JPH02182017A - Comparator circuit - Google Patents

Comparator circuit

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JPH02182017A
JPH02182017A JP223389A JP223389A JPH02182017A JP H02182017 A JPH02182017 A JP H02182017A JP 223389 A JP223389 A JP 223389A JP 223389 A JP223389 A JP 223389A JP H02182017 A JPH02182017 A JP H02182017A
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JP
Japan
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amplifier circuit
offset
circuit
base
differential amplifier
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Application number
JP223389A
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Japanese (ja)
Inventor
Yutaka Matsumura
豊 松村
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To reduce the effect on a comparator circuit due to an offset by obtaining a level fluctuation such as a prescribed voltage drop from a level shift means. CONSTITUTION:An emitter of a transistor(TR) Q3 being a component of an emitter follower amplifier circuit being an impedance conversion means is connected to a base of a TR Q1 being a 1st input terminal of a differential amplifier circuit via a resistor r5 being a level shift means, and a constant current source 1 is connected to a connecting point between the resistor r5 and a base of the TR Q1. A part of the differential amplifier circuit comprising mainly the TRs Q1, Q2 outputs a signal in response to a potential difference given to bases of the TRs Q1, Q2. Since a difference of base voltages of the TRs Q1, Q2 is increased in advance because of the level shift of r5I1 and then compared, the operation with less effect by an offset is ensured.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は各種の信号検出に用いることのできる比較回路
に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a comparison circuit that can be used for detecting various signals.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来の比較回路(コンパレータ)500は、第5図に示
されるように、オフセット調整用端子501.502が
備えられ、これとアースレベルとの間にそれぞれオフセ
ット調整用の抵抗r3゜「 を接続し、この抵抗r 、
「4の値を適宜変えることによりオフセット調整を行っ
ていた。
As shown in FIG. 5, a conventional comparison circuit (comparator) 500 is provided with offset adjustment terminals 501 and 502, and offset adjustment resistors r3' are connected between these terminals and the ground level. , this resistance r,
“The offset was adjusted by changing the value of 4 as appropriate.

第5図の回路の入力段を具体的に示すと、第6図のよう
になっている。この比較回路は、トランジスタQ  、
Q  と抵抗r  、r  と定電流源1 2    
l  2 600とから成る回路である。この回路では、抵抗r 
 、r  にアースレベルを与え、定電流源600に一
■ の電圧を与えて、トランジスタe Q、Q2による差動増幅回路を構成する。ここで、トラ
ンジスタQlのベースへ入力信号(IN)ヲ与え、トラ
ンジスタQ2のベースへバイアス(bias)電圧を与
えてトランジスタQ1゜Q2のコレクタから出力信号を
得る。
A concrete example of the input stage of the circuit shown in FIG. 5 is shown in FIG. This comparison circuit consists of transistors Q,
Q and resistance r, r and constant current source 1 2
This is a circuit consisting of 1 2 600. In this circuit, the resistance r
, r are given a ground level, and a constant current source 600 is given a voltage of 1, to form a differential amplifier circuit using transistors eQ and Q2. Here, an input signal (IN) is applied to the base of the transistor Ql, a bias voltage is applied to the base of the transistor Q2, and an output signal is obtained from the collectors of the transistors Q1 and Q2.

しかしながら、トランジスタQ、Q2のベー■ ス・エミッタ間電圧v  、■  は厳密には−BEI
   [3B2 致しない。つまり、IV   −V   lには約58
EI   BIE2 mVから10mV程度の差が生じ、入力信号とバイアス
電圧とを比較すると、比較結果に誤差が生じる。そこで
、上記のようにオフセット調整用の抵抗r  、r  
をトランジスタQ  、Q  のコレ3 4     
    l  2 クタとアースとの間に接続し、抵抗r  、r  のい
ずれか一方をトリミングすることにより、無人力状態に
おける出力信号V 、■ を厳密に一致させるようにし
ている。
However, strictly speaking, the base-emitter voltage v, ■ of transistors Q and Q2 is −BEI
[3B2 No. That is, about 58 for IV-V l.
A difference of about 10 mV from EI BIE2 mV occurs, and when the input signal and bias voltage are compared, an error occurs in the comparison result. Therefore, as mentioned above, the offset adjustment resistors r and r
The transistors Q and Q are 3 4
The output signals V and ■ in an unmanned state are made to closely match each other by connecting between the L2 vector and the ground and trimming either one of the resistors r and r.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかしながら、上記のような構成の比較回路では、トリ
ミングが必要となって煩しく、回路を構成する際に調整
時間が長くかかるという問題点があった。
However, the comparison circuit configured as described above has the problem that trimming is necessary and cumbersome, and it takes a long time for adjustment when configuring the circuit.

そこで本発明は、トリミングという煩しい作業が不要で
ありながら、オフセットが回路の感度に大きく影響を及
ぼすことを防止し得る比較回路を提(共することを目的
とする。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a comparison circuit that does not require the troublesome work of trimming and can prevent offset from greatly affecting the sensitivity of the circuit.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明に係る比較回路は、第1の入力端子と第2の入力
端子とに与えられる信号の電位差に応じた信号を出力す
る差動増幅回路の第1.第2の入力端子に、入力信号に
対して差動増幅回路の影響を及はさなくするインピーダ
ンス変換手段を接続し、このインピーダンス変換手段と
第1.第2の入力端子との間の少なくとも一方に、レベ
ルシフト手段を接続したことを特徴とする。
A comparator circuit according to the present invention is a differential amplifier circuit that outputs a signal corresponding to a potential difference between signals applied to a first input terminal and a second input terminal. Impedance conversion means for eliminating the influence of the differential amplifier circuit on the input signal is connected to the second input terminal, and this impedance conversion means and the first. It is characterized in that a level shift means is connected to at least one of the terminals between the input terminal and the second input terminal.

〔作用〕[Effect]

本発明に係る比較回路は、以上の通りに構成されるので
、レベルシフト手段により所定の電圧降下等のレベル変
動分を得ることができ、このレベル変動分によって以下
のように、比較回路へのオフセットによる影響を少なく
できる。
Since the comparator circuit according to the present invention is configured as described above, it is possible to obtain a level variation such as a predetermined voltage drop by the level shift means, and this level variation can be used to control the comparator circuit as follows. The effect of offset can be reduced.

第3図に示されるようなトランジスタQ1゜Q へ、抵
抗r  、r  を介して電流II2     1  
2        cl’  c2が流入する差動増幅
回路において、トランジスタQ、Q2のベースへ与えら
れる信号の電位差(V  −V  )lこよる電流II
  のスイ・ソチ1  2        cl’  
c2ング特性が、第4図に示すようであるとする。すな
わち、I VI   V2  l = 100mVでス
イッチングが完全に行われることが示されている。ここ
て、差動増幅回路のオフセットが±10mVであるとす
ると、上記のスイッチングは、IVIV21−1−9O
〜110mVで行われることになる。上記の典型的(t
ypical )なスイッチングが行われる電位差に対
するオフセットを考慮したスイッチング時の誤差は、 (V  −V  )/(Vl−V2)、、p− (90
/100)〜(110/100)−〇、9〜1.1  
         ・・・(1)となる。
A current II2 1 flows through the resistors r and r into the transistor Q1゜Q as shown in FIG.
2 cl' In the differential amplifier circuit into which c2 flows, the current II due to the potential difference (V - V )l between the signals applied to the bases of the transistors Q and Q2
Sui Sochi 1 2 cl'
Assume that the c2 ing characteristic is as shown in FIG. That is, it is shown that switching is completely performed at I VI V2 l = 100 mV. Here, assuming that the offset of the differential amplifier circuit is ±10 mV, the above switching is IVIV21-1-9O
It will be performed at ~110 mV. The above typical (t
The error during switching, taking into account the offset to the potential difference where ypical ) switching is performed, is (V - V )/(Vl - V2), , p - (90
/100) ~ (110/100) -〇, 9 ~ 1.1
...(1).

これに対し、本発明のレベルシフト手段で電圧降下を生
じさせて、上記の電位差I Vl−V、。
On the other hand, the voltage drop is caused by the level shift means of the present invention to obtain the above-mentioned potential difference I Vl-V.

に始めから100mVの電位差を生じさせておく。A potential difference of 100 mV is generated from the beginning.

ここで、第4図に示されるようなスイッチング特性によ
って電位差IV−V21が100mVでスイッチングが
行われる場合には、■1−V  −100となるのであ
るから、 (V   100 )   (V 2  + −100
rn Vl −’、I V   V 2  + −200m Vl が実際のスイッチングを表わす。ここで、上記と同じオ
フセットを考慮して誤差を求めると、(V  −V  
)/(V  −V、、)t、p− (190/200)
〜(210/200)−0,95〜1.05     
    ・・・(2)となり、(1)式に比較して誤差
が圧縮され、オフセットによる比較回路への影響を少な
くできることがわかる。
Here, if switching is performed with a potential difference IV-V21 of 100 mV according to the switching characteristics shown in FIG. 100
rn Vl −', I V V 2 + −200m Vl represents the actual switching. Here, if we calculate the error by considering the same offset as above, we get (V - V
)/(V -V,,)t,p- (190/200)
~(210/200)-0,95~1.05
...(2), and it can be seen that the error is compressed compared to equation (1), and the influence of the offset on the comparator circuit can be reduced.

〔実施例〕〔Example〕

以下、添付図面の第1図、第2図を参照して本発明の一
実施例を説明する。なお、図面の説明において、同一要
素には同一の符号を付し重複する説明を省略する。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2 of the accompanying drawings. In the description of the drawings, the same elements are given the same reference numerals and redundant description will be omitted.

第1図は本発明の一実施例に係る比較回路を示す回路図
である。同図において、定電流源1,3は電流l を流
し、定電流源2は電流!。を流す。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a comparison circuit according to an embodiment of the present invention. In the figure, constant current sources 1 and 3 flow current l, and constant current source 2 flows current ! . flow.

■ 定電流源2の電流I。が流れる下流側には−Veeの電
圧が与えられており、上流側にはトランジスタQ、Q2
のエミッタが接続され、このトラン■ ジスタQ 、Q2のコレクタとアースとの間には抵抗「
 、r2が接続されている。このように構■ 成された差動増幅回路の第1の入力端子であるトランジ
スタQ1のベースには、レベルシフト手段である抵抗r
5を介してインピーダンス変換手段であるエミッタフォ
ロワ増幅回路を構成するトランジスタQ3のエミッタが
接続され、抵抗r5とトランジスタQ1のベースとの接
続点には定電流源1が接続されている。また、差動増幅
回路の第2の入力端子であるトランジスタQ2のベース
には、インピーダンス変換手段であるエミッタフォロワ
増幅回路を構成するトランジスタQ4のエミッタが接続
され、かつ定電流源3が接続されている。定電流源1.
3の下流側には−V の電圧がe 与えられている。トランジスタQ  、Q  のコレフ
タはアースに接続されている。そして、トランジスタQ
3のベースに比較されるべき信号が与えられ、トランジ
スタQ4のベースにはバイアス電圧が与えられる。そし
て、トランジスタQ1゜Q2のコレクタから出力信号が
得られる。
■ Current I of constant current source 2. A voltage of -Vee is applied to the downstream side where the current flows, and transistors Q and Q2 are applied to the upstream side.
The emitter of transistor Q2 is connected, and a resistor is connected between the collector of transistor Q2 and ground.
, r2 are connected. A resistor r serving as a level shift means is connected to the base of the transistor Q1, which is the first input terminal of the differential amplifier circuit configured in this way.
5 is connected to the emitter of a transistor Q3 constituting an emitter follower amplifier circuit, which is an impedance conversion means, and a constant current source 1 is connected to the connection point between the resistor r5 and the base of the transistor Q1. Further, the emitter of a transistor Q4 constituting an emitter follower amplification circuit, which is an impedance conversion means, is connected to the base of a transistor Q2, which is a second input terminal of the differential amplifier circuit, and a constant current source 3 is also connected. There is. Constant current source 1.
A voltage of -V is applied to the downstream side of 3. The collectors of transistors Q 1 and Q 2 are connected to ground. And transistor Q
A signal to be compared is applied to the base of transistor Q4, and a bias voltage is applied to the base of transistor Q4. Then, output signals are obtained from the collectors of transistors Q1 and Q2.

かかる構成の比較回路では、トランジスタQ11Q2を
中心として構成される差動増幅回路の部分は、既に第6
図を参照して説明したように、トランジスタQ  、Q
  のベースに与えられる電位差に応じた信号を出力す
る。しかし、抵抗「5のために、トランジスタQ1のベ
ース電流を無視するとトランジスタQ のエミッタ側に
常に「511だけの電圧降下が生じる。すなわち、この
r5I のレベルシフトによって、トランジスタQ1゜
Q2のベース電圧の差があらかじめ大きくされて比較動
作がなされることになるため、既述のようにオフセット
による影響の少ない動作を確保できる。
In the comparator circuit having such a configuration, the portion of the differential amplifier circuit mainly composed of transistors Q11Q2 is already connected to the sixth transistor.
As explained with reference to the figure, transistors Q and Q
outputs a signal according to the potential difference applied to the base of the However, due to the resistance 5, if the base current of transistor Q1 is ignored, a voltage drop of 511 will always occur on the emitter side of transistor Q.In other words, this level shift of r5I will cause the base voltage of transistors Q1 to Q2 to drop. Since the comparison operation is performed after the difference is increased in advance, it is possible to ensure an operation that is less affected by the offset as described above.

第2図に、上記の比較回路を応用した一種の検波器の構
成を示す。この回路では、トランジスタQ のベースと
アースとの間に抵抗R9を接続し、比較のための基学電
圧を作っている。また、トランジスタQ4のベースとア
ースとの間には抵抗RPD(RPD−RD)が接続され
るとともに、トランジスタQ4のベースにはフォトダイ
オード4のカソードが接続されている。このように構成
された回路は、フォトダイオード4に流れる電流Iが所
定値以下となると、V とv2との比較結果■ (実際上は、インピーダンス変換素子を構成するエミッ
タフォロワ増幅回路により差動増幅回路の影響なく伝え
られたV t  +  V 2  との比較結果)によ
り、トランジスタQ、Q2のコレクタ電流■ のスイッチングが生じ、検波がなされる。
FIG. 2 shows the configuration of a type of detector to which the above comparison circuit is applied. In this circuit, a resistor R9 is connected between the base of the transistor Q and the ground to create a fundamental voltage for comparison. Further, a resistor RPD (RPD-RD) is connected between the base of the transistor Q4 and the ground, and the cathode of the photodiode 4 is connected to the base of the transistor Q4. In the circuit configured in this way, when the current I flowing through the photodiode 4 becomes less than a predetermined value, the comparison result between V and v2 is Based on the result of comparison with V t +V 2 transmitted without influence of the circuit), switching of the collector currents of the transistors Q and Q2 occurs, and detection is performed.

ここで、オフセットの影響を考察すると、以下のように
なる。トランジスタQ  、Q  のベースエミッタ間
電圧をV  、■  とすると、BF2  8E4 V  −−RD (11/h、o)。
Here, considering the influence of offset, it is as follows. If the base-emitter voltage of transistors Q and Q is V and ■, then BF2 8E4 V --RD (11/h, o).

v  −−RPD(x+11/h、。)1一’°V  
 ”” V   V BF2   r 51 t 。
v --RPD(x+11/h,.)11'°V
”” V V BF2 r 51 t.

v2   ”=v2−VBB4 となる。一方、差動増幅回路の公式から、r  −[h
  / (1+ hr8) 11        rs (I  O/rl+ expt(v  1)/Vol]
) ・・・ (3) t  =  t h  / (1+ h r8) )2
        re O−V  ’ )/Vol]) (1/[l+cxpl−(v 1’   2・・・ (
4) (v ;定数−26mV) となり、 −■ vl     2 ”−Rpd” 5  Il −■BE3となる。ここで
、 V   −V   −V BF2   BH3d とおくと、 ’ BH3 V vl     2 −RI−rs 1l−Vd        ・・・(5
)d となるので、(5)式をΔVとする。
v2''=v2-VBB4. On the other hand, from the formula of the differential amplifier circuit, r - [h
/ (1+ hr8) 11 rs (IO/rl+ expt(v 1)/Vol]
) ... (3) t = t h / (1+ h r8) )2
re O-V' )/Vol]) (1/[l+cxpl-(v 1' 2... (
4) (v; constant -26 mV), and -■ vl 2 ``-Rpd'' 5 Il - ■BE3. Here, if we set V -V -V BF2 BH3d, 'BH3 V vl 2 -RI-rs 1l-Vd...(5
)d, so let equation (5) be ΔV.

これを(3)式、(4)式に入れて、 i−t h  / (1+ h ro) )l    
fe [1/ (1+exp  (Δv/vo)l ]・・・
 (6) t  ” (h  / (1”、h r8) )2  
     re [1/ tl+  exp(−Δv / v o ) 
l ]・・・ (7) が求められる。比較回路が動作するのは、■1−V2の
時である。ゆえに、 rx  11−r2 12           ・・
・(8)が成立する。一方、 exp (Δv / v O) −Xrh   I  
/(1+hro)−10I’eO とおくと、(6)、(7)、(8)式よりr  I  
’ 11/(1+x)J O −r  I  ’ (1/(1+x−’)1.x−ex
p(Δy / v  ) = r 1 / r 2とな
る。この両辺の対数をとることにより、Δv−R1−r
s1−Vd D ″vOIn”1 ”2 ) 、−、RPDl (r  / r  ) + rs It 十Vd=vO
ln   l   2 ・・・(9) となる。また、■−ηP       ・・・(10)
である。ここで、PはパワーであってdB  表示層 でP、、、 10−d/10−3であり、ηは変換効率
である。
Inserting this into equations (3) and (4), i-t h / (1+ h ro) )l
fe [1/ (1+exp (Δv/vo)l]...
(6) t” (h / (1”, h r8) )2
re [1/tl+exp(-Δv/vo)
l]... (7) is obtained. The comparator circuit operates when 1-V2. Therefore, rx 11-r2 12...
-(8) holds true. On the other hand, exp (Δv / v O) −Xrh I
/(1+hro)-10I'eO, then from equations (6), (7), and (8), r I
'11/(1+x)J O -r I'(1/(1+x-')1.x-ex
p(Δy/v)=r1/r2. By taking the logarithm of both sides, Δv−R1−r
s1-VdD ″vOIn”1 ”2) ,-, RPDl (r/r) + rs It 10Vd=vO
ln l 2 (9). Also, ■−ηP...(10)
It is. Here, P is the power in dB. P in the display layer is 10-d/10-3, and η is the conversion efficiency.

このパワーPは、(9)、(10)式よりP −(v 
 lln (r  /r  ) /RpI)771+(
r  I  +V  )/RPD771 −(11)0
   d となる。この(11)式より、v  −oとvd−V′
 とのときのパワーPの比を求めると、’  /P P (Vd −v  )    (Vd −0)となる
。上式(12)において、 X−V  11!+1  r  /  r  ) / 
(RPDη)である。
This power P is calculated from equations (9) and (10) as P − (v
lln(r/r)/RpI)771+(
r I +V )/RPD771 −(11)0
d. From this equation (11), v −o and vd−V′
When the ratio of the power P is calculated, it becomes '/P P (Vd -v) (Vd -0). In the above formula (12), X−V 11! +1 r/r)/
(RPDη).

このパワーPの比の式は、V  とV  とのBH38
E4 差がないとき(いわばオフセットのないとき)のパワー
に対する■  とV  との差がv′でありE3  8
E4 るとき(いわばオフセットがあるとき)のパワーの比で
あるから、比の値が大きいほどオフセットに影響され品
いことになる。そして、上記の不等式(12)はrs−
0として従来回路に近づけると、rsが所定値を有する
本実施例に比して上記比の値が大きくなること(オフセ
ットに影響されやすいこと)を証明している。
The formula for the ratio of this power P is BH38 between V and V
E4 The difference between the power ■ and V when there is no difference (so to speak, no offset) is v', and E3 8
Since this is the power ratio when E4 is present (so to speak, when there is an offset), the larger the ratio value, the more the quality is affected by the offset. And the above inequality (12) becomes rs-
This proves that when rs is set to 0 and is brought closer to the conventional circuit, the value of the ratio becomes larger (easier to be affected by offset) than in this embodiment in which rs has a predetermined value.

本発明は上記の実施例に限定されるものではない。The invention is not limited to the above embodiments.

例えば、レベルシフト手段としては抵抗以外にダイオー
ド等を用いることもできる。また、エミッタフォロワ増
幅回路は与えられる信号に対し、差動増幅回路の影響を
及ぼさないようにインピーダンス変換を行う構成であれ
ば、他のものでもよい。また、レベルシフト手段は差動
増幅回路の第1、第2の入力端子の一方に接続すればよ
いのであるが、両方に接続した場合でも、それぞれのレ
ベルシフト分を異ならせることで、一方に接続したとき
と同様の効果が得られる。
For example, a diode or the like can be used instead of a resistor as the level shift means. Further, the emitter follower amplifier circuit may be of any other type as long as it performs impedance conversion on the applied signal so as not to affect the differential amplifier circuit. Furthermore, although it is sufficient to connect the level shift means to one of the first and second input terminals of the differential amplifier circuit, even if it is connected to both, by making the level shift amount different for each, it is possible to You can get the same effect as when connected.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上、詳細に説明したように本発明では、レベルシフト
手段によるレベル変動分で、差動増幅回路の第1、第2
の入力端子間のスイッチング時の電位差を大きくでき、
オフセットの影響が相対的に小さくなり、オフセットが
回路の感度に大きく影響を及はさなくなる効果がある。
As described in detail above, in the present invention, the level fluctuation caused by the level shift means is used to control the first and second differential amplifier circuits.
It is possible to increase the potential difference during switching between the input terminals of
This has the effect that the influence of the offset is relatively small, and the offset does not greatly affect the sensitivity of the circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明の一実施例に係る比較回路の構成図、
第2図は、第1図の一実施例を用いて構成した検波器の
構成図、第3図は、差動増幅回路の構成図、第4図は、
差動増幅回路のスイッチング特性を示す図、第5図は、
従来の比較回路を示すブロック図、第6図は、第5図の
比較回路を詳細に示した構成図である。 1〜3・・・定電流源、4・・・フォトダイオード、Q
−Q  ・)−ランジスタ、r、r、rs。 l  4         1 2 Ro・ RPD”’抵抗O 実施例の構成 第1図 VrVdV] 第4図 第5図
FIG. 1 is a configuration diagram of a comparison circuit according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a block diagram of a detector configured using the embodiment shown in FIG. 1, FIG. 3 is a block diagram of a differential amplifier circuit, and FIG.
Figure 5 is a diagram showing the switching characteristics of a differential amplifier circuit.
FIG. 6, a block diagram showing a conventional comparison circuit, is a detailed configuration diagram of the comparison circuit shown in FIG. 1 to 3...constant current source, 4...photodiode, Q
-Q ・) - transistor, r, r, rs. l 4 1 2 Ro・RPD"'Resistance O Example configuration Fig. 1 VrVdV] Fig. 4 Fig. 5

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、第1の入力端子と第2の入力端子とに与えられる信
号の電位差に応じた信号を出力する差動増幅回路の前記
第1、第2の入力端子に、入力信号に対して前記差動増
幅回路の影響を及ぼさなくするインピーダンス変換手段
が接続され、このインピーダンス変換手段と前記第1、
第2の入力端子との間の少なくとも一方に、レベルシフ
ト手段が接続されていることを特徴とする比較回路。 2、前記インピーダンス変換手段はエミッタフォロワ増
幅回路であり、前記レベルシフト手段は抵抗であること
を特徴とする請求項1記載の比較回路。
[Claims] 1. An input terminal is connected to the first and second input terminals of a differential amplifier circuit that outputs a signal according to the potential difference between the signals applied to the first input terminal and the second input terminal. Impedance conversion means for eliminating the influence of the differential amplifier circuit on the signal is connected, and the impedance conversion means and the first,
A comparison circuit characterized in that a level shift means is connected to at least one of the terminals between the comparison circuit and the second input terminal. 2. The comparison circuit according to claim 1, wherein the impedance conversion means is an emitter follower amplifier circuit, and the level shift means is a resistor.
JP223389A 1989-01-09 1989-01-09 Comparator circuit Pending JPH02182017A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103440010A (en) * 2013-08-27 2013-12-11 电子科技大学 Active voltage limiting circuit

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