JPH02141675A - Measuring apparatus for high frequency circuit - Google Patents
Measuring apparatus for high frequency circuitInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
能動素子又は受動素子を含む高周波回路の特性を、超高
周波帯域まで測定する高周波回路の測定装置に関し、
コプレーナ構造のプローブを用いて正確に高周波回路の
特性を測定することを目的とし、コプレーナ構造の接触
部を有し、高周波特性測定部と接続したプローブを備え
た高周波回路の測定装置に於いて、金属基板上に固定す
る被測定高周波回路の両側に測定基板を固定し、該測定
基板に、前記被測定高周波回路のパッドと接続する信号
パッドと、該信号パッドの両側に配置し、且つ前記金属
基板と接続したアースパッドとを、前記プローブの接触
部と接触し得るように設けて構成した。[Detailed Description of the Invention] [Summary] This invention relates to a high-frequency circuit measuring device that measures the characteristics of high-frequency circuits including active elements or passive elements up to ultra-high frequency bands, and accurately measures the characteristics of high-frequency circuits using a probe with a coplanar structure. In a high-frequency circuit measuring device that has a coplanar contact section and a probe connected to a high-frequency characteristic measuring section, the measurement device is used to measure both sides of a high-frequency circuit to be measured that is fixed on a metal substrate. A substrate is fixed, and a signal pad connected to a pad of the high frequency circuit to be measured and a ground pad arranged on both sides of the signal pad and connected to the metal substrate are attached to the measurement substrate at the contact portion of the probe. It was arranged and configured so that it could come into contact with.
本発明は、能動素子又は受動素子を含む高周波回路の特
性を、超高周波帯域まで測定する高周波回路の測定装置
に関するものである。The present invention relates to a high-frequency circuit measuring device that measures the characteristics of a high-frequency circuit including active elements or passive elements up to an ultra-high frequency band.
マイクロ波用の電界効果トランジスタやバイポーラ・ト
ランジスタ等の能動素子又はマイクロストリップライン
等によるフィルタ等の受動素子を含むマイクロ波集積回
路（ＭＩＣ）等の高周波回路の特性を正確に測定するこ
とが必要であり、その為の筒車な測定装置が要望されて
いる。It is necessary to accurately measure the characteristics of high-frequency circuits such as microwave integrated circuits (MICs) that include active elements such as microwave field-effect transistors and bipolar transistors, and passive elements such as filters using microstrip lines. There is a need for a measuring device for this purpose.
マイクロ波用の電界効果トランジスタ等のＳパラメータ
を測定する場合に、入出力側を５０Ωラインとした基板
上に固定したキャリアを用い、そのキャリアを測定治具
に固定して、ネットワークアナライザやＳパラメータテ
ストセット等により測定するものである。When measuring S-parameters of microwave field-effect transistors, etc., use a carrier fixed on a substrate with 50Ω lines on the input and output sides, and fix the carrier to a measurement jig to measure the S-parameters of a network analyzer or S-parameter. This is measured using a test set or the like.
このような従来の測定装置は、例えば、第６図に示す測
定治具と、図示を省略したネットワークアナライザやＳ
パラメータテストセット等とにより構成するものであり
、測定治具は、金属の本体３１上の両側に、５０Ωのマ
イクロストリップライン４０．４１を形成したセラミッ
ク基板３６゜３７を固定し、マイクロストリップライン
４０゜４１と同軸変換部を介して、本体３１の両側の同
軸コネクタ４４．４５を接続した構成を有するものであ
る。Such a conventional measuring device includes, for example, a measuring jig shown in FIG. 6, and a network analyzer and S
The measurement jig consists of a metal body 31 with a ceramic substrate 36° 37 on which a 50Ω microstrip line 40, 41 is formed, and a ceramic substrate 36° 37 with a 50Ω microstrip line 40, 41 and coaxial connectors 44 and 45 on both sides of the main body 31 are connected via a coaxial conversion section.
又被測定高周波回路が、図示のように、トランジスタ３
３とセラミック基板３４．３５上のマイクロストリップ
ライン３８．３９とからなるキャリア３２の場合、この
キャリア３２を測定治具の中央部に固定して、金リボン
４２．４３によりマイクロストリップライン３８．４０
間及び３９゜４１間を接続し、同軸コネクタ４４．４５
を介してネットワークアナライザに接続して、キャリア
３２の高周波特性を測定することになる。（例えば、Ｉ
ＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮＭＩＣＲ
ＯＷＡＶＥ ＴＨＥＯＲＹ ＡＮＤＴＥＣＨＮＩＱ
ＵＥＳ、ＶＯＬ、ＭＴＴ−３５゜Ｎｏ、 １２．
ＤＥＣ，１９８７，Ｐ、１４４４〜１４５５の”Ｍｉｃ
ｒｏｉｖａｖｅ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ
ａｎ ０ｐｔｉｃａｌｌｙＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ａｌ
ＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨｉｇｈＥｌｅｃｔｒｏｎ Ｍ
ｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ａｎｄ Ｇ
ａ Ａ ｓＭＥＳＦＥＴ″を参照）。In addition, the high frequency circuit to be measured is a transistor 3 as shown in the figure.
3 and a microstrip line 38, 39 on a ceramic substrate 34, 35, this carrier 32 is fixed to the center of the measuring jig, and the microstrip line 38, 40 is connected with a gold ribbon 42, 43.
and 39°41, coaxial connector 44.45
The high frequency characteristics of the carrier 32 will be measured by connecting to a network analyzer via the carrier. (For example, I
EEE TRANSACTIONS ONMICR
OWAVE THEORY ANDTECHNIQ
UES, VOL, MTT-35°No, 12.
“Mic” by DEC, 1987, P, 1444-1455
roivave Performance of
An 0Ptically Controlled Al
GaAs/GaAs High Electron M
ability Transistor and G
aA sMESFET'').
又被測定高周波回路に直接的に接触させるコプレーナ構
造のプローブが開発されている。例えば、第７図の（ａ
）の裏面図及び（ｂ）の側面図に示す構成を有するもの
である。同図に於いて、５１は本体、５２はセラミック
基板、５３は信号ライン、５４はアースパターン、５５
．５６−１．５６〜２は接触部、５７は同軸コネクタ、
５８はゴム等の弾性体である。Also, a probe with a coplanar structure that is brought into direct contact with a high frequency circuit to be measured has been developed. For example, (a
It has the structure shown in the back view of ) and the side view of (b). In the figure, 51 is the main body, 52 is a ceramic substrate, 53 is a signal line, 54 is a ground pattern, and 55
．． 56-1. 56-2 are contact parts, 57 is a coaxial connector,
58 is an elastic body such as rubber.
信号ライン５３の先端が接触部５５となり、その両側に
アースパターン５４の先端の接触部５６−１．５６−２
が形成されている。又この接触部５５．５６−１．５６
−２を被測定高周波回路のパッドに接触させた時の接触
圧力を、弾性体５８を介して与えることができる。又ネ
ットワークアナライザ等の高周波特性測定部とは、同軸
コネクタ５７を介して同軸ケーブルで接続される。The tip of the signal line 53 becomes a contact part 55, and the contact part 56-1, 56-2 of the tip of the ground pattern 54 is provided on both sides of the contact part 55
is formed. Also, this contact part 55.56-1.56
The contact pressure when -2 is brought into contact with the pad of the high frequency circuit to be measured can be applied via the elastic body 58. Further, it is connected to a high frequency characteristic measuring section such as a network analyzer using a coaxial cable via a coaxial connector 57.
このようなプローブの先端の接触部５５．５６−１．５
６−２で校正を行い、この接触部５５゜５６−１．５６
−２を被測定の高周波回路のパッドに直接接触させて測
定を行うことにより、非常に精度の高い測定が可能とな
る。Contact portion 55.56-1.5 at the tip of such a probe
Calibrate in step 6-2, and this contact part 55°56-1.56
By directly contacting the pad of the high-frequency circuit to be measured with -2, very accurate measurement becomes possible.
このようなプローブを用いて高周波特性を測定する為に
、例えば、第８図に示す電極パターンの電界効果トラン
ジスタが製作されている。即ち、ゲート電極Ｇ及びドレ
イン電極りの両側に、アースパターンに相当するソース
電極Ｓを形成したものである。従って、プローブの接触
部５５をゲート電極Ｇに、接触部５６−１．５６−２を
ソース電極Ｓに接触させて、ネットワークアナライザ等
からソース電極Ｇに信号を加え、又他のプローブの接触
部５５をドレイン電極りに、接触部５６１．５６−２を
ソース電極Ｓに接触させて、ドレイン電極りの出力信号
をネットワークアナライザ等に転送することにより、電
界効果トランジスタのＳパラメータ等を測定することが
できる。In order to measure high frequency characteristics using such a probe, for example, a field effect transistor having an electrode pattern shown in FIG. 8 is manufactured. That is, a source electrode S corresponding to a ground pattern is formed on both sides of a gate electrode G and a drain electrode. Therefore, the contact part 55 of the probe is brought into contact with the gate electrode G, the contact part 56-1, 56-2 is brought into contact with the source electrode S, and a signal is applied to the source electrode G from a network analyzer etc. 55 to the drain electrode and the contact portion 561.56-2 to the source electrode S, and by transmitting the output signal of the drain electrode to a network analyzer etc., the S parameter etc. of the field effect transistor can be measured. Can be done.
〔発明が解決しようとする課題〕
前述の第６図に示す測定治具を用いた従来例の測定装置
に於いては、ネットワークアナライザ等の高周波特性測
定部から同軸コネクタの部分で校正を行って測定治具に
接続し、キャリア３２上のトランジスタ３３のＳパラメ
ータ等の測定を行うことになるが、同軸コネクタ４４．
４５の部分に於ける反射の為に、位相の補正のみでは正
確なＳパラメータを測定することは困難であった。[Problems to be Solved by the Invention] In the conventional measuring device using the measuring jig shown in FIG. The coaxial connector 44. is connected to a measurement jig to measure the S parameters of the transistor 33 on the carrier 32.
Due to the reflection at the portion 45, it was difficult to accurately measure the S-parameters only by correcting the phase.
又第７図の（ａ）、 （ｂ）に示すようなプローブを用
いてトランジスタのＳパラメータ等の測定を行う測定装
置に於いては、例えば、第８図に示すような電極パター
ンを有する場合の測定は可能であるが、第９図に示すよ
うな一般的な電極パターンを有する場合は、プローブの
接触部５６−１．５６−２が浮５いた状態となるから、
測定することができないことになる。Furthermore, in a measuring device that measures the S-parameter of a transistor using a probe as shown in FIGS. 7(a) and 7(b), for example, when the measuring device has an electrode pattern as shown in FIG. However, in the case of a general electrode pattern as shown in FIG. 9, the contact portions 56-1 and 56-2 of the probe are in a floating state.
This means that it cannot be measured.
又第８図に示すような電極パターンを有する電界効果ト
ランジスタであっても、そのゲート電極Ｇ及びドレイン
電極りを入出カラインとワイヤボンデングにより接続し
た状態の特性、即ち、ワイヤ付きの特性を必要とする場
合があり、その場合に、プローブを用いて正確なＳパラ
メータを測定したとしても、接続用のワイヤのパラメー
タを設計時に付加することになるから、それによって、
電界効果トランジスタの特性精度が低下することになる
。Furthermore, even for a field effect transistor having an electrode pattern as shown in Fig. 8, it is necessary to have characteristics in which the gate electrode G and drain electrode are connected to input/output lines by wire bonding, that is, characteristics with wires. In this case, even if accurate S-parameters are measured using a probe, the parameters of the connecting wires must be added at the time of design.
The characteristic accuracy of the field effect transistor will be reduced.
本発明は、コプレーナ構造のプローブを用いて正確に高
周波回路の特性を測定することを目的とするものである
。An object of the present invention is to accurately measure the characteristics of a high frequency circuit using a coplanar probe.
本発明の高周波回路の測定装置は、コプレーナ構造のプ
ローブを用いて、接続用のワイヤを含めた高周波特性を
正確に測定できるようにしたものであり、第１図を参照
して説明する。The high frequency circuit measuring device of the present invention is capable of accurately measuring high frequency characteristics including connection wires using a coplanar probe, and will be described with reference to FIG.
コプレーナ構造の接触部を有し、高周波特性測定部１と
接続したプローブ２．３を備え、金属基板４上に固定す
る被測定マイクロ波トランジスタ等の高周波回路８の両
側に測定基板５−１．５−２を固定し、この測定基板５
−１．５−２に、被測定高周波回路８のパッドと接続す
る信号パッド６と、この信号パッド６の両側に配置し、
金属基板４と接続したアースパッド７とを、プローブ２
３の接触部と接触し得るように設けたものである。Measurement substrates 5-1.1 and 2.3 have probes 2.3 having coplanar contact portions and connected to the high-frequency characteristic measuring section 1, and are mounted on both sides of a high-frequency circuit 8 such as a microwave transistor to be measured fixed on a metal substrate 4. 5-2 is fixed, and this measurement board 5
-1.5-2, a signal pad 6 connected to a pad of the high frequency circuit under test 8, and placed on both sides of this signal pad 6,
Connect the ground pad 7 connected to the metal substrate 4 with the probe 2.
It is provided so that it can come into contact with the contact portion of No. 3.
マイクロ波トランジスタ等の能動素子を含む高周波回路
或いはフィルタ等の受動素子のみからなる高周波回路の
特性を測定する場合に、この被測定高周波回路８を金属
基板４上に固定し、その高周波回路８のパッドと測定基
板５−１．５−２の信号パッド６とをワイヤ等により接
続する。そして、測定基板５−１．５−２の信号パフド
ロと、その両側のアースパッド７とに、コプレーナ構造
の接触部を接触させることにより、ネットワークアナラ
イザ等の高周波特性測定部１により、接続用のワイヤを
含めた高周波回路８のＳパラメータ等の高周波特性を測
定する。When measuring the characteristics of a high-frequency circuit that includes active elements such as microwave transistors or a high-frequency circuit that consists only of passive elements such as filters, the high-frequency circuit to be measured 8 is fixed on the metal substrate 4, and the high-frequency circuit 8 is The pad and the signal pad 6 of the measurement board 5-1.5-2 are connected by a wire or the like. Then, by contacting the contact portion of the coplanar structure with the signal puff drawer of the measurement board 5-1. High frequency characteristics such as S parameters of the high frequency circuit 8 including wires are measured.
この場合、プローブ２．３の接触部まで校正することが
できるから、正確な測定が可能となり、又測定基板５−
１．５−２のパラメータも予め測定しておくことができ
るから、この特性を測定結果から差し引くことにより、
更に高精度の特性測定が可能となる。In this case, since it is possible to calibrate up to the contact part of the probe 2.3, accurate measurement is possible, and the measurement board 5-
Since the parameter 1.5-2 can also be measured in advance, by subtracting this characteristic from the measurement results,
Furthermore, highly accurate characteristic measurements are possible.
以下図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明
する。Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
第２図は本発明の一実施例の要部斜視図、第３図は要部
断面図であり、１１は高周波特性測定部としてのネット
ワークアナライザ、１２はコプレーナ構造のプローブ、
１３．１４−１．１４−２は接触部、１５−１．１５−
２は測定基板、１６は信号パッド、１７−１．１７−２
はアースパッド、１８は被測定高周波回路としての電界
効果トランジスタ、１９は金属基板、２０はスルーホー
ル、２１．２２は接続用のワイヤである。FIG. 2 is a perspective view of a main part of an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view of a main part, in which 11 is a network analyzer as a high frequency characteristic measuring section, 12 is a coplanar structure probe,
13.14-1.14-2 is the contact part, 15-1.15-
2 is a measurement board, 16 is a signal pad, 17-1.17-2
1 is a ground pad, 18 is a field effect transistor as a high frequency circuit to be measured, 19 is a metal substrate, 20 is a through hole, and 21 and 22 are connection wires.
測定基板１５−１．１５−２は、例えば、セラミックに
より構成され、配線パターン形成技術によって信号パッ
ド１６とアースパッド１７−１゜１７−２とが形成され
ている。又信号バッド１６とアースパッド１７−１．１
７−２との配置間隔は、プローブ１２の接触部１３．１
４−１．１４−２と接触できるように構成されている。The measurement board 15-1, 15-2 is made of ceramic, for example, and has a signal pad 16 and ground pads 17-1 and 17-2 formed thereon by a wiring pattern forming technique. Also signal pad 16 and ground pad 17-1.1
7-2 is the contact portion 13.1 of the probe 12.
4-1.14-2.
又信号パッド１６の両側のアースパッド１７−１．１７
−２は、スルーホール２０を介して金属基板１９と接続
されている。Also, ground pads 17-1.17 on both sides of signal pad 16.
-2 is connected to the metal substrate 19 via the through hole 20.
被測定高周波回路としての電界効果トランジスタ１８は
、金錫合金等により金属基板１９上に固定される。この
電界効果トランジスタ１８の電極パターンは、例えば、
第９図に示す一般的な構成の場合を示し、ソース電極Ｓ
は金属基板１９と接続され、ドレイン電極りは測定基板
１５−１の信号パッド１６とワイヤ２１により接続され
、ゲート電極Ｇは測定基板１５−２の信号パッド１６と
ワイヤ２２により接続される。A field effect transistor 18 as a high frequency circuit to be measured is fixed onto a metal substrate 19 using a gold-tin alloy or the like. The electrode pattern of this field effect transistor 18 is, for example,
The case of the general configuration shown in FIG. 9 is shown, and the source electrode S
is connected to the metal substrate 19, the drain electrode G is connected to the signal pad 16 of the measurement substrate 15-1 by a wire 21, and the gate electrode G is connected to the signal pad 16 of the measurement substrate 15-2 by a wire 22.
プローブ１２を測定基板１５−１に、図示を省略したプ
ローブを測定基板１５−２にそれぞれ接触させ、それら
のプローブをネットワークアナライザ１１に接続するも
のであり、例えば、プローブ１２の接触部１３を信号パ
ッド１６に接触させると、その両側の接触部１４−１．
１４−２はアースパッド１７−１．１７−２に接触する
ことになるから、コプレーナ構造を維持して電界効果ト
ランジスタ１８のＳパラメータを正確に測定することが
できる。その場合、接続用のワイヤ２１゜２２を含めて
測定することができる。The probe 12 is brought into contact with the measurement board 15-1, and the probe (not shown) is brought into contact with the measurement board 15-2, and these probes are connected to the network analyzer 11. For example, the contact part 13 of the probe 12 is connected to the signal When brought into contact with the pad 16, the contact portions 14-1 on both sides thereof.
14-2 comes into contact with the ground pads 17-1 and 17-2, so the S-parameter of the field effect transistor 18 can be accurately measured while maintaining the coplanar structure. In that case, the measurement can include the connecting wires 21 and 22.
第４図は本発明の他の実施例の要部上面図であり、半波
長側結合フィルタか、らなる高周波回路の特性を測定す
る場合を示し、２５−１．２５−２は測定基板、２６は
信号パッド、２７−１．２７−２はアースパッド、２８
は被測定高周波回路、２９は金属基板、３０．３１は接
続用のワイヤである。又プローブと高周波特性測定部と
は図示を省略している。FIG. 4 is a top view of main parts of another embodiment of the present invention, showing the case where the characteristics of a high frequency circuit consisting of a half wavelength side coupling filter are measured, 25-1.25-2 is a measurement board, 26 is a signal pad, 27-1.27-2 is a ground pad, 28
29 is a high frequency circuit to be measured, 29 is a metal substrate, and 30 and 31 are connection wires. Further, the probe and the high frequency characteristic measuring section are not shown.
半波長側結合フィルタのような受動回路の場合は、他の
回路構成と接続する為に、信号ラインの端部にパッドが
形成されているだけであるから、そのままではコプレー
ナ構造のプローブを用いることができない。そこで、信
号パッド２６とその両側のアースパッド２７−１．２７
−２とを有する測定基板２５−１．２５−２とを金属基
板２９上に固定し、その測定基板２５−１．２５−２間
に被測定高周波回路２８を固定して、接続用のワイヤ３
０．３１により被測定高周波回路２８と測定基板２５−
１．２５−２とを接続する。それによって、コプレーナ
構造のプローブを用いて被測定高周波回路の高周波特性
を正確に測定することができる。In the case of passive circuits such as half-wavelength side coupling filters, a pad is simply formed at the end of the signal line for connection to other circuit configurations, so a probe with a coplanar structure cannot be used as is. I can't. Therefore, the signal pad 26 and the ground pads 27-1.27 on both sides thereof
-2 and a measurement board 25-1.25-2 are fixed on a metal board 29, and a high-frequency circuit to be measured 28 is fixed between the measurement boards 25-1 and 25-2. 3
0.31, the high frequency circuit under test 28 and the measurement board 25-
1. Connect with 25-2. Thereby, the high frequency characteristics of the high frequency circuit to be measured can be accurately measured using the coplanar probe.
前述のように、コプレーナ構造のプローブの先端まで校
正しておくことにより、被測定高周波回路の高周波特性
を正確に測定することができると共に、接続用のワイヤ
を含む特性を測定することができる。As described above, by calibrating the tip of the coplanar probe, it is possible to accurately measure the high frequency characteristics of the high frequency circuit under test, and also to measure the characteristics including the connection wire.
第５図は前述の実施例によりＳパラメータを測定した結
果を示し、０．５ Ｇ Ｈｚ 〜２６．５ Ｇ Ｈｚの
周波数範囲に於ける入力端からみた反射係数に相当する
パラメータＳｌｌを曲線ａ、出力端からみた反射係数に
相当するパラメータＳ２□を曲線すで示す。即ち、反射
等の影響が殆どなく、コプレーナ構造のプローブの特徴
を発揮することができた。FIG. 5 shows the results of measuring the S-parameter according to the above-mentioned example, and the parameter Sll corresponding to the reflection coefficient seen from the input end in the frequency range of 0.5 GHz to 26.5 GHz is plotted by curve a, The curve already shows the parameter S2□ corresponding to the reflection coefficient seen from the output end. That is, there was almost no influence of reflection, etc., and the characteristics of the coplanar structure probe could be exhibited.
なお、第６図に示す従来例の測定治具を用いた場合は、
前述の参考文献にも示されているが、不安定な測定結果
が得られており、反射等の影響が大きいことが判る。In addition, when using the conventional measuring jig shown in Fig. 6,
As shown in the above-mentioned references, unstable measurement results are obtained, and it can be seen that the influence of reflection etc. is large.
以上説明したように、本発明は、信号パッド６とその両
側のアースパッド７とを形成した測定基板５−１．５−
２を金属基板４上に固定し、トランジスタ等の能動素子
のみ又はその能動素子を含む高周波回路或いは受動素子
のみからなる高周波回路を、測定基板５−１．５−２間
の金属基板４上に固定して、高周波回路８の信号ライン
のバンドと、測定基板５−１．５−２の信号パッドとを
ワイヤ等により接続して、コプレーナ構造のプローブ２
，３を用いて高周波特性の測定を行うものであり、被測
定高周波回路８がコプレーナ構造でない場合でも、測定
基板５−１．５−２を有することにより、コプレーナ構
造のプローブ２，３を用いて、ネットワークアナライザ
等の高周波特性測定部１によって測定することができる
。As explained above, the present invention provides a measurement substrate 5-1.5- on which a signal pad 6 and ground pads 7 on both sides thereof are formed.
2 is fixed on the metal substrate 4, and a high frequency circuit consisting of only active elements such as transistors, a high frequency circuit including the active elements, or only passive elements is placed on the metal substrate 4 between the measurement substrates 5-1 and 5-2. The coplanar structure probe 2 is fixedly connected by connecting the band of the signal line of the high frequency circuit 8 and the signal pad of the measurement board 5-1, 5-2 with a wire or the like.
, 3 to measure high-frequency characteristics. Even if the high-frequency circuit 8 to be measured does not have a coplanar structure, by having the measurement substrate 5-1, 5-2, it is possible to use the probes 2 and 3 having a coplanar structure. It can be measured by a high frequency characteristic measuring section 1 such as a network analyzer.
又コプレーナ構造のプローブ２．３の先端まで校正して
おくことができるから、接続用のワイヤを含めて被測定
高周波回路８のＳパラメータ等の高周波特性を正確に測
定することができる利点がある。Furthermore, since it is possible to calibrate up to the tip of the coplanar probe 2.3, there is an advantage that high frequency characteristics such as S parameters of the high frequency circuit under test 8 including the connecting wires can be accurately measured. .
第１図は本発明の原理説明図、第２図は本発明の一実施
例の要部斜視図、第３図は本発明の一実施例の要部断面
図、第４図は本発明の他の実施例の要部上面図、第５図
はＳパラメータの測定曲線図、第６図は従来例の要部上
面図、第７図＋８）、 ｆｂ）はプローブの説明図、第
８図及び第９図は電界効果トランジスタの電極パターン
説明図である。
ｌは高周波特性測定部、２．３はプローブ、４は金属基
板、５−１．５−２は測定基板、６は信号パッド、７−
１．７−２はアースパッド、８は被測定高周波回路であ
る。Fig. 1 is an explanatory diagram of the principle of the present invention, Fig. 2 is a perspective view of a main part of an embodiment of the invention, Fig. 3 is a sectional view of a main part of an embodiment of the invention, and Fig. 4 is a diagram illustrating the main part of an embodiment of the invention. Fig. 5 is a top view of the main part of another embodiment, Fig. 5 is a measurement curve diagram of S parameters, Fig. 6 is a top view of main part of the conventional example, Fig. 7+8), fb) is an explanatory diagram of the probe, Fig. 8 and FIG. 9 is an explanatory diagram of an electrode pattern of a field effect transistor. l is a high frequency characteristic measurement section, 2.3 is a probe, 4 is a metal substrate, 5-1.5-2 is a measurement board, 6 is a signal pad, 7-
1.7-2 is a ground pad, and 8 is a high frequency circuit to be measured.
Claims (1)
）と接続したプローブ（２、３）を備えた高周波回路の
測定装置に於いて、 金属基板（４）上に固定する被測定高周波回路（８）の
両側に測定基板（５−１、５−２）を固定し、該測定基
板（５−１、５−２）に、前記被測定高周波回路（８）
のパッドと接続する信号パッド（６）と、該信号パッド
（６）の両側に配置し、且つ前記金属基板（４）と接続
したアースパッド（７）とを、前記プローブ（２、３）
の接触部と接触し得るように設けた ことを特徴とする高周波回路の測定装置。[Claims] It has a contact part with a coplanar structure, and has a high frequency characteristic measuring part (1
) In a high-frequency circuit measuring device equipped with probes (2, 3) connected to a metal substrate (4), the measurement substrate (5-1, 5- 2), and the high frequency circuit to be measured (8) is fixed to the measurement board (5-1, 5-2).
The probes (2, 3) are connected to a signal pad (6) connected to the pad of
A measuring device for a high frequency circuit, characterized in that it is provided so as to be able to come into contact with a contact portion of the device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63294755A JP2668423B2 (en) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | High frequency circuit measuring device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63294755A JP2668423B2 (en) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | High frequency circuit measuring device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02141675A true JPH02141675A (en) | 1990-05-31 |
| JP2668423B2 JP2668423B2 (en) | 1997-10-27 |
Family
ID=17811882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63294755A Expired - Fee Related JP2668423B2 (en) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | High frequency circuit measuring device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2668423B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6603373B2 (en) | 2000-05-11 | 2003-08-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Adjusting method for electrical characteristics of microstrip line filter, duplexer, communication device, and microstrip line type resonator |
-
1988
- 1988-11-24 JP JP63294755A patent/JP2668423B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6603373B2 (en) | 2000-05-11 | 2003-08-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Adjusting method for electrical characteristics of microstrip line filter, duplexer, communication device, and microstrip line type resonator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2668423B2 (en) | 1997-10-27 |
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