JPH02166741A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02166741A JPH02166741A JP32505888A JP32505888A JPH02166741A JP H02166741 A JPH02166741 A JP H02166741A JP 32505888 A JP32505888 A JP 32505888A JP 32505888 A JP32505888 A JP 32505888A JP H02166741 A JPH02166741 A JP H02166741A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
半導体装置の製造方法、特に微細なアルミニウム配線が
施された半導体装置の製造方法に関し、ストレスマイグ
レーションによるアルミニウム配線の断線を有効に低減
させることができる半導体装ｒの製造方法を提供するこ
とを目的とし、配線形成後の少なくともパッケージング
工程まで含む一連の工程中に３５０℃以上の温度で半導
体装置を処理する熱工程を有する半導体装置の製造方法
において、前記熱工程後に約２５０〜・１１２０℃の温
度で前記半導体装置をアニールするように構成する。
施された半導体装置の製造方法に関し、ストレスマイグ
レーションによるアルミニウム配線の断線を有効に低減
させることができる半導体装ｒの製造方法を提供するこ
とを目的とし、配線形成後の少なくともパッケージング
工程まで含む一連の工程中に３５０℃以上の温度で半導
体装置を処理する熱工程を有する半導体装置の製造方法
において、前記熱工程後に約２５０〜・１１２０℃の温
度で前記半導体装置をアニールするように構成する。
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置の製造方法、特に徹細なアルミニウ
ム配線が施された半導体装置の製造方法に関する。
ム配線が施された半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の集積化に伴い、半導体装置上のアルミニウ
ム配線もますます微細化されている。アルミニウム配線
が微細化されるにつれ、ス）・レスマイグレーションに
よるアルミニウム配線の断線が問題となっている。この
断線はアルミニウム配線と半導体基板又はパッシベーシ
ョン膜との間の熱膨張率の相違によりアルミニウム配線
が引張り応力状態になるためであると指摘されている（
＠昇平、ｒＡｊ配線微細化の可能性と限界Ｊ ５ｅｎ
ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ、 １９８８年４月
号、ｐ、９６）。
ム配線もますます微細化されている。アルミニウム配線
が微細化されるにつれ、ス）・レスマイグレーションに
よるアルミニウム配線の断線が問題となっている。この
断線はアルミニウム配線と半導体基板又はパッシベーシ
ョン膜との間の熱膨張率の相違によりアルミニウム配線
が引張り応力状態になるためであると指摘されている（
＠昇平、ｒＡｊ配線微細化の可能性と限界Ｊ ５ｅｎ
ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ、 １９８８年４月
号、ｐ、９６）。
［従来の技術］
ストレスマイグレーションによるアルミ配線の断線を防
止するために、配線材料であるアルミニウムに銅を添加
したり、パッシベーション膜の成長温度を低くする等の
対策が従来から行われている。
止するために、配線材料であるアルミニウムに銅を添加
したり、パッシベーション膜の成長温度を低くする等の
対策が従来から行われている。
しかしなから、配線材料としてのアルミニウムに銅を添
加すると、ドライエツチングが困ｎになるという問題が
あった。
加すると、ドライエツチングが困ｎになるという問題が
あった。
また、パッシベーション膜形成工程の温度だけを低くし
ても、その後の工程、例えば酸化シリコン界面準位を低
減させるためのアニール工程や、半導体チップをリード
フレームにボンディングしたり、パッケージの硝子封止
を行う等のパラゲージング工程等の高温熱処理工程が行
われるため、有効ではない。
ても、その後の工程、例えば酸化シリコン界面準位を低
減させるためのアニール工程や、半導体チップをリード
フレームにボンディングしたり、パッケージの硝子封止
を行う等のパラゲージング工程等の高温熱処理工程が行
われるため、有効ではない。
［発明が解決しようとする課題］
このようにストレスマイグレーションによるアルミニウ
ム配線の断線に対して種々の方法が試みられているがど
れも有効ではなく、アルミニウム配線断線が半導体装置
の信頼性上の大きな問題になっていた。
ム配線の断線に対して種々の方法が試みられているがど
れも有効ではなく、アルミニウム配線断線が半導体装置
の信頼性上の大きな問題になっていた。
本発明は上記事情を’Ｊ−慮してなされたもので、スト
レスマイグレーションによるアルミニウム配線の断線を
有効に低減させることができる半導体装置の製造方法を
提供することを目的とする。
レスマイグレーションによるアルミニウム配線の断線を
有効に低減させることができる半導体装置の製造方法を
提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明による半導体装置の製造方法は、配線を形成した
後、３５０℃以上の温度で半導体装置を処理する熱工程
後に約２５０〜４２０℃の温度で前記半導体装置をアニ
ールすることを′［、ν徴とする。
後、３５０℃以上の温度で半導体装置を処理する熱工程
後に約２５０〜４２０℃の温度で前記半導体装置をアニ
ールすることを′［、ν徴とする。
［作用コ
本発明によれば、配線を形成した後、３５０℃以上の温
度で半導体装置を処理する熱工程後に約２５０〜４２０
℃の温度でアニールするようにしているので、ストレス
マイグレーションによるアルミニウム配線の断線を低減
することができる。
度で半導体装置を処理する熱工程後に約２５０〜４２０
℃の温度でアニールするようにしているので、ストレス
マイグレーションによるアルミニウム配線の断線を低減
することができる。
［実施例］
半導体装置に対するストレスマイグレーション信頼性加
速試験を行った。
速試験を行った。
試験対象の半導体装置は次の通りである。
アルミニウム配線
材料：Ａｊ−１％Ｓｉ゛
厚さ二０．７μｍ
幅 二 ０．８μｍ
長さ：約１０ｍ
パッシベーション１模
材料：Ｌ−ＰＣＶＤ−ＰＳＧ
厚さ＝２．０μｍ
上述の半導体装置に対して３５０℃以上の温度で熱処理
を行い、その後にアルゴンや窒素等の不活性ガス中で種
々の温度でアニール処理を行った。
を行い、その後にアルゴンや窒素等の不活性ガス中で種
々の温度でアニール処理を行った。
アニール処理の効果を確認するために、約１５０℃で１
０００時間放置する信頼性加速試験を行い、加速試験後
のアルミニウム配線の断線率を測定した。
０００時間放置する信頼性加速試験を行い、加速試験後
のアルミニウム配線の断線率を測定した。
ストレスマイグレーション信頼性加速試験の試験結果を
次の表に示す。
次の表に示す。
表
この信頼性加速試験の試験結果によれば、３５０℃以上
の熱が加わる熱処理を行ったとしても、その後のアニー
ル処理の温度が適切であれは断線率を著しく低下させる
ことができることが分かった。
の熱が加わる熱処理を行ったとしても、その後のアニー
ル処理の温度が適切であれは断線率を著しく低下させる
ことができることが分かった。
すなわち、４５０℃の熱処理工程が行われた場合には約
２５０〜４２０℃の温度でアニールすれば断線率を１〜
２％程度に低減できる。
２５０〜４２０℃の温度でアニールすれば断線率を１〜
２％程度に低減できる。
また、５００℃の熱処理工程が行われた場合には約２５
０〜３２０℃の温度でアニールすれば断線率を数％程度
に低減できる。
０〜３２０℃の温度でアニールすれば断線率を数％程度
に低減できる。
アルミニウム配線形成後の半導体装置の製造工程中で、
３５０℃以上の温度で半導体装置を処理する必要がある
工程としては、パッシベーション膜の形成工程の他に、
酸化シリコン界面準位を低減さぜるためのアニール工程
（約４５０℃）、半導体チップをリードフレームにダイ
ス付けする工程（約４００℃）、セラミックパッケージ
の硝子封止の工程（約４８０℃）等がある。
３５０℃以上の温度で半導体装置を処理する必要がある
工程としては、パッシベーション膜の形成工程の他に、
酸化シリコン界面準位を低減さぜるためのアニール工程
（約４５０℃）、半導体チップをリードフレームにダイ
ス付けする工程（約４００℃）、セラミックパッケージ
の硝子封止の工程（約４８０℃）等がある。
したがって、半導体装置のパラゲージングまで終了した
後の最後の工程として断線率低減のための上記アニール
工程を行うことが望ましい。最後にアニール処理を行え
ば製造工程中の全ての熱処理工程に対して有効となるか
らである”。
後の最後の工程として断線率低減のための上記アニール
工程を行うことが望ましい。最後にアニール処理を行え
ば製造工程中の全ての熱処理工程に対して有効となるか
らである”。
以上の通り、本発明によれば３５０℃以上の温度で半導
体装置を処理する熱工程後に約２５０〜４２０℃の温度
でアニールするようにしているので、ストレスマイグレ
ーションによるアルミニウム配線の断線を低減する′こ
とができる。
体装置を処理する熱工程後に約２５０〜４２０℃の温度
でアニールするようにしているので、ストレスマイグレ
ーションによるアルミニウム配線の断線を低減する′こ
とができる。
［発明の効果］
Claims (1)
- 配線形成後の少なくともパッケージング工程まで含む一
連の工程中に３５０℃以上の温度で半導体装置を処理す
る熱工程を有する半導体装置の製造方法において、前記
熱工程後に約２５０〜４２０℃の温度で前記半導体装置
をアニールすることを特徴とする半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32505888A JPH02166741A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32505888A JPH02166741A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02166741A true JPH02166741A (ja) | 1990-06-27 |
Family
ID=18172682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32505888A Pending JPH02166741A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02166741A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0645339A (ja) * | 1991-06-05 | 1994-02-18 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | 半導体シリコンウェーハの熱処理方法 |
-
1988
- 1988-12-20 JP JP32505888A patent/JPH02166741A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0645339A (ja) * | 1991-06-05 | 1994-02-18 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | 半導体シリコンウェーハの熱処理方法 |
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