JPH02146810A - Phase shifter - Google Patents
Phase shifterInfo
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- JPH02146810A JPH02146810A JP30014788A JP30014788A JPH02146810A JP H02146810 A JPH02146810 A JP H02146810A JP 30014788 A JP30014788 A JP 30014788A JP 30014788 A JP30014788 A JP 30014788A JP H02146810 A JPH02146810 A JP H02146810A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は移相器に関し、特に、ショットキーゲート構造
の電界効果型トランジスタく以下、MESFETという
)を用いた移相器に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a phase shifter, and more particularly to a phase shifter using a field effect transistor (hereinafter referred to as MESFET) having a Schottky gate structure.
[従来の技術]
従来より、高周波回路等で使用される移相器としてME
SFETを用いたものが知られている。[Prior art] ME has traditionally been used as a phase shifter used in high frequency circuits, etc.
One using SFET is known.
第3図にこの移相器の基本回路構成を示す。この回路は
1ビツトに対応したもので、入力端子1と出力端子2と
の間に並列に接続されたインダクタ3及びキャパシタ4
と、これらのインダクタ3及びキャパシタ4と入力端子
1との間に夫々挿入されたMESFET5.6とから構
成されている。FIG. 3 shows the basic circuit configuration of this phase shifter. This circuit corresponds to 1 bit, and has an inductor 3 and a capacitor 4 connected in parallel between input terminal 1 and output terminal 2.
and MESFETs 5 and 6 inserted between the inductor 3 and capacitor 4 and the input terminal 1, respectively.
MESFET5.6のゲートは夫々スイッチコントロー
ル端子7,8に接続されている。そして、これらの端子
7,8に与えられるスイッチコントロール信号によって
MESFET5.6が例えば択一的にONすることによ
り、所望の移相量が得られるようになっている。The gates of MESFETs 5.6 are connected to switch control terminals 7, 8, respectively. A desired amount of phase shift can be obtained by, for example, selectively turning on the MESFETs 5.6 by switch control signals applied to these terminals 7 and 8.
[発明が解決しようとする課題]
上述した従来の移相器では、各ビットについてキャパシ
タを必要とする。ところが、このキャパシタは集積回路
において広い面積を占有する。また、1ビツト当たりの
スイッチコントロール端子も2つ必要であるため、ビッ
ト数の増加に伴って回路規模が増大するという欠点を有
していた。[Problems to be Solved by the Invention] The conventional phase shifter described above requires a capacitor for each bit. However, this capacitor occupies a large area in an integrated circuit. Furthermore, since two switch control terminals are required for each bit, the circuit size increases as the number of bits increases.
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
回路構成が単純で占有面積を十分に小さくできる移相器
を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of such problems, and includes:
It is an object of the present invention to provide a phase shifter that has a simple circuit configuration and can occupy a sufficiently small area.
[課題を解決するための手段]
本発明に係る移相器は、1つのME S F ETと、
1つのインダクタとを直列に接続し、その直列回路の一
端を入力端子、他端を出力端子とすると共に、MESF
ETのゲート電極をスイッチコントロール端子とした構
成を有する。[Means for Solving the Problems] A phase shifter according to the present invention includes one MESFET,
One inductor is connected in series, one end of the series circuit is used as an input terminal, and the other end is used as an output terminal.
It has a configuration in which the gate electrode of ET is used as a switch control terminal.
[作用]
MESFETは等価的にON状態では抵抗、OFF状態
ではキャパシタとして機能する。従って、本発明によれ
ばMESFETとインダクタとが直列に接続されている
ので、MESFETがON状態のときには抵抗とインダ
クタとの直列回路、OFF状態のときにはキャパシタと
インダクタとの直列回路となり、前者に対して後者の位
相が進むことになる。従ッテ、MESFETをON、O
FF制御することにより、移相器としての動作が実現さ
れる。[Function] The MESFET equivalently functions as a resistor in the ON state and as a capacitor in the OFF state. Therefore, according to the present invention, since the MESFET and the inductor are connected in series, when the MESFET is in an ON state, it becomes a series circuit of a resistor and an inductor, and when it is in an OFF state, it becomes a series circuit of a capacitor and an inductor. As a result, the latter phase advances. Follow, MESFET ON, O
By controlling the FF, operation as a phase shifter is realized.
本発明では、1つのMESFETと1つのインダクタと
で移相器が実現され、キャパシタ及び複数のコントロー
ル端子を必要としないので、1ビツト当たりの回路規模
を大幅に縮小でき、占有面積の小さな回路が得られる。In the present invention, a phase shifter is realized with one MESFET and one inductor, and a capacitor and multiple control terminals are not required. Therefore, the circuit scale per bit can be significantly reduced, and a circuit with a small occupation area can be realized. can get.
[実施例]
次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。[Example] Next, an example of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
第1図は本発明の実施例に係る移相器の基本構成(1ビ
ット分)の等価回路図である。FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of the basic configuration (for 1 bit) of a phase shifter according to an embodiment of the present invention.
MESFETI 1のドレインはインダクタ12の一端
に接続され、インダクタ12の他端は入力端子13′に
接続されている。MESFETI 1のソースは出力端
子14に接続され、ゲートはスイッチコントロール端子
15に接続されている。The drain of MESFET I 1 is connected to one end of an inductor 12, and the other end of the inductor 12 is connected to an input terminal 13'. The source of MESFET I 1 is connected to the output terminal 14 , and the gate is connected to the switch control terminal 15 .
以上の構成において、スイッチとしてのMESFETI
Iは、等価的にON状態で小さな抵抗に、OFF状態で
はキャパシタに置き換えられる。従って、MESFET
I 1がON状態となると位相が遅れ、OFF状態とな
ると位相が進むことになる。その位相差を得ることによ
り移相器とじて動作させることができる。In the above configuration, MESFETI as a switch
I is equivalently replaced by a small resistance in the ON state and a capacitor in the OFF state. Therefore, MESFET
When I1 is in the ON state, the phase is delayed, and when I1 is in the OFF state, the phase is advanced. By obtaining this phase difference, it can be operated as a phase shifter.
OFF状態でのキャパシタ容量はMESFETllのゲ
ート幅によって決定される。このため、MESFETI
1のゲート幅を適当な値に選ぶことにより、所望の移
相量が得られる。The capacitor capacity in the OFF state is determined by the gate width of MESFETll. For this reason, MESFETI
By selecting an appropriate value for the gate width of 1, a desired amount of phase shift can be obtained.
即ち、インダクタ12のインダクタンスしは、信号源イ
ンピーダンスをZ。、中心周波数をf。、所望の移相量
をφとすると次式で与えられる。That is, the inductance of the inductor 12 and the signal source impedance are Z. , the center frequency is f. , where the desired amount of phase shift is φ, is given by the following equation.
MESFETI 1のゲート幅はMESFETllのO
FF時の容量が、
((2πfo)2・L
+2(2πf 0)ZO−tan(φ/2) ) −’
・(2)となる値に選べば良い。The gate width of MESFETI1 is O of MESFETll.
The capacitance at FF is ((2πfo)2・L +2(2πf 0)ZO−tan(φ/2) ) −'
・Select a value that satisfies (2).
次に、具体的な動作例として、ゲート幅1120μmの
GaAsMESFETを用い、インダクタンスを0.3
3n)Iとして、中心周波数9.1GH2で設計した2
2.5°bit移相器のシミュレーション結果を第2図
に示す。この第2図から明らかなように、ICl3の帯
域内において、移相誤差は+1.5°〜−〇、8°であ
った。Next, as a specific operation example, a GaAs MESFET with a gate width of 1120 μm is used, and the inductance is set to 0.3.
3n) 2 designed with a center frequency of 9.1GH2 as I
Figure 2 shows the simulation results for a 2.5° bit phase shifter. As is clear from FIG. 2, within the ICl3 band, the phase shift error was +1.5° to -0.8°.
[発明の効果]
以上説明したように、本発明は、MESFETのスイッ
チング容量を利用することにより、回路構成上キャパシ
タを不要にでき、更にスイッチコントロール用端子を1
個/bitLが必要としないので、回路構成が簡単にな
るという効果がある。[Effects of the Invention] As explained above, the present invention makes use of the switching capacitance of MESFET to eliminate the need for a capacitor in the circuit configuration, and furthermore, it can eliminate the need for a single switch control terminal.
Since no bit/bitL is required, there is an effect that the circuit configuration is simplified.
第1図は本発明の実施例に係る移相器の等価回路図、第
2図は同等価回路を用いたシミュレーション結果を示す
特性図、第3図は従来の移相器の等価回路図である。
3.12.インダクタ、4;キャパシタ、5゜6.11
;MESFET、7,8,15;スイッチコントロー
ル端子Figure 1 is an equivalent circuit diagram of a phase shifter according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a characteristic diagram showing simulation results using the equivalent circuit, and Figure 3 is an equivalent circuit diagram of a conventional phase shifter. be. 3.12. Inductor, 4; Capacitor, 5°6.11
;MESFET, 7,8,15;Switch control terminal
Claims (1)
ンジスタと、1つのインダクタとを直列に接続し、その
直列回路の一端を入力端子、他端を出力端子とすると共
に、前記電界効果型トランジスタのゲートをスイッチコ
ントロール端子としたことを特徴とする移相器。(1) One field effect transistor with a Schottky gate structure and one inductor are connected in series, one end of the series circuit is used as an input terminal, the other end is used as an output terminal, and the field effect transistor A phase shifter characterized by using a gate as a switch control terminal.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30014788A JPH02146810A (en) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | Phase shifter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30014788A JPH02146810A (en) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | Phase shifter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02146810A true JPH02146810A (en) | 1990-06-06 |
Family
ID=17881308
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30014788A Pending JPH02146810A (en) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | Phase shifter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02146810A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5519349A (en) * | 1993-09-29 | 1996-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Phase shifter |
-
1988
- 1988-11-28 JP JP30014788A patent/JPH02146810A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5519349A (en) * | 1993-09-29 | 1996-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Phase shifter |
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