JPH02170246A

JPH02170246A - メモリカード

Info

Publication number: JPH02170246A
Application number: JP63325138A
Authority: JP
Inventors: Akira Yamauchi; 暁山内
Original assignee: Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Maxell Ltd
Priority date: 1988-12-23
Filing date: 1988-12-23
Publication date: 1990-07-02

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】「産業上の利用分野コこの発明は、メモリカードに関し、詳しくは、データの
種類により最適な高速データ書込み、データ読出しが行
なえる携帯用のメモリカードに関する。

［従来の技術］メモリカードは、通常、内部に不揮発性メモリ、若しく
は電池とこの電池によってバックアップされたメモリ、
そして外部装置との間でデータの授受を行なうためのイ
ンタフェース等とを内蔵していて、例えば、外部装置の
１つであるホストコンピュータとか、メモリカードリー
ダ・ライタに装着されて使用され、外部装置から発信さ
れたｉ４込み読出し制御信号、及びアドレス信号に従っ
て、そのメモリのアクセス、例えばデータの占込み、読
出し及び消去を実行し、外部装置との間でデータの授受
を行なう。

このようなメモリカードは、従来、例えば第３図に示さ
れるように、１組のアドレスバスＡｏ〜ＡＩＱと、１組
のデータバスＤＯ〜１）７と、メモリ１２を制御するた
めに用いられるチップイネーブル信号ＣＥ、アウトプッ
トイネーブル信号ＯＥ。

ライトイネーブル信号ＷＥと、古込み読出し時に外部か
らの電源ＶＣと、内部型１１１１；ｆ１３との切替を行
なう電源制御回路１２と、外部装置との接続用コネクタ
１４とによって構成されている。

このメモリカードに、データを書込む場合、まず、アド
レスバスＡＯ＝Ａ／ｑに所定のアドレスを外部から５え
、チップイネーブル信号ＣＥをアクティブ（この例では
、ＬＯＷレベル（以下“Ｌ”））にして、この状態で、
データバスＤ、〜」）１に所定のデータを印加し、さら
に、ライトイネーブル信号ＷＥをアクティブ（この例で
は　ｕＬ”）にしてデータの古込みを行なう。データを
読出す場合、まず、アドレスバスＡｏ””ＡＩＱに所定
のアドレスを外部からｔ５．え、チップイネーブル信号
ＣＥをアクティブ（この例では、“Ｌ”）にして、この
状態で、アウトプットイネーブル信号ＯＥをアクティブ
（この例では、”Ｌ”）にして、データバスＤｏ〜１）
７から所定のデータを得る。

［解決しようとする課題］このように、従来のメモリカードでは、データの読出し
を行なう場合であっても、データのＳ込みを行なう場合
であっても、■データ毎にそのアドレス情報をメモリに
ｌ〕″え、読出し又は占込みを行なうため、メモリの任
意のアドレスにデータが１１１敗している場合は有効で
あるが、例えば、画像情報などのようにデータが連続し
ている場合には、シフトレジスタのような直列データの
入出力に比べて、データアクセス時間が長くかかるとい
う欠点がある。例えば、同じ早さのクロック信号で動作
するＩＣで比較すると、ランダムアクセスメモリの場合
、シフトレジスタに比べて約３倍の時間がかかる。

この発明は、上記の従来のメモリカードが持っていた、
連続するデータの書込みとデータの読出しに時間がかか
るという欠点を解決し、以て、効率の良い動作が可能な
、メモリカードを提供することを目的とする。

［課題を解決しようとする手段コこのような目的を達成するために、このメモリカードの
構成は、半導体メモリとこの゛ト導体メモリ内のデータ
を保持させる機能とを備えていて、この゛１−導体メモ
リへのデータ書込み及びデータ読出しを外部装置から行
なうメモリカードにおいて、半導体メモリが直列データ
入出力ポートと並列データ入出力ポートとを備えるもの
である。そして、直列データ入出力ポートと並列データ
入出力ポートとを外部装置からの信号により選択する機
能を備えることによって、この発明の１」的は、より有
効に達成される。

［作用コこのように、メモリへのデータ書込み及びデータ読出し
をランダムアクセス方式にしたほうが高速になる場合に
は、並列データ入出力ポートを選択使用し、画像情報の
ようにメモリへのデータ書込み及びデータ読出しを連続
アクセス方式にしたほうが高速になる場合には、直列デ
ータ入出力ポートを選択使用する機能を設けることによ
り、メモリカードのデータ入出力を高速化し、カード使
用者の待ち時間を短縮することができる。

［実施例コ以下、この発明の−・実施例について図面を参照して詳
細に説明する。

第１図は、メモリにマルチポートＲＡＭを用いた携帯用
のメモリカードの一実施例であって、メモリ回路１は、
６４ｋＸ４ピントの汎用マルチポートＲＡＭによって構
成され、８ビツトのアドレスイ、ζ号゛線ＡＤ　”Ａ７
．４ビツトのランダムポートアクセス用データ化号線Ｒ
Ｄｏ　”Ｒ１）３．４ビツトのシリアルポートアクセス
用データ信シＪ′線Ｓ　Ｉ）ｏ　−８Ｄ　３＋　　シリ
アルポートのアクセスをコントロールすルシリアルコン
トロールクロソ’）　４ｒＳ　ＳＪ’　４ＱＳＣ，シリ
アルポートアウトプットイネーブル信シシ゛線ＳＯＥ、
　　メモリ内部でのデータの転送モードをコントロール
するデータトランスファ／アウトプットイネーブル信号
１ｉ１ＤＴ１０Ｅ、　　ライトイネーブル信５ｆ線ＷＥ
、が各々コネクタ７を介して外部装置と接続され、ロウ
アドレスストローブ４Ｊｊ　Ｓ’Ｊ線ＲＡ　Ｓ　、　　
カラムアドレスストローブ信号線ＣＡＳ、が、切換え回
路４を介してコネクタ７と接続されている。

切換え回路４は、さらにリフレッシュ制御回路３とも接
続されており、電源制御回路５によって制御されたりフ
レソンユ制御回路３の４Ｊ、、、Ｉ’　Ｓ７によって内
部リフレッシュと外部リフレノシュとを切換える。

外部装置から、信号の再込み及び読出しを行なうモード
（以ド、アクセスモードと呼ぶ）では、コネクタ７を介
して電源制御回路５に供給された外部電圧ＶＣによって
、電源制御回路５がアクセスモードを認識し、他の内部
回路へ供給する電圧をバックアップ電池６から外部電圧
ＶＣへ切換える。同時に、リフレッシュ制御回路３をＣ
０Ｎ１制御信号をアクティブ（ＨＩ　ＧＨレベル（以下
“Ｈ”））にすることによって、アクセスモードへ切換
える。

リフレッシュ制御回路３は、ＣＯＮ２信号をアクティブ
（“Ｈ”）にする。それによって、切換え回路４の出力
信号であるロウアドレスストローブ信号線ＲＡＳ、カラ
ムアドレスストローブ信号線ＣＡＳは、リフレッシュ制
御回路３のロウアドレスストローブ信号線ＲＡＳ２．カ
ラムアドレスストローブ信号線ＣＡＳ２から、コネクタ
７を介して外部装置から印加されるロウアドレスストロ
ーブ信号線ＲＡＳ　１．カラムアドレスストローブ信号
線ＣＡＳＩへ切換えられる。この状態で、マルチポート
ＲＡＭ１はコネクタ７を介して外部装置から入力される
信号によって制御可能となる。

この実施例のメモリカードから、両像データのような連
続したデータを読出す場合、まず８ビツトのアドレス信
号線Ａ、−Ａ７に所定のロウアドレスを与え、カラムア
ドレスストローブ信ζ線ＣＡＳ、ライトイネーブル信号
線ＷＥを各々“Ｈ”データトランスファ／アウトプット
イネーブル信号線ＤＴ１０Ｅ、シリアルポートアウトプ
ットイネーブル信号線ＳＯＥを各々“Ｌ”とし、この状
態でロウアドレスストローブ信号線ＲＡＳを）７．ち下
げると、１０ウアドレス分のデータがシリアルポートへ
０１力される。このシリアルデータを外部装置により一
気に読出し、つぎにロウアドレスストローブ信号線ＲＡ
Ｓを°“Ｈ”に戻して、８ビツトのアドレス信号線Ａｏ
　”Ａ７を１番地インクリメントする。この状態で、Ｉ
Ｉ■びロウアドレスストローブ信号線ＲＡＳを立ち下げ
ると、つぎの１０ウアドレス分のデータがシリアルポー
トへ出力される。このシリアルデータを外部装置により
一気に読出し、つぎにロウアドレスストローブ信号＆Ｑ
ＲＡＳを“Ｈ”に戻して８ビツトのアドレス信号線Ａ、
−ＡＩをさらに１番地インクリメントする。

このような操作を繰返して、所定の量の（例えば１画面
分の）画像データを読出す。読出したデータを外部装置
で判定し、１部分のデータについて変更する必認がある
場合は、変更するデータが占込まれているメモリに対し
て、ロウアドレスストローブ信号線ＲＡＳに所定のロウ
アドレスをあたえ、カラムアドレスを順次切換えて所定
のメモリにランダムポート側でアクセスし、ライトイネ
ーブル信号線ＷＥを“Ｌ″にして、ページモードライト
を行なうことによって、外部装置は、このメモリカード
に対して、４ビツトのシリアルポートアクセス用データ
信号線ＳＤＯ”ＳＯ２からデータを読出すと同時に、４
ビツトのランダムポートアクセス用データ信号線Ｒ１）
Ｏ”ＲＤ３からデータを占込むことができる。

逆に、８ビツトのアドレス信号線Ａ□　−Ａ７　ニ任意
のロウアドレスを与え、カラムアドレスストローブ信号
線ＣＡＳを“Ｈ”、データトランスファ／アウトプット
イネーブル信号４ＪｉｌＤＴ１０Ｅ。

ライトイネーブル信号線ＷＥを各々ＩｊＬ”とし、この
状態でロウアドレスストローブ信Ｓ’；線ＲＡ　Ｓを＼
ｙちドげると、４ビツトのシリアルポートアクセス用デ
ータ信号線から印加され、シリアルポート内に蓄積され
た１０ウアドレス分のデータか、８ビツトのアドレス信
号線Ａｏ−Ａ７によって指定された、［−記のロウアド
レスのメモリに書込まれる。

アクセスモード時のリフレッシュは、外部装置によって
管理されるが、一般的な機能であるのでこの実施例では
その説明を省略する。

次に、コネクタ７に外部装置が接続されない状態（以ド
、バックアップモードと呼ぶ）では、電源制御回路５が
自身でバックアップモードを認識し、他の内部回路へ供
給する電圧をバックアップ電池６へ切換える。同時に、
リフレッシュ；ｂす御回路３に加えるＣ０Ｎ１制御信号
をアイドル（“Ｌパ）にすることによって、バックアッ
プモードへ切換える。

リフレッシュ制御回路３は、ＣＯＮ２信弓をアイドル（
Ｌ”）にする。それによって、切換え回路４の出力信号
であるロウアドレスストローブ信号線ＲＡＳ、　　カラ
ムアドレスストローブ信号線ＣＡＳは、リフレッシュ制
御回路３のロウアドレスストローブ信号線ＲＡＳ２．　
カラムアドレスストローブ信号線ＣＡＳ２へ切換えられ
る。リフレッシュ制御回路３は、発振器２から供給され
るクロック信号ＣＬＫによって上記ロウアドレスストロ
ーブ信号線ＲＡＳ２．　　カラｌ、アドレスストローブ
信吟線ＣＡＳ２を生成し、マルチポートＲＡＭ１はこの
ロウアドレスストローブ信号、カラムアドレスストロー
ブ信ジノ°によって、所定のタイミングでリフレッシュ
される。

第２図は、この発明の他の実施例で、４ビ、トのンリア
ルポートアクセス用データ信号線ＳＤ。

〜５１）３と、４ビツトのランダムポートアクセス用デ
ータ信号線ＲＤＯ”ＲＤ３とを、このメモリカード内部
でまとめて、４ビツトのデータ信り線り、〜１〕３とし
て、コネクタ７から外部へ引出している。このような構
成では、シリアルポートアクセス用データとランダムポ
ートアクセス用データとを同時に外部装置との間で入出
力することはできないが、このメモリカードをリードモ
ディファイライトのようなモードで使うのではな（、画
像データを一括転送するようなモードで使う場合には、
コネクタ７を小さくできる分たけ、有効である。

なお、この実施例では、入出力は４ビツト中位となって
いるが、複数のマルチポー）ＲＡＭを用いて大容量化す
ることは容易である。さらに、コネクタ７には接触式の
コネクタを用いたが、電磁波、光、磁界などによる非接
触式のカップリングも可能である。

［発明の効果コ以上説明したように、この発明にあっては、メモリへの
データど込み及びデータ読出しをランダムアクセス方式
にしたほうが高速になる場合は並列データ入出力ポート
を選択使用し、画像情報のようにメモリへのデータ書込
み及びデータ読出しを連続アクセス方式にしたほうが高
速になる場合は直列データ入出力ポートを選択使用する
ことができるので、この機能によってメモリカードのデ
ータ入出力を高速化し、カード使用者の待ち時間を短縮
できる。

４、図面のｆｍ　１１−な説明第１図、第２図は、それぞれこの発明によるメモリカー
ドの一実施例の回路構成図、第３図は従来のメモリカー
ドの回路構成図である。

■・・・マルチボー）ＲＡＭ１２・・・発振器、３・・
・リフレッシュ制御回路、４・・・切換え回路、５・・
・電べ（制御回路、６・・・バックアップ電池、７・・
・コネクタ、１１・・・ＲＡＭ。

１２・・・電源制御回路、１３・・・パンクアップ電池
、１４・・・コネクタ。

特許出願人　ｌ」立マクセル株式会社代理人　　　弁理士　梶　山　信　是弁理上　山　本　富り男／第３図、＋２　ｔ：科師口路

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体メモリと該半導体メモリ内のデータを保持
させる機能とを備え、該半導体メモリへのデータ書込み
及びデータ読出しを外部装置から行なうメモリカードに
おいて、前記半導体メモリが直列データ入出力ポートと
並列データ入出力ポートとを備えることを特徴とするメ
モリカード。
（２）直列データ入出力ポートと並列データ入出力ポー
トとを外部装置からの信号により選択する機能を備える
ことを特徴とする請求項１記載のメモリカード。