JPH02191954A - X線レジスト - Google Patents
X線レジストInfo
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- JPH02191954A JPH02191954A JP1244689A JP1244689A JPH02191954A JP H02191954 A JPH02191954 A JP H02191954A JP 1244689 A JP1244689 A JP 1244689A JP 1244689 A JP1244689 A JP 1244689A JP H02191954 A JPH02191954 A JP H02191954A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
こ−で、RはH或いはCH3
nは2〜3
台は金属イオン
〔産業上の利用分野〕
本発明はX線レジストの改良に関する。
半導体集積回路の形成には薄膜形成技術と写真蝕刻技術
(フォトリソグラフィ或いは電子線リングラフィ)が多
用されており、これらの技術の進歩によって半導体単位
素子は益々微細化され、LS■やVLS Iのような集
積回路が製造されている。
(フォトリソグラフィ或いは電子線リングラフィ)が多
用されており、これらの技術の進歩によって半導体単位
素子は益々微細化され、LS■やVLS Iのような集
積回路が製造されている。
すなわち、配線パターンについて言えば、被処理基板上
に形成した配線形成材料からなる薄膜の上にレジストを
被覆し、これに必要とするパターン精度に応じて、紫外
線、電子線、X線などの光を選択的に照射して感光せし
め、ポジ型レジストを用いる場合は光照射部の有機化合
物が分解して現像液に可溶となり、またネガ型レジスト
を用いる場合は光照射部に架橋が生じて現像液に不溶と
なる現象を利用してレジストパターンを形成する。
に形成した配線形成材料からなる薄膜の上にレジストを
被覆し、これに必要とするパターン精度に応じて、紫外
線、電子線、X線などの光を選択的に照射して感光せし
め、ポジ型レジストを用いる場合は光照射部の有機化合
物が分解して現像液に可溶となり、またネガ型レジスト
を用いる場合は光照射部に架橋が生じて現像液に不溶と
なる現象を利用してレジストパターンを形成する。
次に、このレジストパターンをマスクとして被処理基板
にドライエツチング或いはウェットエツチングを行うこ
とにより、被処理基板上に微細な導体線路が形成されて
いる。
にドライエツチング或いはウェットエツチングを行うこ
とにより、被処理基板上に微細な導体線路が形成されて
いる。
本発明は最も微細なパターン形成に使用するX線レジス
トに関するものである。
トに関するものである。
〔従来の技術]
半導体集積回路は集積化が進んでLSIやVLSTが実
用化されているが、これは導体線路や電極などの微細化
により実現されたものであり、現在では最小パターン幅
が1μm未満(サブミクロン)のものまで実用化されて
いる。
用化されているが、これは導体線路や電極などの微細化
により実現されたものであり、現在では最小パターン幅
が1μm未満(サブミクロン)のものまで実用化されて
いる。
こ−で、微細なレジストパターンを形成する露光光源と
して当初は紫外線露光が行われていたが、波長による制
限から最小線幅が約1.5μmに制限されてしまう。
して当初は紫外線露光が行われていたが、波長による制
限から最小線幅が約1.5μmに制限されてしまう。
そこで、これに代わって電子線またはX線による露光が
注目されるようになっており、これに使用するレジスト
の開発が要望されている。
注目されるようになっており、これに使用するレジスト
の開発が要望されている。
こ−で、電子線レジストとしてはEBR−9(東しの商
品名)やクロロメチル化ポリスチレン(略称CMS)等
があり、電子線に対して実用的な感度を有しているがX
線に対しては充分ではない。
品名)やクロロメチル化ポリスチレン(略称CMS)等
があり、電子線に対して実用的な感度を有しているがX
線に対しては充分ではない。
その理由は、X線が透過性が強いためであり、高域度の
X線レジストを得るためにはレジストのX線吸収率を向
上することが必要である。
X線レジストを得るためにはレジストのX線吸収率を向
上することが必要である。
現在のX線レジストは先に記したように電子線レジスト
を使用しているが感度が充分ではなく、露光に長時間を
要している。
を使用しているが感度が充分ではなく、露光に長時間を
要している。
そこで、高感度のX線レジストを実用化することが課題
である。
である。
〔課題を解決するための手段]
上記の課題はフォトレジスト、電子線レジストなどの感
放射線レジストに下記−綴代で示される(メタ)アクリ
ル酸金属塩モノマー或いはこの変性オリゴマーを混合し
てX線レジストを構成することにより解決することがで
きる。
放射線レジストに下記−綴代で示される(メタ)アクリ
ル酸金属塩モノマー或いはこの変性オリゴマーを混合し
てX線レジストを構成することにより解決することがで
きる。
(CHz =CCO+−TM ・・・(1)■
こ−で、RはH或いはClI
nは2〜3
門は金属イオン
[作用]
先に記したようにX線は紫外線や電子線に較べて透過性
が強いために、高域度のX線レジストを得るためにはレ
ジストのX線吸収率を向上することが必要である。
が強いために、高域度のX線レジストを得るためにはレ
ジストのX線吸収率を向上することが必要である。
従来は電子線レジスト(例えばポリクロロメチル化スチ
レン(略称CMS) 、 ジアリルオルトフタル酸ポ
リマー(略称PDOP) 、ポリグリシジルメタクリレ
ート(略称PGMA)など)を流用する方法が採られて
いるが、何れもX線に対しては充分な感度を示していな
い。
レン(略称CMS) 、 ジアリルオルトフタル酸ポ
リマー(略称PDOP) 、ポリグリシジルメタクリレ
ート(略称PGMA)など)を流用する方法が採られて
いるが、何れもX線に対しては充分な感度を示していな
い。
そこで、本発明は金属がX線を吸収することから、これ
を可溶性な塩の形とした(メタ)アクリル酸金属塩モノ
マー或いはその変性オリゴマーを使用するものであるが
、このま−でレジストとして使用することはできないの
で、従来のフォトレジストや電子線レジストなどの感放
射線レジストに混合して使用するものである。
を可溶性な塩の形とした(メタ)アクリル酸金属塩モノ
マー或いはその変性オリゴマーを使用するものであるが
、このま−でレジストとして使用することはできないの
で、従来のフォトレジストや電子線レジストなどの感放
射線レジストに混合して使用するものである。
こ\で、金属塩の形成材料として(メタ)アクリル酸を
使用する理由は、溶剤に溶けやすいこと\、ビニル基の
ような易1重合性の二重結合をもっているので変性が容
易なことによる。
使用する理由は、溶剤に溶けやすいこと\、ビニル基の
ような易1重合性の二重結合をもっているので変性が容
易なことによる。
このように(メタ)アクリル酸金属塩上ツマ−或いはそ
の変性オリゴマーを使用すると、従来のレジストが炭化
水素を主成分として構成されているため、X線が容易に
透過してしまうのに対し、本発明に係るレジストには金
属元素が含まれているためにX線の吸収が起こり、従っ
て高感度化が達成される。
の変性オリゴマーを使用すると、従来のレジストが炭化
水素を主成分として構成されているため、X線が容易に
透過してしまうのに対し、本発明に係るレジストには金
属元素が含まれているためにX線の吸収が起こり、従っ
て高感度化が達成される。
実施例1:(メタアクリル酸金属塩モノマー使用例)
電子線ネガ型レジストである分子量が約20,000の
ポリジアリルオルトフタル酸(P[1OP)にメタクノ
ル酸亜鉛を5重量%添加し、キシレン溶液とした。
ポリジアリルオルトフタル酸(P[1OP)にメタクノ
ル酸亜鉛を5重量%添加し、キシレン溶液とした。
このレジスト液をシリコン(St)ウェハ上に1.0μ
mの厚さに塗布し、80゛Cで30分プリベークした後
、X線を照射し、キシレンを用いて30秒間現像した。
mの厚さに塗布し、80゛Cで30分プリベークした後
、X線を照射し、キシレンを用いて30秒間現像した。
その結果、闇値感度(Eth)として130 mJ/c
+++2の感度を得ることができ、これはPDOPの感
度が約150 mJ/cm2であるのに較べ、約20
mJ/cm2の感度上昇となった。
+++2の感度を得ることができ、これはPDOPの感
度が約150 mJ/cm2であるのに較べ、約20
mJ/cm2の感度上昇となった。
実施例2: (アクリル酸金属塩変性オリゴマー使用例
) 電子線ネガ型レジストであるトリアリルイソシアヌレー
ト(TA fc)をメチルセルソルブアセテート(MC
A)に溶解して20重量%の溶液とし、これにアクリル
酸亜鉛変性オリゴマーの50重量%キシレン溶液を加え
、20重景%のオリゴマーを含む溶液を得た。
) 電子線ネガ型レジストであるトリアリルイソシアヌレー
ト(TA fc)をメチルセルソルブアセテート(MC
A)に溶解して20重量%の溶液とし、これにアクリル
酸亜鉛変性オリゴマーの50重量%キシレン溶液を加え
、20重景%のオリゴマーを含む溶液を得た。
このレジスト液をSi基板上にスピンコードした後、1
05°C,20分のプレベークを行い、厚さが1゜0
pmのレジスト膜を得た。
05°C,20分のプレベークを行い、厚さが1゜0
pmのレジスト膜を得た。
次に、X線を照射した後、メチルエチルケトン(MEK
) :エチルアルコール(EtO)I) =6 : 1
を現像液として70秒現像した結果、Eいとして50
mJ/cm2の感度を得ることができた。
) :エチルアルコール(EtO)I) =6 : 1
を現像液として70秒現像した結果、Eいとして50
mJ/cm2の感度を得ることができた。
なお、レジスト膜がTAICのみの場合+ELhは80
mJ/cm”であり、約30 mJ/cm2の感度上昇
となった。
mJ/cm”であり、約30 mJ/cm2の感度上昇
となった。
実施例3: (アクリル酸金属塩変性オリゴマー使用例
) 実施例2において、アクリル酸亜鉛変性オリゴマーの代
わりにアクリル酸カルシウム変性オリゴマーを用いて同
様の実験を行った結果、Eいとして50 mJ/cm2
の感度を得ることができた。
) 実施例2において、アクリル酸亜鉛変性オリゴマーの代
わりにアクリル酸カルシウム変性オリゴマーを用いて同
様の実験を行った結果、Eいとして50 mJ/cm2
の感度を得ることができた。
実施例4: (アクリル酸金属塩変性オリゴマー使用例
) 電子線ネガ型レジストであるクロロメチル化スチレン(
CMS)のキシレン溶液にアクリル酸亜鉛変性オリゴマ
ーの50重量%キシレン溶液を加え、20重量%のオリ
ゴマーを含む溶液を得た。
) 電子線ネガ型レジストであるクロロメチル化スチレン(
CMS)のキシレン溶液にアクリル酸亜鉛変性オリゴマ
ーの50重量%キシレン溶液を加え、20重量%のオリ
ゴマーを含む溶液を得た。
このレジスト液をSi基板上にスピンコードした後、9
0°Cで20分のブレベークを行い、厚さが1.0μm
のレジスト膜を得た。
0°Cで20分のブレベークを行い、厚さが1.0μm
のレジスト膜を得た。
次に、X線を照射した後、アセトン:イソプロピルアル
コール(IPA) =4 : 1を現像液として60秒
現像した結果、Ethとして30 mJ/cm2の感度
を得ることができ、これは無添加の場合の約2倍の感度
であった。
コール(IPA) =4 : 1を現像液として60秒
現像した結果、Ethとして30 mJ/cm2の感度
を得ることができ、これは無添加の場合の約2倍の感度
であった。
(メタ)アクリル酸七ツマ−或いはその変性オリゴマー
を感放射線レジストに混合する本発明の実施により、X
線に対して高感度のレジストを実用化することができる
。
を感放射線レジストに混合する本発明の実施により、X
線に対して高感度のレジストを実用化することができる
。
Claims (2)
- (1)感放射線レジストに一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(1) こゝで、RはH或いはCH_3 nは2〜3 Mは金属イオン で示される(メタ)アクリル酸金属塩モノマーを混合し
てなることを特徴とするX線レジスト。 - (2)感放射線レジストに(メタ)アクリル酸金属塩変
性オリゴマーを混合してなることを特徴とするX線レジ
スト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1244689A JPH02191954A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | X線レジスト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1244689A JPH02191954A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | X線レジスト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02191954A true JPH02191954A (ja) | 1990-07-27 |
Family
ID=11805553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1244689A Pending JPH02191954A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | X線レジスト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02191954A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1993016412A1 (en) * | 1992-02-13 | 1993-08-19 | Board Of Regents, The University Of Texas System | New nonsilver x-ray recording process |
US7535100B2 (en) | 2002-07-12 | 2009-05-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Wafer bonding of thinned electronic materials and circuits to high performance substrates |
US20120202153A1 (en) * | 2011-02-09 | 2012-08-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
KR20170039224A (ko) * | 2014-09-02 | 2017-04-10 | 후지필름 가부시키가이샤 | 비화학 증폭형 레지스트 조성물, 비화학 증폭형 레지스트막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
-
1989
- 1989-01-20 JP JP1244689A patent/JPH02191954A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1993016412A1 (en) * | 1992-02-13 | 1993-08-19 | Board Of Regents, The University Of Texas System | New nonsilver x-ray recording process |
US5364739A (en) * | 1992-02-13 | 1994-11-15 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Nonsilver x-ray recording process |
US7535100B2 (en) | 2002-07-12 | 2009-05-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Wafer bonding of thinned electronic materials and circuits to high performance substrates |
US20120202153A1 (en) * | 2011-02-09 | 2012-08-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
KR20170039224A (ko) * | 2014-09-02 | 2017-04-10 | 후지필름 가부시키가이샤 | 비화학 증폭형 레지스트 조성물, 비화학 증폭형 레지스트막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
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