JPH0220174A - Electromagnetically focusing temperature characteristic compensator - Google Patents

Electromagnetically focusing temperature characteristic compensator

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JPH0220174A
JPH0220174A JP16871088A JP16871088A JPH0220174A JP H0220174 A JPH0220174 A JP H0220174A JP 16871088 A JP16871088 A JP 16871088A JP 16871088 A JP16871088 A JP 16871088A JP H0220174 A JPH0220174 A JP H0220174A
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JP
Japan
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temperature
circuit
magnet
temperature sensor
focusing
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JP16871088A
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Japanese (ja)
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Toshimitsu Watanabe
渡邊 敏光
Michitaka Osawa
大沢 道孝
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

PURPOSE:To highly accurately compensate change due to the temperature of a magnetic flux density by using a transistor(TR) for a temperature sensor. CONSTITUTION:A TR 2 for a temperature sensor makes contact with a focusing magnet 1, or it is arranged near the magnet 1, and thermally coupled so as to have approximately the same temperature as that of the focusing magnet 1. When the magnetic flux density inside the focusing magnet 1 decreases due to the rise of the circumferential temperature, a voltage VBE between the base emitters of the TR 2 for the temperature sensor decreases. Further, the change of the VBE is amplified by an amplifying circuit 6, and when the VBE decreases, a current is applied in a direction in which the internal magnetic flux density increases for an auxiliary coil provided inside the focusing magnet 1.

Description

【発明の詳細な説明】 〔圧東上の利用分野〕 本発明は、隙億+’tM青の電子ビームを集束きせる電
蜂果束#etILK係り、特に投写形テレビの投写管に
用いる集束マグネットの温度特性の補偵鉄直に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Field of application of compaction] The present invention relates to an electric bee bundle #etILK that focuses a blue electron beam, and in particular to a focusing magnet used in a projection tube of a projection television. Regarding the temperature characteristics of the assistant inspector.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

同種の従来の装置としては、時開II 55−9154
3号に=aittのように、果乗用すング状永久−石の
内側に励磁コイルが取り付けられており、削記水久磁石
Jf′削記励憾コイルの近傍に温直検出系子としてサー
ミスタが設けられている。削にサーばスタの温度に対す
る抵抗稙の変化から、堵暢器を用いて、別記MIJmコ
イルに温良に応じた補償電流を流すようになっている。
A similar conventional device is Jikai II 55-9154.
As shown in No. 3 = aitt, an excitation coil is installed inside the ring-shaped permanent stone used for riding, and a thermistor is installed as a temperature detection system near the excitation coil of the excitation coil of the excitation magnet Jf'. is provided. Due to the change in resistance of the server star due to its temperature, a compensating current is applied to the MIJm coil according to the temperature using a blower.

この時、前i己wJ−コイルから生ずる一束は、前記永
久出石の磁束に対して同方向又は、逆方向となっており
、例えは周囲温度の上昇に従かい、補償電流か減少する
泳に動作し。
At this time, the flux generated from the previous coil is in the same direction or in the opposite direction to the magnetic flux of the permanent stone.For example, as the ambient temperature rises, the compensation current decreases. works.

前配水久−石内の一束を略一定に保つ様になつ【いる。Maezuikyu - Ishiuchi's bundle is kept almost constant.

開運する第二の従来の装置の例としては、待囲昭・21
−17104LJ号にム己躯のように、温度センサとし
てダイオードを用い、ダイオードの温度に対する′−流
−1出舟性の貧化を利用し、増1鴫器を用いて補助コイ
ルに温度に応じた補償Ilc流を九す株な構成としてい
る。
As an example of the second conventional device for improving fortunes, see
-17104LJ, like the main body, uses a diode as a temperature sensor, takes advantage of the diode's poor performance with respect to temperature, and uses an amplifier to send an auxiliary coil according to the temperature. The structure is based on the compensation Ilc style.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上記講−の従来技術は、温度センサとしてサミスタを用
いている為に、広範囲に変化する温度慣域、例えは−1
0℃〜+60℃に対しては、サーミスタの温度に対する
抵抗値の変化特注か非蛛形であり、袖偵恢の物性も十分
な精i(例えは、アルニコマグネット並、50℃変化で
1%以下)を得る墨は極めて離かしい。また、励−コイ
ルに加えられる油漬電流は、マグネットの畿界馨オーバ
ーフォーカスで収足した場合に、は、筒温時に破小、低
温時に最大であり、低温時においては、wJ磁ココイル
m励するトランジスタの発熱か住めて大きくなるという
2つの問題点かある。
Since the conventional technology described above uses a thermistor as a temperature sensor, the temperature range varies over a wide range, for example -1
For temperatures between 0°C and +60°C, the thermistor's resistance value change with temperature is either custom-made or non-standard, and its physical properties are sufficiently precise (for example, as with an alnico magnet, the change in resistance value by 50°C is 1%). The ink that obtains the following) is extremely difficult to obtain. In addition, when the oil-immersed current applied to the excitation coil is satisfied by the overfocus of the magnet, it decreases at cylinder temperature and reaches its maximum at low temperature, and at low temperature, wJ magnetic coil m excitation There are two problems: the heat generated by the transistors used, and the fact that they become too large to live in.

一万、上記第二の従来技術は、温度センサとしてダイオ
ードを用いている為に、温UK対する検出電圧か約−2
mV/℃と小さ(、オll侮の大きな増幅器か住設に必
要である。従って、やはりアルニコマグネットiの補償
精度を優る為には、温度ドリフトの極めて小さな増幅器
を用いたり、ダイオードに加える電流の定電流特性を極
めて定定に珠つ事か必要であるか、この点については考
慮かされていない。
10,000, since the above second conventional technology uses a diode as a temperature sensor, the detection voltage with respect to temperature UK is approximately -2
As small as mV/℃, a relatively large amplifier is required for residential equipment.Therefore, in order to outperform the compensation accuracy of Alnico magnet i, it is necessary to use an amplifier with extremely small temperature drift, or to increase the current applied to the diode. No consideration has been given to whether it is necessary to maintain a very constant constant current characteristic.

本発明は、尚い精度で集束マグネットのTNIL度に対
する磁束変化を補償することを目的とする。
The present invention aims at compensating for flux changes with respect to the TNIL degree of a focusing magnet with still precision.

〔課題?解決するための手段〕〔assignment? Means to solve]

上記目的は、温度センサとしてトランジスタを用い、温
良に対するPN接合電圧の変化が@練性に潰れている点
、PN接合電圧の変化を増幅して検出することかできる
点を利用することにより達成され、本発明によれは筒い
精度で磁束密度の温度による変化を補償することが可能
である。
The above objective is achieved by using a transistor as a temperature sensor and taking advantage of the fact that changes in PN junction voltage with respect to temperature are flattened, and changes in PN junction voltage can be amplified and detected. According to the present invention, it is possible to compensate for changes in magnetic flux density due to temperature with precision.

〔作用〕[Effect]

温度センサとして用いるトランジスタのベースエミッタ
間に一定を流を流すと、ベース・エミッタ間の接合部温
度の変化に対して、ベース・エミッタ間′胤圧(以下V
Bx)は、約−2rnV/℃の温度係数で変化する。ま
た、温度係数は広い温度範囲で一定値である。このとき
前記トランジスタを用い、検出と同時に壇1陽回路を構
成する、例えば電圧利得で10倍程度得られるよ5にす
れは、約−20mV/”Cの電圧を検出することかでき
る。一方、フェライトマグネットの温度係数は、約−0
,2%/’Cであり、磁性が変わらない温度範囲におい
て一定値となっている。従って、前記トランジスタと、
フェライトマグネットを熱的に結合し、フェライトマグ
ネット内側に設けた補助コイルに、トランジスタから得
たVEjlの増幅電圧に従って電流を加えることにより
、マグネット内部の来宋−界強度を一定に保つ事ができ
る。従って、周囲温度、あるいはマグネット自身の温度
か広範囲に変化しても、ブラウン管の管面上でのフォー
カスを一定圧保つ事ができ、解像度の優れた画像を丹生
することができる。
When a constant current flows between the base and emitter of a transistor used as a temperature sensor, the base-emitter pressure (V
Bx) varies with a temperature coefficient of approximately -2rnV/°C. Further, the temperature coefficient is a constant value over a wide temperature range. At this time, by using the above-mentioned transistor and configuring a circuit at the same time as detection, for example, a voltage gain of about 10 times can be obtained, it is possible to detect a voltage of about -20 mV/"C. On the other hand, The temperature coefficient of ferrite magnet is approximately -0
, 2%/'C, which is a constant value in the temperature range where the magnetism does not change. Therefore, the transistor and
By thermally coupling the ferrite magnet and applying a current to the auxiliary coil provided inside the ferrite magnet according to the amplified voltage of VEjl obtained from the transistor, the field strength inside the magnet can be kept constant. Therefore, even if the ambient temperature or the temperature of the magnet itself changes over a wide range, the focus on the surface of the cathode ray tube can be maintained at a constant pressure, and images with excellent resolution can be produced.

〔夾置へ例〕[Example to place]

以下、本発明の一実抛ガを第1図により睨明する。第1
図は、本発明における実施例を適用した!−果集束脣補
償装置の全体の10ツク図である。
Hereinafter, the first embodiment of the present invention will be explained with reference to FIG. 1st
The figure applies an embodiment of the present invention! - It is a 10-step diagram of the entire convergence compensation device.

第1図の10ツク図は、集束マグネット1、温度センサ
用トランジスタ2、補助回路5、V−1>侠回路4、ブ
ラウン管5によって構成されている。
The 10 block diagram in FIG. 1 is composed of a focusing magnet 1, a temperature sensor transistor 2, an auxiliary circuit 5, a V-1>wire circuit 4, and a cathode ray tube 5.

また、補助回路5とV−1変換回路4をまとめて、PM
幅回′#!16で示した。
In addition, the auxiliary circuit 5 and the V-1 conversion circuit 4 can be combined into PM
Width times'#! 16.

温度センサ川トランジスタ2は、磁束マグネット1に接
触して、あるいは近傍に配直し、集束マグネット1の温
度とほぼ同一温度となるように熱的に結合されている。
The temperature sensor transistor 2 is arranged in contact with the magnetic flux magnet 1 or in the vicinity thereof, and is thermally coupled to be at approximately the same temperature as the focusing magnet 1.

周囲温度の上昇により、集束マグネット1の内側の磁束
密度が低下する場合、温度センサ用トランジスタ2のベ
ース・エミッタ間′−圧〔以下、Vsx )か低下する
。前記VBXの変化を増幅回路6で増幅し、VJIII
が低下した場合、集束マグネット1の内側に設けた補助
コイルに対して、内側の磁束@度か増加する方向に電流
を流す様に構成されている。逆に、周囲温度が低下した
場合には、VsxG工上昇し%別記補助コイルによる6
束は減少する様になり、集束マグネット1の一束瑠加を
補償し、常に、集束マグネット1の内部の磁束密度を一
定に保つ様に動作する。尚、補助回路5は、温度センナ
用トランジスタ2を最適に駆動する回路であり、V−1
変換回路4はJAIの変化から得た検出電圧を用いて、
前記補助コイルに流す電流を制御する為の回路である。
When the magnetic flux density inside the focusing magnet 1 decreases due to an increase in ambient temperature, the base-emitter pressure (hereinafter referred to as Vsx) of the temperature sensor transistor 2 decreases. The change in VBX is amplified by the amplifier circuit 6, and the change in VBX is
When the magnetic flux decreases, current is applied to the auxiliary coil provided inside the focusing magnet 1 in a direction that increases the internal magnetic flux. Conversely, if the ambient temperature drops, VsxG will rise and the auxiliary coil will increase
The flux starts to decrease, compensating for the flux loss of the focusing magnet 1, and always operates to keep the magnetic flux density inside the focusing magnet 1 constant. The auxiliary circuit 5 is a circuit that optimally drives the temperature sensor transistor 2, and is a circuit that optimally drives the temperature sensor transistor 2.
The conversion circuit 4 uses the detection voltage obtained from the change in JAI,
This is a circuit for controlling the current flowing through the auxiliary coil.

第2図は、集束マグネット1の構成例、帛3図は、増幅
回路6の具体的実施例、第4図を工、集束マグネット1
の内部での磁束密度を示した図である。以下、第2図〜
m4図を用い゛C1本発明の一実施例についてさらに評
しく読切する。
2 shows a configuration example of the focusing magnet 1, FIG. 3 shows a specific example of the amplifier circuit 6, and FIG. 4 shows an example of the configuration of the focusing magnet 1.
FIG. 3 is a diagram showing the magnetic flux density inside. Below, Figure 2~
One embodiment of the present invention will be further evaluated using the M4 diagram.

第2図に示す巣東マグネットは、永久−石11、ヨーク
プレート12.ホルダー13%情助コイル14から構成
されて(・る。補助コイル14は、永久6石11と同心
円状に巻回したコイルである。永久−石11により生ず
る磁束は6束15であり、ブラウン管5の内部を軸方向
に通過する電子ビームを集束する為の王蝉界を形成して
いる。しかし、前記主磁界の中心部−束′M度は、永久
磁石117a′例えはフェライトマグネットで構成する
場合に(工、第4因の実−41に示す様に、約−0,2
%/℃の温度係数で変化する。−万、補助コイル14i
Cより生ずる磁束は。
The nest magnet shown in Fig. 2 consists of a permanent stone 11, a yoke plate 12. The holder consists of a 13% auxiliary coil 14.The auxiliary coil 14 is a coil wound concentrically with the permanent 6-stone 11.The magnetic flux generated by the permanent 6-stone 11 is 6 flux 15. 5. However, the central part of the main magnetic field - the flux 'M' is formed by a permanent magnet 117a', for example, a ferrite magnet. In the case of
Varies with a temperature coefficient of %/°C. -10,000, auxiliary coil 14i
The magnetic flux generated from C is.

正方向の電流か流れる場合には、m5J、15と同方向
の磁束16、負方向の′電流が流れる場合には磁束15
と反力方向の磁束17である。
When the current flows in the positive direction, the magnetic flux 16 is in the same direction as m5J, 15, and when the current flows in the negative direction, the magnetic flux 15
and the magnetic flux 17 in the direction of the reaction force.

第6図は、増幅回路6の具体的構成例である。FIG. 6 shows a specific example of the configuration of the amplifier circuit 6.

抵抗21〜25は、正側X線端子27、負側電源端子2
8からの電圧に従って、温度センサ用トランジスタ2に
バイアス′1圧を与え、VBIの変化分を増j陽する為
の回路である。温度センサ用トランジスタ2のコレクタ
出力は、演lJ1.増幅器26の正入力端子に接続され
る。演算増幅回路26の出力は、ダイオード29、抵抗
30.トランジスタ51 、52、抵抗見、64から成
る5Epp回紬に)&枕されている。
Resistors 21 to 25 are the positive X-ray terminal 27 and the negative power terminal 2.
This circuit applies a bias '1 voltage to the temperature sensor transistor 2 according to the voltage from the temperature sensor transistor 8, and increases the amount of change in VBI. The collector output of the temperature sensor transistor 2 is expressed by the expression lJ1. It is connected to the positive input terminal of amplifier 26. The output of the operational amplifier circuit 26 is connected to a diode 29, a resistor 30 . The 5Epp circuit consists of transistors 51, 52, resistors, and 64).

V−1変換回踊4の出力は、補助コイル14に煮枕され
、補助コイル140片側は、″IIL流検出低検出抵抗
65されると同時に、演算増幅器26の負入力端子に接
続されている。
The output of the V-1 conversion circuit 4 is sent to the auxiliary coil 14, and one side of the auxiliary coil 140 is connected to the negative input terminal of the operational amplifier 26 while being connected to the IIL current detection low detection resistor 65. .

次に1回路の動作について読切する。Next, we will discuss the operation of one circuit.

いま、永久磁石11の温度が上昇(下降)すると。Now, when the temperature of the permanent magnet 11 rises (falls).

熱結合した温度センサ用トランジスタ2のysxは低下
(上昇)する。抵抗21〜25は定1流動作と、VBE
の増幅を目的として設けており、端子27には正電圧、
端子28には負電圧を供給する。温良センサ用トランジ
スタ2のコレクタ電位V。&工、端子27.28にガロ
える゛電圧を士〆ccとして、と表わすことかできる。
ysx of the thermally coupled temperature sensor transistor 2 decreases (increases). Resistors 21 to 25 are for constant current operation and VBE
The terminal 27 is provided with the purpose of amplifying the positive voltage,
A negative voltage is supplied to the terminal 28. Collector potential V of temperature sensor transistor 2. The voltage applied to terminals 27 and 28 can be expressed as cc.

従っ工温度センサ用トランジスタ2の温[(7”C)か
変化すると、  Rlg 元−一・(−2rnJ//’C)          
 ・・・(2)となり、 Ru / /?14 = 1
0と設定すれは、Juo/JT=20mF/ ’Cか得
られる。すなわち、永久磁石11の温良が上昇(下降)
すると、演算増幅器26の正入力湖子の電位が1℃当り
20mV上昇(低下)する。
Therefore, when the temperature of the transistor 2 for the temperature sensor changes [(7"C), Rlg original -1 (-2rnJ//'C)
...(2) becomes Ru / /? 14 = 1
When set to 0, Juo/JT=20mF/'C is obtained. In other words, the temperature of the permanent magnet 11 increases (decreases).
Then, the potential of the positive input lake of the operational amplifier 26 increases (decreases) by 20 mV per 1°C.

演鼻壇@器26の正入力端子の電位か上昇(低下コする
と、演其壇1陽器26の出力端子、トランジスタ61の
ベース磁位か上昇(低下)し、廻廊から、端子27、ト
ランジスタ31のコレクタからエミッタ、抵抗65を通
り、補助コイル14に正方向(*方向)の電流を与える
。正方向(負方向)のt流は、第2図に示す休に、永久
−石11の磁束15と四方向C反対方向)の磁束16(
−宋17)を生ずる為、温展友化により変化する磁束を
補償する方向に動作する。特に1水久磁石11の温i係
数と、温良センサ用トランジスタ2の温度係数は広範囲
の温良変化、例えは−10℃〜+6L1’C程度におい
ては一定値であり、V−1変換回貼4の脣性も極めて@
急性か良い為、補償後の集束マグネット1の中心−東缶
展は、第4図の破MI&42に示す様に、はぼ−足に沫
つことが可能である。
When the potential of the positive input terminal of the podium @ device 26 rises (decreases), the base magnetic potential of the output terminal of the podium 1 positive device 26 and the transistor 61 rises (decreases), and from the corridor, the terminal 27, the transistor A current in the positive direction (* direction) is applied from the collector of 31 to the emitter and through the resistor 65 to the auxiliary coil 14. Magnetic flux 15 and magnetic flux 16 (four directions C opposite direction)
- Song Dynasty 17), it operates in the direction of compensating for the magnetic flux that changes due to warm expansion. In particular, the temperature coefficient of the magnet 11 and the temperature coefficient of the temperature sensor transistor 2 are constant values over a wide range of temperature changes, for example from -10°C to +6L1'C. Extremely timid @
Since it is acute, the center of the focusing magnet 1 after compensation can be splashed to the bottom, as shown in Figure 4, MI&42.

以上読切した様に第一の実施例では、pmlllf11
回路6として、抵抗21〜25による定11Lm回路と
、演昇壇1陥器と5EPP回路によるV−1袈侠回路を
用いて祝明したが、本実施例以外にも、例えは、V−1
変換回路は差動増幅回路とエミッタフォロワなどの回路
でも構成可能である。また、演算増幅器26の正入力端
子には、比較的大きな侶′@電圧が入力される為、演算
増幅器26としては、温度に対して低ドリフトタイプの
増幅器を用いることなく、汎用品を用いても、十分な補
償精度を得る事かできる。
As explained above, in the first embodiment, pmlllf11
As the circuit 6, a constant 11Lm circuit with resistors 21 to 25 and a V-1 circuit with a podium 1 circuit and a 5EPP circuit were used. 1
The conversion circuit can also be configured with circuits such as a differential amplifier circuit and an emitter follower. In addition, since a relatively large voltage is input to the positive input terminal of the operational amplifier 26, a general-purpose product is used as the operational amplifier 26 instead of a low-drift type amplifier with respect to temperature. It is also possible to obtain sufficient compensation accuracy.

第5図は、本発明のホ2の実施例を示すブロック図であ
る。第1図の実施例に対して、V−1友侠回路4の入力
部に、ジャスト・フォーカス1g、回路8、垂直ダイナ
ミック・フォーカス回路9な追ガロし、全体を増幅1踊
10で示した。第6図は、第2の芙鬼汐りに示した増幅
回路10の具体的1陥構成である。
FIG. 5 is a block diagram showing a second embodiment of the present invention. In contrast to the embodiment shown in FIG. 1, the input section of the V-1 friend circuit 4 has a just focus circuit of 1g, a circuit of 8, and a vertical dynamic focus circuit of 9, and the entire circuit is shown with amplification of 1 and 10. . FIG. 6 shows a specific configuration of the amplifier circuit 10 shown in the second example.

増幅回路10を構成する補助回路7は、温度センサ用ト
ランジスタ2の出力信号を増幅する回路であり、抵抗5
1〜57、トランジスタ63 、64によるカレントミ
ラー回gKより構成される。トランジスタ64 (Q 
64 )のコレクタ出力′也圧v6は、−子27 、2
8に加える電圧を±Vocとすれは、と表わす墨かでき
る。トランジスタ65 (Q 65 )及びQ64をデ
ュアルトランジスタでm成すれは、Q 65 、 Q 
64のB−E間電圧はほぼ等しくなり、VBE@3 =
 VBE64             ・・・(4)
となる。式(3)は式(4)を代入すれは、か優られる
。促って実施例1で説明した場合と同様に、温度センサ
用トランジスタ2の温1i(1℃)か貧化すると、 実施例20回路は、実施例10回路構成に比べやや複離
であるが、VL源電圧υ。0の震動かある場せ、実施例
2か有利となる。すなわち、実施例1では、 となり、υ0の直流電位がほぼ0となる様に設計する場
合には、J”’ ”Vc c )1である。を源′電圧
が一定であれは、実施例1は、部品数も少なく有利であ
るか、実施例2では、Jv6/JVcc=1であり5v
ccの哀動洗対して安定性が高い。
The auxiliary circuit 7 constituting the amplifier circuit 10 is a circuit that amplifies the output signal of the temperature sensor transistor 2, and includes a resistor 5.
1 to 57, and a current mirror circuit gK formed by transistors 63 and 64. Transistor 64 (Q
64) collector output 'also pressure v6 is -27,2
If the voltage applied to 8 is ±Voc, then the black mark expressed as . If transistor 65 (Q 65 ) and Q64 are formed by dual transistors, Q 65 , Q
The voltage between BE and E of 64 is almost equal, and VBE@3 =
VBE64...(4)
becomes. Equation (3) is superior to Equation (4) by substituting it. Similarly to the case explained in Example 1, when the temperature 1i (1°C) of the temperature sensor transistor 2 decreases, the circuit configuration of Example 20 is slightly more complex than the circuit configuration of Example 10. , VL source voltage υ. If there is a vibration of 0, Embodiment 2 is advantageous. That is, in the first embodiment, when designing so that the DC potential of υ0 is approximately 0, J"'"Vc c )1. As long as the source voltage is constant, Embodiment 1 is advantageous in that the number of parts is small, or in Embodiment 2, Jv6/JVcc=1 and 5V.
High stability against cc's laziness.

一力、ジャスト・フォーカス回路8は、抵抗58〜61
、コンデンサ2Bで構成される。可変抵抗器59の移動
位置に応じて、演J4.謂幅器26の正入力端子の電圧
を変え、補助コイル14に流れる電流を直流的Kfえる
方式である。又、ダイナミックフォーカス回路9は、端
子66から入力した佃号邂圧を、コンデンサ65を介し
て演′H,増幅器26の正入力端子に那える方式である
Just focus circuit 8 has resistors 58 to 61
, and a capacitor 2B. Depending on the movement position of the variable resistor 59, performance J4. This method changes the voltage at the positive input terminal of the suppressor 26 and changes the current flowing through the auxiliary coil 14 to DC. Furthermore, the dynamic focus circuit 9 is of a type in which the signal pressure inputted from the terminal 66 is input to the positive input terminal of the amplifier 26 via the capacitor 65.

以上、本夾施例によれは、?hI*度な温度特性の補償
を行なうことができ、常に最良のフォーカス状態な維持
することかできろ。また、−束の袖慣′電流としては、
正負両方向の電流を制御している為、集束マグネットに
内蔵した補助コイルからの発熱や、トランジスタからの
発熱も最小となり、低消費″也力であるという効果かあ
る。
What is the above according to this example? It is possible to compensate for temperature characteristics of hI* degrees and always maintain the best focus state. In addition, as the sleeve inertia current of the − bundle,
Since the current is controlled in both positive and negative directions, the heat generated from the auxiliary coil built into the focusing magnet and the heat generated from the transistor are also minimized, resulting in low power consumption.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれは、温度センナとしてトランジスタを用い
ている為に、mw袖補償圧としては、極めて@株性の良
い1g号を大きな電圧mとして侮る串かでき、高精度な
6來密度の温度特性の補償を実境できる。七の結果、常
に女定した破瓜の状態で電子ビームの集束を維持できる
効果がある。
According to the present invention, since a transistor is used as a temperature sensor, it is possible to ignore 1g, which has extremely good stability, as a large voltage m as a mw sleeve compensation pressure, and to obtain a temperature with a high precision 6 radial density. Compensation of characteristics can be implemented. As a result of 7, there is an effect that the electron beam can always be kept focused in a state of broken melon.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示す10ツク図、第2図は
果宋マグネットの構成例を示す断囲図、第6図は増幅回
路の輛成例を示す回路図、第4図は中心−束黄度の温度
依存性をホす+f性図、第5凶は本発明の他の芙m例を
示す10ツク図、第6凶はj″I71陽回路の一夷m沙
1jケ示す回路図である。 1・・・巣東マグネット 2・・・−皮センナ用トランジスタ 5・・・補助回路 ・・・V−1没換回路 ・・・増1鴫回路 兜 図 温t(’C) 突 図 第 凹
Fig. 1 is a ten-dimensional diagram showing one embodiment of the present invention, Fig. 2 is a cross-section diagram showing an example of the configuration of a Gaosong magnet, Fig. 6 is a circuit diagram showing an example of an amplifier circuit, and Fig. 4. is a +f diagram showing the temperature dependence of center-bundle yellowness, the fifth diagram is a 10 diagram showing other examples of the present invention, and the sixth diagram is a diagram showing the temperature dependence of the center-bundle yellowness, and the sixth diagram is a diagram showing the temperature dependence of the center-bundle yellowness. It is a circuit diagram showing the circuit diagram. 'C) Concave projection

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、電子ビーム集束用マグネットと、該マグネットの温
度を検出する温度センサ用トランジスタと、該温度セン
サ用トランジスタの温良変化に対するPN接合電圧の変
化を増幅する増幅回路と、該増幅回路の出力電流に応じ
て、該集束マグネットにより生ずる磁界と同方向または
反対方向の磁界を形成する補助フォーカスコイルを設け
たことを特徴とする電磁集束温度特性補償装置。 2、前記増幅回路は、前記温度センサ用トランジスタの
初段増幅回路として、カレントミラー回路が用いられ、
前記電子ビーム集束用マグネットの着磁界ばらつきを補
正する為のジヤスト・フォーカス回路と、ブラウン管の
毒血方向のフォーカス補正を行なうダイナミックフォー
カス回路を備えたことを特徴とする請求項1記載の電磁
集束温度特性補償装置。
[Claims] 1. An electron beam focusing magnet, a temperature sensor transistor that detects the temperature of the magnet, an amplifier circuit that amplifies a change in PN junction voltage in response to a temperature change of the temperature sensor transistor; 1. An electromagnetic focusing temperature characteristic compensator comprising an auxiliary focusing coil that forms a magnetic field in the same direction or in the opposite direction to the magnetic field generated by the focusing magnet, depending on the output current of the amplifier circuit. 2. In the amplifier circuit, a current mirror circuit is used as a first stage amplifier circuit of the temperature sensor transistor,
2. The electromagnetic focusing temperature according to claim 1, further comprising a just focus circuit for correcting variations in the magnetization field of the electron beam focusing magnet, and a dynamic focus circuit for correcting focus in the direction of the poisonous blood of the cathode ray tube. Characteristic compensation device.
JP16871088A 1988-07-08 1988-07-08 Electromagnetically focusing temperature characteristic compensator Pending JPH0220174A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06261412A (en) * 1993-03-05 1994-09-16 Sawafuji Electric Co Ltd Electromagnetic retarder
US5506482A (en) * 1993-08-05 1996-04-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Magnetic focusing system with improved symmetry and manufacturability

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JPH06261412A (en) * 1993-03-05 1994-09-16 Sawafuji Electric Co Ltd Electromagnetic retarder
US5506482A (en) * 1993-08-05 1996-04-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Magnetic focusing system with improved symmetry and manufacturability

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