JPH02184273A - High-frequency heating device - Google Patents

High-frequency heating device

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Publication number
JPH02184273A
JPH02184273A JP1004258A JP425889A JPH02184273A JP H02184273 A JPH02184273 A JP H02184273A JP 1004258 A JP1004258 A JP 1004258A JP 425889 A JP425889 A JP 425889A JP H02184273 A JPH02184273 A JP H02184273A
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JP
Japan
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capacitor
transistor
resonant
circuit
voltage
Prior art date
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Pending
Application number
JP1004258A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Daisuke Betsusou
大介 別荘
Naoyoshi Maehara
前原 直芳
Takahiro Matsumoto
松本 孝広
Shigeru Kusuki
楠木 慈
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH02184273A publication Critical patent/JPH02184273A/en
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Abstract

PURPOSE:To restrict a spike voltage and improve the reliability of the title device by connecting a capacitor in parallel to the transistor of an inverter circuit. CONSTITUTION:A high-frequency heating device is driven by changing the high AC voltage of a boosting transformer 20 into a high DC voltage through a voltage doubling rectifier 10 and impressing it on a magnetron 11. The device is provided with a resonance circuit 7 consisting of a resonant inductance 6 used both for the primary winding of said transformer 20, a resonant capacitor 5, and a transistor 8 switching in a driving circuit 13 by a resonance frequency. In this case, another capacitor 12 is connected in parallel to the transistor 8 to form said resonance circuit 7 by the capacitor 12.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はインバータ回路を有する高周波加熱装置に関す
るものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a high frequency heating device having an inverter circuit.

従来の技術 以下、従来の技術を図面を参照して説明する。Conventional technology The conventional technology will be explained below with reference to the drawings.

第3図は従来の高周波加熱!I@の回路構成を示す回路
図である。第3図において、商用電源1は整流器2で直
流に変換され、インダクタ3とコンデンサ4で構成され
るフィルタを通して共振回路7に印加される。コンデン
サ4はリップルを持った前記直流を平滑する役目もする
。共振回路7は共振用コンデンサ5と共振用インダクタ
6との並列回路からなり、共振用インダクタ6は昇圧ト
ランス20の1次巻線を兼ねている。この共振回路7に
接続されたインダクタ14は部品の配線などによって生
じる寄生のインダクタタンスである。トランジスタ8は
共振回路7の共振用インダクタ6および共振用コンデン
サ5の値で決まる共振周波数でスイッチングすることに
より共振回路7の共振動作を持続させている。トランジ
スタ8の駆動回路13は、共振回路7の共振周波数でト
ランジスタ8がスイッチングするように、そのベースに
信号を供給している。トランジスタ8のコレクタと工ミ
ッタ間にはダイオード18が並列に接続されている。共
振回路7の共振用インダクタ6が1次巻線を兼ねている
昇圧トランス20は、共振用インダクタ6の電圧を昇圧
し、その2次巻Io9に交流高電圧を発生させている。
Figure 3 shows conventional high-frequency heating! FIG. 2 is a circuit diagram showing the circuit configuration of I@. In FIG. 3, a commercial power source 1 is converted into direct current by a rectifier 2, and is applied to a resonant circuit 7 through a filter composed of an inductor 3 and a capacitor 4. The capacitor 4 also serves to smooth the DC current having ripples. The resonant circuit 7 is made up of a parallel circuit of a resonant capacitor 5 and a resonant inductor 6, and the resonant inductor 6 also serves as the primary winding of the step-up transformer 20. The inductor 14 connected to the resonant circuit 7 is a parasitic inductance caused by wiring of components. The transistor 8 maintains the resonant operation of the resonant circuit 7 by switching at a resonant frequency determined by the values of the resonant inductor 6 and the resonant capacitor 5 of the resonant circuit 7. The drive circuit 13 of the transistor 8 supplies a signal to its base so that the transistor 8 switches at the resonant frequency of the resonant circuit 7. A diode 18 is connected in parallel between the collector of the transistor 8 and the emitter. The step-up transformer 20, in which the resonant inductor 6 of the resonant circuit 7 also serves as a primary winding, steps up the voltage of the resonant inductor 6, and generates an AC high voltage in its secondary winding Io9.

この交流高電圧は倍電圧整流回路10で直流高電圧に変
換され、この直流高電圧はマグネトロン11に印加され
、マグネトロン11を駆動してマイクロ波を発生させる
。このマイクロ波は導波管により高周波加熱H1ifの
オープン庫内に導びかれ、オーブン庫内の食品にマイク
ロ波を供給して食品の加熱調理を行う。
This AC high voltage is converted into a DC high voltage by the voltage doubler rectifier circuit 10, and this DC high voltage is applied to the magnetron 11 to drive the magnetron 11 and generate microwaves. This microwave is guided into the open chamber of the high-frequency heating H1if by a waveguide, and is supplied to the food in the oven to heat and cook the food.

発明が解決しようとする課題 しかしながら、このような高周波加熱装置では、以下に
述べるような課題があった。
Problems to be Solved by the Invention However, such high frequency heating devices have the following problems.

第3図に示す回路におけるトランジスタ8のコレクタと
エミッタ間に印加される電圧VCE と、コレクタに流
れるコレクタ電流1cおよびダイオード18に流れるダ
イオード電流りの波形を第4図に示す。第4図(b)に
示すように、コレクタ電圧Veiの波形は共振波形とな
っており、正弦波に近い波形となっている。しかし、ト
ランジスタ8がオフした瞬間にスパイク電圧5ffi発
生している。このスパイク電圧Sは非常に大きいもので
あり、このためトランジスタ8のコレクタ8Cが耐圧破
壊してしまうという問題があった。
FIG. 4 shows the waveforms of the voltage VCE applied between the collector and emitter of transistor 8, the collector current 1c flowing through the collector, and the diode current flowing through diode 18 in the circuit shown in FIG. As shown in FIG. 4(b), the waveform of the collector voltage Vei is a resonant waveform, which is close to a sine wave. However, the moment the transistor 8 turns off, a spike voltage 5ffi is generated. This spike voltage S is very large, and therefore there is a problem in that the collector 8C of the transistor 8 breaks down withstand voltage.

このスパイク電圧Sが発生する原因を第5図を用いて説
明する。第5図は第3図の回路図における平清用のコン
デンサ4、共振用コンデンサ5、共振用インダクタ6、
寄生インダクタ14、トランジスタ8を抜き出して簡素
化して表わした回路図である。トランジスタ8がオフす
る瞬間は共振用インダクタ6にエネルギーが蓄えられて
おり、トランジスタ8がオフの期間はループ電流15に
示す共振電流を流そうとする。しかしながら、部品の配
線などのために、トランジスタ8と共振回路7との間に
寄生のインダクタ14が存在することになり、トランジ
スタ8がオンの状態のとき、寄生インダクタ14を通し
てトランジスタ8のコレクタに電流が流れているため、
トランジスタ8がオフした瞬間には第4図に示すスパイ
ク電圧Sがトランジスタ8のコレクタ8C&:発生して
しまう。この寄生のインダクタンス14は部品の配線な
どによって生じるために、完全になくすことは非常に困
難であり、したがって、トランジスタ8のコレクタ8C
に発生するスパイク電圧を防止することは非常に困難で
あるという問題があった。
The cause of this spike voltage S will be explained using FIG. 5. Figure 5 shows the capacitor 4 for Hiraisei, the capacitor 5 for resonance, the inductor 6 for resonance in the circuit diagram of Figure 3,
2 is a simplified circuit diagram with a parasitic inductor 14 and a transistor 8 extracted. FIG. At the moment when the transistor 8 is turned off, energy is stored in the resonant inductor 6, and during the period when the transistor 8 is turned off, a resonant current shown as a loop current 15 attempts to flow. However, due to component wiring, etc., a parasitic inductor 14 exists between the transistor 8 and the resonant circuit 7, and when the transistor 8 is on, current flows through the parasitic inductor 14 to the collector of the transistor 8. is flowing, so
At the moment when the transistor 8 is turned off, a spike voltage S shown in FIG. 4 is generated at the collector 8C&: of the transistor 8. This parasitic inductance 14 is caused by component wiring, etc., so it is very difficult to eliminate it completely.
There has been a problem in that it is very difficult to prevent spike voltages from occurring.

本発明は上記g1rJiを解決するもので、スパイク電
圧によるインバータ回路のトランジスタの耐圧破壊がな
い高周波加熱装置を提供することを目的とするものであ
る。
The present invention solves the above-mentioned g1rJi, and aims to provide a high-frequency heating device that does not cause voltage breakdown of transistors in an inverter circuit due to spike voltage.

課題を解決するための手段 上記1題を解決するために本発明の高周波加熱装置は、
共振用コンデンサと共振用インダクタの並列共振回路と
トランジスタとを有するインバータ回路において、前記
インバータ回路のトランジスタと並列にコンデンサを設
ける構成としかつ前記トランジスタと並列に設けた前記
コンデンサの容量値を、前記共振回路の共振用コンデン
サの容量値よりも小さくする構成としたものである。
Means for Solving the Problems In order to solve the above problem, the high frequency heating device of the present invention has the following features:
In an inverter circuit having a parallel resonant circuit of a resonant capacitor and a resonant inductor, and a transistor, a capacitor is provided in parallel with the transistor of the inverter circuit, and the capacitance value of the capacitor provided in parallel with the transistor is determined by the resonance This configuration is such that the capacitance value is smaller than the capacitance value of the resonance capacitor of the circuit.

作用 上記構成により、共振用コンデンサと共振用インダクタ
の並列共振回路とトランジスタを有するインバータ回路
において、部品の配線などによって寄生インダクタが存
在するために、トランジスタがオフした瞬間にトランジ
スタのコレクタに発生するスパイク電圧は前記トランジ
スタと並列に接続されたコンデンサにより抑制され、ス
パイク電圧によるトランジスタの耐圧破壊は防止される
Effect With the above configuration, in an inverter circuit that has a parallel resonant circuit of a resonant capacitor and a resonant inductor, and a transistor, a spike occurs at the collector of the transistor the moment the transistor is turned off due to the presence of a parasitic inductor due to component wiring, etc. The voltage is suppressed by a capacitor connected in parallel with the transistor, thereby preventing voltage breakdown of the transistor due to spike voltage.

また、前記インバータ回路のトランジスタと並列に設け
たコンデンサの容量値を、前記共振回路の共振用コンテ
・ンサの容量値よりも小さなものにすることにより、直
流のリップルを平滑する平清用コンデンサに回生ずる高
周波電流が低減され、平滑用コンデンサの高周波損失を
、前記共振回路の共振用コンデンサの高周波損失より小
さなものにできる。
Furthermore, by making the capacitance value of the capacitor provided in parallel with the transistor of the inverter circuit smaller than the capacitance value of the resonant capacitor of the resonant circuit, the capacitor can be used as a clearing capacitor for smoothing DC ripples. The regenerated high frequency current is reduced, and the high frequency loss of the smoothing capacitor can be made smaller than the high frequency loss of the resonance capacitor of the resonant circuit.

実施例 以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
EXAMPLE Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例である高周波加熱装置の回路
図である。第1図において、商用電源1は整流器2で整
流されて直流に変換され、この直流はインダクタ3とコ
ンデンサ4からなるローパスフィルタを通じて、共振用
コンデンサ5と共振用インダクタ6からなる共振回路7
に印加される。
FIG. 1 is a circuit diagram of a high frequency heating device which is an embodiment of the present invention. In FIG. 1, a commercial power source 1 is rectified by a rectifier 2 and converted into direct current, and this direct current is passed through a low-pass filter consisting of an inductor 3 and a capacitor 4 to a resonant circuit 7 consisting of a resonant capacitor 5 and a resonant inductor 6.
is applied to

コンデンサ4は整流器2で整流された直流の脈流を平滑
する役目もする。共振用インダクタ6は昇圧トランス2
0の1次巻線を兼ねている。トランジスタ8は共振回路
7で決まる共振周波数faの周波数でスイッチングする
ことにより共振回路7の共振を持続させている。昇圧ト
ランス20は1次巻線である共振用インダクタ6と2次
巻線9とからなり、1次巻線、すなわち共振用インダク
タ6の電圧を昇圧して2次巻線9に交流高電圧を発生す
る。この交流高電圧は(8電圧整流回路10で直流高電
圧に変換され、この直流高電圧はマグネトロン11に印
加され、マグネトロン11を駆動している。
The capacitor 4 also serves to smooth the pulsating DC current rectified by the rectifier 2. Resonant inductor 6 is step-up transformer 2
It also serves as the primary winding of 0. The transistor 8 maintains the resonance of the resonant circuit 7 by switching at a resonant frequency fa determined by the resonant circuit 7. The step-up transformer 20 consists of a resonant inductor 6 as a primary winding and a secondary winding 9. The step-up transformer 20 boosts the voltage of the primary winding, that is, the resonant inductor 6, and applies an AC high voltage to the secondary winding 9. Occur. This AC high voltage is converted into a DC high voltage by an 8-voltage rectifier circuit 10, and this DC high voltage is applied to the magnetron 11 to drive the magnetron 11.

トランジスタ8にはコンデンサ12が並列に接続されて
おり、このコンデンサ12は共振用コンデンサ5、共振
用インダクタ6とともに共振回路7を形成し、コンデン
サ12の容量値C2は共振用コンデンサ5の容量値C1
よりも小さな値とされている。
A capacitor 12 is connected in parallel to the transistor 8, and this capacitor 12 forms a resonant circuit 7 together with a resonant capacitor 5 and a resonant inductor 6, and the capacitance value C2 of the capacitor 12 is equal to the capacitance value C1 of the resonant capacitor 5.
It is considered to be a smaller value.

このような構成の共振回路の共振周波数foは、共振用
インダクタ6の自己インダクタンスをし1とすると次式
のように表される。すなわち、トランジスタ8の駆動回
路13は上記共振周波数でトランジスタ8をスイッチン
グするためのベース信号を供給する。寄生インダクタ1
4は部品の配線により生じる寄生のインダクタであり、
この寄生インダクタ14を完全になくすことは非常に困
難である。
The resonant frequency fo of the resonant circuit having such a configuration is expressed by the following equation, assuming that the self-inductance of the resonant inductor 6 is 1. That is, the drive circuit 13 of the transistor 8 supplies a base signal for switching the transistor 8 at the above-mentioned resonant frequency. Parasitic inductor 1
4 is a parasitic inductor caused by component wiring,
It is extremely difficult to completely eliminate this parasitic inductor 14.

次に、上記構成における作用を説明する。Next, the operation of the above configuration will be explained.

第2図は、トランジスタ8がオフしたときの共振電流の
流れを表わした簡略回路図である。共振電流は二通りの
流れ方をする。一つの流れは、共振用コンデンサ5と共
振用インダクタ6でできる閉ループを流れるループ電流
15であり、もう一つの流れは、共振用インダクタ6、
寄生インダクタ14、コンデンサ72を通り、平滑用の
コンデンサ4に回生ずる回生電流16である。トランジ
スタ8がオフする時点までは共振用インダクタ6にエネ
ルギーが蓄えられており、トランジスタ8がオフすると
、共振用インダクタ6に蓄えられていたエネルギーは共
振用コンデンサ5に伝達されて共振動作となる。これが
ループ電流15で表される。また、共振用インダクタ6
に蓄えられているエネルギーの一部は寄生インダクタ1
4を通り、コンデンサ12を介して平滑用のコンデンサ
4に伝達される。これが回生電流16で表される。
FIG. 2 is a simplified circuit diagram showing the flow of resonant current when transistor 8 is turned off. Resonant current flows in two ways. One flow is the loop current 15 flowing through the closed loop formed by the resonant capacitor 5 and the resonant inductor 6, and the other flow is the loop current 15 flowing through the closed loop formed by the resonant inductor 6 and the resonant inductor 6.
This is a regenerative current 16 that passes through the parasitic inductor 14 and the capacitor 72 and is regenerated to the smoothing capacitor 4. Energy is stored in the resonant inductor 6 until the transistor 8 is turned off, and when the transistor 8 is turned off, the energy stored in the resonant inductor 6 is transmitted to the resonant capacitor 5, resulting in a resonant operation. This is represented by loop current 15. In addition, the resonance inductor 6
Part of the energy stored in the parasitic inductor 1
4 and is transmitted to the smoothing capacitor 4 via the capacitor 12. This is represented by regenerative current 16.

共振回路7の共振周波数foは前述したように(1)式
で表わされ、共振周波数foが20 K tl z以上
の周波数になるように、共振用インダクタ6、共振用コ
ンデンサ5、およびコンデンサ12の値が決められてい
る。共振周波数f、が20KHzより低くなると、可聴
周波数の領域に入り、昇圧トランス20の振動音が人間
の耳に聞こえるため、共振回路7の共振周波数faは2
0に82以上の周波数に選ばれている。
As mentioned above, the resonant frequency fo of the resonant circuit 7 is expressed by equation (1), and the resonant inductor 6, the resonant capacitor 5, and the capacitor 12 are connected so that the resonant frequency fo becomes a frequency of 20 K tl z or more. The value of is determined. When the resonant frequency f becomes lower than 20 KHz, it enters the audible frequency range and the vibration sound of the step-up transformer 20 can be heard by human ears, so the resonant frequency fa of the resonant circuit 7 becomes 2.
0 is selected as a frequency of 82 or higher.

コンデンサ12が無い従来の場合は、先に述べたように
寄生インダクタ14のためにトランジスタ8がオフする
瞬間にトランジスタ8のコレクタ8Cにスパイク電圧が
発生し、トランジスタ8を破壊することがあった。
In the conventional case without the capacitor 12, as described above, a spike voltage is generated at the collector 8C of the transistor 8 at the moment the transistor 8 is turned off due to the parasitic inductor 14, which may destroy the transistor 8.

しかし、第1図のようにトランジスタ8に並列にコンデ
ンサ12を接続すると、トランジスタ8がオフした瞬間
は、共振用インダクタ6に蓄えられたエネルギーの一部
が寄生インダクタ14を通り、さらにコンデンサ12を
介して平滑用のコンデンサ4にもどるループをとる。こ
のために寄生インダクタ14によりトランジスタ8のコ
レクタ8Cに発生するスパイク電圧はコンデンサ12に
よっておさえられ、トランジスタ8を耐圧破壊すること
がなくなる。しかしながら、コンデンサ12を設けるこ
とにより、トランジスタ8がオフの期間に回生電流16
が平滑用のコンデンサ4に流れ、この回生電流16は、
共振回路7の共振用インダクタ6、共振用コンデンサ5
、コンデンサ12の大きさによって決まる共振周波数、
すなわち周波数が20KHz以上の高周波の電流である
。このようにトランジスタ8のオフの期間に平滑用のコ
ンデンサ4に周波数が20KHz に<上の高周波の回
生電流16が流れるために、コンデンサ4の高周波損失
が増大する。
However, if a capacitor 12 is connected in parallel to the transistor 8 as shown in FIG. A loop is made to return to the smoothing capacitor 4 through the capacitor 4. Therefore, the spike voltage generated at the collector 8C of the transistor 8 by the parasitic inductor 14 is suppressed by the capacitor 12, and the voltage breakdown of the transistor 8 is prevented. However, by providing the capacitor 12, the regenerative current 16 is generated during the period when the transistor 8 is off.
flows into the smoothing capacitor 4, and this regenerative current 16 is
Resonant inductor 6 and resonant capacitor 5 of resonant circuit 7
, the resonant frequency determined by the size of the capacitor 12,
That is, it is a high frequency current with a frequency of 20 KHz or more. In this manner, since the high frequency regenerative current 16 with a frequency of 20 KHz flows through the smoothing capacitor 4 during the period when the transistor 8 is off, the high frequency loss of the capacitor 4 increases.

トランジスタ8がオフしたときのループ電流15と回生
電流16の大きさの割合は、共振用コンデンサ5の容量
値C1とコンデンサ12の容量値C2により次式で表わ
される。
The ratio of the magnitudes of the loop current 15 and the regenerative current 16 when the transistor 8 is turned off is expressed by the following equation using the capacitance value C1 of the resonance capacitor 5 and the capacitance value C2 of the capacitor 12.

したがってコンデンサ12の容量値C2を大きくすると
、ループ電流が大きくなるので、平滑用のコンデンサ4
の高周波損失が増大する。このため、コンデンサ12の
容量値C2を共振用コンデンサ5の容量値C1より大き
くすると、共振用コンデンサ5の高周波損失よりも、平
滑用のコンデンサ4の高周波損失の方が大きくなってし
まうので好ましくない。しかしながら、共振用コンデン
サ5の容量&!iCt と、コンデンサ12の容量値C
2の関係は C1>02           ・・・(3)とされ
ているため、平滑用のコンデンサ4の高周波損失を共振
用コンデンサ5の高周波損失よりも小さくできる。
Therefore, if the capacitance value C2 of the capacitor 12 is increased, the loop current increases, so the smoothing capacitor 4
High frequency loss increases. Therefore, if the capacitance value C2 of the capacitor 12 is made larger than the capacitance value C1 of the resonance capacitor 5, the high frequency loss of the smoothing capacitor 4 will become greater than the high frequency loss of the resonance capacitor 5, which is not preferable. . However, the capacitance of the resonance capacitor 5 &! iCt and the capacitance value C of capacitor 12
2 is C1>02 (3), so the high frequency loss of the smoothing capacitor 4 can be made smaller than the high frequency loss of the resonance capacitor 5.

発明の効果 以上に述べたように本発明によれば、インバータ回路に
おいてトランジスタと並列にコンデンサを接続するので
、部品の配線などによって生じる寄生のインダクタによ
り、トランジスタがオフする瞬間に生じるスパイク電圧
を抑制することができてトランジスタの耐圧破壊は防止
され、信頼性を向上できる。
Effects of the Invention As described above, according to the present invention, since a capacitor is connected in parallel with a transistor in an inverter circuit, it is possible to suppress the spike voltage that occurs at the moment the transistor turns off due to parasitic inductors caused by component wiring, etc. As a result, voltage breakdown of the transistor can be prevented and reliability can be improved.

また、マグネトロンの管内放電によるトランジスタに発
生する異常電圧を抑えることもできてトランジスタの絶
縁破壊をも防ぐことができ、信頼性が一層向上する。
Furthermore, it is possible to suppress the abnormal voltage generated in the transistor due to the tube discharge of the magnetron, and it is also possible to prevent dielectric breakdown of the transistor, further improving reliability.

さらに、トランジスタと並列に接続するコンデンサの容
11Czと共振用コンデンサの容量値C1との関係を0
2<CI とすることにより、平滑用のコンデンサの高
周波損失を、共熾用コンデンサの高周波損失よりも小さ
くすることができる。
Furthermore, the relationship between the capacitance 11Cz of the capacitor connected in parallel with the transistor and the capacitance value C1 of the resonance capacitor is set to 0.
By setting 2<CI, the high frequency loss of the smoothing capacitor can be made smaller than the high frequency loss of the smoothing capacitor.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例における高周波加熱装置の回
路図、第2図は第1図の回路図の要部を抜き出し簡素化
した回路図、第3図は従来の高周波加熱装置の回路図、
第4図g(a)、(b)は同従来の高周波加熱Iffの
トランジスタに印加する電圧および流れる電流の波形を
示す波形図、第5図は第3図の回路図の要部を抜き出し
簡素化した回路図である。 1・・・商用電源、2・・・整流器、4・・・平滑用コ
ンデンサ、5・・・共振用コンデンサ、6・・・共振用
インダクタ、7・・・共振回路、8・・・トランジスタ
、11・・・マグネトロン、12・・・コンデンサ、1
4・・・寄生インダクタ、20・・・弁圧トランス。 代理人   森  本  義  弘 第1図 /−l商用電源 2−整j詑メ 4 “平滑mり2う′ンリ 5・・・共J辰mり〉デ>ザ 6= 只U&哨イ〉ダクタ 7一 只お支回Σ4 B−トラ〉ジλり 11・−マグネトロン fz−フ〉テ°′)′ワ′ 14・有すインターフタ 20 刀−6トラ〉ヌ
Fig. 1 is a circuit diagram of a high-frequency heating device according to an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a simplified circuit diagram by extracting the main parts of the circuit diagram of Fig. 1, and Fig. 3 is a circuit diagram of a conventional high-frequency heating device. figure,
Figures 4g(a) and (b) are waveform diagrams showing the waveforms of the voltage applied to the transistor of the conventional high-frequency heating Iff and the flowing current, and Figure 5 is a simplified diagram with the main parts of the circuit diagram in Figure 3 extracted. FIG. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Commercial power supply, 2... Rectifier, 4... Smoothing capacitor, 5... Resonant capacitor, 6... Resonant inductor, 7... Resonant circuit, 8... Transistor, 11... Magnetron, 12... Capacitor, 1
4... Parasitic inductor, 20... Valve pressure transformer. Agent Yoshihiro Morimoto Figure 1/-l Commercial power supply 2-Smooth duct 71 Just supply Σ4 B-tora〉jiλri11・-Magnetron fz-f〉te°′)′wa′ 14・Intercover with 20 Katana-6 tiger〉nu

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、コンデンサおよびインダクタの並列共振回路とトラ
ンジスタを有して、商用電源または直流電源を高周波の
電源に変換する電圧共振形のインバータ回路と、このイ
ンバータ回路の出力を昇圧する昇圧トランスと、この昇
圧トランスの出力を整流してマグネトロンを駆動する整
流回路と、前記インバータ回路のトランジスタと並列に
接続されたコンデンサとを備え、前記インバータ回路の
トランジスタと並列に接続されたコンデンサの容量値を
前記並列共振回路のコンデンサの容量値よりも小さな値
とした高周波加熱装置。
1. A voltage resonant inverter circuit that has a parallel resonant circuit of a capacitor and an inductor and a transistor to convert a commercial power source or DC power source into a high-frequency power source, a step-up transformer that steps up the output of this inverter circuit, and this step-up transformer. It includes a rectifier circuit that rectifies the output of the transformer to drive the magnetron, and a capacitor connected in parallel with the transistor of the inverter circuit, and the capacitance value of the capacitor connected in parallel with the transistor of the inverter circuit is determined by the parallel resonance. A high-frequency heating device whose capacitance value is smaller than the capacitance value of the circuit capacitor.
JP1004258A 1989-01-10 1989-01-10 High-frequency heating device Pending JPH02184273A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1004258A JPH02184273A (en) 1989-01-10 1989-01-10 High-frequency heating device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS61240863A (en) * 1985-04-17 1986-10-27 Matsushita Electric Works Ltd Inverter

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61240863A (en) * 1985-04-17 1986-10-27 Matsushita Electric Works Ltd Inverter

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