JP2729297B2 - Semiconductor wafer centering equipment - Google Patents

Semiconductor wafer centering equipment

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JP2729297B2
JP2729297B2 JP62329341A JP32934187A JP2729297B2 JP 2729297 B2 JP2729297 B2 JP 2729297B2 JP 62329341 A JP62329341 A JP 62329341A JP 32934187 A JP32934187 A JP 32934187A JP 2729297 B2 JP2729297 B2 JP 2729297B2
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wafer
center
centering
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flat portion
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幸男 森山
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Daihen Corp
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体製造装置において半導体ウエハを搬
送するときにウエハのセンタおよび結晶方向を示す平坦
部または切欠部を所定の角度に正確に合わせるための装
置に関するものである。 〔従来の技術〕 半導体ウエハの製造装置において、半導体ウエハを積
重ねて収納するカセットから他のカセットへ、または検
査や加工のための各ステージへ、あるいは各ステージ相
互間の移送時にはウエハを正確にセンタ合せする必要が
ある。通常、カセットや各ステージにはこのセンタ合せ
機能は備わつていないので、これらの間を移送する途中
にセンタ合せ装置を追加する方法が行なわれている。 第10図はこのような従来装置の例を示す外形図であ
り、同図(a)はセンタリングカップと呼ばれる内径が
テーパ状に変化する容器101にウエハ102を落し込むもの
であり、同図(b)はスクロールチャツク103にてウエ
ハ102を狭持することによつてセンタ合せを行うもので
ある。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記のような従来装置においては、薄いウエハのエッ
ジ部あるいは裏面をこすりながらセンタ合せをするもの
であるために、半導体製造装置において最も嫌われるゴ
ミの発生がさけられず、またウエハを損傷する危険性が
あり、損傷を防止するためにはセンタ合せ操作をゆつく
りソフトに行うことが必要となつて高速化ができない欠
点があつた。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、ウエハがNC装置などによつて事前にほぼ真
円に近い状態に加工されていることに着目し、ウエハを
回転させてそのエッジ位置を回転角度に対応させて検出
記憶し、検出信号の最大値、最小値によつてウエハ位置
の偏心量と方向とを算出し、この偏心データによつてウ
エハのセンタ合せを行うようにしたものである。さらに
ウエハにはその結晶方向を示すために周辺部に平坦部
(または切欠部)が設けられているが、これらの平坦部
等の開始点および終了点においては他の部分におけるよ
りもエッジ位置の変化が急になるのでエッジ位置データ
の変化率が一定以上となつたところを算出することによ
つて、この平坦部等を搬送装置等の他のステージに対し
て特定の位置となるように同一の装置で行うようにした
ものである。 〔作用〕 本発明は上記のような構成として、ウエハの中心およ
び平坦部(または切欠部)の位置をウエハを1回転させ
るだけで検出してウエハを載置した台ごと、あるいは本
装置から他のステージに移載するときに中心および平坦
部(または切欠部)の位置合わせを行うものである。 〔実施例〕 第1図は、本発明の装置の実施例を示す構成図であ
る。同図において1はセンタ合せの対象となる半導体ウ
エハでありターンテーブル2の上に載置されている。3
はターンテーブル2を回転させるためのターンテーブル
回転機構であり、電動機4にて駆動される。5はウエハ
1の端縁(エッジ)位置を検出するための検出器であ
り、投光器5aおよび光センサ5bからなる。この光センサ
5bは受光量に応じて出力が特定の関係を保ちながら連続
的に変化するものであり、CCD(電荷結合素子)や商品
名PSD(Position Sensitive Detector)とよばれる入射
光量に対して出力が直線的に変化するものが望ましい。
6はターンテーブル2の回転角度に相当する電動機4の
回転量を検出しディジイタル信号を出力するエンコー
ダ、7は光センサ5bの出力とエンコーダ6の出力とを1
対のデータとしてターンテーブル2の一定回転角度毎に
記憶する記憶回路である。ここで光センサ5bの出力がア
ナログ信号である場合には記憶回路7と光センサ5bとの
間にA/D変換器を設けておけばよい。8は記憶回路7の
出力を読み出してウエハ1の中心位置の偏位量と方向と
を算出し、修正信号(回転角度および水平方向位置の各
信号)を出力する演算回路であり、マイクロコンピュー
タが利用できる。また演算回路にマイクロコンピュータ
を用いるときにはエッジ位置の検出時にテーブルを回転
させウエハの各回転角度に対応する信号を記憶するため
の指令信号等を出力するようにもできる。9はターンテ
ーブル駆動用電動機4の回転を制御するためのサーボ制
御回路であり、演算回路8からの指令信号に応じて電動
機4を駆動し、回転量がエンコーダ6の出力と一致する
ところで停止させる通常のサーボ制御回路である。10は
ターンテーブル2をその回転駆動機構ごと図のXY水平面
内で移動させるためのXYテーブル式の移動機構であり、
演算回路8の出力に応じてテーブル2を移動させてウエ
ハ1の位置を修正するものであり、XYテーブル駆動用制
御回路11によつて位置制御される。 第1図の装置において、平坦部や切欠部のないウエハ
のセンタ合わせを行うときの例を第2図のフローチャー
トを参照して説明する。第1図において、図示しない搬
送装置によつてウエハ1がターンテーブル2の上に載せ
られると電動機4が回転し、これによつて駆動されるタ
ーンテーブル回転機構3によつてウエハが所定角度(例
えば1度)回転する。このときエッジ位置検出器5の光
センサ5bは光センサ直下のウエハによつて減量されて到
達する光の量に応じた出力を発生し、この出力はウエハ
回転量信号とともに一対のデータ(θx,Lx)として記憶
回路7に記憶される。さらにターンテーブル2を所定角
度回転し、エッジ位置の検出、記憶をくりかえし、ウエ
ハが原位置(θx=0)から360度回転するまで続け
る。ウエハ全周のエッジ位置の検出が終了すると次に演
算回路8は、記憶回路7に記憶されたデータを順次読み
出し、エッジ位置信号の最大値Lmaxと最小値Lminおよび
それぞれに該当するウエハの回転角度θmax,θminを算
出する。演算回路8はまた、このエッジ位置信号Lmaxと
Lminとの差からウエハのターンテーブル2の回転中心に
対する直径方向の偏心量信号 ΔL=(Lmax−Lmin)/2 を得、また偏心角度信号θvは同図の場合θminに相当
するから、ウエハのターンテーブル2の回転中心に対す
る中心位置のXY平面における偏位信号はターンテーブル
の中心位置の座標を(x,y)=(0,0)とすると第4図
(b)から X座標=ΔLcosθv=ΔLcosθmin Y座標=ΔLsinθv=ΔLsinθmin となり、ウエハのターンテーブル2の回転中心に対する
中心位置のX、Y平面における偏位信号 (x,y)=(ΔLcosθmin,ΔLsinθmin) を得ことができる。また、θmax=θmin+180度である
のでこれを上式に代入すると、 (x,y)=(−ΔLcosθmax′,−ΔLsinθmax) が得られる。これらによってXYテーブル制御回路に位置
修正信号を供給してセンタ合わせを行う。 ここでウエハエッジ位置検出器5とこれから得られる
信号について説明する。第3図は検出器5の部分を拡大
して示した説明図であり、図中第1図と同機能のものに
は同符号を付してある。投光器5aからの光は図中矢印に
て模式的に示すようにウエハ1によつて遮られてその一
部が減じられて残りが光センサ5bに到達する。そこで光
センサ5bとして入力光量に正比例して出力が変化するも
のを用いるとその出力はウエハ1のエッジ部の位置によ
つて変化するLの長さに比例した信号となる。それ故、
ウエハ1がターンテーブル2の中心に対してエッジ位置
検出器5側に偏位していれば出力信号は小となり、反対
側に偏位しておれば大なる信号となる。 ここで、説明を簡単にするためにまずウエハ1として
平坦部や切欠部のない円形のものについて説明する。 このときの光センサ5bの出力変化の様子を第4図の線
図にて示す。同図は横軸をウエハの回転角度θとし縦軸
を光センサ5bの出力Lとしてある。また同図(a)はそ
の左部に示すようにウエハ1がターンテーブル2の中心
と一致しているときの出力であり、この場合は先に述べ
たようにウエハ1がNC工作装置などによつて真円に加工
されていることから光センサの出力は直線状となる。同
図(b)はウエハ1の中心がターンテーブル2の回転中
心からXYテーブル10のXY平面第1象現方向に角度θvで
距離ΔLだけずれているときの出力を示している。この
とき光センサ5bの出力はウエハ1を図の矢印方向に回転
するにしたがつて略正弦波状に変化することになる。そ
の変化の振幅は出力の最大値をLmax、最小値をLminとす
れば(Lmax−Lmin)であり、偏心量ΔLの2倍に相当す
る。 またL=Lminの時の角度θminがウエハの回転開始前
のXY平面上での光センサ5bの方向からのウエハ1の偏心
角度θvに相当する。 それ故、これらの信号から回転開始前のウエハのセン
タ位置が座標 (x,y)=(ΔLcosθmin,ΔLsinθmin) にあることがわかる。 (θmaxを採用するときは、θmax=θmin+180度である
のでこれを代入すると、 (x,y)=(−ΔLcosθmax,−ΔLsinθmax) となる。) したがって、XYテールをX方向に−ΔLcosθmin、Y
方向に−ΔLsinθmin(またはX方向に+ΔLcosθmax、
Y方向に+ΔLsinθmax)だけ移動さればウエハのセン
タ合わせができることになる。 本発明はさらに演算回路の内容を工夫してウエハの周
縁部に平坦部(または切欠き部)が設けられている場合
のセンタ合せおよび平坦部(または切欠部)の位置合せ
を同時に行うものであり、以下第5図ないし第9図によ
って詳細に説明する。 第5図(a)は、周縁部の一部に平坦部(イ)が設け
ているウエハの平面図であり、同図(b)ないし(e)
はこのような形状のウエハが種々の方向に偏心してター
ンテーブル2に載せられたときのエッジ位置検出器の出
力波形の例を示したものである。第5図(a)のような
形状のウエハを回転させたとき、同図(b)ないし
(e)に見られるようにその平坦部または切欠部(イ)
において他の円周形状の部分とは甚しく異なつた出力変
化を示す。特にその両端部においては極めて大きな変化
率を示すのでエッジ位置の検出器の出力の変化率を監視
することによつて平坦部の位置を検知することができ
る。 そこで本発明においてはエッジ位置検出信号の変化率
が一定以上になつたところを平坦部の両端と判断するよ
うに演算回路8を構成しておく。この場合、変化率の限
界は円周部を検出しているときの最大変化率がウエハの
偏心量によつて異なるので、出力信号の最大値と最小値
との左、即ち概略のウエハ偏心量、に応じて定めるよう
にすればよい。また平坦部(あるいは切欠部)の位置と
ウエハの偏心方向とによって偏心量の算出方法が異なる
のでこれを判別することも必要となる。 第6図にこれを行うときのフローチャートを示す。こ
こでステップ1から7までは平坦部のない第4図の場合
と同じである。ここで、光センサ5bの出力信号のうち最
大値と最小値は平坦部の存在のために真の値が得られて
いない可能性があるが、ステップ8ではステップ7で得
られた最大値入Lmaxと最小値Lminとから(Lmax−Lmin)
を得、これによつて変化率の上限値αを定める。 次にステップ9にて角度θ=0度から360度に至る間
の出力信号Lの変化率dL/dθを計算し、 {(dL/dθ)の絶対値}≧α となる最初の位置θ1と最後の位置θnを探す。このθ
1とθnとの中間点 Δθ={(θn−θ1)/2}+θ1 を求めると、回転原位置からこのΔθだけ回転した位置
に平坦部の中心が存在することになる。 次に出力最大(L=Lmax)となるときの角度θmaxが θ1≦θmax≦θn の関係にあるか否かを判断し、 θ1≦θmax≦θnが成立する場合には先にウエハを
回転することによつて得られたステップ7の最大値Lmax
の位置は平坦部の中に含まれる第5図(c)のような状
態であるので真の最大値は得られていないことになる。
そこで基準として最小値Lminを採用し、Lminに相当する
角度θminを偏位方向θv(センタずれの方向)とし、
これより90度離れた点(θmin≦270度のときはθmin+9
0度、θmin>270度ではθmin−90度)の出力を中点Lcと
して採用し、ウエハのセンタ偏位量 ΔL=Lc−Lmin を得る。この結果からウエハセンタの回転前の位置座標 (x,y)=(ΔLcosθmin,ΔLsinθmin) を得る。(但し、光センサ5bの方向を+Xとする。) 一方、出力Lが最大値Lmaxとなる角度θmaxがθ1と
θnとの間にないときは平坦部は他の位置にあるので最
大偏位量としてステップ7で得られたLmaxを採用し、偏
位方向θvに対応する値としてθmax採用する。この場
合、実際のウエハ中心方向はθmax+180度の方向にあ
る。(第5図(b)、(d)、(e)のような場合。) 次にθmaxの90度隣の点θfが平坦部内にあるか否か
の判定を行い、平坦部内、即ちθ1ないしθnの間であ
れば270度先(または90度手前)の点の出力を、また平
坦部でなければその点の出力をそれぞれ中点Lcとして採
用し、ウエハの偏位量 ΔL=Lmax−Lc を得る。このとき、中点位置の角度θcとしてはθmax
の値によつて平坦部の存在を判断すべき位置θfおよび
中点として採用すべき出力の該当する角度θcは表1の
通りである。 このときの検出器の出力波形の例を第7図に示す。 同図(a)は表1の1に、(b),(c)は表1の2
に、(d)は表1の3にそれぞれ相当する (但し、θ1<θf<θnのとき)。 上記の結果からウエハセンタの現在位置座標 (x,y)=(−ΔLcosθ′max,−ΔLsinθmax) を得る。これによってXYテーブルを駆動してセンタ合わ
せを行い、さらに先に得た平坦部中心位置角度Δθによ
って平坦部の中心を所定の角度となるようにターンテー
ブルを回転させる。 なお、上記はθmin位置を基準としたときのウエハ偏
位量および偏位方向を算出する方法の1例を示したもの
であり、この算出方法はθmaxを基準に考えるものや標
準正弦波と比較し、平坦部の位置データをこれから予測
してLmax、Lmin、Lc、θv、Δθを算出するものなどそ
の方法は任意である。 なお、上記においては、XYテーブルを用いて演算回路
8の出力に応じてウエハターンテーブル2全体をXY平面
で2次元的に動かすことによってセンタ合せを行う例を
説明したが、本発明はこのような構造の装置に限定され
るものではない。例えばXYテーブルのかわりに一軸方向
(例えばX軸)にのみ移動可能なテーブルを用いてもよ
い。この場合には前述の説明と同様にウエハを1回転さ
せてウエハ中心の偏位量ΔLと方向θvとを算出し、セ
ンタ合せに際してはまずウエハターンテーブルを偏位角
度を修正する方向(−θv)に回転し、偏位方向をX軸
方向に一致させた後にターンテーブル全体を−ΔLだけ
移動する。(但し、順序はこの逆でもまた回転とX軸方
向修正とを同時に行つてもよい。)このようにするとき
にはターンテーブル位置の修正は一軸のみでよくなるの
で構造が簡単になるとともに制御も簡単になる。 さらに第1図に示した実施例では、ウエハターンテー
ブル全体を水平方向に移動させまた回転させることによ
つてセンタ合せと方向合せとを行つたが、本発明はこれ
に限るものではなく、偏差量を算出した後にウエハを一
旦ターンテーブルから持ちあげてターンテーブルと分離
し、この状態で水平方向に移動して再度ターンテーブル
に載せるような三次元のハンドリング手段を用いて行う
ものでもよい。 さらにウエハをセンタ合せとした後に別のステージに
移載して加工を行うような場合には、ウエハのセンタ位
置の算出のみ端縁検出に続けて行ない、センタ合せは移
載時の移動量を装置間距離信号を補正することによつて
行うようにすれば、センタ合せ工程と移載工程とを一工
程で行うことができるのでセンタ合せ装置のウエハ移動
手段を省略できるとともにタクトタイムを短縮できる。 第8図はこのようにした本発明の別の実施例を示す外
形図であり、ウエハのハンドリング手段として3次元ロ
ボットを用いている。 同図において21はウエハのストッカーであり、図示し
ない他のステージでまとめられたウエハが収納されてい
る。22は加工ステージであり、センタ合せされたウエハ
に所定の加工を施すための加工装置が設けられている。
23は3軸(X軸=水平方向、Φ軸=回転方向、Z軸=上
下方向)からなるロボットであり腕の先端にウエハを移
送するための爪をもっている。24はセンタ位置を検出す
るためのウエハセンタ検出機構であり、第1図の実施例
におけるターンテーブル2、エッジ検出器5およびこれ
らの附属品から構成されている。27はこれらを搭載した
ベースである。また同図においては制御装置は図示を省
略してある。 第8図の装置の動作を第9図のフローチャートによっ
て説明する。第8図の装置において、まずロボット23が
腕を回転させてウエハストッカ21からウエハを1枚取り
出し約180度右回転してウエハセンタ検出機構24のター
ンテーブル2の上に降す。ロボット23の腕が退避した後
にウエハセンタ検出機構のターンテーブル2によつてウ
エハが1回転し、エッジ位置検出器5の出力によつて前
述の通りセンタ位置が算出される。この算出結果を図示
しないロボット23の制御回路に供給する。 また、ウエハ1に設けられた平坦部や切欠き部を一定
の方向に揃えるために先のエッジ位置検出操作によつて
得られた平坦部位置方向信号(第6図のフロー図におけ
るθ1とθnとの中間の角度 Δθ={(θn−θ1)/2}+θ1 によつてこの平坦部が所定の位置となるまでターンテー
ブル2をさらに回転させた後に、ロボット23の爪によつ
てウエハをターンテーブルから持ち上げて約90度左回転
し、加工ステージ22に移載する。このときロボット22に
よるウエハの移動量をウエハセンタ検出機構24と加工ス
テージ22との間の真の位置関係に対して先にセンタ位置
検出時に算出された信号によつて補正した信号によつて
決定すれば、加工ステージに移載されたウエハは加工ス
テージに対して正確にセンタ合せされた位置となる。 なお第8図の装置において、センタ位置検出操作によ
つて偏心信号を得た後にロボット23によつてウエハをタ
ーンテーブルから一旦もち上げて偏心信号に応じてロボ
ット23のΦ軸、X軸によつて移動させ、その後に再度タ
ーンテーブルの上に降してセンタ合せを行う方法を採用
してもよい。 〔発明の効果〕 上記のように本発明においては、ウエハを単に1回転
させるだけでエッジ位置の変化を非接触で検出し、これ
からウエハの偏心量と偏心方向および平坦部または切欠
部の中心の存在方向とを同時に算出し、この算出結果に
応じてウエハを移動させる装置であるので、従来装置の
ようにウエハエッジを損傷することがなく、またウエハ
を摺動しないのでゴミの発生もなくなるものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention accurately aligns a center portion of a wafer and a flat portion or notch indicating a crystal direction at a predetermined angle when a semiconductor wafer is transferred in a semiconductor manufacturing apparatus. And a device for the same. 2. Description of the Related Art In a semiconductor wafer manufacturing apparatus, a wafer is accurately centered when transferring a semiconductor wafer from a stacked cassette to another cassette, to each stage for inspection or processing, or between stages. Need to be matched. Usually, since the cassette and each stage are not provided with this centering function, a method of adding a centering device during transfer between them is performed. FIG. 10 is an external view showing an example of such a conventional apparatus, and FIG. 10 (a) shows a case where a wafer 102 is dropped into a container 101 called a centering cup whose inner diameter changes in a tapered shape. FIG. 2B shows a case in which the center is adjusted by holding the wafer 102 with the scroll chuck 103. [Problems to be Solved by the Invention] In the conventional apparatus as described above, since the center is adjusted while rubbing the edge or the back surface of the thin wafer, the generation of dust which is most disliked in the semiconductor manufacturing apparatus is generated. There is a drawback that the wafer cannot be saved, and there is a risk of damaging the wafer. In order to prevent the damage, it is necessary to perform a centering operation slowly and softly, so that the speed cannot be increased. [Means for Solving the Problems] The present invention focuses on the fact that a wafer is preliminarily processed by an NC device or the like into a substantially circular state, and rotates the wafer to rotate its edge position. Detected and stored in correspondence with the angle, the eccentricity and direction of the wafer position are calculated based on the maximum value and the minimum value of the detection signal, and the center of the wafer is adjusted based on the eccentricity data. . Further, the wafer is provided with flat portions (or notches) in the peripheral portion to indicate the crystal direction, but at the start point and the end point of these flat portions, etc., the edge position is smaller than in other portions. Since the change becomes steep, by calculating the point where the change rate of the edge position data is equal to or more than a certain value, the flat portion or the like is located at a specific position with respect to another stage such as a transfer device. This is performed by the device described above. [Operation] According to the present invention, as described above, the center and the position of the flat portion (or notch) of the wafer are detected by rotating the wafer only by one rotation, and the position of the wafer mounted table or the other The center and the flat part (or notch) are aligned when the stage is transferred to the stage. Embodiment FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of the apparatus of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a semiconductor wafer to be centered, which is mounted on a turntable 2. 3
Is a turntable rotating mechanism for rotating the turntable 2, and is driven by the electric motor 4. Reference numeral 5 denotes a detector for detecting an edge position of the wafer 1, and includes a light projector 5a and an optical sensor 5b. This optical sensor
5b is a type in which the output changes continuously according to the amount of received light while maintaining a specific relationship. The output is linear with respect to the amount of incident light called a CCD (Charge Coupled Device) or a trade name PSD (Position Sensitive Detector). It is desirable that it changes dynamically.
Reference numeral 6 denotes an encoder for detecting a rotation amount of the electric motor 4 corresponding to the rotation angle of the turntable 2 and outputting a digital signal. Reference numeral 7 denotes an output of the optical sensor 5b and an output of the encoder 6 as one.
This is a storage circuit that stores, as a pair of data, for each fixed rotation angle of the turntable 2. Here, when the output of the optical sensor 5b is an analog signal, an A / D converter may be provided between the storage circuit 7 and the optical sensor 5b. An arithmetic circuit 8 reads out the output of the storage circuit 7, calculates the deviation amount and direction of the center position of the wafer 1, and outputs correction signals (signals of the rotation angle and the horizontal position). Available. When a microcomputer is used for the arithmetic circuit, the table can be rotated when the edge position is detected, and a command signal or the like for storing a signal corresponding to each rotation angle of the wafer can be output. Reference numeral 9 denotes a servo control circuit for controlling the rotation of the motor 4 for driving the turntable. The servo control circuit 9 drives the motor 4 in accordance with a command signal from the arithmetic circuit 8 and stops the motor 4 when the rotation amount matches the output of the encoder 6. This is a normal servo control circuit. Reference numeral 10 denotes an XY table type moving mechanism for moving the turntable 2 together with its rotation drive mechanism in the XY horizontal plane shown in the figure.
The position of the wafer 1 is corrected by moving the table 2 in accordance with the output of the arithmetic circuit 8, and the position is controlled by the XY table driving control circuit 11. An example of centering a wafer having no flat portion or notch in the apparatus of FIG. 1 will be described with reference to the flowchart of FIG. In FIG. 1, when a wafer 1 is placed on a turntable 2 by a transfer device (not shown), an electric motor 4 rotates, and the turntable rotating mechanism 3 driven by this rotates the wafer to a predetermined angle ( (For example, once). At this time, the optical sensor 5b of the edge position detector 5 generates an output in accordance with the amount of light that arrives after being reduced by the wafer immediately below the optical sensor. This output is output together with a wafer rotation amount signal and a pair of data (θx, Lx) is stored in the storage circuit 7. Further, the turntable 2 is rotated by a predetermined angle, the detection and storage of the edge position are repeated, and the process is continued until the wafer is rotated 360 degrees from the original position (θx = 0). When the detection of the edge position of the entire circumference of the wafer is completed, the arithmetic circuit 8 sequentially reads out the data stored in the storage circuit 7 and determines the maximum value Lmax and the minimum value Lmin of the edge position signal and the rotation angle of the wafer corresponding to each. Calculate θmax and θmin. The arithmetic circuit 8 also calculates the edge position signal Lmax
From the difference from Lmin, an eccentricity amount signal ΔL = (Lmax−Lmin) / 2 in the diameter direction with respect to the rotation center of the turntable 2 of the wafer is obtained, and the eccentricity angle signal θv corresponds to θmin in FIG. Assuming that the coordinates of the center position of the turntable 2 on the XY plane with respect to the rotation center are (x, y) = (0, 0), the X coordinate = ΔLcosθv = ΔLcosθmin Y coordinate = ΔLsinθv = ΔLsinθmin, and a deviation signal (x, y) on the X and Y planes of the center position of the wafer with respect to the rotation center of the turntable 2 can be obtained as (ΔLcosθmin, ΔLsinθmin). Since θmax = θmin + 180 degrees, substituting this into the above equation gives (x, y) = (− ΔLcosθmax ′, −ΔLsinθmax). With these, a position correction signal is supplied to the XY table control circuit to perform centering. Here, the wafer edge position detector 5 and signals obtained therefrom will be described. FIG. 3 is an explanatory diagram showing the detector 5 in an enlarged manner. In the drawing, components having the same functions as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. The light from the light projector 5a is blocked by the wafer 1 as schematically shown by an arrow in the figure, a part thereof is reduced, and the rest reaches the optical sensor 5b. Therefore, when a sensor whose output changes in direct proportion to the input light quantity is used as the optical sensor 5b, the output becomes a signal proportional to the length of L which changes according to the position of the edge portion of the wafer 1. Therefore,
If the wafer 1 is deviated toward the edge position detector 5 with respect to the center of the turntable 2, the output signal is small, and if the wafer 1 is deviated to the opposite side, the output signal is large. Here, in order to simplify the description, first, a wafer 1 having a circular shape without a flat portion or a notch will be described. The state of the output change of the optical sensor 5b at this time is shown in the diagram of FIG. In the figure, the horizontal axis represents the rotation angle θ of the wafer, and the vertical axis represents the output L of the optical sensor 5b. FIG. 3A shows the output when the wafer 1 coincides with the center of the turntable 2 as shown on the left side. In this case, as described above, the wafer 1 is transferred to an NC machine or the like. Therefore, the output of the optical sensor is linear because it is processed into a perfect circle. FIG. 3B shows the output when the center of the wafer 1 is displaced from the rotation center of the turntable 2 in the direction of the first quadrant of the XY plane of the XY table 10 by an angle θv and a distance ΔL. At this time, the output of the optical sensor 5b changes in a substantially sinusoidal manner as the wafer 1 rotates in the direction of the arrow in the figure. The amplitude of the change is (Lmax−Lmin), where Lmax is the maximum value of the output and Lmin is the minimum value, which is equivalent to twice the eccentricity ΔL. The angle θmin when L = Lmin corresponds to the eccentric angle θv of the wafer 1 from the direction of the optical sensor 5b on the XY plane before the rotation of the wafer starts. Therefore, it can be seen from these signals that the center position of the wafer before the start of rotation is at coordinates (x, y) = (ΔLcosθmin, ΔLsinθmin). (When θmax is adopted, θmax = θmin + 180 degrees, so when this is substituted, (x, y) = (− ΔLcosθmax, −ΔLsinθmax).) Therefore, the XY tail is shifted in the X direction by −ΔLcosθmin, Y
-ΔLsinθmin in the direction (or + ΔLcosθmax in the X direction,
If the wafer is moved by + ΔL sin θ max in the Y direction, the wafer can be centered. According to the present invention, the center of the flat part (or notch) and the position of the flat part (or notch) when the flat part (or notch) is provided at the peripheral portion of the wafer are simultaneously adjusted by devising the contents of the arithmetic circuit. Yes, and will be described in detail below with reference to FIGS. FIG. 5 (a) is a plan view of a wafer provided with a flat portion (a) at a part of the peripheral portion, and FIGS. 5 (b) to (e).
Shows an example of an output waveform of the edge position detector when the wafer having such a shape is placed on the turntable 2 while being eccentric in various directions. When a wafer having a shape as shown in FIG. 5 (a) is rotated, its flat portion or notch portion (a) as shown in FIGS. 5 (b) to (e) is obtained.
Shows a change in output that is significantly different from other circumferential portions. In particular, since both ends show an extremely large change rate, the position of the flat portion can be detected by monitoring the change rate of the output of the edge position detector. Therefore, in the present invention, the arithmetic circuit 8 is configured so that a point where the rate of change of the edge position detection signal becomes equal to or more than a predetermined value is determined as both ends of the flat portion. In this case, the limit of the rate of change is the left of the maximum value and the minimum value of the output signal, that is, the approximate amount of wafer eccentricity, because the maximum rate of change when detecting the circumference is different depending on the eccentricity of the wafer. , May be determined according to. In addition, since the method of calculating the amount of eccentricity differs depending on the position of the flat portion (or the notch) and the eccentric direction of the wafer, it is necessary to determine the eccentric amount. FIG. 6 shows a flowchart for performing this. Steps 1 to 7 are the same as those in FIG. 4 having no flat portion. Here, the maximum value and the minimum value of the output signal of the optical sensor 5b may not have a true value because of the presence of the flat portion, but in step 8, the maximum value obtained in step 7 is input. From Lmax and minimum value Lmin (Lmax-Lmin)
To determine the upper limit α of the rate of change. Next, in step 9, the rate of change dL / dθ of the output signal L from the angle θ = 0 ° to 360 ° is calculated, and the first position θ1 where the absolute value of (dL / dθ)} ≧ α is obtained. Find the last position θn. This θ
When the intermediate point Δθ = {(θn−θ1) / 2} + θ1 between 1 and θn is obtained, the center of the flat portion exists at a position rotated by Δθ from the original rotation position. Next, it is determined whether or not the angle θmax at which the output reaches the maximum (L = Lmax) satisfies the relationship of θ1 ≦ θmax ≦ θn. If θ1 ≦ θmax ≦ θn, the wafer is rotated first. The maximum value Lmax of step 7 obtained by
Is in a state as shown in FIG. 5 (c) included in the flat portion, so that the true maximum value has not been obtained.
Therefore, a minimum value Lmin is adopted as a reference, and an angle θmin corresponding to Lmin is defined as a deviation direction θv (a direction of center shift),
90 ° away from this (θmin + 9 when θmin ≦ 270 °)
0 °, θmin> 270 °, θmin−90 °) is adopted as the middle point Lc, and the center deviation ΔL = Lc−Lmin of the wafer is obtained. From this result, the position coordinates (x, y) before rotation of the wafer center = (ΔLcosθmin, ΔLsinθmin) are obtained. (However, the direction of the optical sensor 5b is + X.) On the other hand, when the angle θmax at which the output L reaches the maximum value Lmax is not between θ1 and θn, the flat portion is located at another position, and thus the maximum deviation amount Lmax obtained in step 7 is adopted, and θmax is adopted as a value corresponding to the deviation direction θv. In this case, the actual wafer center direction is the direction of θmax + 180 degrees. (Cases as shown in FIGS. 5 (b), (d), and (e)) Next, it is determined whether or not the point θf adjacent to θmax by 90 degrees is in the flat portion, and the inside of the flat portion, that is, θ1 to If it is between θn, the output of the point 270 degrees ahead (or 90 degrees before) is used, and if it is not a flat portion, the output of that point is used as the middle point Lc, and the deviation amount of the wafer ΔL = Lmax−Lc Get. At this time, the angle θc of the midpoint position is θmax
Table 1 shows the position θf at which the presence of a flat portion is to be determined based on the value of θ and the corresponding angle θc of the output to be adopted as the middle point. FIG. 7 shows an example of the output waveform of the detector at this time. FIG. 3A shows Table 1 (1), and FIGS. 2B and 2C show Table 1 2.
(D) corresponds to 3 in Table 1 (provided that θ1 <θf <θn). From the above result, the current position coordinates (x, y) of the wafer center = (− ΔLcosθ′max, −ΔLsinθmax) are obtained. Thus, the XY table is driven to perform centering, and the turntable is rotated so that the center of the flat portion is at a predetermined angle by the flat portion center position angle Δθ obtained earlier. Note that the above is an example of a method of calculating the wafer deviation amount and the deviation direction based on the θmin position. This calculation method is based on θmax and can be compared with a standard sine wave. However, any method may be used, such as a method of predicting the position data of the flat portion and calculating Lmax, Lmin, Lc, θv, and Δθ. In the above description, an example has been described in which centering is performed by moving the entire wafer turntable 2 two-dimensionally in the XY plane according to the output of the arithmetic circuit 8 using the XY table. It is not limited to a device having a simple structure. For example, a table that can move only in one axis direction (for example, the X axis) may be used instead of the XY table. In this case, similarly to the above description, the wafer is rotated once to calculate the deviation amount ΔL and the direction θv at the center of the wafer, and when aligning the center, the wafer turntable is first corrected in the direction (−θv) for correcting the deviation angle. ), And the entire turntable is moved by −ΔL after the deflection direction is made to coincide with the X-axis direction. (However, the order may be reversed, and the rotation and the X-axis direction correction may be performed simultaneously.) In this case, the turntable position can be corrected by only one axis, so that the structure is simplified and the control is simplified. Become. Further, in the embodiment shown in FIG. 1, the center alignment and the alignment are performed by moving and rotating the entire wafer turntable in the horizontal direction. However, the present invention is not limited to this. After calculating the amount, the wafer may be once lifted off the turntable, separated from the turntable, moved in the horizontal direction in this state, and re-mounted on the turntable using three-dimensional handling means. Further, in the case where the wafer is transferred to another stage for processing after being centered, only the center position of the wafer is calculated following the edge detection. If the processing is performed by correcting the distance signal between apparatuses, the centering step and the transfer step can be performed in one step, so that the wafer moving means of the centering apparatus can be omitted and the tact time can be reduced. . FIG. 8 is an external view showing another embodiment of the present invention as described above, in which a three-dimensional robot is used as wafer handling means. In FIG. 1, reference numeral 21 denotes a wafer stocker, which stores wafers assembled on another stage (not shown). Reference numeral 22 denotes a processing stage, which is provided with a processing device for performing predetermined processing on the centered wafer.
Reference numeral 23 denotes a robot having three axes (X axis = horizontal direction, Φ axis = rotation direction, Z axis = vertical direction), and has a claw for transferring a wafer at the tip of an arm. Numeral 24 denotes a wafer center detecting mechanism for detecting the center position, which comprises the turntable 2, the edge detector 5 and their accessories in the embodiment of FIG. 27 is a base equipped with these. In the figure, the control device is not shown. The operation of the apparatus in FIG. 8 will be described with reference to the flowchart in FIG. In the apparatus shown in FIG. 8, first, the robot 23 rotates the arm to take out one wafer from the wafer stocker 21 and rotates it about 180 degrees clockwise to drop it on the turntable 2 of the wafer center detecting mechanism 24. After the arm of the robot 23 retreats, the wafer rotates once by the turntable 2 of the wafer center detecting mechanism, and the center position is calculated by the output of the edge position detector 5 as described above. The calculation result is supplied to a control circuit of the robot 23 (not shown). In addition, in order to align the flat portion and the notch portion provided on the wafer 1 in a certain direction, the flat portion position direction signal (θ1 and θn in the flowchart of FIG. 6) obtained by the above-described edge position detection operation. Then, the turntable 2 is further rotated until the flat portion reaches a predetermined position by an angle Δθ = {(θn−θ1) / 2} + θ1 between the wafer and the wafer. The robot is lifted from the table, rotated left by about 90 degrees, and transferred to the processing stage 22. At this time, the amount of movement of the wafer by the robot 22 is first determined with respect to the true positional relationship between the wafer center detection mechanism 24 and the processing stage 22. If it is determined based on a signal corrected based on a signal calculated at the time of detecting the center position, the wafer transferred to the processing stage has a position accurately centered with respect to the processing stage. Equipment After the eccentricity signal is obtained by the center position detecting operation, the wafer is once lifted from the turntable by the robot 23 and moved by the Φ axis and the X axis of the robot 23 according to the eccentricity signal. [Effect of the Invention] As described above, in the present invention, a change in the edge position can be obtained in a non-contact manner by simply rotating the wafer by one rotation. , The eccentricity of the wafer, the eccentric direction and the direction of the center of the flat portion or the notch are calculated at the same time, and the wafer is moved in accordance with the calculation result. And the wafer does not slide, so that no dust is generated.

【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の実施例を示す構成図、第2図は第1図
の装を平坦部のないウエハに対してセンタ合わせのみを
行うときの動作を説明するためのフローチャート、第3
図は第1図の実施例における検出器5の部分を拡大して
示した図、第4図(a)および(b)は円形のウエハに
対する光センサ5bの出力の変化の様子を示す線図、第5
図(a)は周縁部の一部に平坦部が設けられているウエ
ハの例を示す平面図、第5図(b)ないし(e)は同図
(a)のような形状のウエハが種々の方向に偏心してタ
ーンテーブルに載せられたときのエッジ位置検出器の出
力波形の例を示す線図、第6図は周縁部の一部に平坦部
を有するウエハの偏心量と方向とを算出するときのフロ
ーチャート、第7図(a)ないし(d)は平坦部が中点
の一つに含まれるときのエッジ位置検出器の出力波形の
例を示す線図、第8図は本発明の別の実施例を示す外形
図、第9図は第8図の装置の動作を説明するためのフロ
ーチャート、第10図は従来の装置の例を示す外形図であ
る。 1……ウエハ、 2……ターンテーブル、 5……ウエハエッジ検出器、 5a……投光器、 5b……光センサ、 6……エンコーダ、 7……記憶回路、 8……演算回路、 9……サーボ制御回路、 10……XYテーブル、 11……XYテーブル位置制御回路、 21……ウエハストッカ、 23……ロボット、 24……ウエハセンタ検出機構。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 explains an operation when only the centering of the apparatus of FIG. 1 is performed on a wafer having no flat portion. Flowchart for the third
FIG. 4 is an enlarged view of a part of the detector 5 in the embodiment of FIG. 1, and FIGS. 4A and 4B are diagrams showing changes in the output of the optical sensor 5b with respect to a circular wafer. , Fifth
FIG. 5A is a plan view showing an example of a wafer in which a flat portion is provided in a part of the peripheral portion. FIGS. 5B to 5E show various types of wafers having the shape shown in FIG. FIG. 6 is a diagram showing an example of an output waveform of an edge position detector when placed on a turntable eccentrically in the direction of FIG. 7 (a) to 7 (d) are diagrams showing examples of output waveforms of the edge position detector when the flat portion is included in one of the middle points, and FIG. 8 is a diagram showing the present invention. FIG. 9 is an external view showing another embodiment, FIG. 9 is a flowchart for explaining the operation of the apparatus shown in FIG. 8, and FIG. 10 is an external view showing an example of a conventional apparatus. 1 ... wafer, 2 ... turntable, 5 ... wafer edge detector, 5a ... light emitter, 5b ... light sensor, 6 ... encoder, 7 ... memory circuit, 8 ... arithmetic circuit, 9 ... servo Control circuit, 10: XY table, 11: XY table position control circuit, 21: Wafer stocker, 23: Robot, 24: Wafer center detection mechanism.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 1.円形に整形され該円周の一部に平坦部(または切欠
き部)を有する半導体ウエハのセンタ合せ装置であつ
て、前記ウエハを回転させるウエハ回転手段と、前記ウ
エハのエッジ位置に関連する信号を非接触で得るエッジ
位置検出器と、前記エッジ位置検出器の出力信号をウエ
ハ回転角度に対応したデータとして所定回転角度毎に記
憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶したウエハエッ
ジ位置データを読み出してウエハエッジ位置信号の最大
値Lmax、最小値Lminおよび変化率dLx/dθを演算し前記
ウエハの偏心量ΔL、偏心方向θvおよび平坦部(また
は切欠部)の中心の方向Δθを算出する演算手段と、前
記演算手段の出力に応じて前記ウエハの中心合せと平坦
部(または切欠部)の中心を特定の角度に合せるための
ウエハ駆動手段とを具備した半導体ウエハのセンタ合せ
装置。 2.前記ウエハ駆動手段は、前記ウエハを載置した回転
手段全体を水平方向に移動させる手段である特許請求の
範囲第1項に記載の半導体ウエハのセンタ合せ装置。 3.前記ウエハ駆動手段は、前記ウエハ回転手段から前
記ウエハを他に移載する機構であり、前記ウエハの中心
合せはウエハの移載時のウエハ移動量を前記演算手段の
出力にて補正することによつて行う手段である特許請求
の範囲第1項に記載の半導体ウエハのセンタ合せ装置。 4.前記演算手段は、前記ウエハの偏心方向を前記ウエ
ハの回転原位置に対する角度θvとして算出する手段で
あり、前記ウエハ回転手段は前記ウエハをエッジ位置を
検出するために前記ウエハを回転させた後に前記算出さ
れた偏心方向信号θvに応じて前記ウエハ駆動手段の特
定の軸方向と前記偏心方向とが一致するまで前記ウエハ
をさらに−θvだけ回転させる手段であり、前記ウエハ
の中心合せは前記駆動手段の前記特定軸のみによって−
ΔLだけ水平移動させて行う特許請求の範囲第1項に記
載の半導体ウエハのセンタ合せ装置。
(57) [Claims] What is claimed is: 1. A centering device for a semiconductor wafer having a flat portion (or a notch portion) formed in a circular shape and having a flat portion (or a notch portion) in a part of the circumference, comprising: a wafer rotating means for rotating the wafer; and a signal relating to an edge position of the wafer. An edge position detector that obtains the data in a non-contact manner, storage means for storing an output signal of the edge position detector as data corresponding to a wafer rotation angle for each predetermined rotation angle, and reading the wafer edge position data stored in the storage means Calculating a maximum value Lmax, a minimum value Lmin, and a rate of change dLx / dθ of the wafer edge position signal to calculate an eccentric amount ΔL, an eccentric direction θv, and a direction Δθ of the center of a flat portion (or a notch) of the wafer. A semiconductor driving means for adjusting the center of the wafer and the center of the flat portion (or notch) to a specific angle in accordance with the output of the arithmetic means. Wafer of the center alignment apparatus. 2. 2. The semiconductor wafer centering apparatus according to claim 1, wherein said wafer driving means is means for horizontally moving the entire rotating means on which said wafer is mounted. 3. The wafer driving means is a mechanism for transferring the wafer from the wafer rotating means to another, and the centering of the wafer is performed by correcting a wafer moving amount at the time of transferring the wafer by an output of the calculating means. 2. An apparatus for centering a semiconductor wafer according to claim 1, wherein said means is a means for performing said operation. 4. The calculating means is means for calculating the eccentric direction of the wafer as an angle θv with respect to the original rotation position of the wafer, and the wafer rotating means rotates the wafer to detect an edge position of the wafer and then rotates the wafer. Means for rotating the wafer by −θv further until the specific axis direction of the wafer driving means coincides with the eccentric direction according to the calculated eccentric direction signal θv, and the centering of the wafer is performed by the driving means. Only by the specific axis of-
2. The apparatus for centering a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the apparatus is moved horizontally by ΔL.
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