JPH0219734A - 歪検出器 - Google Patents
歪検出器Info
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- JPH0219734A JPH0219734A JP63169603A JP16960388A JPH0219734A JP H0219734 A JPH0219734 A JP H0219734A JP 63169603 A JP63169603 A JP 63169603A JP 16960388 A JP16960388 A JP 16960388A JP H0219734 A JPH0219734 A JP H0219734A
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Landscapes
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は歪検出器に関するものである。
(従来の技術〕
第1図は例えば特開昭57−211030号公報に示さ
れた従来の歪検出器を示し、1はトルクを受ける輪状の
受動部材、2は受動部材1に帯状に固着され、受動部材
1に印加されたトルクによって発生する内部歪量に応し
て透磁率が変化する。一対の高透磁率軟磁性材からなる
磁歪層、3は各Eil歪層2の外周にそれぞれ設けられ
、その透磁率の変化量を検出する一対の検出コイルであ
る。各磁歪層2は複数個の短冊状素片から構成されてお
り、左右対称に±45°の角度をなすよう配設されてい
る。
れた従来の歪検出器を示し、1はトルクを受ける輪状の
受動部材、2は受動部材1に帯状に固着され、受動部材
1に印加されたトルクによって発生する内部歪量に応し
て透磁率が変化する。一対の高透磁率軟磁性材からなる
磁歪層、3は各Eil歪層2の外周にそれぞれ設けられ
、その透磁率の変化量を検出する一対の検出コイルであ
る。各磁歪層2は複数個の短冊状素片から構成されてお
り、左右対称に±45°の角度をなすよう配設されてい
る。
次に、動作について説明する。受動部材1に外部からト
ルクが印加されると、短面状素片からなる磁歪層2の長
軸方向を主軸とする主応力が発生する。この主応力は例
えば一方の磁歪層2の素片群について引張力であるとす
れば、他方の磁歪層2の素片群については圧縮力である
。一般に、磁歪定数がゼロではない磁性材料に応力が加
わるとその磁気的性質が変化し、結果として透磁率が変
化する。この現象は機械エネルギを電気エネルギに変換
するいわゆる磁歪変換器で使われるものであり、磁性体
を変形させると変形量に応じて透磁率が変化するVll
larl効果に該当する。又、磁歪の大きさを定量的に
表わす量である磁歪常数が正の場合は、引張力が働くと
きに透磁率が増大し、圧縮力が働くときはiS磁率が減
少すること、及び磁歪定数が負の場合にその逆の結果と
なることが知られている。従って、外部より印加された
トルク間に応じた変形を磁歪N2の透磁率変化として検
出し、この透磁率変化を検出コイル3により磁気的イン
ピーダンスの変化として検出することにより、受動部材
lに印加されたトルク量及びこれに伴う歪量を検出する
。
ルクが印加されると、短面状素片からなる磁歪層2の長
軸方向を主軸とする主応力が発生する。この主応力は例
えば一方の磁歪層2の素片群について引張力であるとす
れば、他方の磁歪層2の素片群については圧縮力である
。一般に、磁歪定数がゼロではない磁性材料に応力が加
わるとその磁気的性質が変化し、結果として透磁率が変
化する。この現象は機械エネルギを電気エネルギに変換
するいわゆる磁歪変換器で使われるものであり、磁性体
を変形させると変形量に応じて透磁率が変化するVll
larl効果に該当する。又、磁歪の大きさを定量的に
表わす量である磁歪常数が正の場合は、引張力が働くと
きに透磁率が増大し、圧縮力が働くときはiS磁率が減
少すること、及び磁歪定数が負の場合にその逆の結果と
なることが知られている。従って、外部より印加された
トルク間に応じた変形を磁歪N2の透磁率変化として検
出し、この透磁率変化を検出コイル3により磁気的イン
ピーダンスの変化として検出することにより、受動部材
lに印加されたトルク量及びこれに伴う歪量を検出する
。
上記した従来の歪検出器においては、磁歪層2を゛受動
部材lに接着剤によって固着していた。しかしながら、
接着剤の線膨張係数が受動部材1及び磁歪層2に比べて
大きいために熱応力が発生し易(、この熱応力が歪応力
に加算されるので出力特性の悪化を招いた。又、接着層
の膜厚のバラツキが生じ易く、これによって応力伝播や
熱応力の発生にバラツキを生じ、やはり出力特性の悪化
を招いた。
部材lに接着剤によって固着していた。しかしながら、
接着剤の線膨張係数が受動部材1及び磁歪層2に比べて
大きいために熱応力が発生し易(、この熱応力が歪応力
に加算されるので出力特性の悪化を招いた。又、接着層
の膜厚のバラツキが生じ易く、これによって応力伝播や
熱応力の発生にバラツキを生じ、やはり出力特性の悪化
を招いた。
この発明は上記のような課題を解決するために成された
ものであり、出力特性を改善することができる歪検出器
を得ることを目的とする。
ものであり、出力特性を改善することができる歪検出器
を得ることを目的とする。
この発明に係る歪検出器は、磁歪層を粒径がほぼ同一の
セラミック粒子又は金属粒子を混入したクリーム半田に
よって受動部材に固着したものである。
セラミック粒子又は金属粒子を混入したクリーム半田に
よって受動部材に固着したものである。
この発明におけるクリーム半田は、線膨張係数が受動部
材及び磁歪層と近いために線膨張係数の相違による熱応
力は小さくなる。又、クリーム半田は粒径がほぼ同一の
セラミック粒子又は金属粒子を混入されているために、
クリーム半田層の膜厚が均一となる。
材及び磁歪層と近いために線膨張係数の相違による熱応
力は小さくなる。又、クリーム半田は粒径がほぼ同一の
セラミック粒子又は金属粒子を混入されているために、
クリーム半田層の膜厚が均一となる。
以下、この発明の実施例を図面とともに説明する。第1
図及び第3図はこの発明の第1の実施例による歪検出器
の要部断面図及びその製造方法を示すフローチャートで
ある。第3図において、ステップ10ではアモルファス
磁歪材の脱脂、洗浄、乾燥処理を行う、ステップ11で
は、このアモルファス磁歪材に銅メッキN4を施す。ス
テップ12では、メタルマスクを用いてペースト状の半
田クリーム5を受動部材1に゛塗布し、この半田クリー
ム5にA4zOs+510g+5i2Naなどのセラミ
ック粒子あるいはCu、 AIなどの金属粒子6を混入
し、この半田クリーム5上にアモルファス磁歪材を銅メ
ッキ層4を内側にして位置させる。ステップ13ではこ
の半田クリーム5を加熱した後冷却硬化させ、アモルフ
ァス磁歪材をメッキ154及び半田クリーム5を介して
受動部材lに固着する。ステップ14では、フォトエツ
チング法によりアモルファス磁歪材を選択除去し、シェ
ブロン形状のけ歪層2を形成する。セラミック粒子ある
いは金属粒子6としては、半田クリーム5より線膨張係
数が小さくかつ液相線温度も低いものを用いる。
図及び第3図はこの発明の第1の実施例による歪検出器
の要部断面図及びその製造方法を示すフローチャートで
ある。第3図において、ステップ10ではアモルファス
磁歪材の脱脂、洗浄、乾燥処理を行う、ステップ11で
は、このアモルファス磁歪材に銅メッキN4を施す。ス
テップ12では、メタルマスクを用いてペースト状の半
田クリーム5を受動部材1に゛塗布し、この半田クリー
ム5にA4zOs+510g+5i2Naなどのセラミ
ック粒子あるいはCu、 AIなどの金属粒子6を混入
し、この半田クリーム5上にアモルファス磁歪材を銅メ
ッキ層4を内側にして位置させる。ステップ13ではこ
の半田クリーム5を加熱した後冷却硬化させ、アモルフ
ァス磁歪材をメッキ154及び半田クリーム5を介して
受動部材lに固着する。ステップ14では、フォトエツ
チング法によりアモルファス磁歪材を選択除去し、シェ
ブロン形状のけ歪層2を形成する。セラミック粒子ある
いは金属粒子6としては、半田クリーム5より線膨張係
数が小さくかつ液相線温度も低いものを用いる。
上記した第1の実施例においては、クリーム半田5の線
膨張係数が受動部材1、磁歪層2あるいはメッキ層4と
近いために、線膨張係数の相違による熱応力は小さくな
り、歪検出誤差が印刷され、またメッキ層4のfJIM
も防止される。又、半田クリーム5はほぼ同径の粒子6
の混入により、この粒子6の直径に規制されて膜厚が均
一となり、応力伝播や熱応力の発生が均一となって歪検
出特性にバラツキを生じなくなる。
膨張係数が受動部材1、磁歪層2あるいはメッキ層4と
近いために、線膨張係数の相違による熱応力は小さくな
り、歪検出誤差が印刷され、またメッキ層4のfJIM
も防止される。又、半田クリーム5はほぼ同径の粒子6
の混入により、この粒子6の直径に規制されて膜厚が均
一となり、応力伝播や熱応力の発生が均一となって歪検
出特性にバラツキを生じなくなる。
なお、上記実施例では磁歪N2をアモルファス磁歪材に
より形成したが、パーマロイ(Fe−Ni合金)により
形成してもよい。又、銅メッキの代りにll+メッキを
用いてもよく、またメッキ層4を省略することもできる
。
より形成したが、パーマロイ(Fe−Ni合金)により
形成してもよい。又、銅メッキの代りにll+メッキを
用いてもよく、またメッキ層4を省略することもできる
。
第4図はこの発明の第2の実施例を示し、受動部材1に
もメッキM7を設けたものであり、半田クリーム5によ
る固着性を一層強固にすることができる。
もメッキM7を設けたものであり、半田クリーム5によ
る固着性を一層強固にすることができる。
以上のようにこの発明によれば、受動部材lと磁歪層を
半田クリ“−ムを介して固着しており、半田クリームの
線膨張係数が受動部材及び磁歪層と近いものであるので
、温度変化による熱応力の発生が小さくなり、出力特性
が改善される。又、半田クリームはほぼ同径の粒子の混
入により膜厚が均−となり、応力伝播や熱応力の発生が
均一となり、出力特性のバラツキが改善される。
半田クリ“−ムを介して固着しており、半田クリームの
線膨張係数が受動部材及び磁歪層と近いものであるので
、温度変化による熱応力の発生が小さくなり、出力特性
が改善される。又、半田クリームはほぼ同径の粒子の混
入により膜厚が均−となり、応力伝播や熱応力の発生が
均一となり、出力特性のバラツキが改善される。
第1図及び第3図はこの発明の第1の実施例による歪検
出器の要部断面図及びその製造方法を示すフローチャー
ト、第2図は歪検出器の構成図、第4図はこの発明の第
2の実施例による歪検出器の要部断面図である。 l・・・受動部材、2・・・磁歪層、3・・・検出コイ
ル、4.7・・・メッキ層、5・・・半田クリーム、6
・・・粒子。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 離 業1図 :受動部材 :磁歪層 :メッキ層 :半田クリーム :粒子 第4図 7 :メッキ層 第3図
出器の要部断面図及びその製造方法を示すフローチャー
ト、第2図は歪検出器の構成図、第4図はこの発明の第
2の実施例による歪検出器の要部断面図である。 l・・・受動部材、2・・・磁歪層、3・・・検出コイ
ル、4.7・・・メッキ層、5・・・半田クリーム、6
・・・粒子。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 離 業1図 :受動部材 :磁歪層 :メッキ層 :半田クリーム :粒子 第4図 7 :メッキ層 第3図
Claims (1)
- 外力を受ける受動部材と、受動部材の表面に固着され
た高透磁率軟磁性材からなる磁歪層と、磁歪層の近傍に
配設され、磁歪層の上記外力に応じた歪による透磁率変
化を検出する検出コイルを備えた歪検出器において、磁
歪層を直接又はメッキ層を介して粒径がほぼ同一のセラ
ミック粒子又は金属粒子を混入したクリーム半田によっ
て受動部材に固着したことを特徴とする歪検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63169603A JPH0219734A (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 歪検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63169603A JPH0219734A (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 歪検出器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0219734A true JPH0219734A (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=15889557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63169603A Pending JPH0219734A (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 歪検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0219734A (ja) |
-
1988
- 1988-07-07 JP JP63169603A patent/JPH0219734A/ja active Pending
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