JPS637039B2 - - Google Patents
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- JPS637039B2 JPS637039B2 JP54052685A JP5268579A JPS637039B2 JP S637039 B2 JPS637039 B2 JP S637039B2 JP 54052685 A JP54052685 A JP 54052685A JP 5268579 A JP5268579 A JP 5268579A JP S637039 B2 JPS637039 B2 JP S637039B2
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- laser oscillation
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Links
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- -1 neodymium ions Chemical class 0.000 claims description 17
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 16
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- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
Description
【発明の詳細な説明】
ネオジムを活性イオンとして含有するイツトリ
ウムアルミニウムガーネツト単結晶（Nd：YAG
と略称する）は効率のすぐれたレーザ結晶であ
り、これを用いたNd：YAGレーザー装置は種々
の目的に応用されている。通常のレーザー装置と
して必要な部品は励起光源用ランプ、ランプ電
源、レーザ発振素子、ランプの光を有効にレーザ
発色素子に集中するための反射集光器等である。
これらのようないくつかの部品を必要とするため
にレーザー装置の価格は高くなり、Nd：YAGレ
ーザー装置を用いようとする場合の問題点となつ
ている。
ウムアルミニウムガーネツト単結晶（Nd：YAG
と略称する）は効率のすぐれたレーザ結晶であ
り、これを用いたNd：YAGレーザー装置は種々
の目的に応用されている。通常のレーザー装置と
して必要な部品は励起光源用ランプ、ランプ電
源、レーザ発振素子、ランプの光を有効にレーザ
発色素子に集中するための反射集光器等である。
これらのようないくつかの部品を必要とするため
にレーザー装置の価格は高くなり、Nd：YAGレ
ーザー装置を用いようとする場合の問題点となつ
ている。
本発明は比較的安価にかつ、簡単な構造の
Nd：YAGレーザー装置を構成することが可能な
レーザ発振素子を提供することを目的とするもの
である。
Nd：YAGレーザー装置を構成することが可能な
レーザ発振素子を提供することを目的とするもの
である。
本発明のレーザ発振素子を用いれば励起光源と
してアルゴンイオンレーザーを併用することによ
り、アルゴンイオンレーザーを保有している場合
に安価にNd：YAGレーザー装置を構成しうる利
点を有する。
してアルゴンイオンレーザーを併用することによ
り、アルゴンイオンレーザーを保有している場合
に安価にNd：YAGレーザー装置を構成しうる利
点を有する。
すなわちアルゴンイオンレーザーを励起光源と
して用いるため、通常のNd：YAGレーザー装置
の部品である励起光源用ランプ、ランプ電源、反
射集光器が不要となり、本発明のレーザ発振素子
と光共振器を構成するための反射鏡等を準備すれ
ばよい。
して用いるため、通常のNd：YAGレーザー装置
の部品である励起光源用ランプ、ランプ電源、反
射集光器が不要となり、本発明のレーザ発振素子
と光共振器を構成するための反射鏡等を準備すれ
ばよい。
以下実施例にもとづいて説明する。
第１図は本発明の固体レーザ発振素子とアルゴ
ンイオンレーザ（図示せず）とから構成された
Nd：YAGレーザ装置の概略図を示す。図中の１
はアルゴンイオンレーザ光で波長0.5145μｍ、出
力3Wのビームで、焦点距離９cmの凸レンズ２に
より固体レーザ発振素子３に集光される。
ンイオンレーザ（図示せず）とから構成された
Nd：YAGレーザ装置の概略図を示す。図中の１
はアルゴンイオンレーザ光で波長0.5145μｍ、出
力3Wのビームで、焦点距離９cmの凸レンズ２に
より固体レーザ発振素子３に集光される。
３は本発明のレーザ発振素子で、クロム0.1原
子パーセント、ネオジム0.7原子パーセントを含
有するイツトリウムアルミニウムガーネツト結晶
から切出され研磨加工され、外径３mm、長さ30
mm、両端の端面は平面度0.1μｍ、平行度10秒以内
の精度に仕上げられている。レーザ発振素子内に
含有されたクロムイオンは励起用アルゴンイオン
レーザ光がレーザ発振素子の中心に入射している
か否かを確めることを主目的としたものである。
アルゴンイオンレーザ光の入射によつてクロムイ
オンを含有したレーザ発振素子は中心波長0.7μｍ
の赤色の発光を示す。従つて赤色発光領域がレー
ザ発振素子の中心部に存在するように、レーザ発
振素子をアルゴンイオンレーザー光に対して配置
すれば正しい配置であることが判定できる。４は
レーザ発振素子を支持する銅製の台、５はレーザ
発振素子の出射側に設置され、1.06μｍの光のみ
を通す干渉フイルターである。
子パーセント、ネオジム0.7原子パーセントを含
有するイツトリウムアルミニウムガーネツト結晶
から切出され研磨加工され、外径３mm、長さ30
mm、両端の端面は平面度0.1μｍ、平行度10秒以内
の精度に仕上げられている。レーザ発振素子内に
含有されたクロムイオンは励起用アルゴンイオン
レーザ光がレーザ発振素子の中心に入射している
か否かを確めることを主目的としたものである。
アルゴンイオンレーザ光の入射によつてクロムイ
オンを含有したレーザ発振素子は中心波長0.7μｍ
の赤色の発光を示す。従つて赤色発光領域がレー
ザ発振素子の中心部に存在するように、レーザ発
振素子をアルゴンイオンレーザー光に対して配置
すれば正しい配置であることが判定できる。４は
レーザ発振素子を支持する銅製の台、５はレーザ
発振素子の出射側に設置され、1.06μｍの光のみ
を通す干渉フイルターである。
レーザ発振素子の両側の端面には光共振器を構
成するように誘電体多層反射膜が蒸着されてお
り、レンズ側の端面の誘電体多層反射膜は膜厚
2650AのSiO2（屈折率1.46）およびTiO2（屈折率
2.3）薄膜を交互に10層づつつけたもので波長
1.06μｍの光に対して反射率99.8％、波長0.5145μ
ｍの光に対しては反射率８％の値、もう一方の側
（出力側）の端面の誘電体多層反射膜は、光の
SiO2とTiO2の薄膜を交互に８層づつ蒸着したも
ので、波長1.06μｍの光に対して反射率98％であ
る。このように誘電体多層反射膜を形成すると、
レーザ発振素子は励起用のアルゴンイオンレーザ
光を効率良く吸収し、そのうえ、効率の良い共振
器が形成されるため、レーザ発振を効率良く行う
ことができる。
成するように誘電体多層反射膜が蒸着されてお
り、レンズ側の端面の誘電体多層反射膜は膜厚
2650AのSiO2（屈折率1.46）およびTiO2（屈折率
2.3）薄膜を交互に10層づつつけたもので波長
1.06μｍの光に対して反射率99.8％、波長0.5145μ
ｍの光に対しては反射率８％の値、もう一方の側
（出力側）の端面の誘電体多層反射膜は、光の
SiO2とTiO2の薄膜を交互に８層づつ蒸着したも
ので、波長1.06μｍの光に対して反射率98％であ
る。このように誘電体多層反射膜を形成すると、
レーザ発振素子は励起用のアルゴンイオンレーザ
光を効率良く吸収し、そのうえ、効率の良い共振
器が形成されるため、レーザ発振を効率良く行う
ことができる。
レンズとレーザ発振素子との距離は実施例にお
いては９cm、レンズ側のレーザ発振素子端面での
励起アルゴンイオンレーザ光のビーム径は100μ
ｍである。このような配置において出力側端面よ
り波長1.06μｍのレーザ発振光が発射されており、
その出力は150ｍＷであつた。励起アルゴンイオ
ンレーザー光の0.5145μｍの入力エネルギーと、
レーザ発振素子よりの1.06μｍの出力エネルギー
の関係を第２図に示す。
いては９cm、レンズ側のレーザ発振素子端面での
励起アルゴンイオンレーザ光のビーム径は100μ
ｍである。このような配置において出力側端面よ
り波長1.06μｍのレーザ発振光が発射されており、
その出力は150ｍＷであつた。励起アルゴンイオ
ンレーザー光の0.5145μｍの入力エネルギーと、
レーザ発振素子よりの1.06μｍの出力エネルギー
の関係を第２図に示す。
以上の実施例ではクロムイオン濃度0.1原子パ
ーセントネオジムイオン濃度0.7原子パーセント
の場合についてのべたが、クロムイオン濃度は赤
色の発光領域を確める目的では0.005原子パーセ
ント以上が発光強度の点から望ましく、レーザ発
振素子内の屈折率の均一性を10-3程度に保つため
には0.1原子パーセント以下程度が望ましい。
ーセントネオジムイオン濃度0.7原子パーセント
の場合についてのべたが、クロムイオン濃度は赤
色の発光領域を確める目的では0.005原子パーセ
ント以上が発光強度の点から望ましく、レーザ発
振素子内の屈折率の均一性を10-3程度に保つため
には0.1原子パーセント以下程度が望ましい。
ネオジムイオン濃度は発振に要する最少入力エ
ネルギーの値の点から0.2原子パーセント以上が
望ましく、上限はNd：YAG結晶内に光を散乱す
るようなネオジムを主成分とする析出物の発生し
ない最高濃度である1.5原子パーセント程度が適
当である。
ネルギーの値の点から0.2原子パーセント以上が
望ましく、上限はNd：YAG結晶内に光を散乱す
るようなネオジムを主成分とする析出物の発生し
ない最高濃度である1.5原子パーセント程度が適
当である。
また実施例では端面反射率の値を励起側端面で
波長1.06μｍの光に対し99.8％、波長0.5145μｍの
光に対して８％にしたがこの値も特に限定される
ものではなく1.06μｍに対してはより高い反射率、
0.5145μｍに対してはより低い反射率であること
が望ましい。
波長1.06μｍの光に対し99.8％、波長0.5145μｍの
光に対して８％にしたがこの値も特に限定される
ものではなく1.06μｍに対してはより高い反射率、
0.5145μｍに対してはより低い反射率であること
が望ましい。
以上説明したように本発明のレーザ発振素子は
アルゴンイオンレーザと併用することにより構造
が単純で、そのうえ効率が良くNd：YAGレーザ
装置が安価にできる。
アルゴンイオンレーザと併用することにより構造
が単純で、そのうえ効率が良くNd：YAGレーザ
装置が安価にできる。
第１図は本発明による固体レーザー発振素子と
アルゴンイオンレーザ（図示せず）とから構成さ
れたNd：YAGレーザ装置の説明図、第２図は励
起アルゴンイオンレーザーの入力エネルギーと
YAGレーザ発振素子よりの出力エネルギーの関
係図である。 図中の番号は１……アルゴンイオンレーザ光、
２……凸レンズ、３……固体レーザ発振素子、５
……干渉フイルターを示す。
アルゴンイオンレーザ（図示せず）とから構成さ
れたNd：YAGレーザ装置の説明図、第２図は励
起アルゴンイオンレーザーの入力エネルギーと
YAGレーザ発振素子よりの出力エネルギーの関
係図である。 図中の番号は１……アルゴンイオンレーザ光、
２……凸レンズ、３……固体レーザ発振素子、５
……干渉フイルターを示す。
Claims (1)
- １ クロムイオンを0.005〜0.5原子パーセント、
ネオジムイオンを0.2〜1.5原子パーセントの範囲
内で含有し、光共振器を形成するように両端が研
磨された棒状のイツトリウムアルミニウムガーネ
ツト単結晶の片側の端面に、波長1.06μｍの光に
対する反射率が、波長0.5145μｍの光に対する反
射率よりも大きな値をもつ誘電体多層膜を形成し
たことを特徴とするアルゴンイオンレーザ励起固
体レーザ発振素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5268579A JPS55145383A (en) | 1979-04-27 | 1979-04-27 | Solid laser oscillator excited by argon ion laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5268579A JPS55145383A (en) | 1979-04-27 | 1979-04-27 | Solid laser oscillator excited by argon ion laser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55145383A JPS55145383A (en) | 1980-11-12 |
| JPS637039B2 true JPS637039B2 (ja) | 1988-02-15 |
Family
ID=12921734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5268579A Granted JPS55145383A (en) | 1979-04-27 | 1979-04-27 | Solid laser oscillator excited by argon ion laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55145383A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100360469C (zh) * | 2005-06-03 | 2008-01-09 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 双掺杂的钇铝石榴石透明陶瓷材料及制备方法 |
| CN102581929B (zh) * | 2012-02-16 | 2014-03-05 | 山东晶鑫晶体科技有限公司 | 一种高纯氧化铝粉的饼料成型方法 |
| CN111118603B (zh) * | 2019-12-04 | 2021-06-22 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种晶体材料、其制备方法及作为激光晶体的应用 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4885489A (ja) * | 1972-01-24 | 1973-11-13 | ||
| JPS5347795A (en) * | 1976-10-13 | 1978-04-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Solid laser device |
-
1979
- 1979-04-27 JP JP5268579A patent/JPS55145383A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4885489A (ja) * | 1972-01-24 | 1973-11-13 | ||
| JPS5347795A (en) * | 1976-10-13 | 1978-04-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Solid laser device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55145383A (en) | 1980-11-12 |
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