JPH0215166A - イオンプレーティング装置 - Google Patents
イオンプレーティング装置Info
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- JPH0215166A JPH0215166A JP16487288A JP16487288A JPH0215166A JP H0215166 A JPH0215166 A JP H0215166A JP 16487288 A JP16487288 A JP 16487288A JP 16487288 A JP16487288 A JP 16487288A JP H0215166 A JPH0215166 A JP H0215166A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は真空槽の側壁に電子銃をそなえる型式のイオ
ンプレーティング装置に関する。
ンプレーティング装置に関する。
(従来の技術)
電子銃を真空槽の側壁から槽内に突出させて配置した型
式のイオンプレーティング装置は例えば特公昭51−2
0170号および特開昭61−257471号各公報等
において既に公知である。これらの公報に開示された手
法は電子銃によって発生した低電圧(〜50v)大電流
(〜1000 A)の電子ビームを電磁コイルにて発生
させた磁場によってるつぼへ偏向かつ集束させ、金属を
溶解そして蒸発させると同時に蒸発物のイオン化を促進
するものである。
式のイオンプレーティング装置は例えば特公昭51−2
0170号および特開昭61−257471号各公報等
において既に公知である。これらの公報に開示された手
法は電子銃によって発生した低電圧(〜50v)大電流
(〜1000 A)の電子ビームを電磁コイルにて発生
させた磁場によってるつぼへ偏向かつ集束させ、金属を
溶解そして蒸発させると同時に蒸発物のイオン化を促進
するものである。
この手法はイオン化率が高いために密着力が高くしかも
真空中に導入した反応性ガスと蒸発物との反応性がきわ
めて高く、化合物膜が形成しやすい利点がある。
真空中に導入した反応性ガスと蒸発物との反応性がきわ
めて高く、化合物膜が形成しやすい利点がある。
しかも電子銃が側方に配置されているため電子銃の寿命
が長いことも特徴である。しかしながら電子ビームの特
性が低電圧大電流であるため磁場によるビームの偏向及
び集束の制御が難しく、したがって蒸着中にビームの中
心がるつぼの中心からずれて蒸発効率が低下し易い。し
かも従来装置では外部操作によってビームの照射方向を
意図的に変化させることはできないため、蒸発面積を広
げて基板上の膜厚の均一化を図ることは不可能であった
。さらにビームスタートの際に、電子銃より発生した初
期の不安定な電子ビームがるつぼ内に入射せずに真空槽
の内壁に向けて照射されて真空槽を破損することもしば
しば発生していた。
が長いことも特徴である。しかしながら電子ビームの特
性が低電圧大電流であるため磁場によるビームの偏向及
び集束の制御が難しく、したがって蒸着中にビームの中
心がるつぼの中心からずれて蒸発効率が低下し易い。し
かも従来装置では外部操作によってビームの照射方向を
意図的に変化させることはできないため、蒸発面積を広
げて基板上の膜厚の均一化を図ることは不可能であった
。さらにビームスタートの際に、電子銃より発生した初
期の不安定な電子ビームがるつぼ内に入射せずに真空槽
の内壁に向けて照射されて真空槽を破損することもしば
しば発生していた。
特開昭58−73770号公報には、るつぼ下部及び真
空槽内に設けた永久磁石から発生した磁場によって電子
ビームを曲折し安定してるつぼ内に収束させ、しかも蒸
発効率を改善させる技術について開示されている。しか
し7、永久研石を用いているため磁場力を変えることは
容易でなく、すなわち、電子ビームの照射方向は限られ
てしま・う。
空槽内に設けた永久磁石から発生した磁場によって電子
ビームを曲折し安定してるつぼ内に収束させ、しかも蒸
発効率を改善させる技術について開示されている。しか
し7、永久研石を用いているため磁場力を変えることは
容易でなく、すなわち、電子ビームの照射方向は限られ
てしま・う。
また特開昭58−153778号公報は、電子銃の中間
部を直角に屈曲させてその銃目を茄発源直上に配置し、
しかも横方向に移動自在にして外部操作によりビーム位
置を可変とする技術か開示されている。この場合、電子
ヒ−J9を磁場等を用いて曲折させる必要はなく、ただ
単に電子ビームをるつぼ内の蒸発源に合わせて集束さゼ
るだけであり、そのため電子ビームの照射状態はきわめ
て安定でまたるつは内へのビームの集束度は高い。しか
しながら電子銃がるつぼからの芸発物及びイオンに直接
さらされるため、側方に設置した場合と比較して電子銃
の寿命がきわめて短いところに問題を残していた。
部を直角に屈曲させてその銃目を茄発源直上に配置し、
しかも横方向に移動自在にして外部操作によりビーム位
置を可変とする技術か開示されている。この場合、電子
ヒ−J9を磁場等を用いて曲折させる必要はなく、ただ
単に電子ビームをるつぼ内の蒸発源に合わせて集束さゼ
るだけであり、そのため電子ビームの照射状態はきわめ
て安定でまたるつは内へのビームの集束度は高い。しか
しながら電子銃がるつぼからの芸発物及びイオンに直接
さらされるため、側方に設置した場合と比較して電子銃
の寿命がきわめて短いところに問題を残していた。
(発明が解決しようとする課題)
そこでこの発明は電子銃をるつぼの側方に設りた型式の
イオンプレーティング装置における電子ビームの偏向お
よび収束を容易かつ確実に行い得る構造について提案す
ることを目的とする。
イオンプレーティング装置における電子ビームの偏向お
よび収束を容易かつ確実に行い得る構造について提案す
ることを目的とする。
(課題を解決するための手段)
発明者らは、るつぼの側壁に電子銃を設置してその消耗
を減少させた、イオンプレーティング装置に関し、いか
に安定に電子ビームの入射角を真空槽外より制御し、よ
って電子ビームのるつぼ内への集束度を高めたり、基板
に均一な膜厚で被覆したりするかについて検討を加えた
結果、この発明を完成するに至ったのである。
を減少させた、イオンプレーティング装置に関し、いか
に安定に電子ビームの入射角を真空槽外より制御し、よ
って電子ビームのるつぼ内への集束度を高めたり、基板
に均一な膜厚で被覆したりするかについて検討を加えた
結果、この発明を完成するに至ったのである。
すなわちこの発明は、真空槽内に蒸発源を収容したるつ
ぼを配置し、真空槽の側壁に電子ビームを射出する電子
銃を配設したイオンプレーティング装置において、電子
銃から射出した電子ビームを蒸発源へ偏向させる電磁コ
イルを、電子銃銃口の近傍およびるつぼの周囲にそれぞ
れ配置し、少なくともどちらか一方の電磁コイルはその
軸線が鉛直面上を動く向きにて回動可能に設けてなるイ
オンプレーティング装置および、さらにるつぼの周囲に
設置した電磁コイルを水平方向に移動可能としたイオン
プレーティング装置である。
ぼを配置し、真空槽の側壁に電子ビームを射出する電子
銃を配設したイオンプレーティング装置において、電子
銃から射出した電子ビームを蒸発源へ偏向させる電磁コ
イルを、電子銃銃口の近傍およびるつぼの周囲にそれぞ
れ配置し、少なくともどちらか一方の電磁コイルはその
軸線が鉛直面上を動く向きにて回動可能に設けてなるイ
オンプレーティング装置および、さらにるつぼの周囲に
設置した電磁コイルを水平方向に移動可能としたイオン
プレーティング装置である。
電子銃から射出された電子ビームは電磁コイルの軸線に
沿って通過しようとする性質がある。したがってその中
心軸線の向き及び/又は位置を外部操作で調節すること
により、電子ビームの方向を変化させることができる。
沿って通過しようとする性質がある。したがってその中
心軸線の向き及び/又は位置を外部操作で調節すること
により、電子ビームの方向を変化させることができる。
次にこの発明に従う1オンブレーテイング装置を第1図
に示す。ここでは反応型イオンプレーティング法の場合
を示すが、本発明は反応型イオンプレーティング法に限
定しない。図中1は真空槽であり、図示しない真空ポン
プによって排気され所定の真空度となる。また2はHC
DガンやEBガン等の電子銃であり、電子ビーム15を
発生ずる。
に示す。ここでは反応型イオンプレーティング法の場合
を示すが、本発明は反応型イオンプレーティング法に限
定しない。図中1は真空槽であり、図示しない真空ポン
プによって排気され所定の真空度となる。また2はHC
DガンやEBガン等の電子銃であり、電子ビーム15を
発生ずる。
3は電子銃2の銃口光に配した電磁コイルであり、磁場
を発生させて電子ビーム15の進路を制御する。
を発生させて電子ビーム15の進路を制御する。
そしてこの電磁コイル3は真空シールされた回転軸16
を介して矢印4に示す鉛直面上での回動を真空槽1外よ
り操作し得る。7は蒸発源8を収容するるつぼで、蒸発
源8は電子ビーム15にて加熱されて溶解、ついで蒸発
する。同時に蒸発物及び反応ガス導入管9を経て真空槽
1内に導入された反応ガスは、電子ビーム15にて一部
イオン化され、蒸発物及びイオン流10が発生ずる。5
はるっぽ7を取囲む位置に配した電磁コイルであり、磁
場を発生さ一已て電子ビーム15の蒸発源への入射角及
びビーム径を調整する。そして電磁コイル5は電磁コイ
ル3と同様、真空シールされた回転軸17を介して、矢
印6で示す鉛直面上での回動を真空槽1の外部より操作
できる。そして真空シールされた回転軸17の出し入れ
によって水平方向への移動も可能である。11は図示さ
れなでいない電源にて負電圧がかけられた基板で、蒸発
物及びイオン流10により基板上に化合物被膜が形成さ
れる。
を介して矢印4に示す鉛直面上での回動を真空槽1外よ
り操作し得る。7は蒸発源8を収容するるつぼで、蒸発
源8は電子ビーム15にて加熱されて溶解、ついで蒸発
する。同時に蒸発物及び反応ガス導入管9を経て真空槽
1内に導入された反応ガスは、電子ビーム15にて一部
イオン化され、蒸発物及びイオン流10が発生ずる。5
はるっぽ7を取囲む位置に配した電磁コイルであり、磁
場を発生さ一已て電子ビーム15の蒸発源への入射角及
びビーム径を調整する。そして電磁コイル5は電磁コイ
ル3と同様、真空シールされた回転軸17を介して、矢
印6で示す鉛直面上での回動を真空槽1の外部より操作
できる。そして真空シールされた回転軸17の出し入れ
によって水平方向への移動も可能である。11は図示さ
れなでいない電源にて負電圧がかけられた基板で、蒸発
物及びイオン流10により基板上に化合物被膜が形成さ
れる。
(作 用)
第2図は電子ビーム15の蒸発源8への入射角を示すも
のである。第1図における電磁コイル3を矢印4+(プ
ラス)方向に傾動させ、かつ/又は電磁コイル5を矢印
6−(マイナス)方向へ傾動さ一ヒることにより、蒸発
源8−ヒのビーム入射は第2図における入射角19〜(
マイナス)方向に変化する。同様に電磁コイル3を矢印
4一方向に傾動させるか、又は/かつ電磁コイル5を矢
印6+方向に傾動させることによりビーム入射は入射角
19十方向に変化する。蒸発源8より発生ずる蒸気はビ
ーム照射方向に沿ってその反対方向に進む性質がある。
のである。第1図における電磁コイル3を矢印4+(プ
ラス)方向に傾動させ、かつ/又は電磁コイル5を矢印
6−(マイナス)方向へ傾動さ一ヒることにより、蒸発
源8−ヒのビーム入射は第2図における入射角19〜(
マイナス)方向に変化する。同様に電磁コイル3を矢印
4一方向に傾動させるか、又は/かつ電磁コイル5を矢
印6+方向に傾動させることによりビーム入射は入射角
19十方向に変化する。蒸発源8より発生ずる蒸気はビ
ーム照射方向に沿ってその反対方向に進む性質がある。
したがってビーム入射角を外部より可変できるため、ビ
ームを垂直に入射させるよう電磁コイル3及び5を傾動
調整させることも、また基板11上に均一な膜厚で成膜
するよう電磁コイル3及び5を周期的に傾動させること
も可能になる。
ームを垂直に入射させるよう電磁コイル3及び5を傾動
調整させることも、また基板11上に均一な膜厚で成膜
するよう電磁コイル3及び5を周期的に傾動させること
も可能になる。
同様にして電磁コイル5を水平方向に沿って移動するこ
とにより、蒸発源8上の電子ビームスポットの位置を変
化させることが可能となる。したがって、常にビーム中
心をるつぼの中心に一致させることも可能であり、逆に
周期的に移動させて基板11上に均一な膜厚で成膜させ
ることも可能である。
とにより、蒸発源8上の電子ビームスポットの位置を変
化させることが可能となる。したがって、常にビーム中
心をるつぼの中心に一致させることも可能であり、逆に
周期的に移動させて基板11上に均一な膜厚で成膜させ
ることも可能である。
さらにはビームスタートに際して電磁コイル3を位置1
3に傾動させ、又は/かつ電磁コイル5を位置12に傾
動させることによって、電磁コイル3及び/又は5にて
発生する磁場による誘導方向をるつぼ7および電子銃2
間と同一方向にし、ビームスタートがスムーズに行われ
るようにできる。
3に傾動させ、又は/かつ電磁コイル5を位置12に傾
動させることによって、電磁コイル3及び/又は5にて
発生する磁場による誘導方向をるつぼ7および電子銃2
間と同一方向にし、ビームスタートがスムーズに行われ
るようにできる。
ビームスタートの後は電磁コイル3は位置21に、電磁
コイル5は位置20に戻すことによりビームスポットは
るつぼの中心と一致し、又ビーム入射角もるつぼに対し
て、はぼ垂直となって効率良くイオンプレーティングが
開始される。
コイル5は位置20に戻すことによりビームスポットは
るつぼの中心と一致し、又ビーム入射角もるつぼに対し
て、はぼ垂直となって効率良くイオンプレーティングが
開始される。
電磁コイル3及び5が位置21及び20に固定されてい
ると安定したビームスタートは容易に行われない。なぜ
ならビームスタート時に発生ずる不安定な電子ビームは
この固定位置にある電磁コイルで発生する磁場の力では
容訪に曲折されず、電場の作用によりるつぼ内に到達せ
ずに真空槽内壁へ向おうとする性質が強いからである。
ると安定したビームスタートは容易に行われない。なぜ
ならビームスタート時に発生ずる不安定な電子ビームは
この固定位置にある電磁コイルで発生する磁場の力では
容訪に曲折されず、電場の作用によりるつぼ内に到達せ
ずに真空槽内壁へ向おうとする性質が強いからである。
電磁コイル3かつ/又は5をるつぼ7と電子銃2とを結
ぶ直線の傾きにその軸線の傾きを合わせるように傾動さ
せることにより初めて磁場力が有効に作用し、電子ビー
ム15は電子ビーム経路14を通ってるつぼに向かう。
ぶ直線の傾きにその軸線の傾きを合わせるように傾動さ
せることにより初めて磁場力が有効に作用し、電子ビー
ム15は電子ビーム経路14を通ってるつぼに向かう。
もちろん電磁コイル3及び5を同時に位置13及び12
にそれぞれ傾動させた方がより確実である。
にそれぞれ傾動させた方がより確実である。
(実施例)
第1図のイオンプレーティング装置における電磁コイル
3および5の傾動機構の具体例を、それぞれ第3図(a
) 、 (b)に示す。すなわち真空槽1側壁にオイル
シール22を介して取付けた回転軸16又は17を真空
槽1外からの操作によって回転させ、よってこれら回転
軸16又は17が両端に離間して固定された電磁コイル
3又は5の傾動をはかるものである。また電磁コイル5
の水平方向の移動は、同図(b)に示すように、オイル
シール22と真空槽1の側壁との間にベローズジヨイン
ト23を設LJてオイルシール22を移動可能とするこ
とによって対処した。
3および5の傾動機構の具体例を、それぞれ第3図(a
) 、 (b)に示す。すなわち真空槽1側壁にオイル
シール22を介して取付けた回転軸16又は17を真空
槽1外からの操作によって回転させ、よってこれら回転
軸16又は17が両端に離間して固定された電磁コイル
3又は5の傾動をはかるものである。また電磁コイル5
の水平方向の移動は、同図(b)に示すように、オイル
シール22と真空槽1の側壁との間にベローズジヨイン
ト23を設LJてオイルシール22を移動可能とするこ
とによって対処した。
次に上記した構成のイオンプレーティング装置を用いた
イオンプレーティング処理について具体的に示す。なお
装置の仕様は表1に示す通りである。
イオンプレーティング処理について具体的に示す。なお
装置の仕様は表1に示す通りである。
蒸発源としてTiをるつぼ内に投入した後、真空槽内を
5 Xl0−’torrまで排気し、それと平行して基
板(SIJS 304.0.5m+n厚)を400°C
まで加熱する。その後電磁コイル3に 20OA、電磁
コイル5に500Aの電流を流して電子銃より電子ビー
ムを射出させた。このビームスタートを10回繰り返し
行った際にそのビームが正確にるつぼ内に入射された割
合を表2に示す。
5 Xl0−’torrまで排気し、それと平行して基
板(SIJS 304.0.5m+n厚)を400°C
まで加熱する。その後電磁コイル3に 20OA、電磁
コイル5に500Aの電流を流して電子銃より電子ビー
ムを射出させた。このビームスタートを10回繰り返し
行った際にそのビームが正確にるつぼ内に入射された割
合を表2に示す。
表2
同表から、集束コイル3を位置21および集束コイル5
を位置20に固定したままでは安定してビームスタート
ができないこと、一方集束コイル3が位置]3にかつ/
又は集束コイル5が位置12となるまで傾動さ−Uるこ
とによりきわめて安定にビームスタートが開始できるこ
とがわかる。
を位置20に固定したままでは安定してビームスタート
ができないこと、一方集束コイル3が位置]3にかつ/
又は集束コイル5が位置12となるまで傾動さ−Uるこ
とによりきわめて安定にビームスタートが開始できるこ
とがわかる。
ヒー1、スクート後に集束コイル3を位置21に、集束
コイル5を位置20にしてビームの出力を70OAとし
、集束コイル3に5OAおよび集束コイル5に250八
を流した。電子ビームは電子ビーム経路18のようにる
つぼに対して垂直に入射するため蒸発効率はきわめて高
くなった。
コイル5を位置20にしてビームの出力を70OAとし
、集束コイル3に5OAおよび集束コイル5に250八
を流した。電子ビームは電子ビーム経路18のようにる
つぼに対して垂直に入射するため蒸発効率はきわめて高
くなった。
ついで充分にるつぼ内の1゛、が溶解した後、反応ガス
導入管9を通してN2を導入してT、N被膜を形成した
。第4図はるつぼ直上の蒸発速度の経時変化を示す。蒸
発速度は水晶発振式の藤着速度計より求めた。電子銃お
よび集束コイルはるつぼからの輻射熱を受け、蒸発物も
付着していくため幾何学的及び電気的に変化していく。
導入管9を通してN2を導入してT、N被膜を形成した
。第4図はるつぼ直上の蒸発速度の経時変化を示す。蒸
発速度は水晶発振式の藤着速度計より求めた。電子銃お
よび集束コイルはるつぼからの輻射熱を受け、蒸発物も
付着していくため幾何学的及び電気的に変化していく。
したがって、電子ビーム15のるつぼに対する入射位置
、入射角も変化していくため、るつぼ7直上での蒸着速
度も経時的に変化、つまり蒸発効率が変化する。
、入射角も変化していくため、るつぼ7直上での蒸着速
度も経時的に変化、つまり蒸発効率が変化する。
しかしながら、電磁コイル5を外部より傾動及び移動可
能として、電子ビームの入射位置及び/又は入射角を監
視しながら常にその位置及び向きを最適条件に調整する
ことにより常に一定した蒸発速度が得られた。特に集束
コイル5の傾動及び移動を両方調整した時はほとんど変
化はなかった。
能として、電子ビームの入射位置及び/又は入射角を監
視しながら常にその位置及び向きを最適条件に調整する
ことにより常に一定した蒸発速度が得られた。特に集束
コイル5の傾動及び移動を両方調整した時はほとんど変
化はなかった。
逆にこれら集束コイルを周期的に伸動することにより蒸
発源に対する電子ビームの入射位置及び入射角が周期的
に変化するため、蒸発量の空間分布が均一となって基板
上の膜厚も均一となった。
発源に対する電子ビームの入射位置及び入射角が周期的
に変化するため、蒸発量の空間分布が均一となって基板
上の膜厚も均一となった。
ちなみに第5図は基板−ヒの膜厚分布を示すものである
。同様に集束コイル5を水平方向に周期的に移動するこ
とにより水平方向の膜厚分布が、第6図に示すように、
均一となった。
。同様に集束コイル5を水平方向に周期的に移動するこ
とにより水平方向の膜厚分布が、第6図に示すように、
均一となった。
もちろん集束コイル5を周期的に傾動しながら水平方向
に移動させることによって基板上の膜厚分布は第7図に
示すように、均一となった。このように成膜速度分布が
均一となるのは集束コイル3及び5を外部から傾動およ
び/又は移動可能としたからに他ならない。
に移動させることによって基板上の膜厚分布は第7図に
示すように、均一となった。このように成膜速度分布が
均一となるのは集束コイル3及び5を外部から傾動およ
び/又は移動可能としたからに他ならない。
(発明の効果)
以−に説明したように真空槽の内側部に電子銃を設置し
たイオンプレーティング装置において、電子ビームを誘
導する電磁コイルを傾動および/又は移動可能とするこ
とにより、蒸発源への電子ビームの入射位置および入射
角の制御性がきわめてii]−−二し、コーティング開
始時のビームスタートを容易に行い得る。さらに電子ビ
ームの入射状態を真空槽の外部から処理中に制御可能で
あるため、蒸発効率の向上及び膜厚の均質化がはかられ
る。
たイオンプレーティング装置において、電子ビームを誘
導する電磁コイルを傾動および/又は移動可能とするこ
とにより、蒸発源への電子ビームの入射位置および入射
角の制御性がきわめてii]−−二し、コーティング開
始時のビームスタートを容易に行い得る。さらに電子ビ
ームの入射状態を真空槽の外部から処理中に制御可能で
あるため、蒸発効率の向上及び膜厚の均質化がはかられ
る。
第1図はこの発明に従うイオンプレーティング装置の説
明図、 第2図は電子ビームの蒸発源に対する入射角を示す説明
図、 第3図(a) 、 (b)は電磁コイルの詳細構造を示
す説明図、 第4図はるつぼ直上の蒸着速度の経時変化を示すグラフ
、 第5図は電磁コイルの周期的傾動の蒸着速度分布に対す
る影響を示すグラフ、 第6図は電磁コイルの周期的移動の蒸着速度分布に対す
る影響を示すグラフ、 第7図は電磁コイルの周期的傾動及び移動の蒸着速度分
布に対する影響を示すグラフである。 1・・・真空槽 2・・・電子銃35・・・
電磁コイル 7・・・るつぼ8・・・蒸発源
9・・・反応ガス導入管10・・・蒸発物及びイオ
ン流 11・・・基板 14.18・・・電子ビ
ーム経路15・・・電子ビーム 16.17・・
・回転軸19・・・入射角 22・・・オイ
ルシール23・・・ヘローズジョイント fqX躬鷹 Gす1C力+素tti) 一一一−−−は動) (4呑21酬カツ 今←−一う←−一・瞭−(「0定) 時 間 (今) 第5図 憚宥龜コイル5周順的拳貝動C8発明)−一一一一一一
電磁コイル3周芥■的4貫を刀aく発明)→←−−刺7
−−片一電磁コイル31?I=−’4J定(よヒ較イ四
り(ぐ=電子l介う前 ) (XvIX’) (marl)
明図、 第2図は電子ビームの蒸発源に対する入射角を示す説明
図、 第3図(a) 、 (b)は電磁コイルの詳細構造を示
す説明図、 第4図はるつぼ直上の蒸着速度の経時変化を示すグラフ
、 第5図は電磁コイルの周期的傾動の蒸着速度分布に対す
る影響を示すグラフ、 第6図は電磁コイルの周期的移動の蒸着速度分布に対す
る影響を示すグラフ、 第7図は電磁コイルの周期的傾動及び移動の蒸着速度分
布に対する影響を示すグラフである。 1・・・真空槽 2・・・電子銃35・・・
電磁コイル 7・・・るつぼ8・・・蒸発源
9・・・反応ガス導入管10・・・蒸発物及びイオ
ン流 11・・・基板 14.18・・・電子ビ
ーム経路15・・・電子ビーム 16.17・・
・回転軸19・・・入射角 22・・・オイ
ルシール23・・・ヘローズジョイント fqX躬鷹 Gす1C力+素tti) 一一一−−−は動) (4呑21酬カツ 今←−一う←−一・瞭−(「0定) 時 間 (今) 第5図 憚宥龜コイル5周順的拳貝動C8発明)−一一一一一一
電磁コイル3周芥■的4貫を刀aく発明)→←−−刺7
−−片一電磁コイル31?I=−’4J定(よヒ較イ四
り(ぐ=電子l介う前 ) (XvIX’) (marl)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、真空槽内に蒸発源を収容したるつぼを配置し、真空
槽の側壁に電子ビームを射出する電子銃を配設したイオ
ンプレーティング装置において、 電子銃から射出した電子ビームを蒸発源へ偏向させる電
磁コイルを、電子銃銃口の近傍およびるつぼの周囲にそ
れぞれ配置し、少なくともどちらか一方の電磁コイルは
その軸線が鉛直面上を動く向きにて回動可能に設けてな
るイオンプレーティング装置。 2、真空槽内に蒸発源を収容したるつぼを配置し、真空
槽の側壁に電子ビームを射出する電子銃を配設したイオ
ンプレーティング装置において、 電子銃から射出した電子ビームを蒸発源へ偏向させる電
磁コイルを、電子銃銃口の近傍およびるつぼの周囲にそ
れぞれ設置し、少なくともどちらか一方の電磁コイルは
その軸線が鉛直面上を動く向きにて回動可能に設け、さ
らにるつぼ周囲の電磁コイルは水平方向へ移動可能に設
けてなるイオンプレーティング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16487288A JPH0215166A (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | イオンプレーティング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16487288A JPH0215166A (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | イオンプレーティング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0215166A true JPH0215166A (ja) | 1990-01-18 |
Family
ID=15801529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16487288A Pending JPH0215166A (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | イオンプレーティング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0215166A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013218881A (ja) * | 2012-04-09 | 2013-10-24 | Chugai Ro Co Ltd | プラズマ発生装置並びに蒸着装置および蒸着方法 |
-
1988
- 1988-07-04 JP JP16487288A patent/JPH0215166A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013218881A (ja) * | 2012-04-09 | 2013-10-24 | Chugai Ro Co Ltd | プラズマ発生装置並びに蒸着装置および蒸着方法 |
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