JP2002246444A - Method and device for detecting position of wafer - Google Patents

Method and device for detecting position of wafer

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JP2002246444A
JP2002246444A JP2001042605A JP2001042605A JP2002246444A JP 2002246444 A JP2002246444 A JP 2002246444A JP 2001042605 A JP2001042605 A JP 2001042605A JP 2001042605 A JP2001042605 A JP 2001042605A JP 2002246444 A JP2002246444 A JP 2002246444A
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Japan
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wafer
center position
distance
measurement
measurement positions
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Application number
JP2001042605A
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Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Toizumi
厚 戸泉
Izuru Matsuda
出 松田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer position detecting method/device for detecting the center position of a wafer, in a state that the influence of an error is less in few measurement positions. SOLUTION: In the method, the disk-like wafer 2, where a notch part 2a is formed is placed on a turn table 4 and a wafer center position 9 is detected. A detection sensor 11 arranged at the peripheral part of the turn table 4 measures the distance from the table center position 8 to a wafer outer peripheral edge 2b at three different measurement positions A, B and C. The wafer center position 9 with respect to the table center position 8 is obtained based on measurement distances x0, y0 and z0. A distance from the table center position 8 to the wafer outer peripheral edge 2b is measure at a detection position D which is different from the measurement positions A, B and C. The detection distance w0 is corrected based on the obtained waver center position 9 and a distance for correction/detection r1 is compared with a radius distance r2 of the wafer 2. Then, it is determined whether the obtained wafer center position 9 is appropriate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハの位置検出
方法およびウエハの位置検出装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer position detecting method and a wafer position detecting device.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体の製造工程においては、ノッチ、
オリエンテーションフラットなどの方向合わせ用の切欠
部が形成された円盤状のウエハが一枚ずつ真空チャンバ
内に搬送されて、所定の反応処理が行われている。
2. Description of the Related Art Notches,
A disk-shaped wafer having a notch for alignment such as an orientation flat is transferred one by one into a vacuum chamber, and a predetermined reaction process is performed.

【0003】この真空チャンバ内にウエハを搬送する場
合、円盤状のウエハからできるだけ多くの四角形のチッ
プを形成する必要があるため、または真空チャンバ内で
の処理の歩留まりを向上させるために、ウエハの位置お
よび方向を正確に合わせて真空チャンバ内に位置させる
必要がある。
When a wafer is transferred into the vacuum chamber, it is necessary to form as many square chips as possible from the disk-shaped wafer or to improve the yield of processing in the vacuum chamber. It must be positioned in the vacuum chamber with the correct position and orientation.

【0004】しかし、一般に、装置にウエハを渡すとき
は、正確な精度で渡されることは少なく、このため、装
置内でウエハの位置と方向を計測し、ずれが補正されて
いる。
However, in general, when a wafer is transferred to an apparatus, the transfer is rarely performed with high accuracy. For this reason, the position and direction of the wafer are measured in the apparatus, and the deviation is corrected.

【0005】従来、このような位置補正のための機構を
設ける場所として、装置内に別の真空チャンバを設けて
おき、この真空チャンバ内でウエハの位置補正をした
後、反応処理を行う真空チャンバ内に搬送している。こ
のように、位置合わせ用の別の真空チャンバを設けるこ
とは、タクトや搬送の柔軟性という点で有利なため採用
されている。
Conventionally, as a place where such a mechanism for position correction is provided, another vacuum chamber is provided in the apparatus, and after correcting the position of a wafer in this vacuum chamber, a vacuum chamber for performing a reaction process is provided. Transported inside. Providing another vacuum chamber for positioning as described above is employed because it is advantageous in terms of tact and flexibility of conveyance.

【0006】図5に示す従来の位置検出装置41は、駆
動モータ43により回転される回転テーブル44上に載
置されたウエハ42の位置および切欠部42aの位置を
検出する場合、コストやシステムの小型化の要求から、
一次元の光学式リニアセンサ46を配置しておき、回転
テーブル44にウエハ42を載置して回転させることに
より、テーブル中心位置48に対するウエハ中心位置4
9のずれ量dを検出している。45は回転位置検出計、
50はグラフ作成部、51はずれ量ずれ方向演算部、5
2は位置制御部を示す。
A conventional position detecting device 41 shown in FIG. 5 detects a position of a wafer 42 and a position of a notch 42a placed on a rotary table 44 rotated by a driving motor 43, and thus, costs and system cost are reduced. From the demand for miniaturization,
A one-dimensional optical linear sensor 46 is arranged, and the wafer 42 is placed on the rotating table 44 and rotated, so that the wafer center position 4 with respect to the table center position 48 is adjusted.
9 are detected. 45 is a rotational position detector,
50 is a graph creation unit, 51 is a deviation amount deviation direction calculation unit, 5
Reference numeral 2 denotes a position control unit.

【0007】そして、上記ずれ量dを検出する際には、
ウエハ42の全周を計測することで、図6のようなグラ
フを得、ずれ量dとずれ方向aを求めていた。
When detecting the deviation amount d,
By measuring the entire circumference of the wafer 42, a graph as shown in FIG. 6 was obtained, and the shift amount d and the shift direction a were obtained.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した位
置検出方法によると、全周計測の場合は測定に時間がか
かるという問題がある。また、複数の測定点から計算で
求める場合は、三角関数や複雑な方程式を利用して求め
ており、計算中の誤差が増えやすく、また、測定誤差の
影響も大きくなりがちである。
However, according to the above-described position detection method, there is a problem that it takes a long time to perform the measurement in the case of full circumference measurement. In addition, when calculating from a plurality of measurement points, the calculation is performed using a trigonometric function or a complicated equation, so that errors during calculation tend to increase, and the influence of measurement errors tends to increase.

【0009】そこで本発明は、少ない測定位置で誤差の
影響も少ない状態でウエハの中心位置を検出し得るウエ
ハの位置検出方法およびウエハの位置検出装置を提供す
ることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a wafer position detecting method and a wafer position detecting device capable of detecting the center position of a wafer at a small number of measurement positions and with a small influence of an error.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項1記載のウェハの位置検出方法は、
方向合わせ用の切欠部が形成された円盤状のウエハを回
転テーブル上に載置してそのウエハ中心位置を検出する
方法であって、回転テーブルの周縁部に配置された検出
センサにより、異なる3つの測定位置において、回転テ
ーブルのテーブル中心位置からウエハの外周縁までの距
離を測定し、この測定により得られた3つの測定距離に
基づき、テーブル中心位置に対するウエハ中心位置を求
め、かつ上記3つの測定位置とは異なる検算位置でテー
ブル中心位置からウエハの外周縁までの距離を測定し、
この検算用距離に、上記求められたウエハ中心位置に基
づき修正を施し、この修正検算用距離とウエハの半径距
離とを比較して、求められたウエハ中心位置が適正な位
置であるか否かを判断する方法である。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for detecting a position of a wafer, comprising the steps of:
This is a method of mounting a disc-shaped wafer having a notch for orientation alignment on a rotary table and detecting the center position of the wafer, wherein different detection sensors are arranged at the periphery of the rotary table. At one of the measurement positions, the distance from the table center position of the rotary table to the outer peripheral edge of the wafer is measured. Based on the three measurement distances obtained by this measurement, the wafer center position with respect to the table center position is determined. Measure the distance from the table center position to the outer peripheral edge of the wafer at a check position different from the measurement position,
The verification distance is corrected based on the calculated wafer center position, and the corrected verification distance is compared with the wafer radial distance to determine whether the calculated wafer center position is an appropriate position. It is a method of judging.

【0011】したがって請求項1の位置検出方法による
と、ウエハの外周縁を4点で測定するだけで、ウエハの
中心位置を正確に求めることができる。また、本発明の
請求項2に記載のウェハの位置検出方法は、方向合わせ
用の切欠部が形成された円盤状のウエハを回転テーブル
上に載置してそのウエハ中心位置を検出する方法であっ
て、回転テーブルの周縁部に配置された検出センサによ
り、異なる3つの測定位置において、回転テーブルのテ
ーブル中心位置からウエハの外周縁までの距離を測定
し、この測定により得られた3つの測定距離に基づき、
テーブル中心位置に対するウエハ中心位置のずれ量を求
め、このずれ量に基づき実際のウエハ中心位置を求め、
かつ上記3つの測定位置とは異なる検算位置でテーブル
中心位置からウエハの外周縁までの距離を測定し、この
検算用距離に、上記求められたウエハ中心位置に基づき
修正を施し、この修正検算用距離とウエハの半径距離と
の差が設定値より小さいか否かを比較し、設定値より小
さい場合に、上記測定により求められたウエハ中心位置
が適正であると判断し、設定値を超える場合には、ウエ
ハの位置をずらして、再度、上記ウエハ中心位置を測定
する方法である。
Therefore, according to the position detecting method of the first aspect, the center position of the wafer can be accurately obtained only by measuring the outer peripheral edge of the wafer at four points. A wafer position detecting method according to a second aspect of the present invention is a method of mounting a disc-shaped wafer having a notch for orientation alignment on a rotary table and detecting the center position of the wafer. The distance from the table center position of the rotary table to the outer peripheral edge of the wafer is measured at three different measurement positions by the detection sensors arranged at the peripheral portion of the rotary table, and the three measurements obtained by the measurement are measured. Based on distance,
A shift amount of the wafer center position with respect to the table center position is obtained, and an actual wafer center position is obtained based on the shift amount.
In addition, the distance from the table center position to the outer peripheral edge of the wafer is measured at a check position different from the three measurement positions, and the check distance is corrected based on the obtained wafer center position. Compare whether the difference between the distance and the radial distance of the wafer is smaller than a set value, and if smaller than the set value, determine that the wafer center position obtained by the above measurement is appropriate and exceed the set value. Is a method of shifting the position of the wafer and measuring the center position of the wafer again.

【0012】したがって、この請求項2の位置検出方法
においても、請求項1と同様に、ウエハの外周縁を4点
で測定するだけで、回転テーブルの中心位置に対するウ
エハの中心位置のずれ量を正確に求めることができる。
Therefore, in the position detecting method according to the second aspect, similarly to the first aspect, the amount of deviation of the center position of the wafer from the center position of the rotary table can be obtained simply by measuring the outer peripheral edge of the wafer at four points. Can be determined accurately.

【0013】また、本発明の請求項3に記載の発明は、
請求項1または請求項2に記載のウエハの位置検出方法
において、異なる3つの測定位置をそれぞれ0度、90
度、180度の位置にするとともに、検算位置を0度か
ら180度の間の位置とする方法である。
Further, the invention according to claim 3 of the present invention provides:
3. The wafer position detecting method according to claim 1, wherein three different measurement positions are set to 0 degree and 90 degrees, respectively.
This is a method in which the position is set to a position between 0 and 180 degrees, and the check position is set to a position between 0 and 180 degrees.

【0014】そして、本発明の請求項4に記載の発明
は、請求項2または請求項3に記載のウエハの検出方法
において、ずれ量を求める際に、このずれ量を未知数と
するとともに、3つの測定位置で測定されたテーブル中
心位置とウエハ外周縁との間の各測定距離に、円の中心
は任意の弦の垂直二等分線上にあるという円の性質を適
用する方法である。
According to a fourth aspect of the present invention, in the method for detecting a wafer according to the second or third aspect, when the deviation amount is obtained, the deviation amount is set to an unknown value, and This is a method of applying the property of a circle that the center of the circle is on a vertical bisector of an arbitrary chord to each measurement distance between the table center position measured at one measurement position and the outer peripheral edge of the wafer.

【0015】したがって、これら請求項3および請求項
4に記載の発明によると、4つの測定位置を180度以
内の比較的狭い範囲としているので、測定に要する時間
を確実に短くすることができ、またずれ量を求めるの
に、円の中心は任意の弦の垂直二等分線上にあるという
円の性質を使用しているので、非常に簡単な式により、
ずれ量を求めることができる。
Therefore, according to the third and fourth aspects of the present invention, since the four measurement positions are set to a relatively narrow range within 180 degrees, the time required for the measurement can be shortened without fail. In addition, since the center of the circle is located on the perpendicular bisector of an arbitrary chord to determine the amount of deviation, the property of the circle is used.
The shift amount can be obtained.

【0016】さらに、本発明の請求項5に記載のウエハ
の位置検出装置は、回転テーブル上に載置され方向合わ
せ用の切欠部が形成された円盤状のウエハのウエハ中心
位置を検出する装置であって、回転テーブルの周縁部に
配置されてウエハの外周縁を検出する検出センサと、こ
の検出センサからの検出信号を入力してテーブル中心位
置からウエハ外周縁までの距離を求める距離演算部と、
この距離演算部にて求められた異なる3つの測定位置で
の測定距離に基づき、互いの中心位置のずれ量を求める
ずれ量演算部と、このずれ量演算部で求められたずれ量
に基づきウエハ中心位置を求める中心位置演算部と、上
記3つの測定位置とは異なる検算位置で測定された検算
用距離に、上記求められたずれ量に基づき修正して修正
検算用距離を求めるとともに、この修正検算用距離とウ
エハの半径距離との差が設定値より小さいか否かを判断
する判断部とを具備した装置である。
A wafer position detecting device according to a fifth aspect of the present invention detects a wafer center position of a disk-shaped wafer mounted on a rotary table and having a notch for alignment. A detection sensor disposed at the periphery of the rotary table for detecting the outer periphery of the wafer, and a distance calculation unit for receiving a detection signal from the detection sensor and obtaining a distance from the center position of the table to the outer periphery of the wafer When,
A shift amount calculating section for calculating a shift amount between the respective center positions based on the measured distances at the three different measurement positions obtained by the distance calculating section; and a wafer based on the shift amount obtained by the shift amount calculating section. A center position calculating unit for calculating the center position, and correcting the correction distance measured at a verification position different from the three measurement positions on the basis of the obtained shift amount to obtain a corrected verification distance. A determination unit configured to determine whether a difference between the verification distance and the radial distance of the wafer is smaller than a set value.

【0017】また、本発明の請求項6に記載の発明は、
請求項5に記載のウエハの位置検出装置において、異な
る2つの測定位置をそれぞれ0度、90度、180度の
位置にするとともに、検算位置を0度から180度の間
の位置となし、かつずれ量を求める際に、このずれ量を
未知数とするとともに、上記3つの測定位置で測定され
たテーブル中心位置とウエハ外周縁との間の各測定距離
に、円の中心は任意の弦の垂直二等分線上にあるという
円の性質を適用した装置である。
[0017] The invention according to claim 6 of the present invention provides:
6. The wafer position detecting device according to claim 5, wherein the two different measurement positions are set to 0 degree, 90 degrees, and 180 degrees, respectively, and the check position is set to a position between 0 degrees and 180 degrees. When calculating the shift amount, this shift amount is set to an unknown value, and the center of the circle is perpendicular to an arbitrary chord at each measurement distance between the table center position measured at the above three measurement positions and the wafer outer peripheral edge. This device applies the property of a circle that is on a bisector.

【0018】したがって、上記請求項5および請求項6
に記載の位置検出装置においても、上記請求項1〜請求
項4において述べたように、少ない測定箇所でかつ簡単
な式により、ウエハの中心位置を正確に求めることがで
きる。
Therefore, claims 5 and 6 above.
Also in the position detecting device described in (1), the center position of the wafer can be accurately obtained with a small number of measuring points and a simple formula, as described in (1) to (4).

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態におけ
るウエハの位置検出装置および位置検出方法を、図1〜
図4を用いて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a wafer position detecting apparatus and method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG.

【0020】本実施の形態に係るウエハの位置検出装置
1は、例えば半導体製造装置において、所定の外周に方
向合わせ用の切欠部2aが形成された円盤状のウエハ2
に所定の反応処理を施すための真空チャンバ内に設けら
れる。
The wafer position detecting apparatus 1 according to the present embodiment is, for example, a semiconductor wafer manufacturing apparatus having a disc-shaped wafer 2 in which a notch 2a for alignment is formed on a predetermined outer periphery.
Is provided in a vacuum chamber for performing a predetermined reaction process.

【0021】図1および図2に示すように、この位置検
出装置1は、駆動モータ3により回転される回転テーブ
ル4のテーブル中心位置8からその半径方向に沿って配
置されて、回転テーブル4上に載置されたウエハ2の外
周縁2bを検出する検出センサ(例えば、光学式リニア
センサが用いられる)11と、この検出センサ11によ
り検出された検出信号31および回転テーブル4の回転
位置検出計5からの回転位置信号32を入力するととも
に、所定複数位置(例えば、A,B,C,Dにて示す)
でテーブル中心位置8からウエハ外周縁2bまでの距離
(例えば、x0,y0,z0,w0にて示す)を求める
距離演算部12と、この距離演算部12で求められた異
なる3つの測定位置A,B,Cでの測定距離x0,y
0,z0に基づき、互いの中心位置8,9のずれ量dを
求めるずれ量演算部13と、このずれ量演算部13で求
められたずれ量dに基づき所定の演算式によってウエハ
2の中心位置9のテーブル座標系での座標(ウエハ中心
位置)を求める中心位置演算部14とが具備されてい
る。
As shown in FIGS. 1 and 2, the position detecting device 1 is arranged along a radial direction from a table center position 8 of a rotary table 4 rotated by a drive motor 3, and is mounted on the rotary table 4. A detection sensor (for example, an optical linear sensor is used) 11 for detecting the outer peripheral edge 2b of the wafer 2 placed on the surface of the wafer 2, a detection signal 31 detected by the detection sensor 11, and a rotation position detector for the rotary table 4 5 and a plurality of predetermined positions (for example, indicated by A, B, C, and D).
, A distance calculation unit 12 for obtaining a distance (for example, indicated by x0, y0, z0, w0) from the table center position 8 to the wafer outer peripheral edge 2b, and three different measurement positions A obtained by the distance calculation unit 12. , B, C measurement distance x0, y
Based on 0 and z0, a shift amount calculating unit 13 for calculating a shift amount d between the center positions 8 and 9 of each other, and a center of the wafer 2 is calculated by a predetermined arithmetic expression based on the shift amount d obtained by the shift amount calculating unit 13. And a center position calculating unit 14 for obtaining coordinates (wafer center position) of the position 9 in the table coordinate system.

【0022】ところで、上記検出センサ11により、テ
ーブル中心位置8までの距離を求める際に、その測定位
置が切欠部2aにある場合、間違った中心位置が求めら
れることになり、このような事態を防止するため、その
判断部15が具備されている。
When the distance to the table center position 8 is determined by the detection sensor 11, if the measured position is in the notch 2a, the wrong center position is determined. To prevent this, a determination unit 15 is provided.

【0023】すなわち、この判断部15は、上述した3
つの測定位置A,B,Cとは異なる、例えばAとBの中
間の検算位置Dにおける測定距離信号33(距離演算部
12にて求められる)、および中心位置演算部14で求
められたウエハ中心位置9のウエハ中心位置信号34を
入力するとともに、この検算位置Dで求められた検算用
距離w0を、演算により求められたウエハ中心位置9の
ずれ量dでもって修正を施し、この修正検算用距離と3
つの測定位置A,B,Cから求められたウエハ2の半径
距離とを比較して、その差が設定値(小さい値)より小
さいか否かを判断するように構成されている。
That is, the determination unit 15 determines whether
Different from the three measurement positions A, B, and C, for example, a measurement distance signal 33 (determined by the distance calculation unit 12) at a check position D intermediate between A and B, and the wafer center determined by the center position calculation unit 14. At the same time, the wafer center position signal 34 at the position 9 is input, and the verification distance w0 obtained at the verification position D is corrected by the shift amount d of the wafer center position 9 obtained by the calculation. Distance and 3
It is configured to compare the radius distance of the wafer 2 obtained from the three measurement positions A, B, and C and determine whether the difference is smaller than a set value (small value).

【0024】そして、ここで、設定値より小さいと判断
された場合には、演算により求められたウエハ中心位置
9の位置修正信号35が、例えばウエハ2の位置を制御
するための位置制御部16に出力されて、ウエハ中心位
置9が所定の位置にくるように位置合わせが行われる。
If it is determined that the value is smaller than the set value, the position correction signal 35 of the wafer center position 9 calculated by the calculation is transmitted to the position controller 16 for controlling the position of the wafer 2, for example. And alignment is performed so that the wafer center position 9 is at a predetermined position.

【0025】一方、設定値を超える場合には、測定位置
A,B,Cのいずれかが切欠部2aの箇所にあると判断
されて、位置制御部16から回転テーブル4の駆動モー
タ3に、ウエハ2の位置を少しずらせる指示信号36が
出力されるとともに、再度、ウエハ中心位置9の検出動
作が繰り返して行われる。勿論、ウエハ2の回転量は、
切欠部2aを確実に回避し得るような角度とされるた
め、再度の検出動作は1回だけで済む。
On the other hand, if the set value is exceeded, it is determined that one of the measurement positions A, B, and C is located at the notch 2a, and the position control unit 16 sends the drive motor 3 of the rotary table 4 An instruction signal 36 for slightly shifting the position of the wafer 2 is output, and the operation of detecting the wafer center position 9 is performed again. Of course, the amount of rotation of the wafer 2 is
Since the angle is set such that the notch 2a can be reliably avoided, only one detection operation is required.

【0026】ここで、ウエハ中心位置9の検出動作を、
図2および図3に基づき具体的に説明する。回転テーブ
ル4にウエハ2が載置されると、その状態で検出センサ
11により、ウエハ外周縁2bの第1測定位置A(例え
ば、図2の0度位置)における回転テーブル4のテーブ
ル中心位置8からウエハ外周縁2bまでの距離x0が検
出され、次にα度回転された検算位置D(図2のα度位
置)で、テーブル中心位置8からウエハ外周縁2bまで
の距離w0が測定され、さらにβ−α度回転された第2
測定位置B(図2のβ度位置)で、テーブル中心位置8
からウエハ外周縁2bまでの距離y0が測定され、そし
て、さらにγ−β度回転された第3測定位置C(図2の
γ度位置)で、テーブル中心位置8からウエハ外周縁2
bまでの距離z0が測定される。
Here, the detection operation of the wafer center position 9 will be described.
A specific description will be given based on FIG. 2 and FIG. When the wafer 2 is placed on the turntable 4, the detection sensor 11 in this state detects the table center position 8 of the turntable 4 at the first measurement position A (for example, the 0-degree position in FIG. 2) of the wafer outer peripheral edge 2b. , A distance x0 from the table center position 8 to the wafer outer peripheral edge 2b is measured at a check position D (α-degree position in FIG. 2) rotated by α degrees. The second rotated by β-α degrees
At the measurement position B (the β-degree position in FIG. 2), the table center position 8
Is measured from the table center position 8 to the wafer outer peripheral edge 2b at a third measurement position C (γ-degree position in FIG. 2) further rotated by γ-β degrees.
The distance z0 to b is measured.

【0027】上記第1、第2および第3測定位置A,
B,Cでの測定距離x0,y0,z0を用いて、テーブ
ル中心位置8とウェハ中心位置9までのずれ量dは、下
記のようにして求められる。
The first, second and third measurement positions A,
Using the measured distances x0, y0, and z0 at B and C, the shift amount d between the table center position 8 and the wafer center position 9 is obtained as follows.

【0028】まず、3点の測定位置A,B,Cのうち2
点の組み合わせ2つから、各測定位置の間の垂直二等分
線を2つ求める。たとえば、第1測定位置Aと第2測定
位置Bから垂直二等分線17を求めるとともに、第2測
定位置Bと第3測定位置Cから垂直二等分線18を求め
る。そして、これらの交点がウエハ中心位置9となるた
め、これら二つの二等分線17,18を表す式を連立方
程式として解くと、ウエハ中心位置9のずれ量dを求め
ることができる。
First, two of the three measurement positions A, B and C are measured.
From two combinations of points, two perpendicular bisectors between each measurement position are obtained. For example, a vertical bisector 17 is obtained from the first measurement position A and the second measurement position B, and a vertical bisector 18 is obtained from the second measurement position B and the third measurement position C. Then, since these intersections become the wafer center position 9, the displacement d of the wafer center position 9 can be obtained by solving the equations representing these two bisectors 17 and 18 as simultaneous equations.

【0029】たとえば、図3のように測定位置A,B,
Cを0度、90度、180度とした場合を考える。ここ
で、図3の測定位置C,Aの垂直二等分線19は、
For example, as shown in FIG.
Consider the case where C is 0 degree, 90 degrees, and 180 degrees. Here, the perpendicular bisector 19 at the measurement positions C and A in FIG.

【0030】[0030]

【数1】 となるため、ウエハ中心位置9のx方向ずれ量dxが求
められる。
(Equation 1) Therefore, the shift amount dx in the x direction of the wafer center position 9 is obtained.

【0031】また、測定位置A,Bの垂直二等分線20
は、
The vertical bisector 20 of the measurement positions A and B
Is

【0032】[0032]

【数2】 となり、これに(1)式を代入すると、(Equation 2) Substituting equation (1) into

【0033】[0033]

【数3】 となり、ウエハ中心位置9のy方向ずれ量dyが求めら
れる。
(Equation 3) The displacement dy in the y direction of the wafer center position 9 is obtained.

【0034】次に、検算動作について説明する。この検
算は、検算用距離w0を上記求められたウエハ中心位置
9で修正を施して得られた修正検算用距離r1と、測定
位置AもしくはBもしくはCをウエハ中心位置9で修正
を施して得られたウエハ半径距離r2とを比較すること
により行われる。すなわち、十分小さい値のkに対し
て、下記(4)式が成立するかどうかを調べる。
Next, the verification operation will be described. This check is performed by correcting the check distance w0 at the wafer center position 9 obtained above and correcting the corrected check distance r1 obtained at the wafer center position 9 and the measurement position A, B or C at the wafer center position 9. This is performed by comparing the calculated wafer radius distance r2. That is, it is checked whether or not the following equation (4) holds for a sufficiently small value of k.

【0035】[0035]

【数4】 上記(4)式が成立すれば、演算により求められたウエ
ハ中心位置9が適正な位置にあると判断され、もし成立
しなければ、測定位置A,B,Cのどれか、もしくは検
算位置Dが切欠部2aに位置しているため、正しいウエ
ハ中心位置9が求められていないと判断される。正しい
ウエハ中心位置9でないと判断されると、少しウエハ2
が回転された位置(ずらされた位置)で、再度、ウエハ
中心位置9の検出動作が行われる。
(Equation 4) If the above equation (4) is satisfied, it is determined that the wafer center position 9 obtained by the calculation is at an appropriate position. If not, any of the measurement positions A, B, and C or the verification position D is determined. Is located in the notch 2a, it is determined that the correct wafer center position 9 has not been determined. If it is determined that the wafer is not at the correct wafer center position 9, a little
The detection operation of the wafer center position 9 is performed again at the position where is rotated (shifted position).

【0036】勿論、ウエハ2には切欠部2aが一個所し
か設けられていないため、次の測定位置のずらし量を適
当にとることにより、その測定位置は、切欠部2aから
必ず外れた場所にすることができる。
Of course, the wafer 2 is provided with only one notch 2a. Therefore, by appropriately shifting the next measurement position, the measurement position can be set at a position that always deviates from the notch 2a. can do.

【0037】このように、最高でも2回の検出動作によ
り、ウエハ中心位置9を正確に求めることができる。な
お、ウエハ2が搬送されてくるとき、普通、その前工程
の装置から出てくるときにすでに位置合わせが、ある程
度行われているため、切欠部2aの方向のずれ量はそれ
程大きくはなく、殆ど、十度以内の角度におさまってい
る。
As described above, the wafer center position 9 can be accurately obtained by performing at most two detection operations. Incidentally, when the wafer 2 is transferred, usually, the alignment has already been performed to some extent when the wafer 2 comes out of the device in the preceding process, so the amount of deviation in the direction of the notch 2a is not so large. Mostly, the angle is within 10 degrees.

【0038】このため、切欠部2aのない方向、例えば
切欠部2aとは反対側から測定を開始するように、検出
センサ11を配置しておけば、殆ど、一回の検出動作
で、正確なウエハ中心位置9を求めることができる。
For this reason, if the detection sensor 11 is arranged so that the measurement is started from a direction without the notch 2a, for example, from the side opposite to the notch 2a, an accurate detection operation can be performed by one detection operation. The wafer center position 9 can be obtained.

【0039】ここで、上記ウエハの位置検出装置1を用
いた半導体製造装置の概略構成を、図4に基づき説明す
る。図4に示すように、この半導体製造装置において
は、ウエハ2は、まずロードロック室21に搬入され、
ここで真空引きされた後、搬送アーム22によって搬送
室23を経由して位置検出室24に送られる。この位置
検出室24で上記の位置検出装置および位置検出方法に
基づき、ウエハ2の中心位置の検出すなわち位置ずれが
測定される。その後、検出された位置ずれ方向と逆方向
にウエハ2が移動されて、ウエハ2の中心が所定位置に
合わされ、そしてさらに切欠部2aの方向が所定方向と
なるように合わされる。この後、ウエハ2を搬送アーム
22により取り出し、搬送室23を経由してプロセス処
理室25に搬送される。
Here, a schematic configuration of a semiconductor manufacturing apparatus using the wafer position detecting device 1 will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 4, in this semiconductor manufacturing apparatus, the wafer 2 is first loaded into the load lock chamber 21,
After being evacuated here, it is sent to the position detection chamber 24 via the transfer chamber 23 by the transfer arm 22. In the position detection chamber 24, the detection of the center position of the wafer 2, that is, the position shift is measured based on the above-described position detection device and position detection method. Thereafter, the wafer 2 is moved in a direction opposite to the detected misalignment direction, the center of the wafer 2 is adjusted to a predetermined position, and the direction of the notch 2a is further adjusted to the predetermined direction. Thereafter, the wafer 2 is taken out by the transfer arm 22 and transferred to the process chamber 25 via the transfer chamber 23.

【0040】このように、本発明の実施の形態において
は、切欠部2aが殆ど存在しない3つの測定位置A,
B,Cで、テーブル中心位置8からウエハ2の外周縁2
bまでの距離を測定するとともに、この3つの測定距離
x0,y0,z0を用い、かつ弦の垂直二等分線の交点
が円の中心となる性質を利用して、テーブル中心位置8
に対するウエハ中心位置9を求め、しかも検算用距離w
0により、求められたウエハ中心位置9が適正か否かを
判断するようにしたので、少ない測定回数で正確なウエ
ハ中心位置9を求めることができ、また、複雑な計算を
用いないため途中の演算誤差も起こりにくく、測定誤差
の影響も少ない。
As described above, in the embodiment of the present invention, three measurement positions A and
In B and C, the outer peripheral edge 2 of the wafer 2 is shifted from the table center position 8.
b, and using the three measured distances x0, y0, and z0, and utilizing the property that the intersection of the vertical bisector of the chord is the center of the circle, the table center position 8
Of the wafer center position 9 with respect to
0, it is determined whether or not the obtained wafer center position 9 is appropriate. Therefore, an accurate wafer center position 9 can be obtained with a small number of measurements, and the intermediate position is not used because a complicated calculation is not used. Calculation errors are less likely to occur, and the effects of measurement errors are small.

【0041】なお、上記実施の形態において、装置の構
成を説明する際に、計算部、演算部、判断部などを具備
していると説明したが、これらは機能に着目して説明し
たものであり、実際の構成においては、各機能は、必要
に応じて、プロセッサーに一体的に組み込まれている。
In the above embodiment, when describing the configuration of the apparatus, it has been described that the apparatus includes a calculation section, an operation section, a judgment section, and the like. However, these sections are described focusing on functions. Yes, in an actual configuration, each function is integrated into the processor as needed.

【0042】また、上記実施の形態において、検出セン
サ11を回転テーブル4の半径方向に沿って配置するよ
うに説明したが、勿論、半径方向に沿わなくても、ウエ
ハ2の外周部を検出できるなら、どのような配置であっ
てもよい。
Further, in the above embodiment, the detection sensor 11 has been described as being arranged along the radial direction of the turntable 4, but it is needless to say that the outer peripheral portion of the wafer 2 can be detected without being along the radial direction. Then, any arrangement may be used.

【0043】[0043]

【発明の効果】上記本発明のウエハの位置検出方法およ
び位置検出装置によると、ウエハの外周縁の3点を測定
して、回転テーブルのテーブル中心位置までの距離をそ
れぞれ求め、これらの測定距離とを使用して、テーブル
中心位置に対する実際のウエハの中心位置を求め、かつ
検算位置で測定された検算用距離と上記求められた中心
位置と測定点との距離とを比較することで、上記求めら
れたウエハ中心位置が適正であるか否かを判断するよう
にしているので、ウエハ外周縁を4点で測定するだけ
で、ウエハ中心位置を正確に求めることができる。すな
わち、従来の位置検出方法に比べて、測定誤差の影響を
少なくして、より少ない測定回数で済むため、精度の高
い測定を短時間で行うことができ、ひいては半導体の製
造の迅速化につながる。
According to the method and apparatus for detecting the position of a wafer according to the present invention, three points on the outer peripheral edge of the wafer are measured to determine the distances to the center of the rotary table, respectively. By using and to determine the actual wafer center position with respect to the table center position, and comparing the calculated distance measured at the verification position with the calculated center position and the distance between the measurement point, Since it is determined whether or not the obtained wafer center position is appropriate, the wafer center position can be accurately obtained only by measuring the outer peripheral edge of the wafer at four points. That is, as compared with the conventional position detection method, the influence of the measurement error is reduced and the number of measurements can be reduced, so that high-accuracy measurement can be performed in a short time, which leads to speedup of semiconductor manufacturing. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態におけるウエハの位置検出
装置の概略構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a wafer position detecting device according to an embodiment of the present invention.

【図2】同実施の形態におけるウエハの中心位置を検出
する動作を説明するためのウエハの平面図である。
FIG. 2 is a plan view of the wafer for describing an operation of detecting a center position of the wafer in the embodiment.

【図3】同実施の形態におけるウエハの中心位置を検出
する動作を説明するためのウエハの平面図である。
FIG. 3 is a plan view of the wafer for describing an operation of detecting the center position of the wafer in the embodiment.

【図4】同実施の形態のウエハの位置検出装置を適用し
た半導体製造装置の概略構成を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a schematic configuration of a semiconductor manufacturing apparatus to which the wafer position detecting device of the embodiment is applied.

【図5】従来例のウエハの位置検出方法を説明する概略
斜視図である。
FIG. 5 is a schematic perspective view illustrating a conventional wafer position detection method.

【図6】従来例のウエハ位置検出方法においてずれ量・
方向を得るためのグラフ図である。
FIG. 6 shows a shift amount and a shift amount in a conventional wafer position detection method.
It is a graph for obtaining a direction.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ウエハの位置検出装置 2 ウエハ 2a 切欠部 2b ウエハ外周縁 3 駆動モータ 4 回転テーブル 5 回転位置検出計 8 テーブル中心位置 9 ウエハ中心位置 11 検出センサ 12 距離演算部 13 ずれ量演算部 14 中心位置演算部 15 判断部 16 位置制御部 17 垂直二等分線 18 垂直二等分線 19 垂直二等分線 20 垂直二等分線 A 第1測定位置 B 第2測定位置 C 第3測定位置 D 検算位置 x0 測定距離 y0 測定距離 z0 測定距離 w0 検算用距離 d ずれ量 dx x方向ずれ量 dy y方向ずれ量 r1 修正検算用距離 r2 ウエハ半径距離 Reference Signs List 1 Wafer position detecting device 2 Wafer 2a Notch 2b Wafer outer peripheral edge 3 Drive motor 4 Rotary table 5 Rotary position detector 8 Table center position 9 Wafer center position 11 Detection sensor 12 Distance calculator 13 Shift amount calculator 14 Center position calculation Unit 15 Judgment unit 16 Position control unit 17 Vertical bisector 18 Vertical bisector 19 Vertical bisector 20 Vertical bisector A First measurement position B Second measurement position C Third measurement position D Calculation position x0 measurement distance y0 measurement distance z0 measurement distance w0 verification distance d shift amount dx x direction shift amount dy y direction shift amount r1 correction calculation distance r2 wafer radius distance

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 AA07 AA12 AA17 AA26 BB03 CC19 DD06 FF01 FF04 JJ02 JJ09 JJ25 MM04 PP13 UU05 5F031 CA02 GA44 JA28 JA29 JA34 JA35 KA11  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2F065 AA07 AA12 AA17 AA26 BB03 CC19 DD06 FF01 FF04 JJ02 JJ09 JJ25 MM04 PP13 UU05 5F031 CA02 GA44 JA28 JA29 JA34 JA35 KA11

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 方向合わせ用の切欠部が形成された円盤
状のウエハを回転テーブル上に載置してそのウエハ中心
位置を検出する方法であって、回転テーブルの周縁部に
配置された検出センサにより、異なる3つの測定位置に
おいて、回転テーブルのテーブル中心位置からウエハの
外周縁までの距離を測定し、この測定により得られた3
つの測定距離に基づき、テーブル中心位置に対するウエ
ハ中心位置を求め、かつ上記3つの測定位置とは異なる
検算位置でテーブル中心位置からウエハの外周縁までの
距離を測定し、この検算用距離に、上記求められたウエ
ハ中心位置に基づき修正を施し、この修正検算用距離と
ウエハの半径距離とを比較して、求められたウエハ中心
位置が適正な位置であるか否かを判断することを特徴と
するウエハの位置検出方法。
1. A method for placing a disc-shaped wafer having a notch for orientation alignment on a rotary table and detecting the center position of the wafer, wherein the detection is provided at a peripheral portion of the rotary table. The sensor measures the distance from the center position of the rotary table to the outer periphery of the wafer at three different measurement positions.
The wafer center position with respect to the table center position is obtained based on the three measurement distances, and the distance from the table center position to the outer peripheral edge of the wafer is measured at a check position different from the three measurement positions. The correction is performed based on the obtained wafer center position, and the correction check distance is compared with the radial distance of the wafer to determine whether the obtained wafer center position is an appropriate position. Of detecting the position of a wafer to be processed.
【請求項2】 方向合わせ用の切欠部が形成された円盤
状のウエハを回転テーブル上に載置してそのウエハ中心
位置を検出する方法であって、回転テーブルの周縁部に
配置された検出センサにより、異なる3つの測定位置に
おいて、回転テーブルのテーブル中心位置からウエハの
外周縁までの距離を測定し、この測定により得られた3
つの測定距離に基づき、テーブル中心位置に対するウエ
ハ中心位置のずれ量を求め、このずれ量に基づき実際の
ウエハ中心位置を求め、かつ上記3つの測定位置とは異
なる検算位置でテーブル中心位置からウエハの外周縁ま
での距離を測定し、この検算用距離に、上記求められた
ウエハ中心位置に基づき修正を施し、この修正検算用距
離とウエハの半径距離との差が設定値より小さいか否か
を比較し、設定値より小さい場合に、上記測定により求
められたウエハ中心位置が適正であると判断し、設定値
を超える場合には、ウエハの位置をずらして、再度、上
記ウエハ中心位置を測定することを特徴とするウエハの
位置検出方法。
2. A method for mounting a disc-shaped wafer having a notch for orientation alignment on a rotary table and detecting the center position of the wafer, wherein the detection is provided at a peripheral portion of the rotary table. The sensor measures the distance from the center position of the rotary table to the outer periphery of the wafer at three different measurement positions.
The amount of deviation of the wafer center position with respect to the table center position is determined based on the three measurement distances, the actual wafer center position is determined based on this deviation amount, and the wafer is shifted from the table center position at a check position different from the three measurement positions. The distance to the outer peripheral edge is measured, this correction distance is corrected based on the obtained wafer center position, and it is determined whether or not the difference between the corrected correction distance and the radial distance of the wafer is smaller than a set value. In comparison, if it is smaller than the set value, it is determined that the wafer center position obtained by the above measurement is appropriate, and if it exceeds the set value, the position of the wafer is shifted and the wafer center position is measured again. A wafer position detecting method.
【請求項3】 異なる3つの測定位置をそれぞれ0度、
90度、180度の位置にするとともに、検算位置を0
度から180度の間の位置とすることを特徴とする請求
項1または2に記載のウエハの位置検出方法。
3. Each of three different measurement positions is set to 0 degree,
90 ° and 180 °, and the check position is 0
3. The method according to claim 1, wherein the position is between 180 degrees and 180 degrees.
【請求項4】 ずれ量を求める際に、このずれ量を未知
数とするとともに、3つの測定位置で測定されたテーブ
ル中心位置とウエハ外周縁との間の各測定距離に、円の
中心は任意の弦の垂直二等分線上にあるという円の性質
を適用することを特徴とする請求項2または3に記載の
ウエハの位置検出方法。
4. When calculating the shift amount, the shift amount is set to an unknown value, and the center of the circle is arbitrary at each measurement distance between the table center position measured at three measurement positions and the outer peripheral edge of the wafer. 4. The method according to claim 2, wherein a characteristic of a circle that is located on a vertical bisector of the chord is applied.
【請求項5】 回転テーブル上に載置され方向合わせ用
の切欠部が形成された円盤状のウエハのウエハ中心位置
を検出する装置であって、回転テーブルの周縁部に配置
されてウエハの外周縁を検出する検出センサと、この検
出センサからの検出信号を入力してテーブル中心位置か
らウエハ外周縁までの距離を求める距離演算部と、この
距離演算部にて求められた異なる3つの測定位置での測
定距離に基づき、互いの中心位置のずれ量を求めるずれ
量演算部と、このずれ量演算部で求められたずれ量に基
づきウエハ中心位置を求める中心位置演算部と、上記3
つの測定位置とは異なる検算位置で測定された検算用距
離に、上記求められたずれ量に基づき修正して修正検算
用距離を求めるとともに、この修正検算用距離とウエハ
の半径距離との差が設定値より小さいか否かを判断する
判断部とを具備したことを特徴とするウエハの位置検出
装置。
5. An apparatus for detecting a center position of a wafer of a disc-shaped wafer mounted on a rotary table and having a notch for alignment, and disposed at a peripheral portion of the rotary table and outside the wafer. A detection sensor for detecting the periphery, a distance calculation unit for inputting a detection signal from the detection sensor to calculate the distance from the center position of the table to the outer periphery of the wafer, and three different measurement positions obtained by the distance calculation unit A shift amount calculating unit for calculating a shift amount between the respective center positions based on the measurement distance in the above, a center position calculating unit for obtaining a wafer center position based on the shift amount obtained by the shift amount calculating unit;
The correction distance measured at a verification position different from the two measurement positions is corrected based on the deviation amount obtained above to obtain a corrected correction distance, and the difference between the corrected correction distance and the radial distance of the wafer is calculated. A determination unit for determining whether the value is smaller than a set value.
【請求項6】 異なる2つの測定位置をそれぞれ0度、
90度、180度の位置にするとともに、検算位置を0
度から180度の間の位置となし、かつずれ量を求める
際に、このずれ量を未知数とするとともに、上記3つの
測定位置で測定されたテーブル中心位置とウエハ外周縁
との間の各測定距離に、円の中心は任意の弦の垂直二等
分線上にあるという円の性質を適用したことを特徴とす
る請求項5に記載のウエハの位置検出装置。
6. Each of two different measurement positions is set to 0 degree,
90 ° and 180 °, and the check position is 0
When the position is between 180 degrees and 180 degrees, and the amount of deviation is obtained, the amount of deviation is set to an unknown value, and each measurement between the center position of the table measured at the three measurement positions and the outer peripheral edge of the wafer is performed. 6. The wafer position detecting apparatus according to claim 5, wherein a property of the circle that the center of the circle is on a vertical bisector of an arbitrary chord is applied to the distance.
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