JPH02202017A - Manufacture of silicon single crystal thin film - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 46
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 44
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 20
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 8
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 9
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 17
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- PUUOOWSPWTVMDS-UHFFFAOYSA-N difluorosilane Chemical compound F[SiH2]F PUUOOWSPWTVMDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- XPBBUZJBQWWFFJ-UHFFFAOYSA-N fluorosilane Chemical compound [SiH3]F XPBBUZJBQWWFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- -1 diborane Chemical class 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、シリコン単結晶薄膜の製造方法に関し、特に
、大きな電子移動度を有するシリコン単結晶薄膜の製造
方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to a method for manufacturing a silicon single crystal thin film, and particularly to a method for manufacturing a silicon single crystal thin film having high electron mobility.
（従来の技術）
従来、バイポーラトランジスタ、バイポーラＩＣ，ＭＯ
Ｓ、ＬＳ Ｉメモリー等の半導体の製造においては、熱
ＣＶＤ法によるエピタキシャル成長が一般に実施されて
いる０例えばシリコンのエピタキシャル成長の場合、基
板としてシリコン単結晶基板を使用し、ｌ、０００−１
．１５０°Ｃという高温において水素ガスで希釈された
シランを熱分解する。(Prior art) Conventionally, bipolar transistor, bipolar IC, MO
In the production of semiconductors such as S, LS I memories, epitaxial growth by thermal CVD is generally carried out. For example, in the case of silicon epitaxial growth, a silicon single crystal substrate is used as the substrate, and l, 000-1
．． Silane diluted with hydrogen gas is thermally decomposed at a high temperature of 150°C.
しかしながら、最近、バイポーラＩＣの製造において微
細化への要求が高まっており、不純物（ドーパント）濃
度の高い基板の上に、０．５〜１、 ５μｍと薄く且つ
不純物濃度の低いエピタキシャル層を形成する必要が生
じている。それにもかかわらず、従来の熱ＣＶＤ法によ
ってドーパントを含む基板上に高温でシリコン薄膜を形
成せしめた場合には、基板に含有されている不純物がシ
リコン薄膜中に拡散してエピタキシャル層と基板の界面
に厚さ１．５〜２．５ｐｍもの遷移領域が生じるため、
とても前記ＩＣの微細化に適応することができない（「
日経マイクロデバイスＪ１９８５年、１０月号、第８０
員）、そこで近年、低温でシリコン単結晶薄膜を形成さ
せる技術の開発が望まれていた。However, recently, there has been an increasing demand for miniaturization in the production of bipolar ICs, and it is now necessary to form an epitaxial layer as thin as 0.5 to 1.5 μm and with a low impurity concentration on a substrate with a high impurity (dopant) concentration. A need has arisen. Nevertheless, when a silicon thin film is formed at high temperature on a dopant-containing substrate by the conventional thermal CVD method, impurities contained in the substrate diffuse into the silicon thin film and cause problems at the interface between the epitaxial layer and the substrate. Because a transition region with a thickness of 1.5 to 2.5 pm occurs in the
It is very difficult to adapt to the miniaturization of ICs ("
Nikkei Microdevice J 1985, October issue, No. 80
Therefore, in recent years, there has been a desire to develop a technology to form silicon single-crystal thin films at low temperatures.
係る要望に沿って研究が進められた結果、最近、容量結
合型ＲＦプラズマＣＶＤ装置を用いて水素で希釈された
５ｉＨａとＳｉＨ，Ｆ、の混合系のグロー放電分解を行
うことにより、約２５０°Ｃ程度の低温で（１００）シ
リコン単結晶基板上に表面状態の良好なシリコン単結晶
を成長させることができることが見出された（ジャパニ
ーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス、
２６巻、Ｌ９５１−Ｌ９５３ （１９Ｂ？））。As a result of research conducted in line with such requests, we have recently performed glow discharge decomposition of a mixed system of 5iHa, SiH, and F diluted with hydrogen using a capacitively coupled RF plasma CVD device, and have found that It has been discovered that it is possible to grow silicon single crystals with good surface conditions on (100) silicon single crystal substrates at temperatures as low as 100°C (Japanese Journal of Applied Physics,
Volume 26, L951-L953 (19B?)).
一方、特開昭６３−２２２０９６号にはシラン、フロロ
シラン、及び（シラン＋フロロシラン）の５倍量以上の
水素からなる混合ガスを放電分解してシリコン単結晶薄
膜を製造する方法が記載されており、実施例において、
基板として（１００）のシリコン単結晶ウェハーを２５
０℃に加熱して使用した場合は、該基板面から単結晶薄
膜がエピタキシャル成長した事が確認された旨記載され
ている。On the other hand, JP-A No. 63-222096 describes a method for producing a silicon single crystal thin film by discharging and decomposing a mixed gas consisting of silane, fluorosilane, and hydrogen in an amount more than five times the amount of (silane + fluorosilane). , in the example,
25 (100) silicon single crystal wafers as substrates
It is stated that when the substrate was heated to 0° C., it was confirmed that a single crystal thin film was epitaxially grown from the surface of the substrate.
（発明が解決しようとする課題）
これらの方法においては、反応ガス中に希釈ガスとして
水素を使用するために結晶シリコン中に水素が結合しな
がらエピタキシャル成長をする。(Problems to be Solved by the Invention) In these methods, since hydrogen is used as a diluent gas in the reaction gas, epitaxial growth is performed while hydrogen is bonded to crystalline silicon.
即ち、希釈水素は、エピタキシャル成長表面を覆うとい
う役割があり、これにより成膜に寄与する原子、イオン
及び分子等の前駆体に成長表面移動を適度に行わせると
考えられている。従って、エピタキシャル成長膜中に水
素が取り残され易く、これによって結晶の均一性が低下
する結果、得られた結晶シリコン薄膜の電子移動度が小
さな値となるという欠点があった。That is, diluted hydrogen has the role of covering the epitaxial growth surface, and is thought to allow precursors such as atoms, ions, and molecules that contribute to film formation to move appropriately over the growth surface. Therefore, hydrogen is likely to be left behind in the epitaxially grown film, and as a result, the uniformity of the crystal deteriorates, resulting in a drawback that the electron mobility of the obtained crystalline silicon thin film becomes a small value.
例えば、上記の如く製造したシリコン結晶薄膜中には、
約１原子％の水素が含有されることが知られている（ジ
ャパニーズ・ジャーナル・オプ・アプライド・フィジッ
クス、２６巻、第６号、９５１頁（１９８７年））。For example, in the silicon crystal thin film produced as described above,
It is known that about 1 atomic % of hydrogen is contained (Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 26, No. 6, p. 951 (1987)).
このように、従来の低温プラズマＣＶＤ法によっては、
大きな電子移動度を有する高品位のシリコン単結晶薄膜
は得られていない。In this way, depending on the conventional low temperature plasma CVD method,
High-quality silicon single-crystal thin films with large electron mobility have not been obtained.
そこで本発明者等は、基板温度を低温にすることができ
るという利点を有するプラズマＣＶＤ法によって、大き
な電子移動度を有する高品位のシリコン単結晶薄膜を得
べく種々検討する中で、成膜に寄与する前記前駆体の成
長表面移動を適度なものとするために必須であると従来
考えられていた反応ガスとしての水素を全く使用しない
方法を検討し、シランガスと弗素ガスのバランスをとる
ことにより極めて容易に目的とする高品位のシリコン単
結晶薄膜を得ることができることを見い出し本発明に到
達した。Therefore, the present inventors conducted various studies to obtain a high-quality silicon single crystal thin film with large electron mobility using the plasma CVD method, which has the advantage of being able to lower the substrate temperature. By considering a method that does not use hydrogen at all as a reaction gas, which was previously thought to be essential in order to moderate the growth surface movement of the contributing precursor, and by maintaining a balance between silane gas and fluorine gas. The inventors have discovered that it is possible to obtain the desired high-quality silicon single-crystal thin film extremely easily, and have arrived at the present invention.
従って本発明の目的は、プラズマＣＶＤ法によって電子
移動度の大きい高品位のシリコン単結晶薄膜を製造する
方法を提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a high-quality silicon single crystal thin film with high electron mobility by plasma CVD.
（課題を解決するための手段）
本発明の上記の目的は、プラズマＣＶＤによりシリコン
原子を有する原料を含有した反応ガスをプラズマ化し、
加熱基板上にシリコン単結晶Ｉｌｌ！を形成せしめる方
法において、成膜ガスとしてシランをエツチング性ガス
として弗素ガスを含有し水素ガスを含まない反応ガスを
用いて、前記基板上にシリコン単結晶を成長せしめるこ
とを特徴とするシリコン単結晶薄膜の製造方法によって
達成された。(Means for Solving the Problems) The above object of the present invention is to convert a reactive gas containing a raw material having silicon atoms into plasma by plasma CVD,
Silicon single crystal on the heated substrate Ill! A silicon single crystal is grown on the substrate using silane as a film forming gas and a reactive gas containing fluorine gas and no hydrogen gas as an etching gas. This was achieved by a thin film manufacturing method.
以下に本発明を更に詳細に説明する。The present invention will be explained in more detail below.
本発明においては、成膜ガスとして５ｉｆ（、、Ｓｉ、
Ｈ，及び５ｉｓＨｓの群から選択される少なくとも１種
のシランを使用する。In the present invention, the film forming gas is 5if(,,Si,
At least one silane selected from the group of H, and 5isHs is used.
又、エツチング性ガスとしてはＦ２を使用するが、Ｆ２
のみでな（Ｓ Ｉ Ｈ４−Ｘ、１ （ＸばＦ又はＣＩｌ
原子であり、ｎは１〜４の整数好ましくは２〜４の整数
である）を併用することもできる。このような併用する
ことのできるエツチングガスとしては特にＳｉＦ、が好
ましい。In addition, F2 is used as the etching gas, but F2
Only (S I H4-X, 1 (XbaF or CIl
n is an integer of 1 to 4, preferably an integer of 2 to 4). As an etching gas that can be used in combination, SiF is particularly preferred.
併用することのできるフロロシラン等のガスは、容量％
でシランに対し１００％以下特に５〜８０％の添加量と
することが好ましい。Gases such as fluorosilane that can be used together are determined by volume%.
The amount added is preferably 100% or less, particularly 5 to 80%, based on the silane.
エツチング性ガスはプラズマ条件下においてシリコン表
面をエツチングすることのできる弗素原子を放出する。The etching gas releases fluorine atoms that can etch the silicon surface under plasma conditions.
即ち、プラズマ中の弗素原子は■常に清浄なシリコン成
長表面を露出させる、■成長シリコン薄膜中の不純物の
除去、■気相中のシラン重合防止等の機能を有すると考
えられる。That is, the fluorine atoms in the plasma are considered to have the following functions: (1) exposing a constantly clean silicon growth surface, (2) removing impurities from the grown silicon thin film, and (2) preventing silane polymerization in the gas phase.
本発明は単結晶シリコンを得るものであるので、特に結
晶成長とエツチングのバランスをとることが要求される
。このようなバランスは、前記シランとエツチング性ガ
ス特に弗素ガスを適宜混合して使用することにより容易
に調整することができる。Since the present invention is for obtaining single crystal silicon, it is particularly necessary to strike a balance between crystal growth and etching. Such a balance can be easily adjusted by appropriately mixing the silane and etching gas, particularly fluorine gas.
弗素ガスの使用量はシランの０．１〜５０倍、特に０．
１〜１０倍（容積比）更には０．１〜１倍とすること
が好ましい。０．１倍より少ないとエツチング効果が弱
く、５０倍を越えるとエツチングが強すぎてシリコン結
晶薄膜を形成することができない。The amount of fluorine gas used is 0.1 to 50 times that of silane, especially 0.1 to 50 times that of silane.
It is preferably 1 to 10 times (volume ratio), and more preferably 0.1 to 1 times. If it is less than 0.1 times, the etching effect will be weak, and if it exceeds 50 times, the etching will be too strong to form a silicon crystal thin film.
本発明においてはエツチングガスとして活性に冨んだ弗
素ガスを使用するので、反応ガス中に希釈ガスとしてヘ
リウム、ネオン、アルゴンの中から選択される少なくと
も１種の不活性ガスを添加することが好ましい、この場
合添加する不活性ガスの量は弗素ガスの０．１〜５０，
０００倍好ましくは１〜ｌ、０００倍、更に好ましくは
５〜１００倍である。５０．０００倍以上では成膜性ガ
スであるシランの濃度が薄すぎるためシリコン結晶薄膜
の成長が著しく遅くなる一方、０．１倍以下では反応ガ
ス中の弗素濃度が高いので装置の腐蝕が問題となること
がある。In the present invention, since active fluorine gas is used as the etching gas, it is preferable to add at least one inert gas selected from helium, neon, and argon as a diluent gas to the reaction gas. In this case, the amount of inert gas added is 0.1 to 50% of fluorine gas,
000 times, preferably 1 to 1,000 times, more preferably 5 to 100 times. If it is 50.000 times or more, the concentration of silane, which is a film-forming gas, is too low, so the growth of the silicon crystal thin film will be extremely slow, while if it is 0.1 times or less, the fluorine concentration in the reaction gas will be high, causing corrosion of the equipment. It may become.
プラズマを発生させるチャンバー内の圧力は基板上に到
達する原子等が有するエネルギー量に関係するので、そ
の圧力は０．ＩＴｏｒｒ〜１５Ｔｏｒｒとすることが必
要であり、特に０，５Ｔ。The pressure inside the chamber that generates plasma is related to the amount of energy possessed by atoms that reach the substrate, so the pressure is 0. It is necessary to set it as ITorr - 15Torr, especially 0.5T.
ｒｒ〜１ＯＴｏｒｒ更には１〜５Ｔｏｒｒとすることが
′好ましい。It is preferable to set it to rr to 1 O Torr, and more preferably 1 to 5 Torr.
本発明においては、従来法とは異なり、反応ガス中に水
素ガスを使用しない事が最大の特徴である。The main feature of the present invention, unlike conventional methods, is that hydrogen gas is not used in the reaction gas.
本発明においては、上記の条件を満たした反応ガスを、
電力密度０．１〜５ Ｗ／Ｃ！ｉ、好ましくは１〜３
Ｗ／ｃｄで放電して反応ガスをプラズマ化し、約１００
℃〜７００°Ｃ好ましくは約り００℃〜６００″Ｃ１更
に好ましくは約２００℃〜５００ ’Ｃの間の一定温度
に維持したシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜
を形成せしめる。放電は、高周波放電、直流放電又はマ
イクロ波放電等の何れであっても良い。In the present invention, a reaction gas that satisfies the above conditions is
Power density 0.1~5 W/C! i, preferably 1 to 3
The reaction gas is turned into plasma by discharging at W/cd, and about 100
A silicon single-crystal thin film is formed on a silicon single-crystal substrate maintained at a constant temperature between 0.degree. C. and 700.degree. C., preferably between about 00.degree. Any of high frequency discharge, direct current discharge, microwave discharge, etc. may be used.
基板温度が１００°Ｃより低いと結晶構造が乱れ多結晶
構造となるので品質が悪化する。基板温度を７００°Ｃ
より高くしても最早、性能をより向上させることができ
ない上、低温法としてのプラズマＣＶＤの利点を生かせ
なくなる。If the substrate temperature is lower than 100° C., the crystal structure is disordered and becomes a polycrystalline structure, resulting in poor quality. Substrate temperature to 700°C
Even if the temperature is made higher, the performance cannot be further improved, and the advantages of plasma CVD as a low-temperature method cannot be utilized.
電力密度は反応ガスの種類及び圧力によって異なるが、
電力密度が０．ＩＷ／ｃ４より小さいと反応ガスの圧力
を十分低下させなければならないので成膜速度が遅（，
５Ｗ ／ ｃｄを越えると薄膜の品質を高く維持するこ
とができないので好ましくない。The power density varies depending on the type and pressure of the reactant gas, but
Power density is 0. If it is smaller than IW/c4, the pressure of the reaction gas must be sufficiently lowered, resulting in a slow film formation rate (,
If it exceeds 5 W/cd, it is not preferable because the quality of the thin film cannot be maintained at a high level.
尚、本発明においては真性の単結晶シリコン薄膜を作製
することができるのみならず、反応ガス中に元素周期律
表第■族又は第Ｖ族のドーパントガスを混合することに
より、形成される単結晶シリコン薄膜をｐ型又はｎ型と
することができる。In addition, in the present invention, not only can an intrinsic single-crystal silicon thin film be produced, but also a monocrystalline silicon thin film formed by mixing a dopant gas of Group Ⅰ or Group V of the periodic table of elements into a reaction gas. The crystalline silicon thin film can be p-type or n-type.
この場合の上記ドーパントガスとしては、例えばジボラ
ン、ホスフィン、アルシン等の水素化物が挙げられる。Examples of the dopant gas in this case include hydrides such as diborane, phosphine, and arsine.
（作用）
本発明のシリコンエピタキシャル成長法においては反応
ガス中に水素を希釈ガスとして使用しないので、水素は
シラン及びエツチング性ガスとして併用されることのあ
るジフロロシラン等の分解によってプラズマ中に持ち込
まれるだけであり、従って従来法の場合と異なりエピタ
キシャル成長時に水素が結晶表面を覆うということがな
い、更に、従来法の場合に比して反応活性の高い弗素ガ
スを使用する。これらの理由から、本発明においては、
エピタキシャル成長表面は常に清浄な状態で露出されて
おり、アモルファスシリコンや結晶粒界を形成する歪ん
だシリコン膜の形成が防止され、従ってエピタキシャル
成長が橿めて均一に行われるものと推定される。(Function) In the silicon epitaxial growth method of the present invention, hydrogen is not used as a diluent gas in the reaction gas, so hydrogen is only brought into the plasma by the decomposition of silane and difluorosilane, which is sometimes used together as an etching gas. Therefore, unlike in the conventional method, hydrogen does not cover the crystal surface during epitaxial growth.Furthermore, fluorine gas, which has a higher reactivity than in the conventional method, is used. For these reasons, in the present invention,
It is presumed that the epitaxial growth surface is always exposed in a clean state, preventing the formation of amorphous silicon or a distorted silicon film that would form grain boundaries, and thus making the epitaxial growth more uniform.
このようにして得られたシリコン単結晶薄膜は、水素含
有量が５０ ｐ ｐｍ以下と小さく極めて高品質である
。The silicon single crystal thin film thus obtained has a small hydrogen content of 50 ppm or less and is of extremely high quality.
本発明の方法は、従来エピタキシャル成長がおこなわれ
ていたあらゆる分野、例えば、バイポーラトランジスタ
、バイポーラＩＣ，ＭＯ３ＳＬＳ■、メモリー等の半導
体を初め、太陽電池の製造等に応用することができる。The method of the present invention can be applied to all fields in which epitaxial growth has conventionally been performed, including semiconductors such as bipolar transistors, bipolar ICs, MO3SLS, and memories, as well as the production of solar cells.
（発明の効果）
以上詳述した如く、本発明においては反応ガス中に希釈
ガスとして水素ガスを全（用いるということがないので
、エピタキシャル成長時に結晶シリコン薄膜中に水素が
取り残されることがなく、従って得られるシリコン単結
晶薄膜の電気特性は極めて良好である。又、基板の加熱
温度が約り００℃〜約７００°Ｃと低温であるため基板
に含有される不純物がシリコン単結晶中に拡散すること
がないので、半導体素子の品質を向上させることができ
る。(Effects of the Invention) As detailed above, in the present invention, hydrogen gas is not completely used as a diluent gas in the reaction gas, so hydrogen is not left behind in the crystalline silicon thin film during epitaxial growth. The electrical properties of the silicon single crystal thin film obtained are extremely good.Also, since the substrate is heated at a low temperature of approximately 00°C to approximately 700°C, impurities contained in the substrate diffuse into the silicon single crystal. Therefore, the quality of the semiconductor device can be improved.
（実施例）
以下、本発明を実施例によって更に詳述するが、本発明
はこれによって限定されるものではない。(Examples) Hereinafter, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto.
実施例１゜
予め、ｌＸｌ０−”ＴｏｒｒＯ高真空にした反応室内に
、Ｆ、：５ｉＨｎ ：Ｈｅ−１：２：９の混合ガスを
反応ガスとして１１００５ＣＣで供給し反応ガスの圧力
を１．２Ｔｏｒｒに調整した０次いでこの反応ガスを１
３ 、 ５６ Ｍ Ｈｚの高周波電源を用いて、電力１
．３Ｗ／ｄで分解し、４００°Ｃに加熱されたシリコン
単結晶基板上に２． ０μｍの厚さとなる迄シリコン薄
膜を形成させた。Example 1゜A mixed gas of F,:5iHn:He-1:2:9 was supplied as a reaction gas at 11005cc into a reaction chamber which had been made to have a high vacuum of lXl0-''TorrO in advance, and the pressure of the reaction gas was adjusted to 1.2 Torr. The adjusted 0 then this reaction gas to 1
3. Using a high frequency power source of 56 MHz, the power 1
．． 2 on a silicon single crystal substrate that was decomposed at 3 W/d and heated to 400°C. A silicon thin film was formed to a thickness of 0 μm.
上記の如（して得られた試料につき、反射高速電子線回
折（ＲＨＥＥＤ）によってシリコン結晶薄膜の評価を行
った所、ストリークパターンと菊池ラインが観測され、
良好な単結晶であることが判明した。この薄膜の電子移
動度をベトリッツ法を適用したホール効果測定装置によ
り求めたところ１．１００ｃｊ／ボルト・秒であった。When the silicon crystal thin film was evaluated by reflection high-speed electron diffraction (RHEED) on the sample obtained as described above, streak patterns and Kikuchi lines were observed.
It turned out to be a good single crystal. The electron mobility of this thin film was determined to be 1.100 cj/volt-second using a Hall effect measurement device applying the Betritz method.
又、水素含有量は１０ｐｐｍ以下であることが元素分析
によって確認された。Further, it was confirmed by elemental analysis that the hydrogen content was 10 ppm or less.
実施例２〜６
実施例１と同様にして第１表の条件でシリコン単結晶薄
膜を得、同様の測定をした。結果を第１表に示した。Examples 2 to 6 Silicon single crystal thin films were obtained in the same manner as in Example 1 under the conditions shown in Table 1, and the same measurements were performed. The results are shown in Table 1.
比較例１゜
反応ガスとして５ｉＨｎ ：５ＩＨｚ Ｆｔ ：Ｈ
ｔ−１ｊ １０ ： １００の混合ガスを使用し、この
反応ガスを１１１５ＣＣＭで供給し、反応ガスの圧力を
２．ＱＴｏｒｒに維持して、電力密度０．８Ｗ／ｃｊ、
シリコン単結晶基板温度２５０°Ｃの条件でシリコン結
晶薄膜を形成させた。Comparative Example 1゜5iHn:5IHz Ft:H as reaction gas
A mixed gas of t-1j 10:100 was used, the reaction gas was supplied at 1115CCM, and the pressure of the reaction gas was set to 2. Maintained at QTorr, power density 0.8W/cj,
A silicon crystal thin film was formed at a silicon single crystal substrate temperature of 250°C.
得られた１ｌＪＩＩの電子移動度は２７Ｍ／ボルト・秒
であった。又、水素含有量は約１原子％であった。The electron mobility of the obtained 1lJII was 27 M/volt·sec. Further, the hydrogen content was about 1 atomic %.
Claims (1)
含有した反応ガスをプラズマ化し、加熱基板上にシリコ
ン単結晶薄膜を形成せしめる方法であって、成膜性ガス
としてシランをエッチング性ガスとして弗素ガスを含有
し水素ガスを含まない反応ガスを用いて、前記基板上に
シリコン単結晶を成長せしめることを特徴とするシリコ
ン単結晶薄膜の製造方法。1) A method in which a reactive gas containing a raw material having silicon atoms is turned into plasma by plasma CVD to form a silicon single crystal thin film on a heated substrate, and the method includes silane as a film-forming gas and fluorine gas as an etching gas. A method for producing a silicon single crystal thin film, comprising growing a silicon single crystal on the substrate using a reaction gas that does not contain hydrogen gas.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2162989A JPH02202017A (en) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | Manufacture of silicon single crystal thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2162989A JPH02202017A (en) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | Manufacture of silicon single crystal thin film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02202017A true JPH02202017A (en) | 1990-08-10 |
Family
ID=12060358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2162989A Pending JPH02202017A (en) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | Manufacture of silicon single crystal thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02202017A (en) |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP2162989A patent/JPH02202017A/en active Pending
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