JPH02154479A - フォトコンダクタ - Google Patents
フォトコンダクタInfo
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- JPH02154479A JPH02154479A JP63309324A JP30932488A JPH02154479A JP H02154479 A JPH02154479 A JP H02154479A JP 63309324 A JP63309324 A JP 63309324A JP 30932488 A JP30932488 A JP 30932488A JP H02154479 A JPH02154479 A JP H02154479A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000003362 semiconductor superlattice Substances 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035236—Superlattices; Multiple quantum well structures
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はフォトコンダクタの構造に係わり、特にその応
答速度を向上することを可能にするフォトコンダクタの
構造に関する。
答速度を向上することを可能にするフォトコンダクタの
構造に関する。
（従来の技術）
第３図に従来技術によるフォトコンダクタの一例を示す
このようなフォトコンダクタは、例えば、ジー（Ｓｚｅ
）によって、フィジクス・オブ、セミコンダクタ・デバ
イス（Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ）、７４４頁に報告されている。
このようなフォトコンダクタは、例えば、ジー（Ｓｚｅ
）によって、フィジクス・オブ、セミコンダクタ・デバ
イス（Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ）、７４４頁に報告されている。
半絶縁性（Ｓ’、 １． ）ＧａＡｓ基板１上にノンド
ープＧａＡｓからなる活性層３３が形成され、活性層３
３の両端にはオーム性電極ＡＩ、 Ａ２が形成されてい
る。電極Ａ１とＡ２間に電圧を印加した状態で、活性層
３３の上面からＧａＡｓのバンドギャップ以上のエネル
ギーを有する光が入射されると、電子−正孔対が生成さ
れ、光電流が流れる。
ープＧａＡｓからなる活性層３３が形成され、活性層３
３の両端にはオーム性電極ＡＩ、 Ａ２が形成されてい
る。電極Ａ１とＡ２間に電圧を印加した状態で、活性層
３３の上面からＧａＡｓのバンドギャップ以上のエネル
ギーを有する光が入射されると、電子−正孔対が生成さ
れ、光電流が流れる。
（発明が解決しようとする問題点）
フォトコンダクタにおける利得（Ｇａｉｎ）と応答時間
（ｔｒ）は下式のように表される Ｇａ１ｎ＝ｐｎ−ｔ−Ｅ／Ｌ
（１）ｔｒ ＝ Ｌ／（ｐｎ−Ｅ）
（２）ここで、ｐｎはキャリア移動度、
Ｉはキャリア寿命、Ｅは電界、Ｌは電極間隔である。こ
こで、活性層がノンドープの半導体から形成されるフ第
１・コンダクタにおいては、キャリア寿命が長いため、
高Ｇａ１ｎが得られる反面、Ｌが長く低電界で使用され
るため、フォトダイオード等と比較して応答時間が長い
という問題があった。本発明は、この問題点を解決し、
高利得を維持しつつ、応答時間の短縮を可能にするフォ
トコンダクタを提供するものである。
（ｔｒ）は下式のように表される Ｇａ１ｎ＝ｐｎ−ｔ−Ｅ／Ｌ
（１）ｔｒ ＝ Ｌ／（ｐｎ−Ｅ）
（２）ここで、ｐｎはキャリア移動度、
Ｉはキャリア寿命、Ｅは電界、Ｌは電極間隔である。こ
こで、活性層がノンドープの半導体から形成されるフ第
１・コンダクタにおいては、キャリア寿命が長いため、
高Ｇａ１ｎが得られる反面、Ｌが長く低電界で使用され
るため、フォトダイオード等と比較して応答時間が長い
という問題があった。本発明は、この問題点を解決し、
高利得を維持しつつ、応答時間の短縮を可能にするフォ
トコンダクタを提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明によれば、断面方向の長さが電子のド・ブロイ波
長程度である量子細線チャネルからなる活性層を有する
ことを特徴とするフォトコンダクタが得られる。
長程度である量子細線チャネルからなる活性層を有する
ことを特徴とするフォトコンダクタが得られる。
この量子細線はバンドギャップの大きいバルクの半導体
層上に形成されるので、入射光は量子細線のみに吸収さ
れこのバルク層の伝導の影響を無視できる。さらに量子
細線を超格子構造にすることにより電流を増大できる。
層上に形成されるので、入射光は量子細線のみに吸収さ
れこのバルク層の伝導の影響を無視できる。さらに量子
細線を超格子構造にすることにより電流を増大できる。
（作用）
榊によってジャパン・ジャーナル・オフ・アプライド・
フィツクス（Ｊｐｎ、 Ｊ、 Ａｐｐ］、、 Ｐｈｙｓ
、）第１９巻Ｌ７３５頁、１９８０年に報告されている
ように、量子細線では、小角散乱が阻止されるため、イ
オン化不純物散乱が支配的となる低温において、電子の
低電界移動度は１０６ｃｍ２ＮＳ以上に達することが期
待される。また、１次元の状態密度はエネルギーと共に
減少するため、高電界において光学フォノンエネルギー
以上に加速された電子は加速されればされるほど散乱を
受けにくくなり、ドリフト速度が急速に大きくなること
が、山田らによって、電子情報通信学会技術報告、第Ｅ
Ｄ８７−９９．１５頁、１８９８７年に報告されている
。本発明は、このような原理に基づき、従来はバルクの
半導体で形成されてい゛た活性層を量子細線によって構
成することによって、キＡ・リア移動度を向上し、フォ
トコンダクタの応答時間を著しく短縮するものである。
フィツクス（Ｊｐｎ、 Ｊ、 Ａｐｐ］、、 Ｐｈｙｓ
、）第１９巻Ｌ７３５頁、１９８０年に報告されている
ように、量子細線では、小角散乱が阻止されるため、イ
オン化不純物散乱が支配的となる低温において、電子の
低電界移動度は１０６ｃｍ２ＮＳ以上に達することが期
待される。また、１次元の状態密度はエネルギーと共に
減少するため、高電界において光学フォノンエネルギー
以上に加速された電子は加速されればされるほど散乱を
受けにくくなり、ドリフト速度が急速に大きくなること
が、山田らによって、電子情報通信学会技術報告、第Ｅ
Ｄ８７−９９．１５頁、１８９８７年に報告されている
。本発明は、このような原理に基づき、従来はバルクの
半導体で形成されてい゛た活性層を量子細線によって構
成することによって、キＡ・リア移動度を向上し、フォ
トコンダクタの応答時間を著しく短縮するものである。
すなわち、高移動度が得られる量子細線によって、フォ
トコンダクタの活性層を構成すれば、（１）。
トコンダクタの活性層を構成すれば、（１）。
（２）式に従って、応答時間を短縮できると共に、より
高い利得を達成できる。ここで、量子細線による高移動
度の効果を十分に引き出すためには、入射光は量子細線
でのみ吸収され、バルク層の伝導の寄与は無い方が望ま
しい。そこで、量子細線下のバルク層は量子細線を形成
する半導体よりバンドギャップの大きい半導体で構成し
、入射光として、バルク層のバンドギャップより低エネ
ルギーでかつ、活性層のバンドギャップより高エネルギ
ーの光を用いることによって、バルク層の影響を排除で
きる。
高い利得を達成できる。ここで、量子細線による高移動
度の効果を十分に引き出すためには、入射光は量子細線
でのみ吸収され、バルク層の伝導の寄与は無い方が望ま
しい。そこで、量子細線下のバルク層は量子細線を形成
する半導体よりバンドギャップの大きい半導体で構成し
、入射光として、バルク層のバンドギャップより低エネ
ルギーでかつ、活性層のバンドギャップより高エネルギ
ーの光を用いることによって、バルク層の影響を排除で
きる。
また、量子細線は高移動度である反面、単位チャネル幅
当たりの電流量が小さいという問題点も伴っている。こ
れは量子細線のサイズが１００人×１００人程度に限定
されるためで、量子細線の本数を増やすことによって、
この問題は解決可能である。しかしながら、量子細線の
本数を増やすことは素子寸法の増大につながり、望まし
くない。そこで、各々の量子細線を多層の活性層を有す
る超格子構造とすることによって、電流の増大を画るこ
ともできる。ここで、超格子構造において、各々の量子
井戸層が量子糸ＩＩＩ線からなる７耐／ＩＥ層を形成し
、また、量子障壁層が量子井戸間の電子のしみ出しを抑
制し、チャネルの一次元性を確保する。
当たりの電流量が小さいという問題点も伴っている。こ
れは量子細線のサイズが１００人×１００人程度に限定
されるためで、量子細線の本数を増やすことによって、
この問題は解決可能である。しかしながら、量子細線の
本数を増やすことは素子寸法の増大につながり、望まし
くない。そこで、各々の量子細線を多層の活性層を有す
る超格子構造とすることによって、電流の増大を画るこ
ともできる。ここで、超格子構造において、各々の量子
井戸層が量子糸ＩＩＩ線からなる７耐／ＩＥ層を形成し
、また、量子障壁層が量子井戸間の電子のしみ出しを抑
制し、チャネルの一次元性を確保する。
（実施例）
第１図（ａ）、（ｂ）に本発明による第一の実施例のフ
第１・コンダクタの素子構造を示す。Ｓ、 １． Ｇａ
Ａｓ基板１上にノンドープＡＩ０，４Ｇａ□、６Ａｓバ
ッファ層が１１１ｍ形成され、その表面に幅１００Ａ、
高さ１００八程度のｉ −ＧａＡｓから成る細線チャネ
ル３が複数本形成されている。
第１・コンダクタの素子構造を示す。Ｓ、 １． Ｇａ
Ａｓ基板１上にノンドープＡＩ０，４Ｇａ□、６Ａｓバ
ッファ層が１１１ｍ形成され、その表面に幅１００Ａ、
高さ１００八程度のｉ −ＧａＡｓから成る細線チャネ
ル３が複数本形成されている。
細線チャネルの両端には、オーム性電極Ａｌ、Ａ２が形
成されている。第１図（ｂ）は第１図（ａ）に示した実
施例のＸｌ−Ｘ２−Ｘ３−Ｘ４−Ｘ１面における素子断
面図である。ここで、０．６５ｐｍ以上０．８５ｐｍ以
下の波長の光を素子上面から入射すると、入射光はＧａ
Ａｓ中でのみ吸収され、細線チャネル中にギヤリアが励
起される。ここでＡｌＧａＡｓ層２で入射光が吸収され
ることはないので、ＩＩ］］線チャネル中の光電流だけ
を電極ＡＩ、Ａ２間に取りだすことが出来る。細線の断
面は電子のド・ブロイ波長程度のディメンションを有す
るのでギヤリアは１次元的に振る舞い、（作用）で述べ
たような原理に基づいて高移動度、高ドリフト速度が実
現される。このようなフォトコンダクタは以下に述べる
ような製造方法によって、作製される。Ｓ、 １． Ｇ
ａＡｓ基板１」−に例えば、分子線エピタキシャル成長
法（ＭＢＥ法）を用いてノンドープＡｌＧａＡｓ層２を
１μｍ、ノンドープＧａＡｓ層を１０ＯＡ順次成長する
。次に、例えば電子線露光法によって、形成したレジス
トパタンをマスクとしてエツチングすることによって細
線チャネル３を形成する。最後に、通常の方法によって
チャネルへのオーム性電極ＡＩ。
成されている。第１図（ｂ）は第１図（ａ）に示した実
施例のＸｌ−Ｘ２−Ｘ３−Ｘ４−Ｘ１面における素子断
面図である。ここで、０．６５ｐｍ以上０．８５ｐｍ以
下の波長の光を素子上面から入射すると、入射光はＧａ
Ａｓ中でのみ吸収され、細線チャネル中にギヤリアが励
起される。ここでＡｌＧａＡｓ層２で入射光が吸収され
ることはないので、ＩＩ］］線チャネル中の光電流だけ
を電極ＡＩ、Ａ２間に取りだすことが出来る。細線の断
面は電子のド・ブロイ波長程度のディメンションを有す
るのでギヤリアは１次元的に振る舞い、（作用）で述べ
たような原理に基づいて高移動度、高ドリフト速度が実
現される。このようなフォトコンダクタは以下に述べる
ような製造方法によって、作製される。Ｓ、 １． Ｇ
ａＡｓ基板１」−に例えば、分子線エピタキシャル成長
法（ＭＢＥ法）を用いてノンドープＡｌＧａＡｓ層２を
１μｍ、ノンドープＧａＡｓ層を１０ＯＡ順次成長する
。次に、例えば電子線露光法によって、形成したレジス
トパタンをマスクとしてエツチングすることによって細
線チャネル３を形成する。最後に、通常の方法によって
チャネルへのオーム性電極ＡＩ。
Ａ２を形成すれば、本実施例のようなフォトコンダクタ
が作製される。
が作製される。
第２図（ａ）、 （ｂ）に本発明による第二の実施例の
フォトコンダクタの素子構造を示ず。Ｓ、 １． Ｇａ
Ａｓ基板１上にノンドープＡＩ□、４Ｇａ□、６Ａｓバ
ンファ層２がｌｐｍ形成され、その表面にノンドープＧ
ａＡｓとノンドープＡｌＧａＡｓの超格子から成る幅１
００Ａ程度の細線チャネル２３が複数本形成されている
。細線チャネルの両端には、オーム性電極Ａｌ、 Ａ２
が形成されている。
フォトコンダクタの素子構造を示ず。Ｓ、 １． Ｇａ
Ａｓ基板１上にノンドープＡＩ□、４Ｇａ□、６Ａｓバ
ンファ層２がｌｐｍ形成され、その表面にノンドープＧ
ａＡｓとノンドープＡｌＧａＡｓの超格子から成る幅１
００Ａ程度の細線チャネル２３が複数本形成されている
。細線チャネルの両端には、オーム性電極Ａｌ、 Ａ２
が形成されている。
第２図（ｂ）は第２図（ａ）に示した実施例のＸｌ−Ｘ
２−Ｘ３−Ｘ４−Ｘ１面における素子断面図である。細
線チャネル２３はノンドープＧａＡｓ層２３Ａとノンド
ープＡｌ□、４Ｇａ０．６Ａｓ層２３Ｂの超格子層から
構成され、各々のノンドープＧａＡｓ層の厚さは１００
Ａ程度、ノンドープＡｌＧａＡｓ層も１００Ａ程度であ
る。ここで、０．６５ｐｍ以上０．８５ｐｍ以下の波長
の光を素子」二面から入射すると、入射光はＧａＡｓ中
でのみ吸収され、ＡｌＧａＡｓ中は無吸収で透過するた
め、各ＧａＡｓ層２３Ａにおいてキャリアが励起される
。ＡｌＧａＡｓ層２３Ｂはキャリアのしみだしを抑制す
るのに十分な厚さを有するため、各ＧａＡｓ層２３Ａは
それぞれ独立した細線チャネルを形成する。
２−Ｘ３−Ｘ４−Ｘ１面における素子断面図である。細
線チャネル２３はノンドープＧａＡｓ層２３Ａとノンド
ープＡｌ□、４Ｇａ０．６Ａｓ層２３Ｂの超格子層から
構成され、各々のノンドープＧａＡｓ層の厚さは１００
Ａ程度、ノンドープＡｌＧａＡｓ層も１００Ａ程度であ
る。ここで、０．６５ｐｍ以上０．８５ｐｍ以下の波長
の光を素子」二面から入射すると、入射光はＧａＡｓ中
でのみ吸収され、ＡｌＧａＡｓ中は無吸収で透過するた
め、各ＧａＡｓ層２３Ａにおいてキャリアが励起される
。ＡｌＧａＡｓ層２３Ｂはキャリアのしみだしを抑制す
るのに十分な厚さを有するため、各ＧａＡｓ層２３Ａは
それぞれ独立した細線チャネルを形成する。
各ＧａＡｓ層２３Ａの断面は幅、厚さ共に電子のド・ブ
ロイ波長程度のディメンションを有するのでキャリアは
１次元的に振る舞い、高移動度、高ドリフト速度が実現
される。
ロイ波長程度のディメンションを有するのでキャリアは
１次元的に振る舞い、高移動度、高ドリフト速度が実現
される。
以上の実施例では、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ
系のフォトコンダクタを用いて本発明を説明したが、本
発明は勿論、ＧａＩｎＡｓ／ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系
やＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓ／ＩｎＰ系などの他の材
料系にも適用できる。
系のフォトコンダクタを用いて本発明を説明したが、本
発明は勿論、ＧａＩｎＡｓ／ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系
やＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓ／ＩｎＰ系などの他の材
料系にも適用できる。
（発明の効果）
以上の発明の詳細な説明から明らかなように、本発明に
よれば量子細線を活性層とするフォトコンダクタが得ら
れるため利得を向上し、応答速度を著しく改善すること
が可能になる。さらに量子細線を超格子構造とすれば、
電流が増大できる。
よれば量子細線を活性層とするフォトコンダクタが得ら
れるため利得を向上し、応答速度を著しく改善すること
が可能になる。さらに量子細線を超格子構造とすれば、
電流が増大できる。
第１図（ａ）、 （ｂ）、第２図（ａ）、（ｂ）は本発
明によるフォトコンダクタの実施例の素子構造図１、第
３図は従来技術によるフォトコンダクタの一例の素子構
造図である。 図において、 １はＳ、 １． ＧａＡｓ基板 ２はノンドープＡｌＧａＡｓバッファ層３は１−ＧａＡ
ｓ細Ｘ泉 Ａｌ、 Ａ２はオーム性電極 ２３は超格子糸田線 ２３ＡはノンドープＧａＡｓ層 ２３ＢはノンドープＡｌＧａＡｓ層 ３３はノンドープＧａＡｓ活性層である。
明によるフォトコンダクタの実施例の素子構造図１、第
３図は従来技術によるフォトコンダクタの一例の素子構
造図である。 図において、 １はＳ、 １． ＧａＡｓ基板 ２はノンドープＡｌＧａＡｓバッファ層３は１−ＧａＡ
ｓ細Ｘ泉 Ａｌ、 Ａ２はオーム性電極 ２３は超格子糸田線 ２３ＡはノンドープＧａＡｓ層 ２３ＢはノンドープＡｌＧａＡｓ層 ３３はノンドープＧａＡｓ活性層である。
Claims (2)
- （１）断面方向の長さが電子のド・ブロイ波長程度の第
１の半導体より構成される量子細線のチャネルからなる
活性層を有し、この活性層は活性層を構成する第１の半
導体よりもバンドギャップの大きい第２の半導体層上に
形成されてあり、量子細線の長手方向に対向した電極が
設けられてあることを特徴とするフォトコンダクタ。 - （２）量子井戸部を有する半導体超格子構造より形成さ
れた量子細線を活性層として有し、この量子井戸部は断
面方向の長さが電子のドブロイ波長程度であり、さらに
この活性層は前記量子井戸部を形成する半導体層よりバ
ンドギャップの大きい半導体層上に形成されてあり、量
子細線の長手方向には対向した電極が設けられた構造を
有することを特徴とするフォトコンダクタ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63309324A JP2666440B2 (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | フォトコンダクタ |
| US07/446,455 US5130690A (en) | 1988-12-06 | 1989-12-05 | Photoconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63309324A JP2666440B2 (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | フォトコンダクタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02154479A true JPH02154479A (ja) | 1990-06-13 |
| JP2666440B2 JP2666440B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=17991648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63309324A Expired - Fee Related JP2666440B2 (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | フォトコンダクタ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5130690A (ja) |
| JP (1) | JP2666440B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5294807A (en) * | 1991-06-07 | 1994-03-15 | Sony Corporation | Quantum effect device in which conduction between a plurality of quantum dots or wires is achieved by tunnel transition |
| JP2012510147A (ja) * | 2008-11-26 | 2012-04-26 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 半導体ナノワイヤ電磁放射センサとその製造方法および動作方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5420595A (en) * | 1991-03-05 | 1995-05-30 | Columbia University In The City Of New York | Microwave radiation source |
| US5274246A (en) * | 1992-05-04 | 1993-12-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Optical modulation and switching with enhanced third order nonlinearity multiple quantum well effects |
| CA2107067C (en) * | 1992-09-30 | 1999-02-16 | Mitra Dutta | Negative absolute conductance device and method |
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Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3961998A (en) * | 1975-04-09 | 1976-06-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Vacuum deposition method for fabricating an epitaxial pbsnte rectifying metal semiconductor contact photodetector |
-
1988
- 1988-12-06 JP JP63309324A patent/JP2666440B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-12-05 US US07/446,455 patent/US5130690A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5130690A (en) | 1992-07-14 |
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