ΔLx-1 ΔLx / ΔLx-1 > k examine, Step 1 is judged not to be the end of the orientation flat portion when it is not satisfied
After moving to 8, the steps after step 4 are executed.
When ΔLx / ΔLx-1> k, the change amount of the edge position is large, so it is determined that the edge is the start end of the orientation flat portion, and the step
Move to 15 . In step 15, the rotation angle θx = X · Δθx and the center angle α of the orientation flat portion which is known in advance are not within the orientation flat (including the end portion) , and are separated from each other by a rotation angle of 90 °. Angle (θx1, θx2, θx3, θx
Select 4). After that, the routine goes to step 16. Step 16 corresponds to [theta] x1, [theta] x2, [theta] x3, [theta] x4 described above.
The edge position signals Lx1, Lx2, Lx3, Lx4 are calculated.
At this time, the angle to be adopted as θx1 is, for example, an angle θx1 = θx + obtained by adding the central angle α of the orientation flat portion to the current θx.
α may be adopted, but the other three points are determined as shown in Table 2 depending on the value of (θx + α).

【００３４】[0034]

【表２】 [Table 2]

【００３５】これらの点の全データがそれまでのウエハ
回転によって得られているか否かをステップ１７で判断
し、もし得られていなければステップ１８に進んで、さ
らにターンテーブル２をΔθx回転させてステップ４な
いし１６をくりかえす。θx1ないしθx4とこれらに対応
するＬx1ないしＬx4のエッジ位置信号が得られていると
ステップ１９に移り、残りの角度を回転させて、３６０
度回転させたところで停止する。It is determined in step 17 whether or not all the data at these points has been obtained by the previous wafer rotation. If not, the process proceeds to step 18 where the turntable 2 is further rotated by Δθx. step 4 of <br/> stone 16 is repeated. If θx1 to θx4 and the corresponding edge position signals of Lx1 to Lx4 have been obtained, the process proceeds to step 19 , where the remaining angles are rotated to 360
It stops when it has been rotated degrees.

【００３６】ステップ２１にてＬe ，θe ，θ0 が算出
されると、ステップ２２にてＣＰＵ２７はターンテーブ
ル駆動用電動機制御回路２８ａに対してターンテーブル
２をθe だけ回転させるよう指令を発し、ずれ角を修正
して、Ｘ軸上にウエハ１の中心位置Ｗｃを移動させる。
次にステップ２３にてＣＰＵ２７は電磁弁２３ｂに指令
を出してエヤシリンダ２３ｃを動作させてリフタ２３ａ
を上昇させ、ウエハ１をターンテーブル２から持ちあげ
る。この後にＣＰＵ２７はＸ軸駆動用電動機制御回路２
８ｂにＬe （図１２の場合）だけ移動させる指令を出力
し、電動機２２ａが回転して送りネジ２２ｂを回転させ
てＸ軸テーブル２１をＬe だけ移動させる。さらにステ
ップ２５にてリフタ２３ａを下降させてウエハをターン
テーブルの上に戻す（中心合せ完了）。When Le, θe, and θ0 are calculated in step 21 , the CPU 27 issues a command to the turntable driving motor control circuit 28a to rotate the turntable 2 by θe in step 22 , and outputs a deviation angle. Is corrected, and the center position Wc of the wafer 1 is moved on the X axis.
Next, in step 23, the CPU 27 issues a command to the solenoid valve 23b to operate the air cylinder 23c, and the lifter 23a
And lift the wafer 1 from the turntable 2. Thereafter, the CPU 27 sets the X-axis driving motor control circuit 2
A command to move the X-axis table 21 by Le (in the case of FIG. 12) is output to the motor 8a, and the motor 22a rotates to rotate the feed screw 22b to move the X-axis table 21 by Le . Further, in step 25, the lifter 23a is lowered to return the wafer onto the turntable (centering is completed).

【００３７】この後にステップ２６にてターンテーブル
２を回転させてオリフラ部の中心線（ウエハ１の中心位
置Ｗｃとオリフラ部の中心位置（角度θxcに対応する位
置）とを結ぶ直線）が所定角度に一致するまで回転させ
て終了する。Thereafter, in step 26, the turntable 2 is rotated so that the center line of the orientation flat portion (the center position Wc of the wafer 1 and the center position of the orientation flat portion (a position corresponding to the angle θxc).
The rotation is completed until the straight line connecting the position and the position coincides with a predetermined angle, and the processing is ended.

【００３８】なお、ステップ１９および２０において３
６０度まで回転させたが、位置修正時の計算式を変更す
ることにより、ステップ１７においてθx1ないしθx4に
対応するＬx1ないしＬx4のデータが得られた位置でエッ
ジ位置検出のための回転を停止し、ステップ２１に移る
ようにしてもよい。この場合、ウエハは最初の位置に戻
っていないので、ずれ角およびずれ量の計算および修正
にこのときまでの回転角度θxを加味してやればよい。In steps 19 and 20 , 3
Although it was rotated to 60 degrees, by changing the calculation formula at the time of position correction, the rotation for detecting the edge position was stopped at the position where the data of Lx1 to Lx4 corresponding to θx1 to θx4 was obtained in step 17 . , Step 21 may be performed. In this case, since the wafer has not returned to the initial position, the rotation angle θx up to this point may be added to the calculation and correction of the shift angle and shift amount.

【００３９】なお、本発明は上記のようなオリフラ部を
有するウエハの中心位置合せ、オリフラ部の角度合せに
のみ適用されるものではなく、オリフラのかわりに切欠
き部を有するものあるいは矩形、正方形の板状物の位置
合せにも適用できる。It should be noted that the present invention is not limited to the center alignment of wafers having the above-mentioned orientation flats and the angle adjustment of the orientation flats. It can also be applied to the alignment of plate-like objects.

【００４０】[0040]

【発明の効果】本発明の装置によるときは、ウエハを回
転させてエッジ位置を検出するときに、ＣＰＵを経由せ
ずにＤＭＡデータ転送手段によってＡ／Ｄ変換器から直
接記憶回路に格納するようにしたので、ウエハエッジ位
置検出、記憶時にＣＰＵがこのために占有される時間が
ほとんどなく、この検出記憶に並行して、中心位置ずれ
とずれ方向（角度）およびオリフラ位置の検出のための
演算が可能となり、センタ合せのための所要時間を短縮
することができる。また、エッジ位置検出、記憶のため
にＣＰＵをほとんど占有することがないので同じ回転速
度でも従来装置にくらべてデータを得るための単位回転
角度を従来の数分の１の細かいものとすることができ
る。この結果、従来はウエハ１の中心位置ずれの検出・
補正後に再度ウエハを回転させてエッジ位置の変化をオ
リフラ部による変化のみとしてオリフラ位置を検出する
ようにしなければ要求される精度が得られなかったのに
対して、１回の回転のみで中心位置ずれとオリフラ位置
の検出とを同時に行っても十分な精度が得られるもので
ある。According to the apparatus of the present invention, when the edge position is detected by rotating the wafer, the data is directly stored in the storage circuit from the A / D converter by the DMA data transfer means without passing through the CPU. Therefore, there is almost no time occupied by the CPU when detecting and storing the wafer edge position. In parallel with this detection and storage, the calculation for detecting the center position shift, the shift direction (angle), and the orientation flat position is performed. This makes it possible to reduce the time required for center alignment. Also, since the CPU is hardly occupied for edge position detection and storage, the unit rotation angle for obtaining data at the same rotation speed can be reduced to a fraction of that of the conventional device even at the same rotation speed. it can. As a result, conventionally, the center position deviation of the wafer 1 is detected and detected.
The required accuracy could not be obtained unless the wafer was rotated again after the correction and the change in the edge position was detected only by the change in the orientation flat portion, so that the required accuracy could not be obtained. Even if the displacement and the detection of the orientation flat position are performed simultaneously, sufficient accuracy can be obtained.

【００４１】本発明の装置において、図１にて説明した
従来装置と同様に、ウエハを１秒間に１回転の速度で回
転させるようにしたときの結果を調べてみた。この場合
は、エッジ位置検出のためのウエハ回転を１回としその
かわりに１回転当りのデータ採取数を従来の３ないし４
倍程度の多い量として、図１０および図１１のフローチ
ャートに示した手順でセンタ合せとオリフラ合せを行っ
た結果、ウエハ回転・検出記憶、オリフラ部を発見しθ
x1ないしθx4の選定までに１秒、その後のθe，Ｌe の
算出および修正に２ないし３秒かかり、合計３秒ないし
４秒で完了し、かつ精度も十分であった。この所要時間
は、従来装置による場合の３０ないし４０％という少な
い時間であり、本発明の大なる効果を確認できた。な
お、上記所要時間の差は、回転開始位置からのオリフラ
位置および中心位置の各ずれ量の差によって例示のよう
に最大１秒程度の変動が生ずるものである。In the apparatus according to the present invention, as in the conventional apparatus described with reference to FIG. 1, the result when the wafer is rotated at one rotation per second was examined. In this case, the rotation of the wafer for detecting the edge position is set to one time, and instead, the number of data to be collected per rotation is set to three to four of the conventional value.
As a result, the wafer rotation / detection storage and the orientation flat portion were found as a result of performing center alignment and orientation flat alignment in the procedure shown in the flowcharts of FIGS.
It took one second to select x1 to θx4, and then two to three seconds to calculate and correct θe and Le. The total was completed in three to four seconds, and the accuracy was sufficient. This required time is as short as 30 to 40% of the time required by the conventional apparatus, and a great effect of the present invention was confirmed. The difference in the required time fluctuates by a maximum of about 1 second as illustrated, for example, due to the difference in the amount of displacement between the orientation flat position and the center position from the rotation start position.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】従来の装置の例を示す接続図FIG. 1 is a connection diagram showing an example of a conventional device.

【図２】図１の装置の動作を説明するためのフローチャ
ートFIG. 2 is a flowchart for explaining the operation of the apparatus of FIG. 1;

【図３】ウエハエッジ位置検出のための検出器の説明図FIG. 3 is an explanatory diagram of a detector for detecting a wafer edge position.

【図４】エッジ位置検出器５の光センサ５ｂの出力変化
の様子を示す線図FIG. 4 is a diagram showing a state of an output change of an optical sensor 5b of an edge position detector 5;

【図５】平坦部（オリフラ）が設けられたウエハの平面
図およびこのウエハのエッジ位置を検出したときの光セ
ンサ５ｂの出力変化を示す線図FIG. 5 is a plan view of a wafer provided with a flat portion (orientation flat) and a diagram showing a change in output of an optical sensor 5b when an edge position of the wafer is detected.

【図６】図１の従来装置において図５のようなウエハの
偏心量を算出するときのフローチャートの（１）FIG. 6 is a flowchart (1) of calculating a wafer eccentricity as shown in FIG. 5 in the conventional apparatus of FIG. 1;

【図７】図１の従来装置において図５のようなウエハの
偏心量を算出するときのフローチャートの（２）FIG. 7 is a flowchart (2) of calculating the eccentricity of the wafer as shown in FIG. 5 in the conventional apparatus of FIG. 1;

【図８】図１の従来装置において平坦部が設けられたウ
エハのエッジ位置信号採用の別の方法を説明するための
線図8 is a diagram for explaining another method of adopting an edge position signal of a wafer provided with a flat portion in the conventional apparatus of FIG. 1;

【図９】本発明の実施例を示す接続図FIG. 9 is a connection diagram showing an embodiment of the present invention.

【図１０】図９の実施例の動作を説明するためのフロー
チャートの（１）FIG. 10 is a flowchart (1) for explaining the operation of the embodiment in FIG. 9;

【図１１】図９の実施例の動作を説明するためのフロー
チャートの（２）FIG. 11 is a flowchart (2) for explaining the operation of the embodiment in FIG. 9;

【図１２】オリフラ部があるウエハを図９の実施例と図
１０および図１１のフローチャートの手順によって中心
合せおよびオリフラ位置合せをするときの説明図FIG. 12 is an explanatory view when centering and orienting the wafer having an orientation flat portion by the procedure of the embodiment of FIG. 9 and the flowcharts of FIGS. 10 and 11;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ ウエハ ２ ターンテーブル ４ ターンテーブル回転用電動機 ５ エッジ位置検出器 ５ａ 投光器 ５ｂ 光センサ ６ エンコーダ ２１ Ｘ軸テーブル ２２ａ Ｘ軸テーブル駆動用電動機 ２２ｂ 送りネジ ２２ｃ Ｘ軸エンコーダ ２３ａ リフタ ２３ｂ 電磁弁 ２３ｃ エヤシリンダ ２４ Ａ／Ｄ変換器 ２５ 記憶回路 ２６ ＤＭＡデータ転送回路 ２７ 中央演算処理装置（ＣＰＵ） ２８ａ ターンテーブル駆動用電動機制御回路 ２８ｂ Ｘ軸駆動用電動機制御回路 ２９ａ 比較器 ２９ｂ 比較器 Reference Signs List 1 wafer 2 turntable 4 turntable rotating motor 5 edge position detector 5a projector 5b optical sensor 6 encoder 21 X-axis table 22a X-axis table driving motor 22b feed screw 22c X-axis encoder 23a lifter 23b solenoid valve 23c air cylinder 24A / D converter 25 Storage circuit 26 DMA data transfer circuit 27 Central processing unit (CPU) 28a Motor control circuit for turntable drive 28b Motor control circuit for X-axis drive 29a Comparator 29b Comparator

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/68 Continuation of front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/68

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 円形に整形されかつ周縁の一部に平坦部
又は切欠部を有するウエハを載置するターンテーブル
と、 ウエハを前記ターンテーブルによって一周させて前記平
坦部又は切欠部を含む前記周縁の位置を非接触で検出し
てエッジ位置信号を 出力するエッジ位置検出器と、前記ターンテーブルを載置して前記エッジ位置検出器の
位置と前記ターンテーブルの回転中心位置とを結ぶＸ軸
を移動方向とするＸ軸テーブルと、 前記ターンテーブルに載置されたウエハをターンテーブ
ルから上昇又はターンテーブル上に下降させるリフタ
と、 前記ターンテーブルの 回転角度を検出して回転角度信号
を出力する回転角度検出器と、単位回転角度ごとに検出した各回転角度信号に対応させ
た各エッジ位置信号を順次に記憶回路に直接転送するＤ
ＭＡデータ転送回路と、 第１に前記記憶回路から前記各回転角度に対応させた前
記各エッジ位置信号を順次に読み出して、単位回転角度
ごとに変化するエッジ位置信号の変化分と単位回転角度
とからウエハの周縁位置の変化率を順次に演算して、前
記ウエハの周縁位置の変化率からウエハの平坦部又は切
欠部の端部の端縁位置を判別し、 第２に前記端部の端縁位置を含んでウエハの平坦部又は
切欠部以外である端縁位置のエッジ位置信号をＬx1とす
ると共に端縁位置の回転角度をθx1とし、前記端縁位置
の回転角度θx1から９０度、１８０度及び２７０度まで
ターンテーブルを回転させて、最初にウエハをターンテ
ーブルに置いた状態からのターンテーブルの回転角度が
３６０度以上となるときは３６０度を減じた角度回転の
ときのエッジ位置信号をそれぞれＬx2、Ｌx3及びＬx4と
して出力し、 第３に前記エッジ位置信号Ｌx1、Ｌx2、Ｌx3及びＬx4を
用いて、ウエハの中心位置とターンテーブルの回転中心
位置との偏心量Ｌe及びウエハの中心位置とターンテー
ブルの回転中心位置とを結ぶ偏心角度軸と前記Ｘ軸との
なす偏心角度θeを演算し、 第４にウエハの平坦部又は切欠部の中心位置とウエハの
中心位置とを結ぶウエハ の平坦部又は切欠部の中心線の
角度を演算する中央演算処理回路とを備え、 ターンテーブルを前記偏心角度θe だけ回転させて、前
記Ｘ軸上にウエハの中心位置を移動させ、次に前記リフ
タを上昇させてウエハをターンテーブルから持ちあげ、
この後に前記Ｘ軸テーブルを前記偏心量Ｌe だけ移動さ
せ、さらに、リフタを下降させてウエハをターンテーブ
ルの上に戻すことによって、ウエハの中心位置とターン
テーブルの回転中心位置とを一致させるセンタ合わせが
完了し、この後に、ウエハの中心位置と前記中心線の角
度に対応する位置とを結ぶ直線が、予め定めたウエハの
平坦部又は切欠部の方向となるように、ターンテーブル
を回転させることによって、ウエハの平坦部又は切欠部
を予め定めた方向に合わせる角度合わせが完了する 半導
体ウエハのセンタ合せ装置。1. A turntable on which a wafer shaped in a circular shape and having a flat portion or a notch in a part of a peripheral edge is mounted.
Circulating the wafer by the turntable , and
Non-contact detection of the position of the periphery including the tang or notch
An edge position detector that outputs an edge position signal, and the turntable is mounted on the edge position detector.
X axis connecting the position and the rotation center position of the turntable
And an X-axis table having a moving direction, and a wafer placed on the turntable.
Lifter that lifts from the bottom or lowers on the turntable
When a rotation angle detector for outputting a rotation angle signal by detecting the rotation angle of the turntable, so as to correspond to the rotation angle signal detected for each unit angle of rotation
D which sequentially transfers each edge position signal directly to the storage circuit.
Before the MA data transfer circuit and firstly from the storage circuit correspond to the respective rotation angles
Each edge position signal is read out sequentially, and the unit rotation angle is read.
Of edge position signal and unit rotation angle
And the rate of change of the peripheral position of the wafer is sequentially calculated from
From the rate of change of the peripheral position of the wafer,
The edge position of the edge of the notch is determined, and the flat portion or the wafer including the edge position of the edge is secondly determined.
An edge position signal at an edge position other than the notch is defined as Lx1.
And the rotation angle at the edge position is θx1,
From the rotation angle θx1 of 90 degrees, 180 degrees and 270 degrees
Turn the turntable to turn the wafer first.
The rotation angle of the turntable from the
When the angle is 360 degrees or more, the angle rotation
The edge position signals at the time are Lx2, Lx3 and Lx4, respectively.
And outputs, the edge position signals Lx1, Lx2, Lx3 and Lx4 Third
Using the center position of the wafer and the center of rotation of the turntable
The eccentricity Le from the position and the center position of the wafer and the
Between the eccentric angle axis connecting the rotation center position of the
Fourth , the eccentric angle θe is calculated, and fourthly, the center position of the flat portion or the notch portion of the wafer is
The center line of the flat part or notch of the wafer connecting to the center position
A central processing circuit for calculating the angle, and rotating the turntable by the eccentric angle θe,
The center position of the wafer is moved on the X axis,
Lift the wafer from the turntable,
Thereafter, the X-axis table is moved by the eccentric amount Le.
And lower the lifter to turn the wafer
The wafer center position and turn.
Center alignment to match the rotation center position of the table
Complete, after which the center position of the wafer and the corner of said center line
The straight line connecting the position corresponding to the
Turntable so that it is in the direction of the flat part or notch
By rotating the flat or notched part of the wafer
A semiconductor wafer centering device that completes angle adjustment for adjusting the angle of the wafer to a predetermined direction . 【請求項２】 円形に整形されかつ周縁の一部に平坦部
又は切欠部を有するウエハを載置するターンテーブル
と、 ウエハを前記ターンテーブルによって一周させて前記平
坦部又は切欠部を含む前記周縁の位置を非接触で検出し
てエッジ位置信号を出力する エッジ位置検出器と、前記ターンテーブルを載置して前記エッジ位置検出器の
位置と前記ターンテーブルの回転中心位置とを結ぶＸ軸
を移動方向とするＸ軸テーブルと、 前記ターンテーブルに載置されたウエハをターンテーブ
ルから上昇又はターンテーブル上に下降させるリフタ
と、 前記ターンテーブルの 回転角度を検出して回転角度信号
を出力する回転角度検出器と、単位回転角度ごとに検出した各回転角度信号に対応させ
た各エッジ位置信号を順次に記憶回路に直接転送するＤ
ＭＡデータ転送回路と、 第１に前記記憶回路から前記各回転角度に対応させた前
記各エッジ位置信号を順次に読み出して、単位回転角度
ごとに変化するエッジ位置信号の変化分と単位回転角度
とからウエハの周縁位置の変化率を順次に演算して、前
記ウエハの周縁位置の変化率からウエハの平坦部又は切
欠部の端部の端縁位置を判別し、 第２に前記端部の端縁位置を含んでウエハの平坦部又は
切欠部以外である端縁位置のエッジ位置信号をＬx1とす
ると共に端縁位置の回転角度をθx1とし、前記端 縁位置
の回転角度θx1から９０度、１８０度及び２７０度まで
ターンテーブルを回転させて、最初にウエハをターンテ
ーブルに置いた状態からのターンテーブルの回転角度が
３６０度以上となるときは３６０度を減じた角度回転の
ときのエッジ位置信号をそれぞれＬx2、Ｌx3及びＬx4と
して出力し、 第３に前記エッジ位置信号Ｌx1に対応するウエハの端縁
位置とターンテーブルの回転中心位置とを結ぶ直線を基
線とすると共に、ウエハの中心位置とターンテーブルの
回転中心位置とを結ぶ直線を偏心角度軸とし、前記エッ
ジ位置信号Ｌx1、Ｌx2、Ｌx3及びＬx4を用いて、ウエハ
の中心位置とターンテーブルの回転中心位置との偏心量
Ｌe及び前記基線と前記偏心角度軸とがなす偏心角度算
出用角度θ0を演算して、前記偏心角度算出用角度θ0と
前記Ｘ軸と前記基線とのなす角度θSTとの差の偏心角度
θeを演算し、 第４に前記偏心角度算出用角度θ0を用いてウエハの平
坦部又は切欠部の中心位置とウエハの中心位置とを結ぶ
ウエハの平坦部又は切欠部の中心線の角度を演算する中
央演算処理回路とを備え、 ターンテーブルを前記偏心角度θe だけ回転させて、前
記Ｘ軸上にウエハの中心位置を移動させ、次に前記リフ
タを上昇させてウエハをターンテーブルから持ちあげ、
この後に前記Ｘ軸テーブルを前記偏心量Ｌe だけ移動さ
せ、さらに、リフタを下降させてウエハをターンテーブ
ルの上に戻すことによって、ウエハの中心位置とターン
テーブルの回転中心位置とを一致させるセンタ合わせが
完了し、この後に、ウエハの中心位置と前記中心線の角
度に対応する位置とを結ぶ直線が、予め定めたウエハの
平坦部又は切欠部の方向となるように、ターンテーブル
を回転させることによって、ウエハの平坦部又は切欠部
を予め定めた方向に合わせる角度合わせが完了する 半導
体ウエハのセンタ合せ装置。2. A turntable on which a wafer shaped in a circular shape and having a flat portion or a notch in a part of a peripheral edge is mounted.
Circulating the wafer by the turntable , and
Non-contact detection of the position of the periphery including the tang or notch
An edge position detector that outputs an edge position signal, and the turntable is mounted on the edge position detector.
X axis connecting the position and the rotation center position of the turntable
And an X-axis table having a moving direction, and a wafer placed on the turntable.
Lifter that lifts from the bottom or lowers on the turntable
When a rotation angle detector for outputting a rotation angle signal by detecting the rotation angle of the turntable, so as to correspond to the rotation angle signal detected for each unit angle of rotation
D which sequentially transfers each edge position signal directly to the storage circuit.
Before the MA data transfer circuit and firstly from the storage circuit correspond to the respective rotation angles
Each edge position signal is read out sequentially, and the unit rotation angle is read.
Of edge position signal and unit rotation angle
And the rate of change of the peripheral position of the wafer is sequentially calculated from
From the rate of change of the peripheral position of the wafer,
The edge position of the edge of the notch is determined, and the flat portion or the wafer including the edge position of the edge is secondly determined.
An edge position signal at an edge position other than the notch is defined as Lx1.
The rotation angle of Rutotomoni edge position and Shitaekkusu1, the edge position
From the rotation angle θx1 of 90 degrees, 180 degrees and 270 degrees
Turn the turntable to turn the wafer first.
The rotation angle of the turntable from the
When the angle is 360 degrees or more, the angle rotation
The edge position signals at the time are Lx2, Lx3 and Lx4, respectively.
And outputs, the edges of the wafer corresponding to the edge position signals Lx1 Third
Based on a straight line connecting the position and the rotation center position of the turntable
Line and the center of the wafer and the turntable
The straight line connecting the rotation center position is defined as the eccentric angle axis, and
Using the position signals Lx1, Lx2, Lx3 and Lx4, the wafer
Of eccentricity between the center position of the turntable and the center of rotation of the turntable
Le and the eccentric angle calculation between the base line and the eccentric angle axis
Calculate the delivery angle θ0, and the eccentric angle calculation angle θ0
Eccentric angle of difference between the angle θST between the X axis and the base line
Fourth, the angle θe is calculated, and the flatness of the wafer is calculated using the eccentric angle calculation angle θ0.
Connect the center position of the carrier or notch with the center position of the wafer
While calculating the angle of the center line of the flat part or notch part of the wafer
Central processing circuit, and rotates the turntable by the eccentric angle θe to
The center position of the wafer is moved on the X axis,
Lift the wafer from the turntable,
Thereafter, the X-axis table is moved by the eccentric amount Le.
And lower the lifter to turn the wafer
The wafer center position and turn.
Center alignment to match the rotation center position of the table
Complete, after which the center position of the wafer and the corner of said center line
The straight line connecting the position corresponding to the
Turntable so that it is in the direction of the flat part or notch
By rotating the flat or notched part of the wafer
A semiconductor wafer centering device that completes angle adjustment for adjusting the angle of the wafer to a predetermined direction . 【請求項３】 円形に整形されかつ周縁の一部に平坦部
又は切欠部を有するウエハをターンテーブルに載置する
過程と、ウエハを前記ターンテーブルによって一周させて前記平
坦部又は切欠部を含む前記周縁の位置を非接触で検出し
て エッジ位置信号を出力する過程と、 前記エッジ位置信号をＤＭＡデータ転送回路によって記
憶回路に直接転送する過程と、 前記記憶回路から前記各回転角度に対応させたエッジ位
置信号を読み出して最初にウエハをターンテーブルに置
いた状態からターンテーブルの回転中心位置を回転中心
として回転させたときの前記回転角度信号とエッジ位置
信号とからウエハの周縁位置の変化率を演算する過程
と、 前記演算した変化率を用いてウエハの平坦部又は切欠部
の端部に対応するターンテーブルの回転角度を判別する
過程と、 前記判別した回転角度のときのエッジ位置信号をＬx1と
し、前記エッジ位置信号Ｌx1を検出した回転角度から９
０度、１８０度及び２７０度までターンテーブルを回転
させて、最初にウエハをターンテーブルに置いた状態か
らのターンテーブルの回転角度が３６０度以上となると
きは３６０度を減じた角度回転のときのエッジ位置信号
をそれぞれＬx2、Ｌx3及びＬx4として出力する過程と、 前記エッジ位置検出器の位置と前記ターンテーブルの回
転中心位置とを結ぶ直線をＸ軸とし、前記エッジ位置信
号Ｌx1に対応するウエハの端縁位置とターンテーブルの
回転中心位置とを結ぶ直線を基線とし、前記エッジ位置
信号Ｌx1、Ｌx2、Ｌx3及びＬx4を用いて、偏心量Ｌe及
び偏心角度算出用角度θ0を演算する過程と、 前記偏心角度算出用角度θ0と前記Ｘ軸と前記基線との
なす角度θSTとの差の偏心角度θeを演算する過程と、 前記偏心角度算出用角度θ0を用いてウエハの平坦部又
は切欠部の中心位置とウエハの中心位置とを結ぶウエハ
の平坦部又は切欠部の中心線の角度を演算する過程と、 前記ウエハの中心位置の偏心量Ｌe及び偏心角度θeに応
じて前記ウエハのセンタ合せ及び前記ウエハの平坦部又
は切欠部の中心線の角度を特定の角度に合せる過程とか
ら成り、 前記ターンテーブルの一回転中の前記ウエハの平坦部又
は切欠部を含む周縁位置を非接触で検出及び記憶して、
前記中央演算処理回路が前記ウエハの中心位置の偏心量
Ｌe及び偏心角度θeを演算すると共にウエハの平坦部又
は切欠部の中心線の角度も演算して、前記ウエハの偏心
量Ｌe及び偏心角度θeおよび前記ウエハの平坦部又は切
欠部の中心線の角度を合せる半導体ウエハのセンタ合せ
方法。Wherein the by round and the process of placing the wafer on the turn table having a flat portion or notch in a part of the formatted and peripheral circular, the wafer by the turntable Rights
Non-contact detection of the position of the periphery including the tang or notch
First wafer reads the steps of outputting an edge position signal, the step of transferring the edge position signal directly to the memory circuit by the DMA data transfer circuit, an edge position signal said to correspond to the rotation angle from said storage circuit Te Calculating the rate of change of the peripheral position of the wafer from the rotation angle signal and the edge position signal when the turntable is rotated around the rotation center position of the turntable from a state where the turntable is placed on the turntable; and Determining the rotation angle of the turntable corresponding to the edge of the flat portion or the notch portion of the wafer using the ratio; and determining the edge position signal at the determined rotation angle as Lx1 and detecting the edge position signal Lx1. 9 from the rotation angle
0 degrees, by rotating the turntable to 180 degrees and 270 degrees, the first time when the rotation angle of the turntable from the state placed the wafer to the turntable is 360 degrees or more of angular rotation obtained by subtracting 360 degrees Outputting the edge position signals of Lx2, Lx3 and Lx4 respectively, and a straight line connecting the position of the edge position detector and the rotation center position of the turntable to the X axis, and the wafer corresponding to the edge position signal Lx1 Calculating a eccentricity Le and an eccentric angle calculation angle θ0 using the edge position signals Lx1, Lx2, Lx3 and Lx4 with a straight line connecting the edge position of the turntable and the rotation center position of the turntable as a base line; Calculating the eccentric angle θe of the difference between the eccentric angle calculating angle θ0 and the angle θST between the X axis and the base line; and calculating the eccentric angle using the eccentric angle calculating angle θ0. Calculating the angle of the center line of the flat portion or the notch portion connecting the center position of the flat portion or the notch portion with the center position of the wafer, and according to the eccentricity Le and the eccentric angle θe of the center position of the wafer. Adjusting the center of the wafer and adjusting the angle of the center line of the flat portion or the cutout portion to a specific angle, the flat portion of the wafer during one rotation of the turntable.
Detects and stores the peripheral position including the notch in a non-contact manner,
The central processing circuit calculates the eccentricity Le and the eccentric angle θe of the center position of the wafer, and also calculates the angle of the center line of the flat portion or the notch portion of the wafer, thereby calculating the eccentricity Le and the eccentric angle θe of the wafer. And a method for centering a semiconductor wafer by adjusting the angle of a center line of a flat portion or a notch of the wafer. 【請求項４】 円形に整形されかつ周縁の一部に平坦部
又は切欠部を有するウエハをターンテーブルに載置する
過程と、ウエハを前記ターンテーブルによって一周させて前記平
坦部又は切欠部を含む前記周縁の位置を非接触で検出し
て エッジ位置信号を出力する過程と、 前記エッジ位置信号をＤＭＡデータ転送回路によって記
憶回路に直接転送する過程と、 前記記憶回路から前記各回転角度に対応させたエッジ位
置信号を読み出して最初にウエハをターンテーブルに置
いた状態からターンテーブルの回転中心位置を回転中心
として回転させたときの前記回転角度信号とエッジ位置
信号とからウエハの周縁位置の変化率を演算する過程
と、 前記演算した変化率を用いてウエハの平坦部又は切欠部
の端部に対応するターンテーブルの回転角度を判別する
過程と、 平坦部又は切欠部及びその端部を除くウエハの端縁位置
に対応したターンテーブルの回転角度のときのエッジ位
置信号をＬx1とし、前記エッジ位置信号Ｌx1を検出した
回転角度から９０度、１８０度及び２７０度までターン
テーブルを回転させて、最初にウエハをターンテーブル
に置いた状態からのターンテーブルの回転角度が３６０
度以上となるときは３６０度を減じた角度回転のときの
エッジ位置信号をそれぞれＬx2、Ｌx3及びＬx4として出
力する過程と、 前記エッジ位置検出器の位置と前記ターンテーブルの回
転中心位置とを結ぶ直線をＸ軸とし、前記エッジ位置信
号Ｌx1に対応するウエハの端縁位置とターンテーブルの
回転中心位置とを結ぶ直線を基線とし、前記エッジ位置
信号Ｌx1、Ｌx2、Ｌx3及びＬx4を用いて、偏心量Ｌe及
び偏心角度算出用角度θ0を演算する過程と、 前記偏心角度算出用角度θ0と前記Ｘ軸と前記基線との
なす角度θSTとの差の偏心角度θeを演算する過程と、 エッジ位置信号Ｌx1に対応するターンテーブルの回転角
度とウエハの平坦部又は切欠部の端部に対応するターン
テーブルの回転角度との差の角度を演算する過程と、 前記演算した差の角度及び前記偏心角度算出用角度θ0
を用いてウエハの平坦部又は切欠部の中心位置とウエハ
の中心位置とを結ぶウエハの平坦部又は切欠部の中心線
の角度を演算する過程と、 前記ウエハの中心位置の偏心量Ｌe及び偏心角度θeに応
じて前記ウエハのセンタ合せ及び前記ウエハの平坦部又
は切欠部の中心線の角度を特定の角度に合せる過程とか
ら成り、 前記ターンテーブルの一回転中の前記ウエハの平坦部又
は切欠部を含む周縁位置を非接触で検出及び記憶して、
前記中央演算処理回路が前記ウエハの中心位置の偏心量
Ｌe及び偏心角度θeを演算すると共にウエハの平坦部又
は切欠部の中心線の角度も演算して、前記ウエハの偏心
量Ｌe及び偏心角度θeおよび前記ウエハの平坦部又は切
欠部の中心線の角度を合せる半導体ウエハのセンタ合せ
方法。Wherein said by round and the process of placing the wafer on the turn table having a flat portion or notch in a part of the formatted and peripheral circular, the wafer by the turntable Rights
Non-contact detection of the position of the periphery including the tang or notch
First wafer reads the steps of outputting an edge position signal, the step of transferring the edge position signal directly to the memory circuit by the DMA data transfer circuit, an edge position signal said to correspond to the rotation angle from said storage circuit Te Calculating the rate of change of the peripheral position of the wafer from the rotation angle signal and the edge position signal when the turntable is rotated around the rotation center position of the turntable from a state where the turntable is placed on the turntable; and Determining the rotation angle of the turntable corresponding to the edge of the flat portion or the notch portion of the wafer using the ratio, and determining the rotation angle of the turntable corresponding to the edge position of the wafer excluding the flat portion or the notch portion and the end portion thereof. the edge position signal when the rotational angle and Lx1, the edge position signals Lx1 90 degrees from the rotation angle detected the 180-degree and 270 degrees or Turn
Rotate the table, the rotation angle of the turntable from the first state placing the wafer on the turntable <br/> 360
If the angle is greater than or equal to degrees, a process of outputting edge position signals at the time of the angle rotation reduced by 360 degrees as Lx2, Lx3, and Lx4, respectively, and connecting the position of the edge position detector and the rotation center position of the turntable. Using a straight line as the X axis, a straight line connecting the edge position of the wafer corresponding to the edge position signal Lx1 and the rotation center position of the turntable as a base line, and using the edge position signals Lx1, Lx2, Lx3 and Lx4, eccentricity Calculating a quantity Le and an eccentric angle calculating angle θ0; calculating an eccentric angle θe of a difference between the eccentric angle calculating angle θ0 and an angle θST between the X axis and the base line; turn corresponding to the end portion of the flat portion or the notch portion of the rotation angle and the wafer of the turntable corresponding to the Lx1
Calculating the angle of difference from the rotation angle of the table ; and calculating the angle of difference and the eccentric angle calculation angle θ0.
Calculating the angle of the center line of the flat portion or notch of the wafer connecting the center position of the flat portion or notch of the wafer and the center position of the wafer by using the eccentricity Le and the eccentricity of the center position of the wafer Centering the wafer according to the angle θe and adjusting the center line angle of the flat part or the notch part of the wafer to a specific angle, the flat part of the wafer during one rotation of the turntable or
Detects and stores the peripheral position including the notch in a non-contact manner,
The central processing circuit calculates the eccentricity Le and the eccentric angle θe of the center position of the wafer, and also calculates the angle of the center line of the flat portion or the notch portion of the wafer, thereby calculating the eccentricity Le and the eccentric angle θe of the wafer. And a method for centering a semiconductor wafer by adjusting the angle of a center line of a flat portion or a notch of the wafer. 【請求項５】 中央演算処理回路で演算する偏心量Ｌe
が１／２・｛（Ｌx3−Ｌx1）２＋（Ｌx4−Ｌx2）２｝
１／２であって、偏心角度算出用角度θ0がｔａｎ−１
｛（Ｌx2−Ｌx4）／（Ｌx1−Ｌx3）｝である請求項３又
は請求項４に記載の半導体ウエハのセンタ合せ方法。5. An eccentric amount Le calculated by a central processing circuit.
Is ｛· {(Lx3-Lx1) 2 + (Lx4-Lx2) 2 }
The eccentric angle calculation angle θ0 is tan −1
5. The method according to claim 3, wherein {(Lx2-Lx4) / (Lx1-Lx3)}.
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