JPH02156622A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH02156622A JPH02156622A JP63311223A JP31122388A JPH02156622A JP H02156622 A JPH02156622 A JP H02156622A JP 63311223 A JP63311223 A JP 63311223A JP 31122388 A JP31122388 A JP 31122388A JP H02156622 A JPH02156622 A JP H02156622A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置の構造に関し、特に逐次露光装
置の露光部ステージに関する。
置の露光部ステージに関する。
通常、半導体製造工程では導体・半導体・絶縁体等の素
材を微細なパターンに形成し、かつ高い位置精度を保つ
必要性がら、フォトリソ工程が用いられている。これは
、目的の素材上に感光性を持った樹脂（レジスト）を塗
布し、所望のマスクパターンを光転写した後、現像を行
ない選択的に樹脂パターンを形成し、さらにこれをマス
クにして、目的の素材をエツチングしてパターンを形成
する手法である。このうち、特に高い精度が要求される
のは光転写の工程で、１μｍ以下のパターンを０．２μ
ｍ程度の位置精度で転写させるために、通常、逐次露光
装置（通称ステッパー）が用いられている。以下簡単に
この逐次露光装置の説明を行なう、逐次露光装置の基本
的な構造は第４図に示すように光源部１０と、コンデン
サーレンズ１１と、マスク１２と、レンズ部１３と、基
板１４の搭載用ステージ１５と、これらの図示しないコ
ントロール部よりなる。パターンはマスク１２よりステ
ージ１５上の基板１４に転写されるわけであるが、−度
露光を行なうと、ステージ１５はあらかじめ設定された
分量だけ水平方向に移動し、再び露光を行なう。このた
め、逐次露光装置では、目的のパターンの一要素のみマ
スク１２に作成しておけば、基板１４上にはその繰り返
しとして作成可能である。
材を微細なパターンに形成し、かつ高い位置精度を保つ
必要性がら、フォトリソ工程が用いられている。これは
、目的の素材上に感光性を持った樹脂（レジスト）を塗
布し、所望のマスクパターンを光転写した後、現像を行
ない選択的に樹脂パターンを形成し、さらにこれをマス
クにして、目的の素材をエツチングしてパターンを形成
する手法である。このうち、特に高い精度が要求される
のは光転写の工程で、１μｍ以下のパターンを０．２μ
ｍ程度の位置精度で転写させるために、通常、逐次露光
装置（通称ステッパー）が用いられている。以下簡単に
この逐次露光装置の説明を行なう、逐次露光装置の基本
的な構造は第４図に示すように光源部１０と、コンデン
サーレンズ１１と、マスク１２と、レンズ部１３と、基
板１４の搭載用ステージ１５と、これらの図示しないコ
ントロール部よりなる。パターンはマスク１２よりステ
ージ１５上の基板１４に転写されるわけであるが、−度
露光を行なうと、ステージ１５はあらかじめ設定された
分量だけ水平方向に移動し、再び露光を行なう。このた
め、逐次露光装置では、目的のパターンの一要素のみマ
スク１２に作成しておけば、基板１４上にはその繰り返
しとして作成可能である。
前述したように、逐次露光装置は微細なパターンを寸法
および位置精度よく転写しなければならない。そのため
、逐次露光装置の各部は種々の工夫がされているが、そ
のうちのステージ１５に着目すると、その構造は第３図
のようになっている。
および位置精度よく転写しなければならない。そのため
、逐次露光装置の各部は種々の工夫がされているが、そ
のうちのステージ１５に着目すると、その構造は第３図
のようになっている。
基板は基板ローグーによってステージ本体４の上部に運
ばれてくると、搬送チャック１により受けとられ、この
搬送チャック１をシャフト５により下部に移動してステ
ージ本体４の上面に設置され、真空吸引ｆＩ２の真空吸
引により平坦なステージ本体４の上面に強固に密着され
る。ステージ自体は高精度なステップモーターをもって
おり任意の長さの移動と静止が可能となっている。
ばれてくると、搬送チャック１により受けとられ、この
搬送チャック１をシャフト５により下部に移動してステ
ージ本体４の上面に設置され、真空吸引ｆＩ２の真空吸
引により平坦なステージ本体４の上面に強固に密着され
る。ステージ自体は高精度なステップモーターをもって
おり任意の長さの移動と静止が可能となっている。
上述した従来の逐次露光装置のステージでは基板中央部
が露光時に中空にあるため（裏面にチャックが接触して
いないため）、この部分の基板の平坦度がまったく保障
されず、実際には上部および下部に湾曲することにより
、露光フォーカスがくるい、高精度なｒＩ１１細パター
ンができないという欠点、ならびに特にこの部分で露光
時に発生する熱の逃げる所がないため（他の部分ではス
テージに逃げる）、温度に敏感なレジストの感度が変っ
てしまい、均一な精度でパターンが作れないという欠点
があった。
が露光時に中空にあるため（裏面にチャックが接触して
いないため）、この部分の基板の平坦度がまったく保障
されず、実際には上部および下部に湾曲することにより
、露光フォーカスがくるい、高精度なｒＩ１１細パター
ンができないという欠点、ならびに特にこの部分で露光
時に発生する熱の逃げる所がないため（他の部分ではス
テージに逃げる）、温度に敏感なレジストの感度が変っ
てしまい、均一な精度でパターンが作れないという欠点
があった。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体製造装置を提
供することにある。
供することにある。
上述した従来の逐次露光装置のステージに対し、本発明
は基板を基板裏面全面でステージに密着させること、ス
テージ内部に冷却流体を流すことにより、基板ならびに
レジストの温度上昇をおさえるという相違点を有する。
は基板を基板裏面全面でステージに密着させること、ス
テージ内部に冷却流体を流すことにより、基板ならびに
レジストの温度上昇をおさえるという相違点を有する。
前記目的を達成するなめ、本発明に係る半導体製造装置
においては、基板吸着面に基板の裏面全面に対応させて
真空吸引溝を備えた露光及び位置精度合わせ用ステージ
と、該ステージ上に基板を搬出入する搬送チャックとを
有するものである。
においては、基板吸着面に基板の裏面全面に対応させて
真空吸引溝を備えた露光及び位置精度合わせ用ステージ
と、該ステージ上に基板を搬出入する搬送チャックとを
有するものである。
また、本発明は前記露光及び位置精度合わせ用ステージ
に冷却機能を有するものである。
に冷却機能を有するものである。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１を示す縦断面図である。
図において、ステージ本体４の基板吸着面４ａの全面に
真空吸引？ｌｉ２を開口し、ステージ本体４の中心部に
シャフト５をギヤ６により昇降可能に設置する。また、
シャフト５にパイプ状の搬送チャック１を保持し、該搬
送チャック１の先端を複数本に分岐しその分岐パイプｌ
ａ、ｌａ・・・を垂直に向け、該分岐パイプ１ａを真空
吸引溝２の位置を避けて基板吸着面４ａより昇降可能に
設ける。
真空吸引？ｌｉ２を開口し、ステージ本体４の中心部に
シャフト５をギヤ６により昇降可能に設置する。また、
シャフト５にパイプ状の搬送チャック１を保持し、該搬
送チャック１の先端を複数本に分岐しその分岐パイプｌ
ａ、ｌａ・・・を垂直に向け、該分岐パイプ１ａを真空
吸引溝２の位置を避けて基板吸着面４ａより昇降可能に
設ける。
さらに、分岐パイプ１ａの先端に該パイプ１ａ内に連通
したシリコンゴム１ｂを添着する。
したシリコンゴム１ｂを添着する。
ステージ本体４の基板吸着面４ａの上方に基板ローグー
により基板が運ばれる際に、基板吸着面４ａより上方に
搬送チャック１の分岐パイプ１ａが突き出ており、基板
は搬送チャック１の分岐パイプ１ａにより複数点で支え
られ、その分岐パイプ１ａ内を真空吸引し、基板が搬送
チャック１に仮固定される。次に搬送チャック１が下が
り、この先端がステージ本体４の基板吸着面４ａと同じ
高さにくると、搬送チャック１の真空が解除され、これ
に代りステージ本体４の真空吸引溝２が真空吸引され、
基板はステージ本体４の基板吸着面４ａに密着される。
により基板が運ばれる際に、基板吸着面４ａより上方に
搬送チャック１の分岐パイプ１ａが突き出ており、基板
は搬送チャック１の分岐パイプ１ａにより複数点で支え
られ、その分岐パイプ１ａ内を真空吸引し、基板が搬送
チャック１に仮固定される。次に搬送チャック１が下が
り、この先端がステージ本体４の基板吸着面４ａと同じ
高さにくると、搬送チャック１の真空が解除され、これ
に代りステージ本体４の真空吸引溝２が真空吸引され、
基板はステージ本体４の基板吸着面４ａに密着される。
この状態でステージの位置決めおよび露光が行なわれる
が、本実施例では基板の中央部に対応するステージ本体
４の基板吸着面４ａに真空吸引溝２が存在するため、基
板の中央部がステージ本体４の基板吸着面４ａに密着さ
れる基板の平坦度はステージ本体４の基板吸着面４ａの
平坦度により規定されることになり、従来３０μｍ以上
は存在した基板中央部のフォーカスすれか、本発明によ
れば、５μを以下におさえることが可能になった。同時
に従来特に問題であった同一ショット内のデフォーカス
量ΔＦ ｏｃｕｓ／Δχについても １／１０程度に短
縮された。同時に従来例えば重クロム酸アンモニウムを
使ったレジスト（カゼイン、ゼラチン、ＰＵＡその他）
や高濃度に染料を含有したレジスト等温度に敏感な材料
で基板中央部で基板の温度上昇により解像度やパターン
形状が著しく劣化して・いたが、本発明によれば基板中
央部でも他の部分と同一レベルの解像度、パターン寸法
が得られ、歩留りの向上を図ることができる。
が、本実施例では基板の中央部に対応するステージ本体
４の基板吸着面４ａに真空吸引溝２が存在するため、基
板の中央部がステージ本体４の基板吸着面４ａに密着さ
れる基板の平坦度はステージ本体４の基板吸着面４ａの
平坦度により規定されることになり、従来３０μｍ以上
は存在した基板中央部のフォーカスすれか、本発明によ
れば、５μを以下におさえることが可能になった。同時
に従来特に問題であった同一ショット内のデフォーカス
量ΔＦ ｏｃｕｓ／Δχについても １／１０程度に短
縮された。同時に従来例えば重クロム酸アンモニウムを
使ったレジスト（カゼイン、ゼラチン、ＰＵＡその他）
や高濃度に染料を含有したレジスト等温度に敏感な材料
で基板中央部で基板の温度上昇により解像度やパターン
形状が著しく劣化して・いたが、本発明によれば基板中
央部でも他の部分と同一レベルの解像度、パターン寸法
が得られ、歩留りの向上を図ることができる。
（実施例２）
第２図は本発明の実施例２を示す縦断面図である。
本実施例において、実施例１と異なる点は、ステージ本
体４内、特に基板吸着面４ａの近くに多数の冷却管３を
通し、その内部に冷却水を流して基板吸着面４ａを冷却
する構造としたものである。
体４内、特に基板吸着面４ａの近くに多数の冷却管３を
通し、その内部に冷却水を流して基板吸着面４ａを冷却
する構造としたものである。
もちろん、この冷却流体については水以外にら、気体、
液体であってもさしつかえない。本実施例ではこの冷却
管のために実施例１で述べたステージとの密着による冷
却効果がさらに強められ、極めて良質のパターンが得ら
れるという相違点を有する。
液体であってもさしつかえない。本実施例ではこの冷却
管のために実施例１で述べたステージとの密着による冷
却効果がさらに強められ、極めて良質のパターンが得ら
れるという相違点を有する。
以上説明したように、本発明はステッパーのステージ全
面で基板を真空固定し、かつステージを定温流体で冷却
することにより、温度に対して敏感なレジストを半導体
工程で使用できるとともに、露光時の基板の平坦度の均
一性を基板内で同一レベルにし、均一なパターンを形成
できる効果がある。
面で基板を真空固定し、かつステージを定温流体で冷却
することにより、温度に対して敏感なレジストを半導体
工程で使用できるとともに、露光時の基板の平坦度の均
一性を基板内で同一レベルにし、均一なパターンを形成
できる効果がある。
第１図は本発明の実施例１を示す縦断面図、第２図は本
発明の実施例２を示す縦断面図、第３図は従来例を示す
縦断面図、第４図は逐次露光機を示す説明図である。 １・・・搬送チャック ２・・・真空吸引溝３・・
・冷却管 ４・・・ステージ本体４ａ・・・
基板吸着面 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野 中 亭”□
、２
発明の実施例２を示す縦断面図、第３図は従来例を示す
縦断面図、第４図は逐次露光機を示す説明図である。 １・・・搬送チャック ２・・・真空吸引溝３・・
・冷却管 ４・・・ステージ本体４ａ・・・
基板吸着面 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野 中 亭”□
、２
Claims (2)
- （１）基板吸着面に基板の裏面全面に対応させて真空吸
引溝を備えた露光及び位置精度合わせ用ステージと、該
ステージ上に基板を搬出入する搬送チャックとを有する
ことを特徴とする半導体製造装置。 - （２）前記露光及び位置精度合わせ用ステージに冷却機
能を有することを特徴とする請求項第１項に記載の半導
体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63311223A JPH02156622A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63311223A JPH02156622A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02156622A true JPH02156622A (ja) | 1990-06-15 |
Family
ID=18014579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63311223A Pending JPH02156622A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02156622A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006294793A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Canon Inc | ステージ装置および露光装置 |
| CN102468140A (zh) * | 2010-11-11 | 2012-05-23 | 志圣科技（广州）有限公司 | 压合装置及其压合方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62169330A (ja) * | 1986-12-19 | 1987-07-25 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
| JPS62205626A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | レジスト塗布装置 |
| JPS63131535A (ja) * | 1986-11-21 | 1988-06-03 | Canon Inc | 基板支持装置 |
-
1988
- 1988-12-09 JP JP63311223A patent/JPH02156622A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62205626A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | レジスト塗布装置 |
| JPS63131535A (ja) * | 1986-11-21 | 1988-06-03 | Canon Inc | 基板支持装置 |
| JPS62169330A (ja) * | 1986-12-19 | 1987-07-25 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2006294793A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Canon Inc | ステージ装置および露光装置 |
| JP4673117B2 (ja) * | 2005-04-08 | 2011-04-20 | キヤノン株式会社 | ステージ装置および露光装置 |
| CN102468140A (zh) * | 2010-11-11 | 2012-05-23 | 志圣科技（广州）有限公司 | 压合装置及其压合方法 |
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