JPH02150086A - 固体レーザ発振装置 - Google Patents

固体レーザ発振装置

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JPH02150086A
JPH02150086A JP63304574A JP30457488A JPH02150086A JP H02150086 A JPH02150086 A JP H02150086A JP 63304574 A JP63304574 A JP 63304574A JP 30457488 A JP30457488 A JP 30457488A JP H02150086 A JPH02150086 A JP H02150086A
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JP
Japan
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silver
film
condenser
reflectance
thickness
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JP63304574A
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English (en)
Inventor
Toshio Shoji
東海林 利夫
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Tokin Corp
Original Assignee
Tokin Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/0915Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by incoherent light
    • H01S3/092Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by incoherent light of flash lamp
    • H01S3/093Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by incoherent light of flash lamp focusing or directing the excitation energy into the active medium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
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    • H01S3/1601Solid materials characterised by an active (lasing) ion
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ0発明の目的 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザ加工等に用いる固体レーザ発振装置に
おいて、固体レーザの発振素子に、活性イオンであるネ
オジウムイオン(以下Nd3+)と、増感材としてのク
ロムイオン(以下Cr”)をドープしたガドリニウム・
スカンジウム・ガリウム・ガーネット(以下Nd、 C
r : GSGGと称す)単結晶を用い、励起光を集光
させるための内面に銀メツキを施した楕円筒型の集光器
を用いた固体レーザ発振装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、一般に固体レーザの発振素子として、イツトリウ
ム・アルミニューム・ガーネット(以下YAGと称す)
に活性イオンであるNd3+をドープしたNd : Y
AGが用いられていた。しかし、最近活性イオンである
Nd3+を高濃度でドープすることが出来るガドリニウ
ム・スカンジウム・ガリウム・ガーネットc以下GSG
G)材料が開発された。特に増感材としてCr3+をド
ープしたNd、 Cr : GSGGは、レーザ励起用
キセノンランプ入力電力に対しレーザ出力が増加する割
合を示すスロープ効果がNd : YAGの約2倍あり
、パルスレーザ発振素子として注目されている。固体レ
ーザ発振装置は、励起ランプと、レーザ発振素子に励起
光を効率良く集光させるための楕円筒型の集光器と、レ
ーザ発振素子内にエネルギーを蓄えるための共振ミラー
、及び電源、冷却水から形成される。
従来の楕円筒型の集光器では、その表面には金メツキが
施され、それぞれの焦点にレーザ発振素子と、励起ラン
プが置かれる。第5図にNd : YAG、及びNd、
 Cr : GSGGの分光光度計を用いた各波長に対
する吸収スペクトルを示すが、Nd、 Cr : GS
GGによる吸収は、500nm以下と600nm〜65
0nmの付近に幅広く存在するが、従来の金(以下Au
と称す)メツキ集光器では第6図に示すように、波長7
00nm以下のところから急激に反射率が低下するため
、励起ランプに第3図に示す発光スペクトルを有するキ
セノンフラッシュランプを用いる時は、発光エネルギー
を効率良く利用出来ない。一方銀(以下Agと称す)は
、第6図に示すように400nmから600nmの波長
領域において高反射率を有することから励起ランプにキ
セノンフラッシュランプを用いることにより、効率の良
い集光器が得られる。しかし銀の薄膜は酸化しやすいた
め、耐久性のある銀メツキを施した集光器が作れないと
いう課題があった。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は、波長の短い領域で高い反射率特性を持つ、し
かも耐久性のある銀皮膜を形成した集光器を作り、従来
使われていたNd : YAG固体レーザ発振装置に代
り、スロープ効率の高いNd3+イオンと、Cr3+イ
オンをドープしたNd、 Cr : GSGG単結晶を
用いたレーザ発振素子と、励起ランプにキセノンフラッ
シュランプを組合せ、高出力で高い効率の特性を持つ固
体レーザ発振装置を提供するにある。
口3発明の構成 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、Nd、 Cr : GSGGを励起するのに
有効な波長領域において、高い反射率を示す、銀の表面
に適当な膜厚の酸化アルミニュウム(以下Al2O3と
称す)膜の被覆を形成し、悪い環境に於ても耐久性のあ
る銀集光器を作り、効率の良いNd、 Crイオンをド
ープしたガドリニウム・スカンジウム・ガリウム・ガー
ネット単結晶を励起して形成した固体レーザ発振装置を
得ることを特徴とする。
即ち本発明は、ネオジミウムとクロムイオンを含むガド
リニウム・スカンジウム・ガリウム・ガーネット単結晶
と、励起用ランプ、及び銀集光器から成る固体レーザ装
置において、銀集光器を形成する銀の表面に酸化アルミ
ニウム(A1203)を厚さ0.5μmないし5.0μ
mの厚さに被覆した銀集光器を用いたことを特徴とする
固体レーザ装置である。
〔作用〕
固体レーザ発振装置に使用している励起用キセノンラン
プは、発生する光の波長に対する発光パワーは、300
止ないし600nmの範囲で大きな値を示し、最大値は
350nm付近にある。一方、従来使用していた固体レ
ーザ発振装置の集光器内面に形成していた金の膜の場合
、その反射率は600nm付近から急速に低下し、50
0nmでは50%以下となる。
又、ネオジウムイオンNd”、クロームイオンCr3+
をドープしたガドリニウム・スカンジウム・ガリウム・
ガーネット(Nd、 Cr : GSGG)の単結晶は
、波長が600nm 〜650na+の範囲と500 
nm以下で大きな吸収スペクトルを示し、800nm以
下でキセノンランプの光により強く励起される。従って
波長が600nm以下300nmの範囲で高い反射率を
示す銀膜を形成した集光器と、レーザの発振素子にNd
、 Cr : GSGGを組み合せて高い励起効率を示
す固体レーザ発振装置とするもので、特に耐久性を向上
するため銀膜面上に酸化アルミニウムを形成した集光器
を用いるもので、耐久性のある、しかも発振効率の高い
固体レーザ発振装置とするものである。
〔実施例〕
本発明の実施例について図面を参照して説明する。第1
図は本発明の実施例を用いた固体レーザ発振装置の構成
図である。第2図に示す発光スペクトルを有するキセノ
ンフラッシュランプ12から発した光は、Ag表面にA
l2O3を被覆した集光器11でNd、 Cr : G
SGG13に集光され、Nd、 Cr : GSGGを
励起する。励起状態にあるNd、 Cr : GSGG
は誘導放出によって全反射ミラー14と出射ミラー15
との間で増幅されレーザ発振をする。第3図は本発明に
よる集光器11の詳細を示し、本発明による集光器は次
のような方法で製作された。
実施例−1 集光器反射面の銀膜、及び保護膜の形成を行う前に、各
種の透明酸化物から成る保護膜を形成し耐久試験を実施
した。
2011!lφの真鍮基板表面を鏡面仕上げを行った後
、2μmの厚さにニッケル(Ni)メツキを行った後、
更に8μmの厚さに銀メツキを行い、その表面を粒径が
178μmのダイヤモンド粉末で鏡面加工仕上げを行っ
た後、再び真空度1×10−5トール以下で銀を抵抗加
熱により1μm厚さに蒸着した。
反射率、保護膜の耐久試験を行う試料は、(イ)前記蒸
着銀膜のままの試料。
(ロ)蒸着銀膜の上に0.5μm厚さのAl2O3の保
護膜を形成した試料。
(ハ)蒸着銀膜の上に0.5μmの厚さの二弗化マグネ
シウム(以下MgF 2と称す)の保護膜を形成した試
料。
(ニ)蒸着銀膜の上に0.5μmの厚さの二酸化硅素(
以下SiO2と称す)の保護膜を形成した試料。
(ホ)比較例として蒸着銀膜の上に1μの厚さに金(A
u)の膜を蒸着により形成した試料を準備した。
(ロ)のAl2O3、(ハ)のMgF2、(ニ)の5i
Ozは、銀蒸着膜を取り付けた円板に、電子ビーム蒸着
装置により真空度lX10−5トール以下の真空度に於
て円板を350℃に保持し、電子ビーム蒸着により銀膜
上にそれぞれ0.5μmの厚さの膜を形成した。
蒸着銀膜ままの場合の各波長に於ける反射率を第4図の
曲線41に、金膜の各波長に於ける反射率を第4図の曲
線43に示す。
第4図に示すように600nmから330nmの波長領
域に於て、銀膜の反射率は、金膜に比べ高い反射率の特
性が得られることを確認した。
さらに銀膜の上にAl2O3、MgF2、SiO2の保
護膜を形成した試料を、耐久試験のため温度85℃、湿
度95%のもとて100時間保持し、耐久試験後のそれ
ぞれの試料毎の反射率を測定した。結果は第4図に示す
通りで、第4図に於て曲線42は本発明による銀膜上に
0.5μm厚さのAl2O3膜を形成した試料、曲線4
4は保護膜に0.5μm厚さのMgF2膜を使用した試
料、曲線45は保護膜に0.5μm厚さのSiO□膜を
使用した試料を示す。Al2O3保護膜を使用した試料
では耐久試験の前後で各波長に対しほとんど反射率の変
化は見られなかったが、MgF2膜では表面が白色化し
、SiO2膜では膜面にはがれが生じ、何れも前記条件
による耐久試験後反射率は著しく低下し、実用出来ない
値となった。
尚反射率の測定は従来この種の装置の反射率を測定する
方法として用いられている分光光度計を使用した5度正
反射法により測定した。
実施例−2 次に銀膜上に形成するAl2O3保護膜の、形成膜厚に
よる膜成形時の反射率につき、耐久試験後の反射率の変
化を実施例1と同じ20mmψの銀膜を形成した円板を
用い測定した。
銀蒸着膜上に形成した膜厚は、0.2μm、0.5μm
、1.0μm、2.0μm、5.0μm、10μmとし
、膜の形成は実施例゛−1と同様に、真空度がlXl0
−5トールの真空中でエレクトロンビーム蒸着法により
形成した。各膜厚のAl2O3を被覆した試料の膜形成
後の反射率、及び温度85℃、湿度95%で100時間
の耐久試験を実施した後の反射率、及び耐久試験を実施
した後の目視試験の結果を第1表に示す。
尚第1表に於ける反射率の測定は、実施例−1と同一方
法により、波長が400止に於ける反射率の値を示す。
第1表 銀膜面上のAl2O3の膜厚と反射率及び謝久試験結果
注、波長400nmでの反射率 本実施例の結果では膜厚が0.2μmでは銀膜上にAl
2O3を形成した後の反射率は良好な値であるが、耐久
試験後は表面白濁し、又反射率も約20%低下した。
一方Al2O3の膜厚が10μmでは耐久試験後Al2
O3の膜面に割れが発生していた。
A1゜03の膜厚が10μmに於ける表面割れの発生は
、Al2O3の蒸着膜を銀膜上に形成する際、銀膜面の
温度を300°C以上にしないと透明なAl2O3膜が
得られないため、蒸着時には真鍮板の温度を350℃に
保持している。銀とAl2O3膜では熱膨張係数が異な
るため、真鍮製の基板の温度を350℃より降温した時
、Al2O3膜にはがれが生ずるものと思われる。従っ
てAl2O3膜が10μmをこえると歩留は非常に悪く
なる。
又Al2O:l膜内に散乱体を生じており、従ってAl
2O3膜の厚さが10μm程になると反射率も低下した
ものと考えられる。
実施例−3 内径がほぼ20mmφで形状が楕円筒形の、長さ80m
mの真鍮ブロック31を作り、内面及び外側表面に2μ
mの厚さにニッケル(Ni)メツキ32を施し、楕円筒
形の内径に厚さ8μmの銀膜33をメツキにより施し、
その表面を粒径が178μmのダイヤモンド粉末で鏡面
加工仕上げを行った後、再び真空度1×10−5トール
以下で厚さ1μmの銀膜を蒸着により形成した。さらに
電子ビーム蒸着装置により真空度lX10−5トールに
於て銀膜面を350℃に保持しながら銀膜面上に保護膜
として0.5μmの膜厚にA120334を被覆し、第
3図に示す本発明の集光器を作った。
集光器は第1図に示す固体レーザ発振装置に組み上げた
。本発振装置を用い、キセノンランプ人力20J、パル
ス巾100usでパルスレーザ発振を試みたところ、従
来使われてきたNd : YAGに比べて本発明の固体
レーザ発振装置では約3倍のレーザ発振出力が得られた
ハ9発明の効果 〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明の固体レーザ装置に用いたA
g集光器では600nm以下の波長領域で金に比べて高
い反射率が長期間安定して得られ、このため短波長側の
励起光を必要とするNd、 Cr : GSGGを用い
た固体レーザ発振装置では、レーザ発振の値が装置を得
ることが可能となり、効率のよい各種レーザ加工装置が
構成出来るようになった。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明による固体レーザ発振装置の構成図。 第2図は、キセノンフラッシュランプの発光スペクトル
を示す図。 第3図は、本発明による集光器の構造を示す図。 (a)は側面図、(b)は正面図。 第4図は、本発明による固体レーザ発振装置の集光器内
面銀膜上に、Al2O3、MgF2、SiO2膜を形成
し耐久試験を行った後の反射率を示す図。 第5図はNd : YAG、及びNd、 Cr : G
SGGの吸収スペクトルを示す図。 第6図は、銀(Ag)、金(Au)とアルミニウム(A
1)のそれぞれ金属の各波長に対する反射率を示す図。 11・・・集光器、12・・・キセノンフラッシュラン
プ、13− Nd、 Cr : GSGG、14・・・
反射ミラー、 15−・・出射ミラー、31・・・真鍮
ブロック、32・・・Niメツキ、33・・・Ag膜、
34・・・Al2O3膜、35.36・・・楕円筒の焦
点、41・・・Ag膜で耐久試験前の反射率、42・・
・Agvc上に本発明によるAl2O3保護膜を着けた
試料で耐久試験を行った後の反射率、43・・・銀膜上
に1μmの厚さのAu膜をつけた時の反射率、44・・
・Agv&上にMgF 2保護膜をつけた試料の耐久試
験後の反射率、45・・・Ag膜上に5i02保護膜を
つけた試料の耐久試験後の反射率。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、ネオジミウムとクロムイオンを含むガドリニウム・
    スカンジウム・ガリウム・ガーネット単結晶と、励起用
    ランプ、及び銀集光器とから成る固体レーザ発振装置に
    おいて、銀集光器を形成する銀の表面に、酸化アルミニ
    ウム(Al_2O_3)を厚さ0.5μmないし5.0
    μmの厚さに被覆した銀集光器を用いたことを特徴とす
    る固体レーザ発振装置。
JP63304574A 1988-11-30 1988-11-30 固体レーザ発振装置 Pending JPH02150086A (ja)

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