JPH02138449U - - Google Patents
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- JPH02138449U JPH02138449U JP4844989U JP4844989U JPH02138449U JP H02138449 U JPH02138449 U JP H02138449U JP 4844989 U JP4844989 U JP 4844989U JP 4844989 U JP4844989 U JP 4844989U JP H02138449 U JPH02138449 U JP H02138449U
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例によるｎＭＯＳ Ｆ
ＥＴの要部を示す断面図、第２図は同じく平面図
、第３図Ａ〜Ｆは第１図例を製造する工程の一例
を示す断面図、第４図は従来のｎＭＯＳ ＦＥＴ
の要部を示す断面図、第５図は同じく平面図であ
る。 １４……Ｎ＋ドレイン拡散層、１５……Ｎ＋ソ
ース拡散層、２１……ドレイン接続層、２２……
ソース接続層、２４，２５……コンタクトホール
、２６，２７……メタル配線層。
ＥＴの要部を示す断面図、第２図は同じく平面図
、第３図Ａ〜Ｆは第１図例を製造する工程の一例
を示す断面図、第４図は従来のｎＭＯＳ ＦＥＴ
の要部を示す断面図、第５図は同じく平面図であ
る。 １４……Ｎ＋ドレイン拡散層、１５……Ｎ＋ソ
ース拡散層、２１……ドレイン接続層、２２……
ソース接続層、２４，２５……コンタクトホール
、２６，２７……メタル配線層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 コンタクトホールを介して拡散層と配線層との
接続を図るようになされた半導体装置において、 上記拡散層上に接続層を設け、該接続層を介し
て上記拡散層と上記配線層とを接続を図るように
したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4844989U JPH02138449U (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4844989U JPH02138449U (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02138449U true JPH02138449U (ja) | 1990-11-19 |
Family
ID=31565266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4844989U Pending JPH02138449U (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02138449U (ja) |
-
1989
- 1989-04-25 JP JP4844989U patent/JPH02138449U/ja active Pending