JPH02204716A - Plzt sintered body for optical shutter array and method for preventing fluctuation in transmitted light intensity by using this sintered body - Google Patents
Plzt sintered body for optical shutter array and method for preventing fluctuation in transmitted light intensity by using this sintered bodyInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は光シャッターアレイ用として特に適した、Pb
、La、Zr、Tiを含む酸化物焼結体(以下、単に「
PLZT」焼結体と記載することもある、)および、こ
のPLZT焼結体を用いて、光シャッターアレイを透過
する光によって形成されるドツトの光透過強度のバラツ
キを防止する方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field of the Invention The present invention relates to a Pb
, La, Zr, Ti oxide sintered body (hereinafter simply referred to as "
The present invention relates to a method of using this PLZT sintered body to prevent variations in light transmission intensity of dots formed by light transmitted through an optical shutter array.
発明の技術的背景ならびにその問題点
従来から、コピー装置あるいはドツトプリンタ等の光シ
ャッターアレイとしてPLZT焼結体を使用することが
検討されている。このような光シャッターアレイは、P
LZTの粉末を焼成することにより得られた焼結体をス
ライスおよび研摩して薄板を得、次いで得られたこのP
LZT焼結体の薄板表面に櫛型電極のような電極を取り
付けたのち、それを2枚の偏光板で挟持することにより
製造されている。このようにして製造された光シャッタ
ーアレイの電極に電圧を印加することにより、光シャッ
ターアレイの光透過性が変化する。Technical Background of the Invention and its Problems The use of PLZT sintered bodies as optical shutter arrays for copying machines, dot printers, etc. has been studied. Such an optical shutter array has P
A sintered body obtained by firing LZT powder is sliced and polished to obtain a thin plate, and then the resulting P
It is manufactured by attaching an electrode such as a comb-shaped electrode to the surface of a thin plate of an LZT sintered body, and then sandwiching it between two polarizing plates. By applying a voltage to the electrodes of the optical shutter array manufactured in this way, the light transmittance of the optical shutter array is changed.
そして、こうして光シャッターアレイを透過した光によ
って形成されるドツトを静電気あるいは熱に変換し、ト
ナーあるいは感熱転写記録媒体等を用いて顕在化するこ
とにより、ドツトの集合として画像を形成することがで
きる。Then, by converting the dots formed by the light transmitted through the optical shutter array into static electricity or heat and making them visible using toner or a thermal transfer recording medium, an image can be formed as a collection of dots. .
従って、光シャッターアレイとして使用されるPLZT
焼結体には、優れた光透過性を有していることが必要と
されている。Therefore, PLZT used as an optical shutter array
The sintered body is required to have excellent light transmittance.
このようなPLZT焼結体の透明性は、焼結体を構成す
るPLZTグレインの界面における光散乱、焼結体中に
存在する気泡あるいは不純物結晶等による光散乱、およ
びPLZTの製造の際の組成変化によるPLZT自体の
光透過性の変化等によって低下する。The transparency of such a PLZT sintered body is due to light scattering at the interface of the PLZT grains that make up the sintered body, light scattering due to bubbles or impurity crystals present in the sintered body, and the composition during the production of PLZT. It decreases due to changes in the light transmittance of PLZT itself due to changes.
そして、従来から、PLZT焼結体の透明性を向上させ
るために、高純度のPLZTを使用し厳しい条件管理下
に焼成を行なう方法、およびPLZTグレインの粒子径
を大きくしてドツト内におけるダレイン界面の数を減少
させる方法が採用されている。このような方法を採用す
ることにより、PLZT焼結体の透明性は向上し、優れ
た光シャッターアレイが提供されるようになってきてい
る。Conventionally, in order to improve the transparency of PLZT sintered bodies, there has been a method of using high-purity PLZT and performing firing under strict control of conditions, and a method of increasing the particle size of PLZT grains to improve the dalein interface within the dots. A method has been adopted to reduce the number of By employing such a method, the transparency of the PLZT sintered body is improved, and excellent optical shutter arrays are being provided.
ところが、最近、高品位の画像を形成しようとする試み
がなされており、こうした高品位画像を形成するために
は、光シャッターアレイ自体の解像度を向上させる必要
がある。そして、このような高品位画像形成用の光シャ
ッターアレイにおいては、光シャッターアレイを透過し
て形成される1つのドツト面積が次第に小さくなってき
ている。However, recently, attempts have been made to form high-quality images, and in order to form such high-quality images, it is necessary to improve the resolution of the optical shutter array itself. In such optical shutter arrays for forming high-quality images, the area of one dot formed by passing through the optical shutter array is gradually becoming smaller.
すなわち、従来の光シャッターアレイにより形成される
ドツトは、一般に一辺の長さが数百μm程度の大きさで
あったが、上記のような高解像度の要請下に最近の高解
像度の装置では、100×100μm以下、さらに60
X60μm以下のドツトを形成することができる光シャ
ッターアレイの使用が検討されている。In other words, the dots formed by conventional optical shutter arrays generally have a side length of about several hundred micrometers, but in response to the above-mentioned demand for high resolution, recent high-resolution devices have 100 x 100 μm or less, further 60
The use of an optical shutter array that can form dots of x60 μm or less is being considered.
本発明者は、上記のような高解像度の装置に用いられる
光シャッターアレイを製造する際に、高純度の原料を使
用し厳しい条件管理下に焼成を行い、グレインサイズの
大きいPLZT焼結体を調製し、このPLZT焼結体を
用いて各ドツト面積の狭い高解像度装置用の光シャッタ
ーアレイを製造した。When manufacturing optical shutter arrays used in high-resolution devices such as those described above, the present inventor uses high-purity raw materials and performs firing under strict control of conditions to produce PLZT sintered bodies with large grain sizes. This PLZT sintered body was used to manufacture an optical shutter array for a high-resolution device in which each dot has a narrow area.
ところが、このような光シャッターアレイにより形成さ
れる狭面積のドツト(例えば60X60μm以下のドツ
ト)は、ドツト毎に透過光強度が相当の幅で変動する。However, in narrow-area dots (for example, dots of 60×60 μm or less) formed by such an optical shutter array, the intensity of transmitted light varies considerably from dot to dot.
このため、ドツト面積を狭くして高い品位の画像を得よ
うとしたにも拘らず、得られた画像の品位は、それ程向
上しない。さらに、各ドツトの透過光強度の変動幅が大
きいため逆に形成された画像の品位が低下することさえ
あった。For this reason, even though an attempt has been made to obtain a high quality image by narrowing the dot area, the quality of the obtained image does not improve that much. Furthermore, since the intensity of transmitted light of each dot varies widely, the quality of the formed image may even deteriorate.
このように透明性の高いPLZT焼結体を製造するため
に採用されていた従来の方法は、各ドツト面積の狭い高
解像度の装置に用いられる光シャッターアレイを製造す
る際には利用できなかった。The conventional methods used to manufacture highly transparent PLZT sintered bodies could not be used to manufacture optical shutter arrays used in high-resolution devices where each dot has a narrow area. .
発明の目的
本発明は、特に高解像度を要求される装置に用いられる
光シャッターアレイに適したPLZT焼結体を提供する
ことを目的としている。OBJECTS OF THE INVENTION The object of the present invention is to provide a PLZT sintered body suitable for optical shutter arrays used in devices that particularly require high resolution.
さらに本発明は、該焼結体を用いて透過光強度のバラツ
キを防止する方法を提供することを目的としている。A further object of the present invention is to provide a method for preventing variations in transmitted light intensity using the sintered body.
発明の概要
本発明に係る光シャッターアレイ用PLZT焼結体は、
印加電圧を制御することにより光透過性を変化させて、
透過した光に対応したドツトを形成させるために用いら
れる光シャッターアレイ用PLZT焼結体において、該
焼結体を形成するPLZTの平均グレインサイズが、5
μm以下であり、かつ該PLZTの平均グレイン断面積
が、。Summary of the Invention The PLZT sintered body for optical shutter array according to the present invention is
By changing the optical transparency by controlling the applied voltage,
In a PLZT sintered body for an optical shutter array used to form dots corresponding to transmitted light, the average grain size of PLZT forming the sintered body is 5.
μm or less, and the average grain cross-sectional area of the PLZT is.
形成されるドツトの面積の1/150以下であることを
特徴としている。It is characterized in that the area is 1/150 or less of the area of the dots to be formed.
また、本発明に係る透過光強度のバラツキ防止方法は、
PLZT焼結体を用いた光シャッターアレイへの印加電
圧を制御して、該光シャッターアレイの光透過性を調整
することにより該透過光に対応したドツトを形成させる
に際して、該光シャッターアレイとして、PLZTの平
均グレインサイズが、5μm以下であり、かつ該PLZ
Tの平均グレイン断面積が、形成されるドツトの面積の
1/150以下のPLZT焼結体を用いることを特徴と
している。Furthermore, the method for preventing variations in transmitted light intensity according to the present invention is as follows:
When forming dots corresponding to the transmitted light by controlling the voltage applied to the optical shutter array using a PLZT sintered body and adjusting the light transmittance of the optical shutter array, as the optical shutter array, The average grain size of the PLZT is 5 μm or less, and the PLZ
It is characterized by using a PLZT sintered body in which the average grain cross-sectional area of T is 1/150 or less of the area of the dots to be formed.
発明の詳細な説明 次に本発明を具体的に説明する。Detailed description of the invention Next, the present invention will be specifically explained.
本発明で使用されるPLZT焼結体は、Pb1L a
s Z r % T iの酸化物セラミックスであり、
一般には次式で表わされる。The PLZT sintered body used in the present invention is Pb1L a
s Z r % Ti oxide ceramics,
Generally, it is expressed by the following formula.
(Pb La ’)CZr Ti t−y )
1−x/4 o81−x x y
ただし、最も一般的に使用されているPLZT焼結体は
、上記式において、x/y/1−yが、9/65/35
の関係を有する酸化物である。本発明においても、基本
的には上記組成のPLZT焼結体を使用する。しかしな
がら、上記式におけるXおよびyは、製造条件などによ
って多少変動することがあり、従って本発明で使用され
るPLZT焼結体には、上記x / y / 1− y
が、9±0.5/65±5/35±5の関係を有するP
LZTが含まれる。(Pb La') CZr Ti t-y)
1-x/4 o81-x x y However, in the above formula, x/y/1-y is 9/65/35 for the most commonly used PLZT sintered body.
It is an oxide with the following relationship. Also in the present invention, a PLZT sintered body having the above composition is basically used. However, X and y in the above formula may vary somewhat depending on manufacturing conditions, etc. Therefore, the PLZT sintered body used in the present invention has the above x / y / 1- y
has a relationship of 9±0.5/65±5/35±5
Contains LZT.
なお、本発明で使用されるPLZT焼結体は、光透過性
を考慮すると高純度であることが望ましいが、本発明に
おいては、100 ppm以下の量であれば、PLZT
焼結体が、P b SL a SZ r、TIおよび酸
素以外の成分を含んでいてもよい。Note that it is desirable that the PLZT sintered body used in the present invention has high purity in consideration of light transmittance, but in the present invention, if the amount is 100 ppm or less, PLZT
The sintered body may contain components other than PbSLaSZr, TI, and oxygen.
本発明のPLZT焼結体中に含まれることが許容される
他の成分の例としては、Na5Mg5Ca。Examples of other components that may be included in the PLZT sintered body of the present invention include Na5Mg5Ca.
AI、Si、YSFe、Cu、Co5Pr5Nd。AI, Si, YSFe, Cu, Co5Pr5Nd.
SIを挙げることができる。One example is SI.
上記のような組成を有するPLZT焼結体の薄板の表面
に、例えば櫛型電極のような電極を形成したのち、それ
を変更軸を90’違4だ2枚の偏光板で挟持することに
より光シャッターアレイがつくられる。この電極に印加
する電圧を制御することにより、光シャッターアレイの
光透過性を変化させることができる。By forming an electrode, such as a comb-shaped electrode, on the surface of a thin plate of PLZT sintered body having the above composition, and then sandwiching it between two polarizing plates with the change axis 90' apart and 4' apart. An optical shutter array is created. By controlling the voltage applied to this electrode, the light transmittance of the optical shutter array can be changed.
そして、高品位画像を得るためには形成されるドツトが
1010000u (例えば100X100μm)以下
になるように櫛型電極が形成されてきており、さらに、
例えば3600μm2以下のドツト面積を有する光シャ
ッターアレイは、特に解像度がよい。In order to obtain high-quality images, comb-shaped electrodes have been formed so that the dots formed are 1,010,000 u (for example, 100 x 100 μm) or less.
For example, an optical shutter array having a dot area of 3600 μm 2 or less has particularly good resolution.
本発明に係るPLZT焼結体は、このようなドツト面積
を形成するために使用される光シャッターアレイとして
特に好適に用いられる。The PLZT sintered body according to the present invention is particularly suitably used as an optical shutter array used to form such a dot area.
すなわち、本発明に係るPLZT焼結体は、PLZTの
平均グレインサイズが5μm以下である。さらに、この
平均グレインサイズが1〜3μmであることが好ましい
。グレインサイズをこの範囲内にすることにより、各ド
ツトを形成する光透過量の変動幅が著しく狭くなると共
に、上記のような範囲内の平均グレインサイズを有する
PLZT焼結体は、特殊な装置等を使用せずに、例えば
製造条件を調整することにより製造することができると
いう利点も有している。That is, in the PLZT sintered body according to the present invention, the average grain size of PLZT is 5 μm or less. Furthermore, it is preferable that this average grain size is 1 to 3 μm. By setting the grain size within this range, the range of variation in the amount of light transmitted forming each dot is significantly narrowed, and the PLZT sintered body having an average grain size within the above range can be produced using special equipment, etc. It also has the advantage that it can be manufactured by adjusting the manufacturing conditions, for example, without using.
そして、本発明に係るPLZT焼結体は、上記のような
平均グレインサイズを有すると共に、グレインの平均断
面積が、このPLZT焼結体を用いて形成されるドツト
の面積の1/150以下であることが必要である。例え
ば60X60μm(ドツト面積: 3600μm2)の
ドツトを形成する際に用いるPLZT焼結体としては、
グレインの平均面積が24μm2以下であることが必要
である。さらに、グレインの平均断面積をドツト面積の
1/180〜1/3600の範囲内にすることにより、
各ドツトの透過光強度のバラツキを3%以下に制御する
ことができる。なお、ここでグレインの平均断面積は、
PLZT焼結体を顕微鏡等を用いて観察して、平均グレ
インサイズ、すなわちグレインの平均直径を求め、この
直径をもとにして算出した円の面積とほぼ一致する。The PLZT sintered body according to the present invention has the average grain size as described above, and the average cross-sectional area of the grains is 1/150 or less of the area of the dots formed using this PLZT sintered body. It is necessary that there be. For example, the PLZT sintered body used when forming dots of 60 x 60 μm (dot area: 3600 μm2) is
It is necessary that the average area of the grains is 24 μm 2 or less. Furthermore, by setting the average cross-sectional area of the grains within the range of 1/180 to 1/3600 of the dot area,
The variation in the transmitted light intensity of each dot can be controlled to 3% or less. Note that the average cross-sectional area of the grain is
The PLZT sintered body is observed using a microscope or the like to determine the average grain size, that is, the average diameter of the grains, which approximately matches the area of a circle calculated based on this diameter.
第1図に平均グレインサイズが2.5μmのPLZT焼
結体(A−1図)および6..0μmのPLZT焼結体
(B−1図)の顕微鏡写真を示す。Figure 1 shows a PLZT sintered body with an average grain size of 2.5 μm (Figure A-1) and 6. .. A micrograph of a 0 μm PLZT sintered body (Figure B-1) is shown.
形成するドツトの拡大写真をB−2図に示す。なお、A
−2図およびB−2図には60X60μmのドツトに相
当する面積が枠で区画して示されている。An enlarged photograph of the formed dots is shown in Figure B-2. In addition, A
In Figure 2 and Figure B-2, areas corresponding to dots of 60 x 60 μm are shown divided by frames.
A−2図およびB−2図から明らかなように、6.0μ
mの平均グレインサイズを有するPLZT焼結体を用い
た場合、透過光強度の高い部分(黒い部分)と透過光強
度の低い部分(黒い部分)とによって比較的大きな斑模
様が形成される。これに対して2.5μm平均のグレイ
ンサイズを有するPLZT焼結体を用いた場合、この斑
模様のきめが細かくなる。従って、6.0μmのグレイ
ンサイズを有するPLZT焼結体を用いた場合、枠を設
ける位置によって枠内の平均の透過光強度が著しく変化
する。これに対して2.5μmのグレインサイズを有す
るPLZT焼結体を用いた場合には、枠を設ける位置に
よる透過光強度の変動は少なくなる。As is clear from Figure A-2 and Figure B-2, 6.0μ
When a PLZT sintered body having an average grain size of m is used, a relatively large mottled pattern is formed by areas with high intensity of transmitted light (black areas) and areas with low intensity of transmitted light (black areas). On the other hand, when a PLZT sintered body having an average grain size of 2.5 μm is used, the texture of this mottled pattern becomes finer. Therefore, when a PLZT sintered body having a grain size of 6.0 μm is used, the average transmitted light intensity within the frame changes significantly depending on the position where the frame is provided. On the other hand, when a PLZT sintered body having a grain size of 2.5 μm is used, the variation in transmitted light intensity depending on the position of the frame is reduced.
第2図に10μm、5μm、3μmおよび2μmの平均
グレインサイズを有するPLZT焼結体を用いた光シャ
ッターアレイの各ドツトの透過光強度を示す。なお、こ
の場合のドツトの大きさは60X60μmである。FIG. 2 shows the transmitted light intensity of each dot of an optical shutter array using PLZT sintered bodies having average grain sizes of 10 μm, 5 μm, 3 μm, and 2 μm. Note that the size of the dot in this case is 60×60 μm.
第2図から明らかなように、10μ゛mの平均グレイン
サイズを有するPLZT焼結体を用いて形成されるドツ
トの透過光強度は、最大値(ドツトNα7)が99%で
あるが最小値(ドツトNo、 3および8)が95%で
あり、最大値と最小値との間に4%の差がある。これに
対して例えば3μmの平均グレインサイズを有するPL
ZT焼結体を用いて形成されるドツトの透過光強度は、
はぼ96%であり、ドツトごとの透過光強度の差は少な
い(なおここで、透過光強度の単位は理論計算値を10
0%としたときの値である)。従って、本発明のPLZ
T焼結体を用いて形成された光シャッターアレイを用い
ることにより、各ドツトの透過光強度のバラツキが少な
くなるので、解像度の高い画像を形成することが可能に
なる。As is clear from Fig. 2, the transmitted light intensity of the dots formed using the PLZT sintered body having an average grain size of 10 μm is 99% at the maximum value (dot Nα7), but the minimum value (dot Nα7) is 99%. Dot Nos. 3 and 8) are 95%, and there is a difference of 4% between the maximum and minimum values. In contrast, for example, PL with an average grain size of 3 μm
The transmitted light intensity of the dots formed using the ZT sintered body is
The difference in transmitted light intensity between dots is approximately 96%, and the difference in transmitted light intensity between dots is small (here, the unit of transmitted light intensity is 10% of the theoretically calculated value).
(This is the value when it is set to 0%). Therefore, the PLZ of the present invention
By using an optical shutter array formed using a T sintered body, variations in the transmitted light intensity of each dot are reduced, so it is possible to form an image with high resolution.
上記のようなPLZT焼結体は、焼結の際にグレインが
過度に成長しないような条件で焼結を行なうことにより
製造することができる。すなわち、焼結の際の温度およ
び圧力等の条件をPLZTのグレインが成長しないよう
な条件に設定することにより本発明のPLZT焼結耐を
製造することができる。The above-mentioned PLZT sintered body can be manufactured by performing sintering under conditions such that grains do not grow excessively during sintering. That is, the PLZT sintered product of the present invention can be manufactured by setting conditions such as temperature and pressure during sintering so that PLZT grains do not grow.
そしてそのようなPLZT焼結体を用いることにより、
形成されるドツトの光透過強度の変動が少なくなる。従
って、本発明のPLZT焼結体を用いて、ドツトの面積
が3600μm以下の光シャッターアレイを製造するこ
とにより、例えばこのような光シャッターアレイを組み
込んだコピー装置あるいはプリンター等の装置の解像度
が著しく向上する。なお、本発明のPLZT焼結体は、
上述のようにドツト面積の狭い光シャ°ツターアレイ用
として特に有用性が高いが、ドツト面積が広い場合であ
っても、本発明のPLZT焼結体を使用することにより
、形成されるドツトの光透過強度のバラツキが少なくな
るので、例えばこのような光シャッターアレイを組み込
んだコピー装置あるいはプリンター等の装置の解像度が
従来よりも低下することはなく、むしろ向上する傾向が
ある。By using such a PLZT sintered body,
Fluctuations in the light transmission intensity of the formed dots are reduced. Therefore, by manufacturing an optical shutter array with a dot area of 3600 μm or less using the PLZT sintered body of the present invention, the resolution of a device such as a copying machine or a printer incorporating such an optical shutter array can be significantly improved. improves. Note that the PLZT sintered body of the present invention is
As mentioned above, it is particularly useful for optical shutter arrays with a narrow dot area, but even when the dot area is wide, by using the PLZT sintered body of the present invention, the light of the formed dots can be reduced. Since the variation in transmitted intensity is reduced, the resolution of devices such as copying machines and printers incorporating such optical shutter arrays does not deteriorate compared to conventional devices, but rather tends to be improved.
発明の効果
本発明に係る光シャッターアレイ用PLZT焼結体は、
形成されるドツト面積に対する平均ダレイン面積および
平均グレインサイズが一定以下であるため、形成された
ドツトの光透過強度の変動が少なくなる。Effects of the Invention The PLZT sintered body for optical shutter array according to the present invention is as follows:
Since the average duplex area and average grain size relative to the area of the formed dots are below a certain level, fluctuations in the light transmission intensity of the formed dots are reduced.
従って、このようなPLZT焼結体を用いて製造された
光シャッターアレイを例えばコピー装置、プリンター等
の装置に使用することにより、これらの装置の解像度が
向上する。Therefore, by using an optical shutter array manufactured using such a PLZT sintered body in devices such as copying machines and printers, the resolution of these devices can be improved.
次に本発明の実施例を示すが本発明はこれら実施例によ
り限定されるものではない。Next, examples of the present invention will be shown, but the present invention is not limited to these examples.
実施例1
ホットプレス焼結法を採用し、原料および温度、圧力等
の焼成条件を好適な値に設定して焼結を行なうことによ
り得られた得られたPLZT焼結体の平均グレインサイ
ズは5μmであった。Example 1 The average grain size of the obtained PLZT sintered body obtained by employing the hot press sintering method and performing sintering by setting the raw materials and firing conditions such as temperature and pressure to suitable values is It was 5 μm.
このPLZT焼結体を0.35mmの厚さにスライスし
、表面を研摩した後、表面に櫛型電極を敷設し、さらに
この櫛型電極が敷設されたPLZT焼結体を2枚の偏光
板で挟持して光シャッターアレイを製造した。なお、櫛
型電極は、60X60μmのドツトを形成できるように
敷設した。After slicing this PLZT sintered body to a thickness of 0.35 mm and polishing the surface, comb-shaped electrodes were laid on the surface, and the PLZT sintered body with the comb-shaped electrodes was then placed between two polarizing plates. An optical shutter array was manufactured by sandwiching the two. Note that the comb-shaped electrodes were laid so as to form dots of 60×60 μm.
上記のようにして製造した光シャッターアレイにより形
成される各ドツト(N11〜10)の透過光強度を測定
した。透過光強度の値は理論計算値を100%として表
わした。The transmitted light intensity of each dot (N11 to N10) formed by the optical shutter array manufactured as described above was measured. The value of the transmitted light intensity was expressed as 100% of the theoretically calculated value.
結果を第2図に示す。The results are shown in Figure 2.
実施例2〜4
実施例1において、焼結条件を変えて平均グレインサイ
ズが5μm(実施例2)、3μm(実施例3)、そして
2am (実施例4)のPLZT焼結体を調製し、この
PLZT焼結体を用いた以外は同様にして光シャッター
アレイを製造した。Examples 2 to 4 In Example 1, PLZT sintered bodies with average grain sizes of 5 μm (Example 2), 3 μm (Example 3), and 2 am (Example 4) were prepared by changing the sintering conditions, An optical shutter array was manufactured in the same manner except that this PLZT sintered body was used.
上記のようにして製造した光シャッターアレイにより形
成される各ドツト(Nα1〜10)の透過光強度を測定
した。The transmitted light intensity of each dot (Nα1 to Nα10) formed by the optical shutter array manufactured as described above was measured.
結果を第2図に示す。The results are shown in Figure 2.
比較例1
実施例1において、焼結条件を変えて平均グレインサイ
ズが10μmのPLZT焼結体を調製し、このPLZT
焼結体を用いた以外は同様にして光シャッターアレイを
製造した。Comparative Example 1 In Example 1, a PLZT sintered body with an average grain size of 10 μm was prepared by changing the sintering conditions.
An optical shutter array was manufactured in the same manner except that a sintered body was used.
上記のようにして製造した光シャッターアレイにより形
成される各ドラ1−(No、1〜10)の透過光強度を
測定した。The transmitted light intensity of each door 1- (No. 1 to 10) formed by the optical shutter array manufactured as described above was measured.
結果を第2図に示す。The results are shown in Figure 2.
第1図は、平均グレインサイズが265μmのPLZT
焼結体(A−1図)および6.O,czmのの状態を示
す写真である。
第2図は、ドツトごとの透過光強度のブレーンサイズ依
存性を示すグラフである。
図面の
第 1Figure 1 shows PLZT with an average grain size of 265 μm.
Sintered body (Figure A-1) and 6. It is a photograph showing the state of O, czm. FIG. 2 is a graph showing the dependence of the transmitted light intensity for each dot on the brane size. 1st drawing
Claims (2)
せて、透過した光に対応したドットを形成させるために
用いられる光シャッターアレイ用PLZT焼結体におい
て、該焼結体を形成するPLZTの平均グレインサイズ
が、5μm以下であり、かつ該PLZTの平均グレイン
断面積が、形成されるドットの面積の1/150以下で
あることを特徴とする光シャッターアレイ用PLZT焼
結体。(1) In a PLZT sintered body for an optical shutter array, which is used to change the light transmittance by controlling the applied voltage and form dots corresponding to the transmitted light, the PLZT forming the sintered body A PLZT sintered body for an optical shutter array, characterized in that the average grain size of the PLZT is 5 μm or less, and the average grain cross-sectional area of the PLZT is 1/150 or less of the area of the dots to be formed.
印加電圧を制御して、該光シャッターの光透過性を調整
することにより該透過光に対応したドットを形成させる
に際して、該光シャッターアレイとして、PLZTの平
均グレインサイズが、5μm以下であり、かつ該PLZ
Tのグレイン断面積が、形成される平均ドットの面積の
1/150以下のPLZT焼結体を用いることを特徴と
する透過光強度のバラツキ防止方法。(2) When forming dots corresponding to the transmitted light by controlling the applied voltage to the optical shutter array using the PLZT sintered body and adjusting the light transmittance of the optical shutter, the optical shutter array , the average grain size of the PLZT is 5 μm or less, and the PLZ
A method for preventing variations in transmitted light intensity, characterized by using a PLZT sintered body whose T grain cross-sectional area is 1/150 or less of the area of an average dot to be formed.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1024501A JPH02204716A (en) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | Plzt sintered body for optical shutter array and method for preventing fluctuation in transmitted light intensity by using this sintered body |
KR1019900702155A KR910700479A (en) | 1989-01-27 | 1990-01-26 | Optical shutter array element, its driving method and PLZT for optical shutter array element and method for preventing nonuniformity of transmitted light intensity using this PLZT |
EP19900902381 EP0411141A4 (en) | 1989-01-27 | 1990-01-26 | Light shutter array element, driving method thereof, plzt for light shutter array element, and method of preventing variance in the transmission light intensity using said plzt |
CA002026208A CA2026208A1 (en) | 1989-01-27 | 1990-01-26 | Optical shutter array chips, driving methods thereof, plzt for the optical shutter array chips, and preventive methods of uneven strength distribution of transmitted light by using the plzt |
PCT/JP1990/000099 WO1990008971A1 (en) | 1989-01-27 | 1990-01-26 | Light shutter array element, driving method thereof, plzt for light shutter array element, and method of preventing variance in the transmission light intensity using said plzt |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1024501A JPH02204716A (en) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | Plzt sintered body for optical shutter array and method for preventing fluctuation in transmitted light intensity by using this sintered body |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02204716A true JPH02204716A (en) | 1990-08-14 |
Family
ID=12139937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1024501A Pending JPH02204716A (en) | 1989-01-27 | 1989-02-02 | Plzt sintered body for optical shutter array and method for preventing fluctuation in transmitted light intensity by using this sintered body |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02204716A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008276261A (en) * | 2003-08-07 | 2008-11-13 | Rohm Co Ltd | Light control unit |
-
1989
- 1989-02-02 JP JP1024501A patent/JPH02204716A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008276261A (en) * | 2003-08-07 | 2008-11-13 | Rohm Co Ltd | Light control unit |
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