JPH02136302U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図ａ及びｂは本考案の一実施例に用いられ
る正特性サーミスタ素子の断面図及び斜視図、第
２図は従来の正特性サーミスタ装置を示す断面図
、第３図は本考案の一実施例の正特性サーミスタ
装置を示す断面図、第４図及び第５図は正特性サ
ーミスタ素子の他の形状例を示す各側面図、第６
図ａ，ｂは、それぞれ、環状ではない第１ギヤツ
プが形成された実施例を説明するための側面断面
図及び斜視図である。 図において、２０……正特性サーミスタ素子、
２１……半導体磁器、２２，２３……第１の電極
、２２ａ，２３ａ……外周端縁、２４，２５……
第２の電極、２４ａ，２５ａ……外周端縁、２６
……第１のギヤツプ、２７……第２のギヤツプ、
２８……ケース、２９，３０……端子板を示す。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 正の抵抗温度係数を有する半導体磁器と、 前記半導体磁器の両主面に、該両主面の外周端
   縁との間の少なくとも一部分にギヤツプを有する
   ように形成された前記両主面よりも表面積が小さ
   な第１の電極と、 前記第１の電極上に形成されており、第１の電
   極の外周端縁との間に第２のギヤツプを有するよ
   うに第１の電極よりも表面積が小さく構成された
   銀を主体とする第２の電極とを有する正特性サー
   ミスタ素子と、 前記正特性サーミスタ素子を収納するケースと
   、 前記正特性サーミスタ素子の各第２の電極に電
   気的に接続されており、かつケース外に引出され
   た端子板とを備えることを特徴とする、正特性サ
   ーミスタ装置。