JPH02190484A - 軟磁性膜被覆基体の製造法 - Google Patents
軟磁性膜被覆基体の製造法Info
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- JPH02190484A JPH02190484A JP734689A JP734689A JPH02190484A JP H02190484 A JPH02190484 A JP H02190484A JP 734689 A JP734689 A JP 734689A JP 734689 A JP734689 A JP 734689A JP H02190484 A JPH02190484 A JP H02190484A
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Landscapes
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- Magnetic Heads (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は磁気記録再生ヘッド、垂ＩＩ！磁気記録媒体な
どの基体として用いられる軟磁性膜被覆基体の製造法に
間する。
どの基体として用いられる軟磁性膜被覆基体の製造法に
間する。
〈従来の技術〉
近年の磁気記録技術の発達は目を見張るものがあり、金
属薄ｌｌｌ′ｆ１１気記録媒体と薄膜磁気記録再生ヘッ
ドの組合せにより、その記録密度は３．５インチザイズ
のハードディスクで１枚当りｌＯメガバイトから２０メ
ガバイトそして４０メガバイトへと急激に上昇している
。
属薄ｌｌｌ′ｆ１１気記録媒体と薄膜磁気記録再生ヘッ
ドの組合せにより、その記録密度は３．５インチザイズ
のハードディスクで１枚当りｌＯメガバイトから２０メ
ガバイトそして４０メガバイトへと急激に上昇している
。
ここで用いられる薄膜磁気記録再生ヘッドは導電コイル
層を絶＃層でおおい、その表面にＦｅ−Ｎｉなとの軟磁
性膜を形成したものである。 この軟磁性膜はとくに
表面の平滑性が要求されている。
層を絶＃層でおおい、その表面にＦｅ−Ｎｉなとの軟磁
性膜を形成したものである。 この軟磁性膜はとくに
表面の平滑性が要求されている。
また、記＠密度の上昇は磁気ディスクに面内方向の記録
を高密度に行なうことによフても達成されるが、更に記
録密度を上げ３．５インチサイズハードディスク１枚当
り１００メガバイト以上の記録密度を得るためには、垂
直記録方式が検討されている。
を高密度に行なうことによフても達成されるが、更に記
録密度を上げ３．５インチサイズハードディスク１枚当
り１００メガバイト以上の記録密度を得るためには、垂
直記録方式が検討されている。
垂直磁気記録媒体においては垂直磁気異方性を持つ磁性
膜（例えばコバルト−クロム合金）の下に磁束通過層と
しての軟磁性膜が使用されている。
膜（例えばコバルト−クロム合金）の下に磁束通過層と
しての軟磁性膜が使用されている。
この軟磁性膜は高い透磁率をを持つのみならず。
磁気ディスクと記録ヘッドとの間の走行安定性を保つた
めにもある程度の厚み、硬さを持ち、更に夷好な表面性
を持っていなければならない。
めにもある程度の厚み、硬さを持ち、更に夷好な表面性
を持っていなければならない。
このような軟磁性膜の形成法として電気メッキ法（文献
： 小俣雄二ほか； 金属表面技術、第３４巻 Ｎｏ、
６．３０９頁、 １９８３）、＠電解メッキ法、スパ
ッタリング法（文献： 特開昭 ５４−５１８０４号公
報）などが用いられている。
： 小俣雄二ほか； 金属表面技術、第３４巻 Ｎｏ、
６．３０９頁、 １９８３）、＠電解メッキ法、スパ
ッタリング法（文献： 特開昭 ５４−５１８０４号公
報）などが用いられている。
中でも電気メッキ法は十分な磁気特性を保持し適当な厚
み及び硬さを持つ軟磁性膜を短時間で形成することがで
きることから、軟磁性膜の作成法としてよく用いられて
いる。
み及び硬さを持つ軟磁性膜を短時間で形成することがで
きることから、軟磁性膜の作成法としてよく用いられて
いる。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかし、軟磁性膜を電気メッキ法で被覆形成しようとす
る場合、いくつかの問題を生ずる。
る場合、いくつかの問題を生ずる。
まず２表面性の問題がある。軟磁性膜被覆基体を磁気デ
ィスクの製造に用いる場合、磁気ディスクと記録ヘッド
との走行安定性を考えると、磁気ディスク基板の表面は
中心線表面粗さ（Ｒａ）０゜０１μｍ以下の鏡面となフ
ていなければならず。
ィスクの製造に用いる場合、磁気ディスクと記録ヘッド
との走行安定性を考えると、磁気ディスク基板の表面は
中心線表面粗さ（Ｒａ）０゜０１μｍ以下の鏡面となフ
ていなければならず。
電気メッキ法でこのような表面性を得るためには。
光沢剤濃度など多くのパラメーターを最適条件に制御し
ておかなければならず、その制御は煩雑である。
ておかなければならず、その制御は煩雑である。
次に膜厚分布の問題がある。電気メッキでは被メッキ物
の電位の微妙な変化で膜厚分布ができやすく、その分布
は平均膜厚の２０％になることもある。磁気ディスクと
して機能させるためには膜厚分布の標準偏差は平均膜厚
の５％以下であることが要求される。
の電位の微妙な変化で膜厚分布ができやすく、その分布
は平均膜厚の２０％になることもある。磁気ディスクと
して機能させるためには膜厚分布の標準偏差は平均膜厚
の５％以下であることが要求される。
く課題を解決するための手段〉
前記のような問題点を解決するため本発明者らは種々の
検討を行なった結果、電気メッキ法により軟磁性膜を設
ける前に無電解メッキ法によりニッケル含有非磁性膜を
設けることに−よって、被メッキ物の微小部分における
電位分布が小さくなることにより、メッキの均一性が向
上するので表面性が飛躍的に向上し、膜厚分布が小さく
なり、また表面性向上に関わる光沢剤（以下、第２光沢
剤）の消費量も少なくすることができることを見い出し
本発明に到達した。
検討を行なった結果、電気メッキ法により軟磁性膜を設
ける前に無電解メッキ法によりニッケル含有非磁性膜を
設けることに−よって、被メッキ物の微小部分における
電位分布が小さくなることにより、メッキの均一性が向
上するので表面性が飛躍的に向上し、膜厚分布が小さく
なり、また表面性向上に関わる光沢剤（以下、第２光沢
剤）の消費量も少なくすることができることを見い出し
本発明に到達した。
すなわち２本発明は非磁性基材上に無電解メッキ法によ
りニッケル含有非磁性膜を形成し、その表面に電気メッ
キ法により軟磁性膜を形成することを特徴とする軟磁性
膜被覆基体の製造法である。
りニッケル含有非磁性膜を形成し、その表面に電気メッ
キ法により軟磁性膜を形成することを特徴とする軟磁性
膜被覆基体の製造法である。
以下２本発明の軟磁性膜被覆基体について詳しく説明す
る１本発明に於て非磁性基材とはアルミ合金、ポリカー
ボネート、イミド樹脂、ポリエステル樹脂などを使用目
的に応じた形状に加工したものである。必要に応じその
表面を硬化するための処理を行なう、非導電性基材の場
合は基体に応じた導電性付与処理を行なう。
る１本発明に於て非磁性基材とはアルミ合金、ポリカー
ボネート、イミド樹脂、ポリエステル樹脂などを使用目
的に応じた形状に加工したものである。必要に応じその
表面を硬化するための処理を行なう、非導電性基材の場
合は基体に応じた導電性付与処理を行なう。
メッキのための基材の表面処理は公知の方法で行なう２
例えばアルミニウム合金の場合は、アルカリ性界面活性
剤による脱脂、酸性界面活性剤による活性化、硝酸浸漬
によるスマットの除去、ジンケート置換、ジンケート剥
離、再ジンケート置換（ダブルジンケート処理）の順に
処理を行なかニッケル含有非磁性膜としては、Ｎ１−Ｐ
、Ｎ１−Ｂ＋ Ｎ１−Ｃｕ−Ｐなどがあり、これらの
膜を無電解メッキ法により形成する。膜の厚さは基材表
面全体がちょうど覆われる程度が好ましく、平均１００
ないし５００人がとくにこのましい、このニッケル含有
非磁性膜の形成は通常の無電解メッキ法よりも穏やかな
条件で行なうことが望ましい。
例えばアルミニウム合金の場合は、アルカリ性界面活性
剤による脱脂、酸性界面活性剤による活性化、硝酸浸漬
によるスマットの除去、ジンケート置換、ジンケート剥
離、再ジンケート置換（ダブルジンケート処理）の順に
処理を行なかニッケル含有非磁性膜としては、Ｎ１−Ｐ
、Ｎ１−Ｂ＋ Ｎ１−Ｃｕ−Ｐなどがあり、これらの
膜を無電解メッキ法により形成する。膜の厚さは基材表
面全体がちょうど覆われる程度が好ましく、平均１００
ないし５００人がとくにこのましい、このニッケル含有
非磁性膜の形成は通常の無電解メッキ法よりも穏やかな
条件で行なうことが望ましい。
（例えば、Ｎ１−ＰｃＤ場合７０℃Ｘ３０秒）軟磁性膜
としては Ｎ１−Ｆｅ（パーマロイ）。
としては Ｎ１−Ｆｅ（パーマロイ）。
Ｎｉ−Ｆｅ−Ｉｎ、 Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ、 Ｎｉ−
Ｆｅ−Ｎｏ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｍｎなと目的に応じた種類の
金属膜を電気メッキ法により形成する。
Ｆｅ−Ｎｏ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｍｎなと目的に応じた種類の
金属膜を電気メッキ法により形成する。
電気メッキ液の組成は１通常の光沢ニッケルメッキに用
いられるワット浴に鉄塩を加えたものを基本としこれに
鉄イオンの安定剤、皮膜の内部応力を緩和させる光沢剤
（第１光沢剤）、皮膜の表面性を向上させる光沢剤（第
２光沢剤）、補助光沢剤、界面活性剤を加えたものが好
ましい。
いられるワット浴に鉄塩を加えたものを基本としこれに
鉄イオンの安定剤、皮膜の内部応力を緩和させる光沢剤
（第１光沢剤）、皮膜の表面性を向上させる光沢剤（第
２光沢剤）、補助光沢剤、界面活性剤を加えたものが好
ましい。
電気メッキの条件は通常のワット浴による光沢ニッケル
メッキに準じたものが好ましく、メッキ液温度は６７±
３℃、ｐＨは３．３±０．３ 電流密度は４ないし６
Ａ／ｄ麿２が好ましい。
メッキに準じたものが好ましく、メッキ液温度は６７±
３℃、ｐＨは３．３±０．３ 電流密度は４ないし６
Ａ／ｄ麿２が好ましい。
実施例１
第１図に本実施例により形成された磁気ディスク基板の
断面図を示す。
断面図を示す。
本実施例ではダブルジンケートまでの工程は公知のアル
ミ磁気ディスク用基板の前処理方法を採用した。すなわ
ち、まずアルミ合金円盤 ｌ にアルカリ脱脂、酸活性
化、硝酸浸漬処理を順次行ない、ダブルジンケート法に
よりちみつな亜鉛膜 ２を形成した。 引き続いて、
７０℃に加温した市販のＮ１−Ｐ無電解メッキ液（Ｎｉ
：６ｇ／ｌ、Ｐ：３５ｇ／ｌ）に３０秒浸漬することに
よりニッケル含有非磁性膜３ として約３００人（ＤＮ
ｉ−Ｐ皮膜 （Ｎｉ：９０Ｘ、Ｐ：ｌＯχ讐／讐）を形
成し、その上にただちに Ｎ ｉ −Ｆ ｅ電気メッキ
液（Ｎｉ：３５ｇ／ｌ、Ｆｅ：２ｇ／ｌ）中で電流密度
４．３ Ａ ／ ｄａ２で３０分電気メッキを行なうこ
とによりＮ ｉ −Ｆ ｅ合金（Ｎｉニア５Ｘ、Ｆｅ２
５１ ｗ／ｗ）からなる軟磁性膜 ４ を約１５μｍの
厚さで形成した。
ミ磁気ディスク用基板の前処理方法を採用した。すなわ
ち、まずアルミ合金円盤 ｌ にアルカリ脱脂、酸活性
化、硝酸浸漬処理を順次行ない、ダブルジンケート法に
よりちみつな亜鉛膜 ２を形成した。 引き続いて、
７０℃に加温した市販のＮ１−Ｐ無電解メッキ液（Ｎｉ
：６ｇ／ｌ、Ｐ：３５ｇ／ｌ）に３０秒浸漬することに
よりニッケル含有非磁性膜３ として約３００人（ＤＮ
ｉ−Ｐ皮膜 （Ｎｉ：９０Ｘ、Ｐ：ｌＯχ讐／讐）を形
成し、その上にただちに Ｎ ｉ −Ｆ ｅ電気メッキ
液（Ｎｉ：３５ｇ／ｌ、Ｆｅ：２ｇ／ｌ）中で電流密度
４．３ Ａ ／ ｄａ２で３０分電気メッキを行なうこ
とによりＮ ｉ −Ｆ ｅ合金（Ｎｉニア５Ｘ、Ｆｅ２
５１ ｗ／ｗ）からなる軟磁性膜 ４ を約１５μｍの
厚さで形成した。
本実施例で作成した磁気ディスク基板の表面粗さを表面
粗さ計（ランク・テーラーホブソン社タリサーフ６型）
で測定したところ、最大高さ（Ｒｓ＋ａｘ）は０．０３
μｍ、 中心線平均粗さ（Ｒａ）は０．００８μｍで
ありほぼ完全な鏡面状態を示した。
粗さ計（ランク・テーラーホブソン社タリサーフ６型）
で測定したところ、最大高さ（Ｒｓ＋ａｘ）は０．０３
μｍ、 中心線平均粗さ（Ｒａ）は０．００８μｍで
ありほぼ完全な鏡面状態を示した。
また軟磁性膜のディスク面内での膜厚をβ線後方散乱膜
厚計（ヘルムート・フィッシャー社 ８５０型）により
測定したところその標準偏差は１．０μｍであった・ 更に９本実施例の方法で電気メッキの直前に無電解メッ
キ法によりＮ１−Ｐ膜を形成い 第２光沢剤の補充を行
なわずに同一のメッキ液で、Ｎ１−Ｆｅ軟磁性膜の電気
メッキを１０回連続して行なった後の磁気ディスク基板
の表面粗さの変化を調べたところ９表及び第２図に示す
ように表面粗さの悪化はほとんど見られなかった。
厚計（ヘルムート・フィッシャー社 ８５０型）により
測定したところその標準偏差は１．０μｍであった・ 更に９本実施例の方法で電気メッキの直前に無電解メッ
キ法によりＮ１−Ｐ膜を形成い 第２光沢剤の補充を行
なわずに同一のメッキ液で、Ｎ１−Ｆｅ軟磁性膜の電気
メッキを１０回連続して行なった後の磁気ディスク基板
の表面粗さの変化を調べたところ９表及び第２図に示す
ように表面粗さの悪化はほとんど見られなかった。
本実施例における第２光沢剤の消費量を液体クロマトグ
ラブ法によって求めたところ Ｏ，ＯＩ＋＊ｌ／ＡＨ以
下であった。
ラブ法によって求めたところ Ｏ，ＯＩ＋＊ｌ／ＡＨ以
下であった。
実施例２
本実施例ではダブルジンケートまでの工程は実施例１と
同じにした。 次に、 ８０℃に加温したＮ ｉ −
Ｃｕ−Ｐ無電解メッキ液（Ｎｉ：４．５ｇ／Ｉ、Ｃｕ：
１．０ｇ／ｌ、Ｐ：３５ｇ／Ｉ）に４５秒浸漬し、約３
００人の Ｎｉ −Ｃｕ −Ｐ 皮膜（Ｎｉ：５０！
、Ｃｕ：４５！、Ｐ：５％ ｗ／ｗ）を形成い その上
にただちにＮ ｉ −Ｆ ｅ電気メッキ液中で電流密度
４．３Ａ／ｄｍ２で３０分電気メッキを行なうことに
より＋ Ｎ ｌ −Ｆ ｅ合金（Ｎｉニア５χ、Ｆｅ
：２５１ ｖ／ν）からなる軟磁性膜を約１５μｍ形成
した。
同じにした。 次に、 ８０℃に加温したＮ ｉ −
Ｃｕ−Ｐ無電解メッキ液（Ｎｉ：４．５ｇ／Ｉ、Ｃｕ：
１．０ｇ／ｌ、Ｐ：３５ｇ／Ｉ）に４５秒浸漬し、約３
００人の Ｎｉ −Ｃｕ −Ｐ 皮膜（Ｎｉ：５０！
、Ｃｕ：４５！、Ｐ：５％ ｗ／ｗ）を形成い その上
にただちにＮ ｉ −Ｆ ｅ電気メッキ液中で電流密度
４．３Ａ／ｄｍ２で３０分電気メッキを行なうことに
より＋ Ｎ ｌ −Ｆ ｅ合金（Ｎｉニア５χ、Ｆｅ
：２５１ ｖ／ν）からなる軟磁性膜を約１５μｍ形成
した。
本実施例で作成した磁気ディスク基板の表面粗さを実施
例１と同じようにして測定したところ。
例１と同じようにして測定したところ。
最大高さ（Ｒｗａｘ）はＱ、０４μｍ、 中心線平均
粗さ（Ｒａ）は０．０１０ｕｍであった。
粗さ（Ｒａ）は０．０１０ｕｍであった。
また軟磁性膜のディスク面内での膜厚を実施例１と同じ
ように測定したところその標準偏差は１・２μｍであっ
た。
ように測定したところその標準偏差は１・２μｍであっ
た。
更に９本実施例の方法で電気メッキの直前に無電解メッ
キ法によりＮ ｉ −Ｃｕ−Ｐ膜を形成し、第２光沢剤
の補充を行なわずに同一のメッキ液でＮｉ −Ｆ ｅ軟
磁性膜を１０回連続して電気メッキしメッキ後の表面粗
さの変化を１１べたところ２表及び第２図に示すように
層面粗さの悪化はほとんど見られなかった。
キ法によりＮ ｉ −Ｃｕ−Ｐ膜を形成し、第２光沢剤
の補充を行なわずに同一のメッキ液でＮｉ −Ｆ ｅ軟
磁性膜を１０回連続して電気メッキしメッキ後の表面粗
さの変化を１１べたところ２表及び第２図に示すように
層面粗さの悪化はほとんど見られなかった。
本実施例における第２光沢剤の消費量はＯ，Ｏ１＋ｔ／
ＡＨ以下であフた 比較例 本比較例ではダブルシンケートまでの工程は実施例１．
２と同じにした。その上に実施例と同じ組成のＮｉ−Ｆ
ｅ電気メッキ液中、電流密度４．３Ａ／ｄｓ２で３０分
閏電気メッキを行ない＋Ｎｉ−Ｆｅ合金からなる軟磁性
膜を約１５μｍ形成した。
ＡＨ以下であフた 比較例 本比較例ではダブルシンケートまでの工程は実施例１．
２と同じにした。その上に実施例と同じ組成のＮｉ−Ｆ
ｅ電気メッキ液中、電流密度４．３Ａ／ｄｓ２で３０分
閏電気メッキを行ない＋Ｎｉ−Ｆｅ合金からなる軟磁性
膜を約１５μｍ形成した。
本比較例で作成した磁気ディスク基板の表面粗さを測定
したところ、１に大高さ（Ｒｍａｘ）は０．３０ ｐ
ｍ、 中心線平均粗さ（Ｒａ）は０．０３２μｍであ
った。
したところ、１に大高さ（Ｒｍａｘ）は０．３０ ｐ
ｍ、 中心線平均粗さ（Ｒａ）は０．０３２μｍであ
った。
また軟磁性膜のディスク面内での膜厚を測定したところ
その標準偏差は４μｍであった。
その標準偏差は４μｍであった。
更に１本実施例の方法で、９Ａ２光沢剤の補充を行なわ
ずに同一のメッキ液で＋Ｎｉ−Ｆｅ軟磁性膜を１０回連
続して電気メッキしメッキ後の磁気デび第２図に示すよ
うに表面粗さは大きく悪化し１０回の連続めっきを行な
ったところ、中心線平均粗さは０．１μｍを越え、研磨
により鏡面加工を施すことができる限界を越えた。
ずに同一のメッキ液で＋Ｎｉ−Ｆｅ軟磁性膜を１０回連
続して電気メッキしメッキ後の磁気デび第２図に示すよ
うに表面粗さは大きく悪化し１０回の連続めっきを行な
ったところ、中心線平均粗さは０．１μｍを越え、研磨
により鏡面加工を施すことができる限界を越えた。
本比較例における第２光沢剤の消費量は０．２５■１／
ＡＨであった２ 〈発明の一７果〉 以上、説明したように、非磁性基材上に無電解メッキ法
によりニッケル含有非磁性膜を形成したのち軟磁性膜の
電気メッキを行なうことにより。
ＡＨであった２ 〈発明の一７果〉 以上、説明したように、非磁性基材上に無電解メッキ法
によりニッケル含有非磁性膜を形成したのち軟磁性膜の
電気メッキを行なうことにより。
軟磁性膜の表面性及び膜厚分布を大幅に改善することが
でき、更に良好な表面性を維持するのに必要な第２光沢
剤の消費量を減少させることができる。
でき、更に良好な表面性を維持するのに必要な第２光沢
剤の消費量を減少させることができる。
男
第１図は実施例の磁気ディスク基板の断面図。
第２図は実施例と比較例における連続メッキ時の表面粗
さの変化を示すグラフである。 符号 １、アルミ合金円盤 ２、亜鉛膜（ジンケート膜） ３、ニッケル含有非磁性膜 ４、軟磁性膜
さの変化を示すグラフである。 符号 １、アルミ合金円盤 ２、亜鉛膜（ジンケート膜） ３、ニッケル含有非磁性膜 ４、軟磁性膜
Claims (1)
- １、非磁性基材上に無電解メッキ法によりニッケル含有
非磁性膜を形成し、その表面に電気メッキ法により軟磁
性膜を形成することを特徴とする軟磁性膜被覆基体の製
造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP734689A JPH02190484A (ja) | 1989-01-14 | 1989-01-14 | 軟磁性膜被覆基体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP734689A JPH02190484A (ja) | 1989-01-14 | 1989-01-14 | 軟磁性膜被覆基体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02190484A true JPH02190484A (ja) | 1990-07-26 |
Family
ID=11663388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP734689A Pending JPH02190484A (ja) | 1989-01-14 | 1989-01-14 | 軟磁性膜被覆基体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02190484A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012046712A1 (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-12 | 東洋鋼鈑株式会社 | ハードディスク用基板の製造方法及びハードディスク用基板 |
-
1989
- 1989-01-14 JP JP734689A patent/JPH02190484A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012046712A1 (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-12 | 東洋鋼鈑株式会社 | ハードディスク用基板の製造方法及びハードディスク用基板 |
| US8940419B2 (en) | 2010-10-07 | 2015-01-27 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Method for production of hard disk substrate and hard disk substrate |
| JP5705230B2 (ja) * | 2010-10-07 | 2015-04-22 | 東洋鋼鈑株式会社 | ハードディスク用基板の製造方法及びハードディスク用基板 |
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