JPH02170043A - 限界電流式ガス濃度センサの製造方法 - Google Patents
限界電流式ガス濃度センサの製造方法Info
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- JPH02170043A JPH02170043A JP63325591A JP32559188A JPH02170043A JP H02170043 A JPH02170043 A JP H02170043A JP 63325591 A JP63325591 A JP 63325591A JP 32559188 A JP32559188 A JP 32559188A JP H02170043 A JPH02170043 A JP H02170043A
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Landscapes
- Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、限界電流式ガス濃度センサの固体電解質板
の少なくとも片面に、多数の微細なガス拡散制限孔を有
するガス拡散制限多孔質層を形成する方法およびそのガ
ス拡散制限多孔質層の形成とともに上記固体電解質板の
両面に多孔質電極を形成する方法に関する。
の少なくとも片面に、多数の微細なガス拡散制限孔を有
するガス拡散制限多孔質層を形成する方法およびそのガ
ス拡散制限多孔質層の形成とともに上記固体電解質板の
両面に多孔質電極を形成する方法に関する。
[従来の技術]
限界電流式ガス濃度センサは、第3図に示されるように
、所定のガスのイオン伝導性を有する固体電解質板31
の両面に多孔質電極32が形成され、その片面に、その
面の電極32を覆ってそこにガス拡散室33が形成され
るように、ガス拡散制限孔34を持つセラミックからな
るキャップ35が封着された構造を有するものである。
、所定のガスのイオン伝導性を有する固体電解質板31
の両面に多孔質電極32が形成され、その片面に、その
面の電極32を覆ってそこにガス拡散室33が形成され
るように、ガス拡散制限孔34を持つセラミックからな
るキャップ35が封着された構造を有するものである。
なお、36は固体電解質板31にキャップ35を封着し
たその封着部である。
たその封着部である。
上記キャンプ35の製造、それの固体電解質板31の片
面への封着、固体電解質板31上への多孔質電極32の
形成等は、酸素センサの場合、例えはつぎの方法によっ
ている。
面への封着、固体電解質板31上への多孔質電極32の
形成等は、酸素センサの場合、例えはつぎの方法によっ
ている。
まず、電極32の形成には、焼成して造られた安定化ジ
ルコニアよりなる固体電解質板31の両面に、電極材料
である白金の微粉末を有機バインダに分散さゼた分散液
を塗布した後、焼成して有機バインダを消散させること
によって多孔質電極32を形成している。
ルコニアよりなる固体電解質板31の両面に、電極材料
である白金の微粉末を有機バインダに分散さゼた分散液
を塗布した後、焼成して有機バインダを消散させること
によって多孔質電極32を形成している。
つぎに、キャップ35の製造については、ジルコニア微
粉末を有機バインダに分散させたものを、中心にプラス
デック糸を張ってその周囲に円柱状に成形し、これを輪
切りにする。この輪切りチップを焼成すると、中心のプ
ラスチック糸は消散し、そこにガス拡散制限孔34とな
る微少孔が形成されたギャップ35か造られる。
粉末を有機バインダに分散させたものを、中心にプラス
デック糸を張ってその周囲に円柱状に成形し、これを輪
切りにする。この輪切りチップを焼成すると、中心のプ
ラスチック糸は消散し、そこにガス拡散制限孔34とな
る微少孔が形成されたギャップ35か造られる。
さらにそのつぎに、このキャップ35の上記固体電解質
板31への封着は、固体電解質板31の片面の周縁にガ
ラス微粉末を有機バインダまたは有機溶剤に分散させた
分散液を塗布し、その上に上記キャップ35を重ねて焼
成することによって封着工程か完了する。ここで、封着
ガラスの厚さによって固体電解質板31とキャップ35
との間にガス拡散室33となる空間が作られる。
板31への封着は、固体電解質板31の片面の周縁にガ
ラス微粉末を有機バインダまたは有機溶剤に分散させた
分散液を塗布し、その上に上記キャップ35を重ねて焼
成することによって封着工程か完了する。ここで、封着
ガラスの厚さによって固体電解質板31とキャップ35
との間にガス拡散室33となる空間が作られる。
[発明が解決しようとする課題]
ガス濃度センサは上記のようにして製造されるか、細か
い工程が数多く、結果的にコスト高となって、生産性の
向上もなかなか困難となっている。
い工程が数多く、結果的にコスト高となって、生産性の
向上もなかなか困難となっている。
その上、電極のための白金分散液の塗布には刷毛なとの
固形物を使用して行っているため、ムラのない塗布は困
難である。
固形物を使用して行っているため、ムラのない塗布は困
難である。
生産性向上のために構造を改良したものとして、両面に
電極を形成した固体電解質板の片面にセラミックの多孔
質層を設け、さらにその外表面にクランクを生しさせた
ガラス膜を形成させたものが提案されている。ここで、
ガラス膜のクラックはカス拡散制限孔として作用するも
のであり、セラミックの多孔質層はガス拡散室として作
用するものである。この構造によれば、製造工程に掛か
るコストほかなり減少されるが、一般に限界電流式ガス
濃度センサの駆動温度は数100°Cであって、常温と
この駆動温度との間のヒートサイクルが与えられるセン
ザエレメントの表面がガラス膜であることで実用上の信
頼性の確立にはいま一歩である。
電極を形成した固体電解質板の片面にセラミックの多孔
質層を設け、さらにその外表面にクランクを生しさせた
ガラス膜を形成させたものが提案されている。ここで、
ガラス膜のクラックはカス拡散制限孔として作用するも
のであり、セラミックの多孔質層はガス拡散室として作
用するものである。この構造によれば、製造工程に掛か
るコストほかなり減少されるが、一般に限界電流式ガス
濃度センサの駆動温度は数100°Cであって、常温と
この駆動温度との間のヒートサイクルが与えられるセン
ザエレメントの表面がガラス膜であることで実用上の信
頼性の確立にはいま一歩である。
[課題を解決するだめの手段]
この発明の限界電流式ガス濃度センサの製造方法は」1
記の製造上の問題点を解決すべくなされたものであって
、電極か形成された固体電解質板の」二にガス拡散制限
孔としての微細孔を多数有するガス拡散制限多孔質層を
形成することと、固体電解質板の上に多孔質電極を形成
することとを、いずれもセラミックまたは電極材料の微
粉末を有機バインダまたは有機溶剤に分散させた分散液
を、刷毛その他の固形物を用いないで、例えば浸漬法、
噴霧法等により、電極が形成された固体電解質板に、ま
たは固体電解質板そのものに付着させるものである。
記の製造上の問題点を解決すべくなされたものであって
、電極か形成された固体電解質板の」二にガス拡散制限
孔としての微細孔を多数有するガス拡散制限多孔質層を
形成することと、固体電解質板の上に多孔質電極を形成
することとを、いずれもセラミックまたは電極材料の微
粉末を有機バインダまたは有機溶剤に分散させた分散液
を、刷毛その他の固形物を用いないで、例えば浸漬法、
噴霧法等により、電極が形成された固体電解質板に、ま
たは固体電解質板そのものに付着させるものである。
[作用]
この発明の製造方法によれば、浸漬法、噴霧法等により
固形物によらないでセラミック微粉末分散液または電極
材料の微粉末の分散液を付着させるので、ムラのない(
1着を容易に得ることができるのみならず、セラミック
キャップの製造、それの封着等が浸漬法、噴霧法等に置
き換わるので、工程数がかなり簡略化される。
固形物によらないでセラミック微粉末分散液または電極
材料の微粉末の分散液を付着させるので、ムラのない(
1着を容易に得ることができるのみならず、セラミック
キャップの製造、それの封着等が浸漬法、噴霧法等に置
き換わるので、工程数がかなり簡略化される。
[実施例]
つぎに、この発明の限界電流式ガス濃度センサの製造方
法を第1図および第2図を参照して説明する。第1図は
この第1番目の発明の製造方法によって作られたガス濃
度センサの横断面図で、第2図はこの第2番目の発明の
製造方法によって作られた両面に多孔質電極が形成され
た固体電解質板の横断面図である。
法を第1図および第2図を参照して説明する。第1図は
この第1番目の発明の製造方法によって作られたガス濃
度センサの横断面図で、第2図はこの第2番目の発明の
製造方法によって作られた両面に多孔質電極が形成され
た固体電解質板の横断面図である。
まず、第1番目の発明の製造方法を第1図を参照して説
明する。図面において11は例えば安定化ジルコニアよ
りなる固体電解質板、12はその両面に形成された例え
は白金よりなる多孔質電極、13はそのリード線、14
はこの発明によって形成されたガス拡散制限孔としての
微細孔を多数有するガス拡散制限多孔質層である。ここ
で、固体電解質板11の両面に多孔質電極12がすでに
形成されているものとし、別に用意しである例えばジル
コニアよりなるセラミック微粉末を有機バインダまたは
有機溶剤に分散させた分散液に上記固体電解質板11を
浸漬するか、または固体電解質板11の片面に上記分散
液を噴霧する。このとき、固体電解質板11のセラミッ
ク微粉末を付着させる部分以外の部分の表面にはマスキ
ングを施し、浸漬または噴霧をした後にそれを除去する
ことにより、その部分にセラミック微粉末が付着されな
いようにする。しかる後焼成すれば、上記有機バインダ
または有機溶剤は消散され、消散した跡は微細孔となる
。これがガス拡散制限孔としての微細孔で、かくしてそ
の微細孔を多数有するガス拡散制限多孔質層14が形成
される。ここでセラミック微粉末の粒径としては、10
0μm以下好ましくは10μm以下のものが用いられる
。また上記の浸漬または噴霧は1回またはそれ以上繰り
返してもよく、数回繰り返す場合には同じ粒径のもので
もよいが、ガス拡散制限多孔質層の強度上からは、下層
に粒径の大きいもの、上層に粒径の小さいものを用いる
とよい。ガス拡散制限孔の孔径の大きさおよび長さは、
例えば酸素ガスのいかなる濃度範囲のものを測定するセ
ンサとするかによって選択決定され、上記のセラミック
微粉末の粒径、浸漬または噴霧の繰り返しによる積層厚
さはこれによって選択されることは勿論である。
明する。図面において11は例えば安定化ジルコニアよ
りなる固体電解質板、12はその両面に形成された例え
は白金よりなる多孔質電極、13はそのリード線、14
はこの発明によって形成されたガス拡散制限孔としての
微細孔を多数有するガス拡散制限多孔質層である。ここ
で、固体電解質板11の両面に多孔質電極12がすでに
形成されているものとし、別に用意しである例えばジル
コニアよりなるセラミック微粉末を有機バインダまたは
有機溶剤に分散させた分散液に上記固体電解質板11を
浸漬するか、または固体電解質板11の片面に上記分散
液を噴霧する。このとき、固体電解質板11のセラミッ
ク微粉末を付着させる部分以外の部分の表面にはマスキ
ングを施し、浸漬または噴霧をした後にそれを除去する
ことにより、その部分にセラミック微粉末が付着されな
いようにする。しかる後焼成すれば、上記有機バインダ
または有機溶剤は消散され、消散した跡は微細孔となる
。これがガス拡散制限孔としての微細孔で、かくしてそ
の微細孔を多数有するガス拡散制限多孔質層14が形成
される。ここでセラミック微粉末の粒径としては、10
0μm以下好ましくは10μm以下のものが用いられる
。また上記の浸漬または噴霧は1回またはそれ以上繰り
返してもよく、数回繰り返す場合には同じ粒径のもので
もよいが、ガス拡散制限多孔質層の強度上からは、下層
に粒径の大きいもの、上層に粒径の小さいものを用いる
とよい。ガス拡散制限孔の孔径の大きさおよび長さは、
例えば酸素ガスのいかなる濃度範囲のものを測定するセ
ンサとするかによって選択決定され、上記のセラミック
微粉末の粒径、浸漬または噴霧の繰り返しによる積層厚
さはこれによって選択されることは勿論である。
つぎに、この第2番目の発明を第2図を参照して説明す
る。図面中、21は例えば安定化ジルコニアよりなる固
体電解質板、22はこの第2番目の発明によって固体電
解質板21の両面に形成された例えば白金よりなる多孔
質電極、23はそのリード線である。いま、白金微粉末
を有機バインダまたは有機溶剤に分散させた分散液を用
意し、固体電解質板21をそれに浸漬するかまたは固体
電解質板21にそれを噴霧する。このとき、第1図で説
明したのと同様に、固体電解質板21の白全微粉末を付
着させる部分以外の部分の表面には、板21の周縁をも
含めてマスキングを施し、浸漬または噴霧を完了した後
にそれを除去することにより、その部分に白金微粉末が
付着されないようにする。しかる後焼成すれば、上記有
機バインダまたはを機溶剤は消散され、消散した跡は微
細孔となって、多孔質電極22が形成される。さらにそ
の上へのガス拡散制限孔としての微細孔を多数有するガ
ス拡散制限多孔質層の形成は第1図で述べたのと同様で
あるのでその説明を省略する。なお、ここでは白金微粉
末の分散液を固体電解質板への付着工程完了後に焼成を
行う場合を説明したが、ここでその焼成を行わず、この
あとに続くガス拡散制限多孔質層の形成の際の焼成加熱
で焼成されるようにしてもよい。
る。図面中、21は例えば安定化ジルコニアよりなる固
体電解質板、22はこの第2番目の発明によって固体電
解質板21の両面に形成された例えば白金よりなる多孔
質電極、23はそのリード線である。いま、白金微粉末
を有機バインダまたは有機溶剤に分散させた分散液を用
意し、固体電解質板21をそれに浸漬するかまたは固体
電解質板21にそれを噴霧する。このとき、第1図で説
明したのと同様に、固体電解質板21の白全微粉末を付
着させる部分以外の部分の表面には、板21の周縁をも
含めてマスキングを施し、浸漬または噴霧を完了した後
にそれを除去することにより、その部分に白金微粉末が
付着されないようにする。しかる後焼成すれば、上記有
機バインダまたはを機溶剤は消散され、消散した跡は微
細孔となって、多孔質電極22が形成される。さらにそ
の上へのガス拡散制限孔としての微細孔を多数有するガ
ス拡散制限多孔質層の形成は第1図で述べたのと同様で
あるのでその説明を省略する。なお、ここでは白金微粉
末の分散液を固体電解質板への付着工程完了後に焼成を
行う場合を説明したが、ここでその焼成を行わず、この
あとに続くガス拡散制限多孔質層の形成の際の焼成加熱
で焼成されるようにしてもよい。
[発明の効果]
この発明の製造方法によって製造されるセンサのガス拡
散制限多孔質層は、その面積のほぼ全体に互って多数の
ガス拡散制限孔となるものであるから、ムラのない、−
様に均一な厚さであることを要するが、そのガス拡散制
限多孔質層の形成には、セラミック微粉末の分散液を浸
漬、噴霧等のよって付着させるので、刷毛その他の固形
物を用いた塗布ではできなかった一様かつ均一な付着を
させることができる。
散制限多孔質層は、その面積のほぼ全体に互って多数の
ガス拡散制限孔となるものであるから、ムラのない、−
様に均一な厚さであることを要するが、そのガス拡散制
限多孔質層の形成には、セラミック微粉末の分散液を浸
漬、噴霧等のよって付着させるので、刷毛その他の固形
物を用いた塗布ではできなかった一様かつ均一な付着を
させることができる。
また、この発明の製造方法によれは、ガス拡散制限孔を
有するガス拡散制限多孔質層の形成は浸漬、噴霧等によ
って形成されるので、従来のガス拡散制限孔を有するセ
ラミックギャップの製造、それの固体電解質板への気密
性を要する封着等の工程が浸漬、噴霧等の工程に置き換
わることになり、工程かかなり簡略化される。
有するガス拡散制限多孔質層の形成は浸漬、噴霧等によ
って形成されるので、従来のガス拡散制限孔を有するセ
ラミックギャップの製造、それの固体電解質板への気密
性を要する封着等の工程が浸漬、噴霧等の工程に置き換
わることになり、工程かかなり簡略化される。
さらにまた、このもう1つの発明の製造方法によれは、
多孔質電極の形成にも前記と同様に浸漬、噴塀等によっ
て固形物を用いないで形成されるので、電極面積全体に
互って一様かつ均一に形成することかできる。
多孔質電極の形成にも前記と同様に浸漬、噴塀等によっ
て固形物を用いないで形成されるので、電極面積全体に
互って一様かつ均一に形成することかできる。
第1図はこの発明の製造方法によって作られたガス濃度
センサの1実施例を示す横断面図、第2図はこの発明の
もう1つの製造方法によって両面に多孔質電極が形成さ
れた固体電解質板の1実施例を示す横断面図および第3
図は従来の製造方法によって作られたガス濃度センサの
1実施例を示す横断面図である。 11.21.31:固体電解質板、12.22.32:
多孔質電極、14:ガス拡散制限多孔質層、33:ガス
拡散室、34:ガス拡散制限孔、35;キャップ、36
;封着部。 第1図 第2図
センサの1実施例を示す横断面図、第2図はこの発明の
もう1つの製造方法によって両面に多孔質電極が形成さ
れた固体電解質板の1実施例を示す横断面図および第3
図は従来の製造方法によって作られたガス濃度センサの
1実施例を示す横断面図である。 11.21.31:固体電解質板、12.22.32:
多孔質電極、14:ガス拡散制限多孔質層、33:ガス
拡散室、34:ガス拡散制限孔、35;キャップ、36
;封着部。 第1図 第2図
Claims (2)
- (1)両面に多孔質電極が形成された固体電解質板の少
なくとも片面に、有機バインダまたは有機溶剤にセラミ
ック微粉末を分散させた分散液を、固形物によらないで
付着させ、つぎに、焼成することにより上記有機物を消
散させて、ガス拡散制限孔としての微細孔を多数有する
ガス拡散制限多孔質層を形成することを特徴とする限界
電流式ガス濃度センサの製造方法。 - (2)特許請求の範囲第1項記載の製造方法において、
固体電解質板の両面に有機バインダまたは有機溶剤に電
極材料の微粉末を分散させた分散液を、固形物によらな
いで付着させ、つぎに、付着された電極材料微粉末分散
液層を焼成するかまたはその上にセラミック微粉末分散
液を付着させた後にセラミック微粉末分散液層の焼成工
程で焼成することにより上記有機物を消散させて、固体
電解質板の両面に多孔質電極を形成することを特徴とす
る限界電流式ガス濃度センサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63325591A JPH02170043A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 限界電流式ガス濃度センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63325591A JPH02170043A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 限界電流式ガス濃度センサの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02170043A true JPH02170043A (ja) | 1990-06-29 |
Family
ID=18178593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63325591A Pending JPH02170043A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 限界電流式ガス濃度センサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02170043A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06160341A (ja) * | 1992-11-20 | 1994-06-07 | Fujikura Ltd | 限界電流式酸素センサの製造方法 |
JPH06258281A (ja) * | 1993-03-09 | 1994-09-16 | Fujikura Ltd | イオン伝導体デバイスの製造方法 |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP63325591A patent/JPH02170043A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH06160341A (ja) * | 1992-11-20 | 1994-06-07 | Fujikura Ltd | 限界電流式酸素センサの製造方法 |
JPH06258281A (ja) * | 1993-03-09 | 1994-09-16 | Fujikura Ltd | イオン伝導体デバイスの製造方法 |
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