JPH02168314A - Memory control system in semiconductor disk device - Google Patents

Memory control system in semiconductor disk device

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JPH02168314A
JPH02168314A JP63323155A JP32315588A JPH02168314A JP H02168314 A JPH02168314 A JP H02168314A JP 63323155 A JP63323155 A JP 63323155A JP 32315588 A JP32315588 A JP 32315588A JP H02168314 A JPH02168314 A JP H02168314A
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JP
Japan
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address
error
section
semiconductor memory
memory section
Prior art date
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Application number
JP63323155A
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Japanese (ja)
Inventor
Keisuke Tokoro
所 敬介
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To effectively use a semiconductor memory without wasting it by using the memory as jumping the address of the erroneous place without switching it to an alternate track when the error occurs in a memory part. CONSTITUTION:In the case where some address of the semiconductor memory part 3 is abnormal and can not be used, a service processor SVP 2 stores an error address in an error address storing part 6. Next, the address for read or write in order to access the semiconductor memory part 3 is transmitted from a director part DIR 1. The transmitted address is sent to an address comparing part 7 through an address buffer 4. By comparing this address and the address of the storing part 6, it is checked whether it is the error address or not. In the case of the error, an adding instruction is executed for the address, and the read/write is executed by accessing the semiconductor memory part 3 by said address.

Description

【発明の詳細な説明】 [1N要] 半導体ディスク装置におけるメモリ制御方式に関し、 半導体メモリ部上にエラーが発生した場合、交替トラッ
クを使用せずにエラーの発生した部分だけのアドレスを
とばすことにより、半導体メモリ部を有効に使用するこ
とができるメモリ制御方式を提供することを目的とし、 半導体メモリ部と、データ転送を行なうディレクタ部と
、診断・保守などを行なうサービスプロセッサと、を有
し、前記半導体メモリ部を制御する半導体ディスク装置
におけるメモリ制御方式において、前記サービスプロセ
ッサからの診断で前記半導体メモリ部のエラーが発生し
た場合のエラーアドレスを格納しておくエラーアドレス
格納品と、前記ディレクタ部から前記半導体メモリ部を
アクセスしたときにエラー箇所であるか否かを判断する
ためのアドレス比較部と、エラーアドレスがセレクトさ
れたとき、その部分アドレスをとばすためのアドレス加
算部を設け、前記半導体メモリ部にエラーが発生した場
合、交替トラックを使用せずにエラーの発生したアドレ
スをとばして使用するように構成した。
[Detailed Description of the Invention] [Requires 1N] Regarding a memory control method in a semiconductor disk device, when an error occurs on the semiconductor memory section, by skipping only the address of the part where the error occurred without using a replacement track. The purpose is to provide a memory control method that can effectively use a semiconductor memory section, and includes a semiconductor memory section, a director section that transfers data, and a service processor that performs diagnosis and maintenance. In a memory control method in a semiconductor disk device that controls the semiconductor memory section, an error address storage product that stores an error address when an error occurs in the semiconductor memory section as a result of diagnosis from the service processor, and the director section. an address comparison section for determining whether an error location exists when the semiconductor memory section is accessed from the semiconductor memory section; and an address addition section for skipping the partial address when an error address is selected; When an error occurs in the memory section, the address where the error occurred is skipped and used instead of using a replacement track.

[産業上の利用分野] 本発明は、半導体ディスク装置におけるメモリ制御方式
に関する。
[Industrial Application Field] The present invention relates to a memory control method in a semiconductor disk device.

半導体ディスクiJtにおいて、その半導体メモリ部上
のデータ部の一部分にエラーが発生した場合には、たと
えその前後に正常な部分があっても、その領域は一切使
用せずに、交替トラックを使用していた。
In the semiconductor disk iJt, if an error occurs in a part of the data section on the semiconductor memory section, even if there are normal sections before and after the error, that area will not be used at all and a replacement track will be used. was.

このため、半導体メモリ部の使用効率が非常に悪かった
。したがって、半導体メモリ部の使用効率を改善するよ
うにしたメモリ制御方式の開発が要望されていた。
For this reason, the usage efficiency of the semiconductor memory section was extremely poor. Therefore, there has been a demand for the development of a memory control method that improves the usage efficiency of the semiconductor memory section.

[従来の技術] 従来の半導体ディスク装置におけるメモリ!1IJ11
1方式としては、第6図および第7図に示すようなもの
がある。
[Prior art] Memory in conventional semiconductor disk devices! 1IJ11
One method is shown in FIGS. 6 and 7.

第6図において、1はデータ転送を行なうディレクタ(
DIR>部、2は診断・保守などを行なうサービスプロ
セッサ(SVP) 、3は半導体メモリ部、4はアドレ
スバッフ?、5はデータバツア、9はアドレスバス、1
0はデータバスである。
In FIG. 6, 1 is a director (
DIR> section, 2 is a service processor (SVP) that performs diagnosis and maintenance, 3 is a semiconductor memory section, and 4 is an address buffer? , 5 is a data bus, 9 is an address bus, 1
0 is the data bus.

この半導体ディスク装置では、例えば、半導体メモリ部
3にデータをライトする場合、DIR部1から指定され
たアドレスの当該半導体メモリ部3へ、第7図に示すよ
うなトラックエミュレーションフt−マットでデータが
ライトされる。
In this semiconductor disk device, for example, when writing data to the semiconductor memory section 3, the data is transferred from the DIR section 1 to the semiconductor memory section 3 at a specified address using a track emulation foot mat as shown in FIG. is written.

なお、トラックエミュレーションフォーマットは、ディ
レクトリ一部を先頭に、トラックの物理位置やトラック
の状態などが示されているホームアドレス(HA)、カ
ウント(C)部、データ(D>部から構成されている。
The track emulation format consists of a directory part at the beginning, a home address (HA) indicating the physical location of the track, the track status, etc., a count (C) part, and a data (D> part). .

ここで、当該半導体メモリ部3のデータ部にエラーが発
生した場合、DIR部1のマイクロプログラムによって
交替トラックへデータがライトされるようになっていた
Here, if an error occurs in the data section of the semiconductor memory section 3, the microprogram of the DIR section 1 causes the data to be written to a replacement track.

[発明が解決しようとする課題] しかしながら、このような従来の半導体ディスク装置に
おけるメモリ制御方式にあっては、前記半導体メモリ部
3上のデータ部の一部分にエラーが発生した場合、たと
えその前後に正常な部分があったとしても、その領域は
一切使用せずに交替トラックを使用するようになってい
るため、当該半導体メモリ部3の使用効率が非常に悪い
という問題点があった。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in the memory control method of such a conventional semiconductor disk device, when an error occurs in a part of the data section on the semiconductor memory section 3, even before and after the error occurs, Even if there is a normal area, the area is not used at all and a replacement track is used, so there is a problem that the usage efficiency of the semiconductor memory section 3 is very poor.

本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたも
のであって、半導体メモリ部上にエラーが発生した場合
、交替トラックを使用せずにエラーの発生した部分だけ
のアドレスをとばすことにより、半導体メモリ部を有効
に使用することができるメモリ制御方式を提供すること
を目的としている。
The present invention has been made in view of such conventional problems, and is capable of skipping only the address of the part where the error occurred without using a replacement track when an error occurs on the semiconductor memory section. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a memory control method that can effectively use a semiconductor memory section.

[WR題を解決するだの手段] 第1図は、本発明の原理説明図である。[Means to solve the WR problem] FIG. 1 is a diagram explaining the principle of the present invention.

第1図において、3は半導体メモリ部、1はデータ転送
を行なうディレクタ部、2は診断・保守などを行なうサ
ービスプロセッサ、6は前記サービスプロセッサ2から
の診断で前記半導体メモリ部3のエラーが発生した場合
のエラーアドレスを格納しておくエラーアドレス格納部
、7は前記ディレクタ部1から前記半導体メモリ部3を
アクセスしたときにエラー箇所であるか否かを判断する
ためのアドレス比較部、8はエラーアドレスがセレクト
されたとき、その部分アドレスをとばすためのアドレス
加算部である。
In FIG. 1, 3 is a semiconductor memory section, 1 is a director section that transfers data, 2 is a service processor that performs diagnosis and maintenance, etc., and 6 is a diagnosis from the service processor 2 that indicates that an error has occurred in the semiconductor memory section 3. 7 is an address comparison unit for determining whether or not an error location exists when the semiconductor memory unit 3 is accessed from the director unit 1; 8 is an address comparison unit for storing an error address when This is an address adder for skipping the partial address when an error address is selected.

[作用] 本発明においては、半導体メモリ部にエラーが発生した
場合には、そのエラーアドレスをエラーアドレス格納部
に格納しておき、半導体メモリ部をアクセスしたときの
アドレスと前記エラーアドレスをアドレス比較部で比較
し、一致した場合に・はエラーの発生したアドレスをア
ドレス加算部でとばして次のアドレスを使用するように
したため、交替トラックを使用する必要がないので、半
導体メモリ部の使用効率を高めることができる。
[Operation] In the present invention, when an error occurs in the semiconductor memory section, the error address is stored in the error address storage section, and the error address is compared with the address when the semiconductor memory section is accessed. The address addition section skips the address where the error occurred and uses the next address if there is a match, so there is no need to use a replacement track, which improves the efficiency of semiconductor memory usage. can be increased.

[実施例] 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。[Example] Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings.

第2図〜第5図は本発明の一実施例を示す図である。2 to 5 are views showing one embodiment of the present invention.

まず、本発明を実施するための装置を説明すると、第2
図において、1はディレクタ部(以下、DIR部)であ
り、DIR部1はアドレスバス9およびデータパスコ0
を介してデータの転送を行なう。2はサービスプロセッ
サ(以下、5VP)であり、5VP2はアドレスバス9
およびデータパスコ0を介して診断・保守などを行なう
First, the apparatus for carrying out the present invention will be explained.
In the figure, 1 is a director section (hereinafter referred to as DIR section), and DIR section 1 is connected to address bus 9 and data path code 0.
Data is transferred via. 2 is a service processor (hereinafter referred to as 5VP), and 5VP2 is an address bus 9.
Diagnosis, maintenance, etc. are performed via the data pathco0.

3はアドレスバス9、アドレスバッファ4およびデータ
バス10、データバッファ5を介して前記DIR部1お
よび前記5VP2にそれぞれ接続された半導体メモリ部
であり、半導体メモリ部3は、DIR部1の指示により
データが書き込まれ、またはデータが読み出されるとと
もに、5VP2により診断・保守などの指示を受けてい
る。
Reference numeral 3 denotes a semiconductor memory section connected to the DIR section 1 and the 5VP2 through an address bus 9, an address buffer 4, a data bus 10, and a data buffer 5, respectively. Data is being written or read, and instructions for diagnosis, maintenance, etc. are received from the 5VP2.

6はエラーアドレス格納部であり、エラーアドレス格納
部6は5VP2が半導体メモリ部3に診断したとき、半
導体メモリ部3のエラーが発生した場合のエラーアドレ
スを5VP2の指示で格納する。
Reference numeral 6 denotes an error address storage section, and the error address storage section 6 stores an error address when an error occurs in the semiconductor memory section 3 when the 5VP2 diagnoses the semiconductor memory section 3 under the instruction of the 5VP2.

7はアドレス比較部であり、エラーアドレス格納部6か
らのエラーアドレスと、DIR部1から半導体メモリ部
3をアクセスしたときのアドレスを比較し、そのアドレ
スがエラー箇所であるか否かを判断する。
Reference numeral 7 denotes an address comparison unit, which compares the error address from the error address storage unit 6 with the address when the semiconductor memory unit 3 is accessed from the DIR unit 1, and determines whether the address is an error location or not. .

8はアドレス加算部であり、アドレス加算部8は、アド
レス比較部7でエラーアドレスがセレクトされたとき、
そのアドレスに1を加算して、その部分の7ドレスをと
ばすためのものである。
8 is an address addition section, and when an error address is selected by the address comparison section 7, the address addition section 8
This is to add 1 to that address and skip 7 addresses in that part.

次に、動作を説明する。Next, the operation will be explained.

第3図(A−C)は本発明の詳細な説明するためのフロ
ーチャートである。
FIGS. 3(A-3C) are flowcharts for explaining the present invention in detail.

第3図(A−C)において、ステップS1で5VP2は
半導体メモリ部3が正常に動作するかどうかをチエツク
するために、電源投入後システムとして動作させる前に
イニシャル診断で半導体メモリ部3に対してテストデー
タのリード、ライトを行なう。次に、ステップS2で半
導体メモリ部3に異常がな(プればエラーアドレス格納
部6にはエラーアドレスを格納しないで、ステップS4
へ進む。
In FIG. 3 (A-C), in step S1, 5VP2 performs an initial diagnosis on the semiconductor memory section 3 to check whether the semiconductor memory section 3 operates normally after turning on the power and before operating the system. Read and write test data. Next, in step S2, if there is no abnormality in the semiconductor memory section 3, no error address is stored in the error address storage section 6, and step S4
Proceed to.

一方、ステップS2で半導体メモリ部3のあるアドレス
が異常であり使用できない場合には、ステップS3で5
VP2はエラーアドレス格納部6にエラーアドレスを格
納するものとする。
On the other hand, if a certain address in the semiconductor memory section 3 is abnormal and cannot be used in step S2, then in step S3
It is assumed that the VP2 stores an error address in the error address storage section 6.

次に、DIR部1より半導体メモリ部3をアクセスする
ためにリードあるいはライトするためのアドレスを送信
する。そして、ステップS5で送信されたアドレスはア
ドレスバッフ?4を通してアドレス比較部7に送信され
る。
Next, the DIR section 1 transmits an address for reading or writing in order to access the semiconductor memory section 3. Is the address sent in step S5 an address buffer? 4 to the address comparator 7.

次に、ステップS6でアドレス比較部7に送信されたア
ドレスがエラー箇所でないかをチエツクするために、同
アドレスをエラーアドレス格納部6に格納されているア
ドレスと比較する。
Next, in step S6, in order to check whether the address sent to the address comparison section 7 is an error location, the same address is compared with the address stored in the error address storage section 6.

この時、エラーアドレス格納部6に何も格納されていな
ければ、一致しないものとみなす。
At this time, if nothing is stored in the error address storage section 6, it is assumed that there is no match.

一方、その結果がステップS7で一致しなければ、ステ
ップS8でアドレス比較部7はアドレス加算部8に対し
て加算指示を送信しない。
On the other hand, if the results do not match in step S7, the address comparator 7 does not send an addition instruction to the address adder 8 in step S8.

逆に、一致した場合には、ステップS9でアドレス比較
部7はアドレス加算部8に対して+1の加算指示を送信
する。
Conversely, if they match, the address comparator 7 sends an instruction to add +1 to the address adder 8 in step S9.

そして、ステップS10でアドレス加算部8はアドレス
バッファ4から送信されたアドレスに上記加算指示を実
行し、ステップS11で、アドレス加算部8は、その結
果得られたアドレスで半導体メモリ部3をアクセス、す
ることになり、そのアドレスで半導体メモリ部3に対し
てリード、ライトを実行する。
Then, in step S10, the address adder 8 executes the above addition instruction to the address transmitted from the address buffer 4, and in step S11, the address adder 8 accesses the semiconductor memory unit 3 with the address obtained as a result, Then, reading and writing to the semiconductor memory section 3 is executed at that address.

また、ステップS13で018部1と半導体メモリ部3
との間でそのデータ部のリード、ライトが終了していな
ければ、上記の動作を繰り返す。
Further, in step S13, the 018 part 1 and the semiconductor memory part 3 are
If the reading and writing of the data portion between the data section and the data section has not been completed, the above operation is repeated.

その際、第4図に示ずように、エラー発生したデータ部
と同一データ部のリード、ライトを続けて実行する場合
、アドレス比較部7で送信している加算指示は常に保持
しておく。
At this time, as shown in FIG. 4, when reading and writing the same data section as the data section in which the error has occurred is successively executed, the addition instruction sent by the address comparator 7 is always held.

すなわち、エラーの発生した箇所からそのデータ部が終
了するまでは常に+1の加算指示を送信したままにして
おく。
That is, the +1 addition instruction is always sent from the point where the error occurs until the data section ends.

そして、ステップS14でそのエラーの含まれたデータ
部のリード、ライトが終了したら、ステップS15でア
ドレス比較部7がアドレス加算部8に対して送信してい
た加算指示を解除する。最俊に、ステップ516および
ステップS17でギャップをはさんで次のカウント部あ
るいはデータ部があるときは、再び上記の動作を繰り返
す。
When the reading and writing of the data section containing the error is completed in step S14, the addition instruction sent by the address comparing section 7 to the address adding section 8 is canceled in step S15. At the earliest opportunity, if there is a next count section or data section with a gap in step 516 and step S17, the above operation is repeated again.

次に、第5図に基づいて実施例に係る具体例を説明する
Next, a specific example according to the embodiment will be explained based on FIG.

ここでは、半導体メモリ部3の中でノド920005番
地にエラーが発生したことにする。018部1はそのエ
ラーアドレスを含む半導体メモリ部3をアクセスしよう
とするが、まず0001番地から0004番地までエラ
ー箇所もなく、エラーアドレス格納部6に格納されてい
るアドレスと一致しないため、アドレス比較部7は加算
指示をせず、018部1からのアドレスでそのまま半導
体メモリ部3をアクセスする。
Here, it is assumed that an error occurs at address 920005 in the semiconductor memory section 3. 018 unit 1 attempts to access the semiconductor memory unit 3 that includes the error address, but first, there is no error location from address 0001 to address 0004, and the address does not match the address stored in the error address storage unit 6, so address comparison is performed. The unit 7 does not issue an addition instruction and directly accesses the semiconductor memory unit 3 using the address from the 018 unit 1.

次に、018部1がノド920005番地を送信すると
、エラーアドレス格納部6に格納されているアドレスと
一致するためアドレス比較部7は+1加算指示を送信し
、0006番地として半導体メモリ部3をアクセスする
Next, when the 018 unit 1 transmits the address 920005, the address comparison unit 7 transmits a +1 addition instruction because it matches the address stored in the error address storage unit 6, and accesses the semiconductor memory unit 3 as the address 0006. do.

その侵、018部1が0006番地からそのデータ部の
終る0OOF番地までを送信すると先と同一データ部で
あるので、アドレス比較部7から送信している十加算指
示はそのままとなる。したがって、半導体メモリ部3は
0007番地から0010番地までがアクセスされる。
When the 018 section 1 transmits the data from address 0006 to address 0OOF where the data section ends, it is the same data section as before, so the tens addition instruction sent from the address comparison section 7 remains unchanged. Therefore, in the semiconductor memory section 3, addresses 0007 to 0010 are accessed.

さらに、018部1はギャップをはさんで次のカウント
部あるいはデータ部の先頭である0021番地以降を送
信すると、アドレス比較部7からの加算指示は解除され
て、018部1から送信されたアドレスそのままで半導
体メモリ部3をアクセスすることになる。
Furthermore, when the 018 part 1 transmits the next count part or the first address of the data part after the address 0021 across the gap, the addition instruction from the address comparison part 7 is canceled and the address transmitted from the 018 part 1 is The semiconductor memory section 3 will be accessed as is.

[発明の効果] 以上説明してきたように、本発明によれば、半導体メモ
リ部上にエラーが発生しても、マイクロプログラムの制
御で交替トラックにとばさずに、エラーの発生したアド
レスを確認したらアドレス比較部の制御により、エラー
箇所のアドレスをとばして使用するので、半導体メモリ
を無駄なく有効に使用することができる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, even if an error occurs in the semiconductor memory section, the address where the error occurred is checked without skipping to a replacement track under the control of the microprogram. Since the address of the error location is skipped and used under the control of the address comparison section, the semiconductor memory can be used effectively without wasting it.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の原理説明図、 第2図は本発明の一実施例を示すブロック図、第3図(
A−C)は動作を説明するための各フローチャート、 第4図はエミュレーションフォーマットでのエラー発生
状態を示す図、 第5図は実施例に係る具体例の説明図、第6図は従来例
を示すブロック図、 第7図は半導体ディスク装置のエミュレーションフォー
マットの一例を示す図である。 図中、 1°デイレクタ(DIR>部、 2:サービスプロセッサ(SVP)、 3°半導体メモリ部、 4°アドレスバツフア、 5、データバッファ、 6:エラーアドレス格納部、 7°アドレス比較部、 8、アドレス加算部、 9ニアドレスバス、 10:データバス。
Fig. 1 is a diagram explaining the principle of the present invention, Fig. 2 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, and Fig. 3 (
A-C) are flowcharts for explaining the operation, Fig. 4 is a diagram showing an error occurrence state in the emulation format, Fig. 5 is an explanatory diagram of a specific example according to the embodiment, and Fig. 6 is a diagram of a conventional example. FIG. 7 is a block diagram showing an example of an emulation format of a semiconductor disk device. In the figure, 1° Director (DIR> section, 2: Service processor (SVP), 3° Semiconductor memory section, 4° Address buffer, 5, Data buffer, 6: Error address storage section, 7° Address comparison section, 8 , address adder, 9 near address bus, 10 data bus.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 半導体メモリ部(3)と、データ転送を行なうディレク
タ(1)部と、診断・保守などを行なうサービスプロセ
ッサ(2)と、を有し、前記半導体メモリ部(3)を制
御する半導体ディスク装置におけるメモリ制御方式にお
いて、前記サービスプロセッサ(2)からの診断で前記
半導体メモリ部(3)のエラーが発生した場合のエラー
アドレスを格納しておくエラーアドレス格納部(6)と
、前記ディレクタ部(1)から前記半導体メモリ部(3
)をアクセスしたときにエラー箇所であるか否かを判断
するためのアドレス比較部(7)と、エラーアドレスが
セレクトされたとき、その部分アドレスをとばすための
アドレス加算部(8)を設け、前記半導体メモリ部(3
)にエラーが発生した場合、交替トラックを使用せずに
エラーの発生したアドレスをとばして使用するようにし
たことを特徴とする半導体ディスク装置におけるメモリ
制御方式。
A semiconductor disk device that controls the semiconductor memory section (3) and has a semiconductor memory section (3), a director (1) section that performs data transfer, and a service processor (2) that performs diagnosis, maintenance, etc. In the memory control method, an error address storage section (6) for storing an error address when an error occurs in the semiconductor memory section (3) as a result of diagnosis from the service processor (2), and the director section (1) ) to the semiconductor memory section (3
) is provided with an address comparison unit (7) for determining whether or not it is an error location when accessed, and an address addition unit (8) for skipping the partial address when an error address is selected. The semiconductor memory section (3
), a memory control method for a semiconductor disk device is characterized in that when an error occurs in a semiconductor disk device, the address where the error occurs is skipped and used without using a replacement track.
JP63323155A 1988-12-21 1988-12-21 Memory control system in semiconductor disk device Pending JPH02168314A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0498342A (en) * 1990-08-09 1992-03-31 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor memory device
JPH04101146U (en) * 1991-01-31 1992-09-01 横河電機株式会社 memory device
JPH07334431A (en) * 1994-06-10 1995-12-22 Nec Corp Fifo memory device and method for improving reliability

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