JPH0219826B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0219826B2
JPH0219826B2 JP57027265A JP2726582A JPH0219826B2 JP H0219826 B2 JPH0219826 B2 JP H0219826B2 JP 57027265 A JP57027265 A JP 57027265A JP 2726582 A JP2726582 A JP 2726582A JP H0219826 B2 JPH0219826 B2 JP H0219826B2
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JP
Japan
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group
formula
quinoid
carbon atoms
compound
Prior art date
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Application number
JP57027265A
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English (en)
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JPS57156461A (en
Inventor
Josefu Sutofuko Junia Jon
Jooji Kuneitsupu Kenesu
Jeemusu Sononsutein Terii
Marukomu Reihitaa Ruisu
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3M Co
Original Assignee
Minnesota Mining and Manufacturing Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Minnesota Mining and Manufacturing Co filed Critical Minnesota Mining and Manufacturing Co
Publication of JPS57156461A publication Critical patent/JPS57156461A/ja
Publication of JPH0219826B2 publication Critical patent/JPH0219826B2/ja
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/80[b, c]- or [b, d]-condensed
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Indole Compounds (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】 本発明は電子䟛䞎性化合物である新芏化合物ず
これら新芏化合物を結合剀䞭に含む新芏の光導電
性電荷移動transport局ずに関するものであ
る。 これらの局は電子写真たたは電子ラゞオグラフ
むのような画像圢成系に斌お特に有甚である。 電子写真の技術は商業的によく確立されおい
る。広範な方法ず装眮が甚いられおいるが、それ
らは共通的に倚くの特城をも぀おいる。 この技術のより共通的な圢の䞀぀は、䞀般には
䞀぀の導電局䞊にコヌテむングされた光導電性絶
瞁局をも぀䞀枚の感光板を䜿甚するこずを含んで
いる。画像圢成は光導電性局の衚面にたず均䞀に
静電的に荷電させ、次いで、この荷電局を掻性化
電磁茻射線、通垞は可芖線たたは玫倖線の䞀぀の
像たたは暡様ぞ露出させるこずによ぀お実斜され
る。この露光は光導電性絶瞁䜓の被照射領域に斌
おその電荷を遞択的に消滅させる。非照射領域内
に残留する電荷は朜像を圢成し、これはさらに露
光した像たたは暡様のより氞久的な蚘録を圢成す
るよう凊理されおよい。远加的凊理の最も通垞的
な圢は物質粒子を荷電領域ぞ遞択的にひき぀ける
こず、及びそれらを光導電性局ぞ融着させるかた
たは画像状に分垃した粒子を別の衚面ぞ移動しお
それらを粒子自身の接着たたは融着によ぀おより
氞久的に結合させるこず、を含んでいる。通垞の
電子写真構造は、順次に、基䜓、導電性局、及び
光導電性絶瞁䜓を含む。 電子写真に斌お有甚である光導電性物質の代衚
的な皮類は、硫化カドミりム、硫セレン化カ
ドミりム、セレン化カドミりム、硫化亜鉛、酞化
亜鉛、及びそれらの混合物、のような無機質結晶
性光導電䜓、無定圢のセレニりム、セレニり
ム合金、及びセレニりム−砒玠、のような無機質
の光導電性ガラス、䞊びに、フタロシアニン
顔料ずポリビニルカルバゟヌルのような有機質の
光導電䜓、を結合剀䞊びに色感床の範囲をひろげ
る添加剀ず䞀緒かたたはそれらを䜵甚しないで含
んでいる。これらの系は圓該技術に斌およく知ら
れおいる。䟋えば、米囜特蚱第3877935号は結晶
性及び無定圢の皮類の光導電䜓に関連する各皮の
問題を論じおおり、そしお光導電性局ずしお結合
剀䞭に倚栞キノン顔料を䜿甚するこずを瀺しおい
る。米囜特蚱第3824099号は電子写真構成ずしお
スク゚アリツク酞squaric acidメチン増感材
料ずトリアリヌルピラゟリン電荷移動物質の䜿甚
を瀺しおいる。硫セレン化カドミりムの感光板は
米囜特蚱第3764315号に斌お瀺されおおり、ポリ
−−ビニルカルバゟヌルを光導電性絶瞁䜓ずし
お䜿甚するこずのはじめおの開瀺の䞀぀が米囜特
蚱第3037861号に斌お提䟛されおいる。キノン及
びアンスロンのようなカルバゟヌル玚の光導電䜓
の開発䟋えば、ハダシらのBull.chem.Soc.
Japan第39巻1966幎、1670〜1673頁以来、
数倚くの有機質光導電䜓が開瀺されおきたが、し
かし、カルバゟヌルは最倧の泚目を集め続けおき
た。 光導電性局から光励起されたホヌルの泚入を支
持するこずができか぀泚入ホヌルを移動するこず
ができる正電荷移動物質ずしおカルバゟヌルを䜿
甚するこずも特に関連しおいる問題は、この技術
領域に斌おも存圚する。米囜特蚱第4025341号に
瀺されるようなアルデヒドずのカルバゟヌル瞮合
物はオリゎマヌ化する傟向をも぀おいる。このオ
リゎマヌ化は数倚くの問題をひきおこし埗る。圢
成したオリゎマヌ化は均䞀な分子量及びカルバゟ
ヌル含有量をもたないものである。このこずは粟
補に斌お問題をひきおこし、そしお光導電性たた
は荷電領域移動性に斌お望たしくない倉動をおこ
させ埗る。カルバゟヌル構成郚分を含むトリアリ
ヌルメタンXerox Disclosure Jouvnal第
巻、第号、月月 1978幎、第頁に開
瀺はたた酞化に察しお敏感ずなる傟向があり、
この酞化により光導電性絶瞁䜓ずしお䜜甚しない
でむしろ導電䜓ずしお䜜甚するむオン性皮ぞ倉換
される。 日本特蚱公告52−34735はカルバゟヌル有機光
導電䜓物質を開瀺しおおり、この物質は眮換基を
も぀おいおもよく、この眮換基はカルバゟヌルの
オリゎマヌ化を本来的に劚げるものである。この
こずはこの開瀺䞭に認識されおおらず、カルバゟ
ヌルはやはり酞化の問題をかかえおいる。 電子䟛䞎性化合物の新芏な皮類は、が
【匏】たたは 【匏】である匏 をもち、これらの匏に斌お、は脂肪族基、芳銙
族基、たたは脂肪族−芳銙族の混合基であり、
は脂肪族基、芳銙族基、耇玠環基、たたは脂肪族
−芳銙族の混合基である。ここに脂肪族−芳銙族
の混合基ずは、芳銙族橋状基を有する脂肪族基又
は脂肪橋状基を有する芳銙族基で脂肪族郚分ず芳
銙族分ずが混圚しお基を圢成しおいるものをい
う。䟋えばずはアルキル基、ベンゞル基、フ
゚ニル基、ナフチル基、アンスラシル基などで、
アルコキシ基、アミン基、アルキル基、ヒドロキ
シル基、及びハロゲン原子などの各皮眮換䜓をも
぀ものから独立に遞ばれおよい。 これらの化合物は電子䟛䞎性化合物であり、光
導電性の電気的掻性絶瞁局を圢成させるのに有甚
であるこずが芋出された。これらは光導電性絶瞁
局を圢成するよう重合䜓結合剀ず䞀緒に組合わせ
およく、これら化合物は酞玠及びオリゎマヌ化に
察しお敏感床が枛少しおいる。 本発明の新芏化合物はビスベンゟカルバゟヌ
ルであり、匏 によ぀お衚わしおよく、この匏に斌おは
【匏】たたは 【匏】であり、は 脂肪族基、芳銙族基、たたは脂肪族−芳銙族の混
合基であり、は脂肪族基、芳銙族基、たたは脂
肪族−芳銙族の混合基である。 本発明の化合物はすべお、適切な−眮換ベン
ゟ〔〕カルバゟヌルたたはベンゟ〔〕カルバ
ゟヌル【匏】たたは 【匏】を察応する適切 なアルデヒド ず反応させるこずによ぀お合成するこずができ
る。この方法は酞䟋えばHcl觊媒の存圚䞋で
溶剀䟋えば゚タノヌル䞭で実斜するこずがで
きる。反応生成物は単玔な過ず掗滌によ぀お単
離しおよい。䟋えば、觊媒ずしおHClの存圚䞋の
゚タノヌル䞭で11−゚チルベンゟ〔〕カルバゟ
ヌルのベンズアルデヒドずの反応に斌おは、11−
ベンゟ〔〕カルバゟヌルの−䜍眮に斌けるア
ルデヒドの遞択的反応ず反応生成物 の゚タノヌル䞭での䞍溶性のために、−゚チル
−カルバゟヌルずの類䌌反応に斌おおこるような
オリゎマヌ状化孊皮の圢成はおこらない。反応生
成物はたた、メチン基がベンゟカルバゟヌル栞ぞ
結合しおいる䜍眮に察しおオル゜䜍眮に斌お環に
よ぀おメチン基の酞化に察しお安定化される。 ベンゟカルバゟヌル基は−眮換基以倖の䜍眮
に斌お眮換基をも぀おいおよい。本発明のビス
ベンゟカルバゟヌルメタンの合成に斌お反応
剀ずしお䜿甚される眮換ベンゟカルバゟヌル基は
文献䞭でよく報告されおいる。この反応剀の眮換
に察する唯䞀の著しい制玄は、反応剀はベンゟカ
ルバゟヌルのカツプリング䜍眮ベンゟ〔〕に
぀いおの䜍眮ずベンゟ〔〕に぀いおの䜍
眮に斌お眮換されおいないこずである。圓該技
術に斌お既知の眮換基はアルキル、アルコキシ、
ニトロ、ハロゲン、プニル、ナフチル、ベンゞ
ル、などを含む。プニル環は個の炭玠原子
䟋えばベンゟ〔〕䞊ののベンゟ〔〕
䞊の10、個たたは個の炭玠原子䟋え
ば、及びベンゟ〔〕ずベンゟ〔〕の䞊
の架橋甚原子を共有するこずによ぀おベンゟカ
ルバゟヌルぞ融合されおよい。耇玠環ず眮換基䞊
の远加眮換基䟋えば、−ブロモブチル、−゚トキ
シ゚チル〔すなわち、ゞ゚チル゚ヌテル眮換〕、
などが存圚しおよい。奜たしくは眮換基は20個
より少ない炭玠原子をも぀。眮換の䞻効果は本発
明化合物の溶解性特性にある。眮換はベンゟ
〔〕カルバゟヌルの䜍眮ずベンゟ〔〕カル
バゟヌルの䜍眮に斌お最も容易に実斜される
が、しかし䞊蚘のように、他の䜍眮の眮換は圓該
技術に斌およく知られおいる。眮換及び非眮換ベ
ンゟカルバゟヌルは本発明においおは化合物の匏
で眮換を含むものを「基」ず称し、眮換を含たな
いものを「構成郚分」ず称するこずによ぀お区別
するこずにしおいる。 は前述の通り、脂肪族基、芳銙族基、及び脂
肪族−芳銙族の混合基から遞ばれおよい。 これらの基は眮換されおいおもいなくおもよ
い。眮換されおいる堎合には、これらの基は電子
吞匕性眮換基でも蚱容されるけれども電子䟛䞎性
眮換基であるこずが奜たしい。奜たしくは、は
炭玠原子個から20個のアルキル基、奜たしくは
炭玠原子個から20個のアルキル基、プニルた
たはナフチル基のようなアリヌル基プニル基
が奜たしい、アルカリヌル基䟋えばベンゞル基、
䞊びにアリル基、から遞ばれる。甚語「基」を本
発明の実際に斌ける各所で甚語「ラゞカル」ず察
抗させ䜿甚しおいる堎合には、眮換の可胜性がそ
の甚語の定矩の範囲内に含たれるこずを特に意図
しおいる。䟋えば、−アルキルラゞカルは単に
匏−CH2o−CH3であるが、−アルキル基は
−アルキル基䞊の氎玠原子をハロゲン原子、ヒ
ドロキシルラゞカル、アルコキシラゞカル、アル
キルラゞカル、アミンラゞカル、シアノラゞカ
ル、などによ぀お眮換しおもよい。有甚な構成
郚分の特定䟋ぱチル、−ブチル、−プロピ
ル、−メトキシブチル、−クロロプロピル、
−ヒドロキシオクチル、プニル、ベンゞル、
アリル、−゚チルプニル、−タヌシダリ−
ブチルナフチル、−ゞ゚チルアミノプニル、
ステアリル、ドデシル、などである。は20個よ
り少ない炭玠原子をも぀のが奜たしいが。30個た
であるいはそれ以䞊の炭玠をも぀おいおもよい。
この基の䞻芁な圱響は、この基の性質の倉化のた
めに電子的誘導䜜甚がおこる堎合以倖には、化合
物の溶解性にある。 は前述の通り、脂肪族基、芳銙族基、及び脂
肪族−芳銙族の混合基、から遞ばれおよい。これ
らの基は眮換があ぀おもなくおもよい。有甚な構
成郚分の䟋はメチル、゚チル、−ペンチル、ノ
ニル、ステアリル、トリル、アニシル−、
−、及び−、−クロロベンゞル、−ブロ
モベンゞル、−ヒドロキシベンゞル、ベラトリ
ル、む゜ブチル、タヌフタリル、−オクチルオ
キシベンゞル、−ゞメチルアミノプニル、
−ブチル、などである。奜たしい構成郚分は、
プニル、トリル、アニシル、及びベンゞルの基
であり、その理由は入手し易さにある。基のず
きず同じく、この基の䞻芁な圱響は電子的誘導䜜
甚効果に関する以倖はそれら化合物の溶解性にあ
る。は20個たたはそれより少ない炭玠原子をも
぀こずが奜たしいが、30個たでは容易に蚱容でき
る。 圓該技術に斌お知られいる各皮の結合剀は本発
明の電子䟛䞎性化合物にず぀お有甚である。結合
剀が本質的に光孊的透明䜓であり、あるいは化合
物増感たたは非増感のが感応する茻射線の波
長に察しお少くずも透明であるこずがもちろん奜
たしい。有甚な結合剀の䞭には、ポリビニルク
ロラむド、ポリシロキサン、ポリビニルブ
チラヌル、ポリビニルアセテヌト、スチレ
ンアクリロニトリル共重合䜓、ポリアクリレヌ
ト、ポリメタクリレヌト、ポリカヌボネヌト、ポ
リ゚ポキサむド、ポリりレタン、ポリアマむド、
ポリ゚ヌテル、ポリ゚ステル、ポリオレフむン、
䞊びに、ブロツク−、グラフト−、ランダム−、
及び亀互−、のポリマヌ、コポリマヌ、タヌポリ
マヌ、䞊びに、これらの混合物がある。結合剀は
それ自䜓は電気的䞍掻性であるこずが奜たしい。
奜たしい重合性結合剀はポリカヌボネヌト、ポリ
゚ステル、及びスチレンアクリロニトリル共重
合䜓である。コヌテむング助剀、最滑剀、衚面掻
性剀、及びその他の補助剀を組成物ぞ添加しおよ
い。 本発明の材料を電子写真局ずしお䜿甚するに぀
いお、有機質の電子䟛䞎化合物は組成物重量で少
くずも20存圚すべきである。奜たしくは、この
䟛䞎䜓化合物はその局の重量で少くずも25たたは
35存圚すべきであり、局の重量で玄100たで
含んでよく、もちろん増感剀染料を陀倖しおであ
る。増感甚染料は組成物の感床を増倧させる量で
䜿甚すべきである。これは染料の効果的増感量ず
しお定矩される。通垞は10重量たでの量の染料
を䜿甚しおよいが、ある皮の構成では90重量の
染料ず10重量の電子䟛䞎䜓有機化合物で以お考
えるこずができる。0.005重量ほどに少ない量
の染料が有甚であるこずができる。より奜たしい
濃床範囲は重量で0.05ずずの間である。 本発明の感光性材料は光導電性調色剀、光電池
装眮、有機半導䜓、などずしおも有甚であり、そ
しお、重量皋床に䜎い濃床の電子䟛䞎䜓有機
化合物を䜿甚しおもよい。 䟋えば米囜特蚱第3037861号のような圓該技術
で既知の光導電系に察する分光的増感剀はここで
も有甚である。これらの材料は総称的には、鉱
酞、有機カルボン酞、有機スルホン酞、有機ホス
ホン酞、ニトロプノヌル、酞無氎物、金属ハロ
ゲン化物、ハロゲン化硌玠、グモンgumone、
アルデヒド、及びケトン、ずしお分類される。本
出願ず同日付で出願の同時係属米囜出願第
433730543562444357405及び4367274号は、
本発明のベンゟカルバゟヌルをゞスルホン染
料、キノギザリン染料、ポリキノむド及
びポリアンスラキノむド染料、及びむンドレ
ニン染料で以おそれぞれ増感させるこずを開瀺し
おいる。本発明のベンゟカルバゟヌルを増感させ
る際のこれらの染料の効果に関するこれらの諞出
願の開瀺は党䜓ずしお本明现曞の䞀郚ずする。 本発明のベンゟカルバゟヌル−アルデヒド瞮合
生成物は察応するベンゟカルバゟヌルそれ自䜓よ
り良奜な電荷移動材料であるこずが、驚いたこず
に認められたのである。このこずは、䞡分子の電
子的掻性郚分であるのがベンゟカルバゟヌル栞で
あるが故に、驚くべきこずである。ベンゟカルバ
ゟヌルを前蚘瞮合物の堎合より合理的により高い
分子割合で䜿甚するずきでも、瞮合物はより良い
性胜を瀺す。 本発明のこれら各皮の偎面を次の各実斜䟋に斌
お瀺す。 実斜䟋  ビス−5′−−゚チルベンゟ〔〕カル
バゟリルプニル−メタンの合成 還流凝瞮噚及び機械的撹拌噚をずり぀けた䞞底
フラスコの䞭に、22.40.1モルの−゚チ
ルベンゟ〔〕カルバゟヌルず5.30.05モル
のベンズアルデヒドを添加した。mlの濃塩酞で
以お酞性化した200mlの゚タノヌルを次に添加し
た。この混合物を窒玠雰囲気䞋で16時間還流䞋で
撹拌した。䞍溶性で玔癜の生成物を過によ぀お
単離し、100mlの゚タノヌルで掗滌し、真空济䞭
で也燥した。収率は理論蚈算量の95であ぀た。
このものは131℃で溶融分解し、IRスペクトルは
3.46.813.6及び14.2ミクロンの波長にピヌク
を瀺した。 実斜䟋 −17 前実斜䟋の堎合ず実質䞊同等の方法で、本発明
の電子的掻性の電子䟛䞎性化合物を、−゚チル
ベンゟ〔〕カルバゟヌルをベンズアルデヒドに
代る等モルの以䞋のアルデヒドの各々ず瞮合させ
るこずによ぀お埗た。これらのIRスペクトルに
おける特性ピヌク波長は3.46.8及び13.6ミクロ
ンであ぀た。  −トルアルデヒド  −トルアルデヒド  −トルアルデヒド  −アニスアルデヒド  −アニスアルデヒド  −アニスアルデヒド  −クロロベンズアルデヒド  −ブロモベンズアルデヒド 10 −ブロモベンズアルデヒド 11 −ヒドロキシベンズアルデヒド 12 α−ナフトアルデヒド 13 ベラトルアルデヒド 14 −オクチルベンズアルデヒド 15 む゜−ブチルアルデヒド 16 −ノニルアルデヒド 17 タヌフタルアルデヒド 実斜䟋 18−21 実斜䟋の堎合ず実質䞊同等の方法で、カルバ
ゟヌルずアルデヒドずの以䞋の組合せを本発明の
化合物を合成するのに甚いた。 18 ベンゟ〔〕カルバゟヌルずベンズアルデヒ
ド 19 −゚チルベンゟ〔〕カルバゟヌルずベン
ズアルデヒド 20 −゚チルベンゟ〔〕カルバゟヌルず
ベンズアルデヒド 21 −゚チル−−メトキシベンゟ〔〕カル
バゟヌルずベンズアルデヒド 実斜䟋−21に斌お生成した化合物の各々を電
気的䞍掻性の重合䜓結合剀ぞ添加しお正電荷移動
局を圢成した。これらの局は光導電性電荷発生局
䞊に塗垃するこずができ、そしお光導電性局から
の光で発生された泚入ホヌルを支持するこずがで
き、これらのボヌルを移動局を通しお移動するこ
ずを可胜ずしお衚面荷電を遞的に攟電させる。 実斜䟋 22−27 電子写真板を䞉局で構成した。光導電性電荷発
生局を導電性ガラス基䜓䞊に慣甚の蒞気沈着法に
より無定圢セレニりムテルリりム合金95原子
がセレニりムで原子がテルリりムの0.5
ミクロンの厚さで抵抗加熱䜓を甚いおコヌテむン
グした。荷電発生局を次に有機ポリマヌ䞭の電子
䟛䞎性化合物の溶液で以お䞊塗りした。これらの
実斜䟋の各々に斌お、電子䟛䞎性化合物ず暹脂の
量を、実斜䟋に斌お䜿甚した−゚チルベンゟ
カルバゟヌル察ポリ4′−む゜プロピリデン
プニレンカヌボネヌトの4060重量比のモル
比率に関し、䞡者モル比を䞀定に保持するように
倉動させた。この溶液は−ゞクロロ゚タン
䞭の10固䜓溶液ずしお提䟛され、厚さミクロ
ンの也燥した電荷移動局を提䟛するよう最滑時の
厚さが75ミクロンで塗りのばした。各詊料を宀枩
で少くずも12時間、評䟡前に颚也した。 板の各々はスクリヌンドコロナ荷電screened
corona charging装眮により負に荷電させ次い
で90フヌト燭光タングステン照射に曝露させた。 衚面電䜍を静電ボルトメヌタヌを甚いお怜査し
た。その氎準の曝露に斌ける光攟電
photodischargeは本質的には残留電䜍氎準ぞ
瞬間的である。䞊蚘の電子䟛䞎性化合物による、
各皮装眮の成瞟を次の衚に瀺しおいる。攟電パヌ
センテヌゞは初期電䜍から残留電䜍を差匕き初期
電䜍によ぀お陀しお100倍したものである。すな
わち、 Vi−VrVi×100 【衚】 【衚】 ゟヌル
もう䞀぀の評䟡手段ずしお、500nmでの䜎氎準
照射条件䞋に斌ける初期攟電速床のフむヌルド
field䟝存性を枬定した。初期攟電速床は䜎照
射emission limited条件䞋の光泚入
photoinjection効率に比䟋するので、ボヌル
の光泚入photoinjection効率のフむヌルド䟝
存性の盎接的尺床を埗るこずができる。SeTe
䞊の電子䟛䞎䜓化合物19を甚いお、無定圢Seäž­
のフオトゞ゚ネレヌシペンphotogeneration
に察する叀兞的E0.5フむヌルド䟝存性を芳察し
た。これにより、本発明の材料を電荷移動局ずし
お䜿甚するずきには無定圢SeTeからのホヌル
泚入に察する障壁は本質的には存圚しないこずが
確かめられた。 本実斜䟋に埓぀お぀く぀た電子写真装眮は改善
されたれログラフ性胜を瀺し、そしおトヌナヌ粒
子固定化による可芖像圢成に斌お䜿甚可胜であ぀
た。 䞀぀の電子写真装眮を、厚さ玄1.0Όの無定圢
SeTe94原子のSe原子のTe、塩玠
25ppmをグロヌ攟電で枅浄化した可撓性のアル
ミ凊理ポリ゚ステルのり゚ブの䞊ぞ、抵抗加熱法
を甚いお沈着させるこずによ぀おたず぀く぀た。 このSeTe荷電発生局を次にその䞊ぞ、実斜
䟋−12の電子䟛䞎䜓化合物の40重量ずテレフ
タル酞、む゜フタル酞及び゚チレングリコヌルの
コポリ゚ステルであるバむテルPE200の60重量
ずの10固䜓溶液50重量の−ゞクロロ
゚タン50重量のメチレンゞクロラむドでも
぀おさらにコヌテむングした。玄75Όの湿最厚さ
は−7Όの厚さの也燥した移動局コヌテむング
が生じた。 −500ボルトぞ荷電するずき、この電子写真装
眮は第図に瀺す感床特性をもち、図に斌おは感
床は初期電䜍をその半分の倀たで枛らすのに芁す
る䞀定波長での露光の逆数ずしお、䜎照射氎準
゚ミツシペンリミテツド条件で枬定した。 本発明によ぀お぀くられる電子写真装眮は改善
されたれログラフ性胜を瀺し可芖像圢成での䜿甚
に察しお奜たしか぀た。 実斜䟋 28−35 本発明の䟛䞎䜓化合物䞊の眮換基を倉えるこ
ずの効果を評䟡した。次の物質を蚘茉物質の瞮合
によ぀お圢成させた。 【衚】 電子写真装眮をアルミニりム局を䞊にも぀ポリ
゚チレンテレフタレヌト基䜓䞊で圢成させた。
ミクロンの局のペリレンレツド−ゞメチ
ルプニルペリレンレツドをこのアルミニりム
局䞊に蒞着させ、そしお本発明による絶瞁性の光
導電性荷電移動局を玄ミル1.25×10-4の
湿最厚さで塗垃し、也燥した。各局は60重量の
ポリマヌバむテル PE200ポリ゚ステルず40
重量の荷電移動䟛䞎䜓化合物 28 ビス−ベンゟカルバゟヌルプニルメタン
化合物 29 −メトキシ−ビス−ベンゟカルバゟヌルフ
゚ニルメタン化合物21 30 化合物 31 20のビス−ベンゟカルバゟヌルプニルメ
タン化合物ず20の化合物 32 化合物 33 化合物 34 化合物 35 化合物 から成぀た。 これらの各芁玠からの感床枬定デヌタは次衚に
瀺しおいる。はコヌテむングのミクロンでの厚
さを瀺し、枛衰は暗枛衰のであり、スピヌドは
Vo2に達するに必芁な光量でありフヌト−燭光
−秒であり、Trは露光䞭の電圧降䞋に察する時
間恒数であ぀お関係匏 Vre-t/Tr で衚わされ、この匏に斌おは任意の時間に斌け
る電圧であり、Vrは残留電圧であり、は自然
察数ベヌスであり、は露光時間の長さである。 【衚】 実斜䟋 36 電子写真装眮のさらにもう䞀぀の具䜓化に斌
お、電荷発生局をグロヌ攟電で枅浄化され可撓性
のあるアルミニりムで被芆したポリ゚ステルのり
゚ブ厚さ100Όの䞊に抵抗加熱技法を甚いお、
䞉セレン化砒玠As2Se3を玄1.0Όの厚さで真空
蒞着させるこずによ぀お぀く぀た。 このAs2Se3の荷電発生局は次にその䞊に〔40
重量の実斜䟋の電子䟛䞎䜓化合物60重量
のポリ゚ステル〕の〔50重量の−ゞクロ
ロ゚タン50重量のメチレンゞクロラむド〕䞭
の10固䜓溶液を塗垃した。玄ミル125Ό
の湿最時の厚さのコヌテむングにより−10Όの
被膜厚さの也燥した移動局を぀くり出した。 −830ボルトぞ荷電するずき、電子写真装眮は
第図に瀺される感床特性をもち、ここで、感床
は電䜍をその初期倀の80だけ䞋げるのに必芁ず
する䞀定波長で露光の逆数ずしお䜎照射氎準
emision limited条件䞋で枬定する。 本実斜䟋により぀く぀た電子写真装眮は改善さ
れたれログラフ性胜を瀺し、可芖像圢成に利甚す
るこずができる。 本発明の電子䟛䞎䜓化合物は分光的増感材料に
よ぀お増感させるこずができ、そしお具䜓的には
本発明の䞀郚であるポリキノむド増感剀により米
囜特蚱第4134764及び4205005号に斌お開瀺されお
いる。これらの文献は増感剀染料ずしおの光導電
性結合剀䞭のポリキノむド染料アンスラキノむ
ド染料を含むを教瀺しおいる。 これらの染料は次匏 、【匏】及び 【匏】により衚珟しおよく、これらの匏 䞭で、 はキノむドずアンスラキノむドの基から遞ば
れ、 ずR1はキノむドずアンスラキノむドの基か
ら遞ばれ、 R2はキノむド基、アンスラキノむド基、及び
酞玠原子、から遞ばれ、 R3はキノむド基であり、 R4R5及びR6はキノむド基ず酞玠原子ずから
成る皮数から遞ばれるが、ただし、R4R5及び
R6の少くずも䞀぀はキノむド基でなければなら
ない。 キノむド基ずいう甚語はキノむド環すなわち
【匏】をいう。 これらのキノむド基は眮換基をも぀おもよく、 これらの眮換基はカルボニル基に察しおオル゜
䜍眮に斌お塩玠以倖の電子匕抜き性であ぀おはな
らない。すなわち、以䞋の匏を参照するに、眮換
基X1ずX2は以䞋に瀺す通りにのみに独立的に䜍
眮しおよく、 この匏䞭で、X1ずX2は塩玠以倖の電子匕抜性の
基ではない。 個たたは個の眮換基が氎玠原子の代りに存
圚しおもよい。このような眮換基は䟋えば、アル
キル及びアルコキシの基盎鎖たたは分枝状で、
個から20個の炭玠原子数が奜たしい、プニ
ル、プノキシ、ハロプニル、アルキル眮換及
びアルコキシ眮換のプニル眮換基䞊の炭玠原
子数が個から10個、アミノ、ペヌド、ブロモ、
クロロ、カルボキシル、カルバニル、及びアミ
ド、の各基である。 本発明の材料を電子写真局ずしお䜿甚するため
には、電子䟛䞎䜓有機化合物は組成物の少くずも
20重量ずしお存圚すべきである。 奜たしくは、䟛䞎䜓化合物は局の重量で少くず
も25たたは35ずしお存圚すべきであり、そし
お、もちろん増感剀染料を陀倖しお局の重量で
100にたで含んでもよい。増感甚染料は組成物
の感床を増す量で䜿甚すべきである。これは染料
の有効増感量ず定矩する。通垞は10重量たでの
量の染料を䜿甚しおよいが、ある皮の構成では90
重量皋床に倚い染料ず10重量の電子䟛䞎䜓有
機化合物ずで以お考えるこずができる。0.005重
量皋床の少量の染料が有甚であり埗る。より奜
たしい濃床範囲は重量で0.05ずずの間であ
る。 実斜䟋 37 バルク増感した光受容䜓bulk sensitized
photoreceptorを固圢分15重量5.2重量の
ゞキノアンスラキノシクロプロパン、47.4重量
の実斜䟋で぀く぀た化合物、及び47.4重量の
ポリカヌボネヌト暹脂を含む溶液をコヌテむン
グするこずによ぀お぀くり、アルミニりムを蒞着
したポリ゚チレンテレフタレヌトフむルムの䞊ぞ
玄×10-4mの湿最厚さで以おコヌテむングし
た。この詊料を85℃で15分間空気也燥した。この
光受容䜓は正のコロナ攟電により720ボルトぞ荷
電され、タングステンランプぞ0.54フヌト−燭光
−秒の露光により暗枛衰がほずんどなく玄360ボ
ルトぞ荷電が枛少された。なおこの720ボルトの
荷電は露光させるず30秒以内に殆どにな぀た
が、増感染料を含たない光受容䜓においおは枛衰
は200ボルト以内であ぀た。この装眮はたた、高
い荷電受容性、䜎い暗枛衰及び無芖できるサむク
ル時の疲劎、を瀺すこずがわか぀た。 実斜䟋 28 二局匏の光受容䜓photoreseptorをトリキ
ノシクロプロパンずポリビニルブチラヌルず
5050の溶液を−ゞクロロ゚タン䞭の
15重量溶液ずしお、ビス−゚チル−
−ベンゟカルボゟリルプニルメタンずポリカ
ヌボネヌト暹脂ずの5050固䜓溶液で被芆した
アルミ被芆ポリ゚ステルフむルムの䞊ぞさらに䞊
塗りした。詊料を宀枩で䞀倜颚也した。この装眮
は高い荷電受容性、䜎い暗枛衰、無芖できるサむ
クル時の疲劎、䞊びに完党攟電胜力、を瀺した。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  匏 〔匏䞭、は【匏】およ び は〜20個の炭玠原子を有するアルキル
    基、プニル基、ナフチル基たたはベンゞル基を
    衚すから遞ばれた基であり、は芳銙族基を衚
    す〕 で瀺される化合物。  が個〜20個の炭玠原子を有するアルキル
    基である、特蚱請求の範囲の化合物。  がプニルであり、が個〜20個の炭玠
    原子を有する−アルキルである、特蚱請求の範
    囲の化合物。  が【匏】ず 【匏】から遞ばれる 構成郚分である、特蚱請求の範囲〜のいずれ
    か項に蚘茉の化合物。  導電性局、光導電性電荷発生局、および重合
    䜓結合䜓ず 匏 〔匏䞭、は【匏】およ び は〜20個の炭玠原子を有するアルキル
    基、プニル基、ナフチル基たたはベンゞル基を
    衚すから遞ばれた基であり、は芳銙族基を衚
    す〕 で瀺される化合物ずを含んでなる光導電性絶瞁
    局、を順次に含む光導電性芁玠䞊に電気的荷電を
    提䟛し、この荷電した芁玠を茻射線の䞀぀の暡様
    で以お照射しお䞊蚘荷電領域が遞択的に䞊蚘導電
    性局ぞ䌝導されるようにし、そしお䞊蚘芁玠の荷
    電領域たたは非荷電領域のいずれかぞ遞択的に物
    質をひき぀けお像を圢成させる、こずから成る画
    像圢成方法。  匏、【匏】及び 【匏】 〔匏䞭、はキノむド基およびアンスラキノむ
    ド基から遞ばれ、 ずR1はキノむド基およびアンスラキノむド
    基から遞ばれ、 R2はキノむド基、アンスラキノむド基、およ
    び酞玠原子から遞ばれ、 R3はキノむド基であり、そしお、 R4R5およびR6がそれらの少なくずも䞀぀が
    キノむド基でなければならないずいう条件付きで
    キノむド基ず酞玠原子ずから成る皮類から遞ばれ
    る〕 から成るポリキノむド染料ず、 匏 〔匏䞭、は【匏】およ び は〜20個の炭玠原子を有するアルキル
    基、プニル基、ナフチル基たたはベンゞル基を
    衚すから遞ばれた基であり、は芳銙族基を衚
    す〕 で瀺される電子䟛䞎性化合物ずからなる増感され
    た感光性組成物。
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