JPH02204058A - Driving circuit of electronic device - Google Patents

Driving circuit of electronic device

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JPH02204058A
JPH02204058A JP1025177A JP2517789A JPH02204058A JP H02204058 A JPH02204058 A JP H02204058A JP 1025177 A JP1025177 A JP 1025177A JP 2517789 A JP2517789 A JP 2517789A JP H02204058 A JPH02204058 A JP H02204058A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
line
low voltage
diode
gnd
vss
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1025177A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideo Abe
阿部 秀郎
Masahiro Azumaguchi
昌浩 東口
Yorimitsu Inui
乾 頼光
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP1025177A priority Critical patent/JPH02204058A/en
Publication of JPH02204058A publication Critical patent/JPH02204058A/en
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Abstract

PURPOSE:To prevent the malfunction based on noise and potential difference between both low voltage lines by a method wherein high speed operation diodes are connected respectively between a low voltage line for functional device and a low voltage line of a logical operation circuit part and between a high voltage line of the logical operation circuit part and the low voltage line. CONSTITUTION:A diode 26 is connected between a GND line 17 and a Vss line. Further, a diode 28 is also connected between a Vcc line and the Vss line. When power is applied to a heating resister device 2 by driving it, a current flows through the GND line 17, and electric potential of the GND line 17 is raised thereby. Then, the GND line 17 is kept at the same potential as that of the Vss line via the diode 26, and a parasitic transistor is prevented from operating. Further, in the case where surge noise is applied to a power source Vcc line, the Vcc line is kept at constant electric potential with the diode 28. Therefore, a logic circuit part is prevented from malfunctioning and besides, malfunction such as latch up or the like can be prevented.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はサーマルヘッドや光センサなどの電子装置の駆
動回路に関し、特に大電流を流す必要のある電子装置の
駆動回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a drive circuit for an electronic device such as a thermal head or an optical sensor, and particularly to a drive circuit for an electronic device that requires a large current to flow.

(従来の技術) サーマルヘッドなどの駆動回路は、複数個配列された発
熱抵抗体素子などの機能素子を選択して駆動する論理回
路部と1機能素子の電流を流す機能素子用低電圧ライン
を含んでいる。論理回路部のttgラインや信号ライン
など高電圧が印加されるラインにノイズが乗ると論理回
路が誤動作を起こすので、ノイズによる誤動作を防ぐた
め、それらの高電圧が印加されるラインと低電圧ライン
との間にコンデンサを接続してノイズを吸収するのが一
般的である。
(Prior art) A drive circuit for a thermal head, etc. has a logic circuit section that selects and drives a plurality of arrayed functional elements such as heat-generating resistor elements, and a low voltage line for the functional elements that flows the current of one functional element. Contains. If noise is applied to lines to which high voltages are applied, such as the ttg line or signal line in the logic circuit section, the logic circuit will malfunction, so in order to prevent malfunctions due to noise, lines to which high voltages are applied and low voltage lines should be connected. It is common to connect a capacitor between the two to absorb noise.

(発明が解決しようとする課厘) ノイズがピーク性の高いノイズの場合、コンデンサだけ
では十分にノイズを吸収することができない、そのため
1例えば入カイ1号に印加されたスパイクノイズやサー
ジによって、論理回路部の0MO8がラッチアップを起
こしたりする可能性がある。
(The problem to be solved by the invention) When the noise has a high peak, a capacitor alone cannot sufficiently absorb the noise. There is a possibility that 0MO8 in the logic circuit section may cause latch-up.

また1例えばサーマルヘッドでは、論理回路部の低電圧
ライン(Vss)の他に1発熱抵抗体の電流を流すため
の低電圧ライン(GND)が設けられており、これらの
2つの低電圧ラインは叩動回路用ICチップ内では電位
差を生じ、その電位差によって寄生トランジスタがオン
となって論理回路が誤動作を起こすことがある。この誤
動作は、例えば印字データが黒ドツトを印字すべきデー
タであるにも拘らず印字されない、というような印字品
質の不良を招く。
For example, in a thermal head, in addition to the low voltage line (Vss) of the logic circuit section, there is also a low voltage line (GND) for flowing the current of the heating resistor, and these two low voltage lines A potential difference occurs within the IC chip for the beating circuit, and this potential difference may turn on a parasitic transistor, causing a logic circuit to malfunction. This malfunction causes poor print quality, such as print data that is not printed even though it is data that should print a black dot.

本発明は、サーマルヘッドや光センサなどの電子装置に
おいて、ノイズによる誤動作や、機能素子用低電圧ライ
ンと論理回路部の低電圧ライン間の電位差に基づくれ動
作を防ぐことのできる翻動回路を提供することを目的と
するものである。
The present invention provides a swing circuit that can prevent malfunctions caused by noise or leakage caused by potential differences between low voltage lines for functional elements and low voltage lines for logic circuits in electronic devices such as thermal heads and optical sensors. The purpose is to

(課題を解決するための手段) 本発明では機能素子用低電圧ラインと論理回路部の低電
圧ラインとの間に高速動作ダイオードを接続し、論理回
路部の高電圧が印加されるラインの少なくとも1本のラ
インと前記いずれかの低電圧ラインとの間にも高速動作
ダイオードを接続する。
(Means for Solving the Problems) In the present invention, a high-speed operation diode is connected between the low voltage line for functional elements and the low voltage line of the logic circuit section, and at least one of the lines to which the high voltage of the logic circuit section is applied is connected. A high-speed operation diode is also connected between one line and any of the low voltage lines.

高速動作ダイオードは、スイッチングスビ・−ドが例え
ば数ナノ秒以下程度のものであり、特にノイズに対する
対応時間が10ピコ秒以下程度のものが好ましい。
The high-speed operation diode preferably has a switching speed of, for example, several nanoseconds or less, and particularly preferably has a response time to noise of about 10 picoseconds or less.

(実施例) 図は本発明をサーマルヘッドに適応した一実施例を表わ
す。このサーマルヘッドは1発熱抵抗体素子を4個のグ
ループに分割して通電を制御する方式のサーマルヘッド
である。
(Embodiment) The figure shows an embodiment in which the present invention is applied to a thermal head. This thermal head is a thermal head of a type in which one heating resistor element is divided into four groups and energization is controlled.

2は発熱抵抗体素子であり、複数個が列状に配置され、
それぞ九の発熱抵抗体素子2の一端は共通電極4に接続
され、他端は個別電極6に接続されている。共通電極4
は発熱抵抗体素子2を通電発熱させるための電IX端子
Vbdに接続され1個別電i6は即動用IC8に接続さ
れでいる。
2 is a heating resistor element, a plurality of which are arranged in a row,
One end of each of the nine heating resistor elements 2 is connected to a common electrode 4, and the other end is connected to an individual electrode 6. Common electrode 4
is connected to the electric terminal IX terminal Vbd for energizing the heating resistor element 2 to generate heat, and one individual electric current i6 is connected to the quick-acting IC 8.

IC8は4個配置され、各IC8は例えばj−28個や
256個といった所定数の発熱抵抗体素I2の通電を制
御する。
Four IC8s are arranged, and each IC8 controls the energization of a predetermined number of heating resistor elements I2, such as j-28 pieces or 256 pieces.

各IC8には、データ入力端子DIから印字データ信号
を入力し、その印字データ借り)をクロック信号端7−
GKからのクロック信号によって歩進させるシフトレジ
スタ10と、ロード信号・端子・LDからのロード信号
によってシフトレジスタ1゜のデータを入力し保持する
ラッチ12と、ラッチ12に保持されたデータを一方の
入力端子に入力し、他方の入力端子には印字信号(スト
ローブ信号SB)を入力する所定数のアンドゲート回路
14と、各アンドゲート回、li4の出力48号によっ
て発熱抵抗体素子2を通電させる所定数のスイッチング
トランジスタ16とが備えられている。スイッチングト
ランジスタ16は発熱抵抗体素子2に1個ずつ設けられ
、各スイッチングトランジスタ16のエミッタはグラン
ドライン17を経てグランド端子GNDに接続されてい
る。
A print data signal is input to each IC 8 from the data input terminal DI, and the print data is transferred from the clock signal terminal 7 to
A shift register 10 is incremented by a clock signal from the GK, a latch 12 inputs and holds data in the shift register 1° by a load signal from a load signal/terminal/LD, and the data held in the latch 12 is transferred to one side. A predetermined number of AND gate circuits 14 input an input terminal and a printing signal (strobe signal SB) to the other input terminal, and each AND gate circuit energizes the heating resistor element 2 by the output No. 48 of li4. A predetermined number of switching transistors 16 are provided. One switching transistor 16 is provided for each heating resistor element 2, and the emitter of each switching transistor 16 is connected to a ground terminal GND via a ground line 17.

Doはデータ出力端子である。VccはIC8を動作さ
せるための電源端子であり、VssはIC8のグランド
端子である。
Do is a data output terminal. Vcc is a power supply terminal for operating IC8, and Vss is a ground terminal of IC8.

20はサーマルヘッドの温度を測定するためのサーミス
タである。
20 is a thermistor for measuring the temperature of the thermal head.

この例では1発熱抵抗体素子2はIC8で制御される単
位にグループ化されており、各グループに対して印字4
3号SBI〜Sn4がそれぞれ割り当てらオしており、
印字信号SBI〜SB4は印字信号入力端子から各イン
バータ18を経てIC8のアンドゲート回[14に入力
される。
In this example, 1 heating resistor element 2 is grouped into units controlled by IC8, and 4 characters are printed for each group.
No.3 SBI~Sn4 have been assigned respectively,
The print signals SBI to SB4 are input from the print signal input terminal through each inverter 18 to the AND gate circuit [14] of the IC8.

Vhdに印加されるノイズを除去するために。To remove noise applied to Vhd.

Vhdライン(共通電極)4とGNI″lライン16と
の間にコンデンサ22が接続されている。また、vcc
m源に印加されるノイズを除去するためにVccライン
とVssラインとの間にコンデンサ24が接続されてい
る。
A capacitor 22 is connected between the Vhd line (common electrode) 4 and the GNI''l line 16.
A capacitor 24 is connected between the Vcc line and the Vss line to remove noise applied to the m source.

発熱抵抗体素子2を電流が流れることによってGNDラ
イン17の電位が丘かり、Vssラインとの間に電位差
が発生して論理回路が誤動作するのを防ぐために、GN
Dライン17とVssライシとの間にダイオード26が
接続されている。また、Vccラインに印加されるサー
ジノイズなどを除去するために、VccラインとVss
ラインとの間にもダイオード28が接続されている。こ
れらのダイオード26.28としては、例えばサージ吸
収素子として商品化されているPSKEシリーズのツェ
ナーダイオード(GENERAL INSTRUMEN
T社)製品)を用いる。このツェナーダイオードはノイ
ズ対応時間が1ピコ秒以Fである。ダイオード26はG
ND側が7ノード、Vss側がカソードになるように接
続されており、ダイオード28はVss側がアノード、
Vce側がカソードになるように接続されている。
In order to prevent the logic circuit from malfunctioning due to the rise in the potential of the GND line 17 due to the current flowing through the heating resistor element 2 and the generation of a potential difference with the Vss line, the GN
A diode 26 is connected between the D line 17 and the Vss line. In addition, in order to remove surge noise applied to the Vcc line, the Vcc line and Vss
A diode 28 is also connected between the line and the line. As these diodes 26 and 28, for example, PSKE series Zener diodes (GENERAL INSTRUMENT
(Company T) product) is used. This Zener diode has a noise response time of 1 picosecond or more. Diode 26 is G
The ND side is connected to the 7 node, the Vss side is connected to the cathode, and the diode 28 is connected to the Vss side as the anode,
It is connected so that the Vce side becomes the cathode.

本実施例において、発熱抵抗体素子2を駆動して通電さ
せたとき、GNDライン17に電流が流れることによっ
てGNDライン]−7の電位が上がると、ダイオード2
6を介してG N Dライン17がVssラインと同電
位に保たれ、寄生トランジスタが動作するのが防止され
る。
In this embodiment, when the heating resistor element 2 is driven and energized, a current flows through the GND line 17 and the potential of the GND line ]-7 rises, and the diode 2
6, the GND line 17 is kept at the same potential as the Vss line, and parasitic transistors are prevented from operating.

また、電源Vecラインにサージノイズが印加された場
合、ダイオード28によってVccラインが一定電位に
保たれる。
Further, when surge noise is applied to the power supply Vec line, the Vcc line is kept at a constant potential by the diode 28.

実施例において、論理回路部では屯gVccラインとV
ssラインとの間にのみツェナーダイオード28が接続
されているが、Vccライン以外にもCK、LD、SB
、DIなどのラインとの間に、Vss側がアノードにな
る方向にダイオードを接続してもよい、また、GNDラ
イン17とVssラインとの間に、Vss側をアノード
とする方向にサージ吸収用のダイオードをさらに接続し
てもよい、さらに、VccラインやCKラインなど、論
理回路部で高電圧が印加されるラインとGNDライン1
7との間にGND側がアノードとなる方向にサージ吸収
用ダイオードを接続してもよい。
In the embodiment, in the logic circuit section, the Vcc line and the Vcc line are connected to each other.
A Zener diode 28 is connected only between the ss line, but in addition to the Vcc line, there are also CK, LD, and SB
A diode may be connected between the GND line 17 and the Vss line with the Vss side serving as the anode, and a surge absorbing diode may be connected between the GND line 17 and the Vss line with the Vss side serving as the anode. A diode may be further connected to the line to which high voltage is applied in the logic circuit section, such as the Vcc line or CK line, and the GND line 1.
A surge absorbing diode may be connected between the terminal and the terminal 7 with the GND side serving as the anode.

実施例は本発明をサーマルヘッドに適応した一例である
が、サーマルヘッド以外にも、例えば先爪 センサにおいて同様に本発明を適雇することもできる。
Although the embodiment is an example in which the present invention is applied to a thermal head, the present invention can be similarly applied to other than thermal heads, for example, toe-claw sensors.

(発明の効果) 本発明では機能素子用の低電圧ライン(GND)と論理
回路部の低電圧ライン(Vss)とのlfJに高速動作
ダイオードを接続したので5発熱抵抗体のような機能素
子が動作することによってGNDラインに電流が流れて
電位が変化しても、その高速動作ダイオードを介してV
ssラインと同電位に保たれて論理回路部が誤動作する
のを防止することができる。
(Effect of the invention) In the present invention, a high-speed operation diode is connected to the lfJ between the low voltage line (GND) for the functional element and the low voltage line (Vss) of the logic circuit section, so that the functional element such as the 5 heat generating resistor Even if a current flows through the GND line due to operation and the potential changes, the V
It is possible to prevent the logic circuit section from malfunctioning by keeping it at the same potential as the ss line.

また、高電圧が印加されるラインと低電圧ラインとの間
にも高速動作ダイオードを接続したので、高電圧が印加
されるラインにサージノイズなどが乗−〕だ場合もその
ダイオードを介して一定電位に保つことができ、ラッチ
アップなどの誤動作を防ぐことができる。
In addition, a high-speed operating diode is also connected between the line to which high voltage is applied and the low voltage line, so even if there is surge noise on the line to which high voltage is applied, the constant It is possible to maintain the voltage at a certain potential, thereby preventing malfunctions such as latch-up.

2・・・・・発熱抵抗体素子、8・・・・・・駆動用I
C,10・・・・・・シフトレジスタ、12・・・・・
・ラッチ回路、14・・・・・・アンドゲート回路、1
6・・・・・・スイッチングトランジスタ、26.28
・・・・・・高速動作ツェナーダイオード、GND・・
・・・・発熱抵抗体素子用低電圧端子、 Vss・・・
・・・IC用低電圧端子。
2... Heating resistor element, 8... Drive I
C, 10...Shift register, 12...
・Latch circuit, 14...AND gate circuit, 1
6...Switching transistor, 26.28
...High-speed operation Zener diode, GND...
...Low voltage terminal for heating resistor element, Vss...
...Low voltage terminal for IC.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)複数個配列された機能素子を選択して駆動する論
理回路部と、前記機能素子の電流を流す機能素子用低電
圧ラインを含む駆動回路において、前記機能素子用低電
圧ラインと論理回路部の低電圧ラインとの間に高速動作
ダイオードを接続し、論理回路部の高電圧が印加される
ラインの少なくとも1本のラインと前記いずれかの低電
圧ラインとの間にも高速動作ダイオードを接続したこと
を特徴とする駆動回路。
(1) In a drive circuit including a logic circuit section that selects and drives a plurality of functional elements arranged in an array, and a low voltage line for functional elements that flows current of the functional elements, the low voltage line for functional elements and the logic circuit A high-speed operation diode is connected between the low voltage line of the logic circuit section, and a high-speed operation diode is also connected between at least one of the lines to which the high voltage of the logic circuit section is applied and any of the low voltage lines. A drive circuit characterized in that:
JP1025177A 1989-02-02 1989-02-02 Driving circuit of electronic device Pending JPH02204058A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190232644A1 (en) * 2016-05-27 2019-08-01 Canon Kabushiki Kaisha Printhead and printing apparatus

Cited By (4)

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