JPH02155124A

JPH02155124A - 低インダクタンスケーブル

Info

Publication number: JPH02155124A
Application number: JP30731888A
Authority: JP
Inventors: Masusaku Okumura; 奥村　益作
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1988-12-05
Filing date: 1988-12-05
Publication date: 1990-06-14

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は低インダクタンスケーブルに関し、特に、複
数対の往き線と帰り線とを近接させて配置することによ
って、磁界を打ち消し、残留インダクタンスを小さくす
るようにした、新規な低インダクタンスケーブルに関す
る。

〔従来技術〕

第６図に示す従来の同軸ケーブルにおいては、内部導体
ｌ上に絶縁体２を介して外部導体３が配置され、その外
部導体３の外表面にシース４が被せられる。このような
同軸ケーブルでは、たとえばインピーダンスが７５Ωの
ものであれば、インダクタンスは３７０　ｎＨｌｏｌ、
キャパシタンスは７０ｐＦ／ｍ程度である。すなわち、
この種の同軸ケーブルでは、内部導体ｌの直径ｄ１と、
外部導体３の直径ｄ２とに依存し、次式（１）で表され
るインダクタンスＬが生じる。

Ｌ＝２００　ｌｏｇ　ｄ　２／ｄ　１　（ｎＨ／ｍ）　
　・・・（１）このインダクタンスＬを可及的小さくす
るために、本件出願人は、先に、実願昭６２−５６３２
８号（実開昭６３−１６４１１５号）で第７図に示す同
軸ケーブルを提案した。この同軸ケーブルでは、内部導
体ｌの直径ｄ１を大きくするように、内部導体１が中空
円筒状に構成される。この同軸ケーブルでは、たとえば
インピーダンスが７゜５Ωのものであれば、インダクタ
ンスは３３ｎＨ／麟、キャパシタンスは５７０ｐＦ／ｍ
程度になった。

〔発明が解決しようとする課題〕

第６図に示す同軸ケーブルでは、内部導体１の直径ｄ１
と外部導体３の直径ｄ２との比が大きいので、（１）式
で表されるインダクタンスＬの値が大きくなる。すなわ
ち、この種の同軸ケーブルではインダクタンス値がＬ＝
３００〜５００　ｎＨ／ｍと大きかった。

一方、第７図に示す同軸ケーブルでは、内部導体１を中
空円筒状にして直径ｄｉを大きくしたため、インダクタ
ンス値は小さくできるものの、内部導体ｌと外部導体３
との間隔が小さいので、絶縁体２の容積が減少して耐電
圧が低下するとともに、キャパシタンスが大きくなると
いう欠点があった。

それゆえに、この発明の主たる目的は、インダクタンス
が小さい、低インダクタンスケーブルを提供することで
ある。

〔課題を解決するための手段〕

この発明は、中空または中実の絶縁体、および絶縁体に
配置された複数対の第１導体および第２導体を備え、両
端で第１導体および第２導体を別個に共通接続した、低
インダクタンスケーブルである。

〔作用〕

中空または中実の絶縁体には複数対の第１導体と第２導
体とがたとえば交互に環状に配置され、絶縁体の両端で
は、第１導体および第２導体がそれぞれ別個に共通接続
される。したがって、第１導体を往きｊｔｌＡ（または
帰り線）として、また第２導体を帰り線（または往き線
）として使用することによって、第１導体および第２導
体に生じる磁界が相殺される。

〔発明の効果〕

この発明によれば、第１導体および第２導体に生じる磁
界が相殺されるので、ケーブル全体のインダクタンスは
非常に小さくなる。

また、高耐圧用が要求されるケーブルでは、第１導体と
第２導体との間の距離を太き（設定すれば、第１導体と
第２導体間の距離はケーブルのインダクタンス値へほと
んど影響を与えないので、インダクタンスの値を大きく
することなく耐電圧も向上する。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。

〔実施例〕

第１図はこの発明の一実施例を示す縦断面図であり、第
２図は第１図実施例の横断面図である。

この実施例のケーブル１０はたとえば合成樹脂からなる
中空円筒状の絶縁体１２を含む、この絶縁体１２の内部
には、たとえば８対の第１導体１４および第２導体１６
が、環状に、しかも交互に、配置される。この第１導体
１４および第２導体１６は、同じ導体でよいが、たとえ
ば第１導体１４を往き線用として使用した場合には、第
２導体は１６は帰り線用として使用するので、ここでは
両者を区別している。その目的で、第１図では、第１導
体１４の断面に「×ｊ印を、第２導体１６の断面に「・
」印をそれぞれ付している。

なお、第１導体１４および第２導体１６は、絶縁体１２
の内部において、直径ｄで規定される同一円周上にそれ
ぞれ等間隔に配置される。

そして、ケーブルＩＯすなわち絶縁体１２の両端では、
第３図に示すように第１導体１４および第２導体１６は
、それぞれ、別個に端子１４ａ。

１４ｂおよび１６ａ、１６ｂに共通接続される。

そして、第１導体１４群を往き線用として、また第２導
体１６群を帰り線用として使用すると、第１導体工４に
生じる磁界は第２導体１６に住しる磁界で完全に打ち消
されることになる。

なお、絶縁体１２の外表面には、絶縁体１２を保護する
ために、たとえば合成樹脂から形成された絶縁シース１
８が形成されてもよい。

この第１図実施例のケーブル１０では、第１導体１４お
よび第２導体１６が同じ直径ｄの円周上に配置されてい
るので、インダクタンスＬを表す（１）式において、直
径ｄは直径ｄ１およびｄ２に等しくなる（ｄ＝ｄ　１＝
ｄ２）。したがって、（１）式においてｌｏｇｄ　２／
　ｄ　１　＝Ｏとなり、インダクタンスの値は理論的に
はＬ＝Ｏとなる。

実際には、加工精度等の関係で、インダクタンスはＬ　
＝３　ｎＨ／ｍ残留し、キャパシタンスはＣ＝１００〜
２００ｐＦとなる。このように、第１図実施例のケーブ
ル１０では、第６図および第７図に示す従来のケーブル
に比べて、インダクタンスが非常に小さくなった。

第１図実施例のケーブル１０を通信用ケーブルとして使
用する場合、たとえば、第１導体１４群をホット側伝送
線として使用したとき、第２導体１６群はコールド側伝
送線として使用される。この場合、インダクタンスが非
常に小さいので、高周波伝送特性の劣化がなく、伝送帯
域を大きくし得る。また、第１導体１４は第２導体１６
によって電気磁気的にシールドされるので、外部のノイ
ズの影響を受は難く、また外部に対しても不要輻射を生
じない。

また、ケーブル１０の絶縁体１２は、中空円筒状に形成
されているので、この中空部にさらに小径のケーブルを
挿通することができる。そして、小径のケーブルがケー
ブル１０と同じ構造のものである場合、第１導体１４群
および第２導体１６群をそれぞれ共通接続すれば、電流
容量を増加させることができるばかりでなく、中空部に
何も挿通させていないケーブル１０に比べて、さらにイ
ンダクタンスを小さくできる。

なお、このような多重構造は可能な限り任意の層数でよ
い。

第４図はこの発明の他の実施例を示す縦断面図である。

このケーブル１０′では、絶縁体１２と絶縁シース１８
との間に、金属シース２０が形成される。したがって、
このケーブル１０′を通信ケーブルとして用いる場合に
は、コールド側伝送線としての第２導体１６群は金属シ
ース２０と接続される。

また、第４図に示すケーブル１０′を電源線として使用
する場合には、たとえば単相３線式配電線において、接
地線である中性線を金属シース２０に接続する。そして
、一方の非接地線を第１導体１４群に、他方の非接地線
を第２導体１６群にそれぞれ接続する。そうすると、こ
のケーブル１０′は、第１導体１４群および第２導体１
６群に５０　ｔ（ｚまたは６０Ｈｚの交流電流が流され
ている場合でも、金属シース２０によって完全にシール
ドされているので、ケーブル１０′と接近して置かれて
いるたとえば信号線等に電磁誘導による誘導起電力を生
じさせない。すなわち、第４図実施例のケーブル１０′
を電源線として使用する場合には、誘導障害を生じさせ
ない。

第５図に示すケーブルｌＯ＃は、たとえば屋内ケーブル
として利用可能であり、第１導体１４および第２導体１
６を平行に配置したものである。

したがって、ｄ＝ｄｌ＝ｄ２の関係が成立しなくなるの
で、先の実施例に比べるとインダクタンスは少し大きく
なるものの、発生磁界の相殺による低インダクタンス化
は可能である。

なお、上述の上述のでは、絶縁体１２を中空円筒のもの
として構成した。しかしながら、絶縁体１２の断面形状
は円形である必要はなく、第５図のような偏平楕円の他
、角形であってもよい。さらに、中空である必要はなく
、中実円筒体、棒状体等であってよい。

また、上述の実施例では絶縁体１２に配置する第１導体
１４および第２導体１６の断面形状はいずれも円形であ
ったが、角形、板状体、あるいは箔等であってよい。

第１導体１４および第２導体１６を箔導体として形成す
る場合、絶縁体１２の表面に導体箔を全面に形成した後
、たとえばレーザ加工等によって長手方向にスリットを
形成すれば、各個別の導体として形成できる。

さらに、絶縁体１２に配置する第１導体１４および第２
導体１６の対数は８組でなくても、２組以上何組でもよ
い。そして、配置する列も第１図および第３図に示すよ
うに１列でなく、同心上に複数列であってもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す縦断面図である。第２図は第１図実施例の横断面図である。第３図は第１導体および第２導体をそれぞれ個別に共通
接続した状態を示す図解図である。第４図はこの発明の他の実施例を示す縦断面図である。第５図はこの発明のその他の実施例を示す縦断面図であ
る。第６図および第７図は従来の同軸ケーブルの縦断面図で
ある。図において、１０．１０′および１０“はケーブル、１
２は絶縁体、１４は第１導体、１６は第２導体、１８は
絶縁シース、２０は金属シースを示す。特許出願人　株式会社　村田製作所代理人　弁理士　山　１）　義　人

Claims

【特許請求の範囲】１　中空または中実の絶縁体、および前記絶縁体に配置された複数対の第１導体および第２導
体を備え、両端で前記第１導体および前記第２導体を別個に共通接
続した、低インダクタンスケーブル。２　前記第１導体および第２導体より外側に形成された
シールド導体を備える、請求項１記載の低インダクタン
スケーブル。