JPH02135734A - 洗浄方法 - Google Patents
洗浄方法Info
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- JPH02135734A JPH02135734A JP29058588A JP29058588A JPH02135734A JP H02135734 A JPH02135734 A JP H02135734A JP 29058588 A JP29058588 A JP 29058588A JP 29058588 A JP29058588 A JP 29058588A JP H02135734 A JPH02135734 A JP H02135734A
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概要〕
半導体装置の製造において２ ウェハ、マスク。
レチクル等の洗浄方法に関し。
洗浄後のゴミ付着を減少させ、ウェハプロセスの歩留向
上を目的とし 洗浄槽に入れた薬液中に被洗浄物を浸漬して洗浄する際
に、不活性で触媒作用のある金属を該薬液中に浸漬する
か、又は該金属からなる洗浄槽を用いるように構成する
。
上を目的とし 洗浄槽に入れた薬液中に被洗浄物を浸漬して洗浄する際
に、不活性で触媒作用のある金属を該薬液中に浸漬する
か、又は該金属からなる洗浄槽を用いるように構成する
。
本発明は半導体装置の製造において、ウェハ。
マスク、レチクル等の洗浄方法に関する。
近年、半導体装置のパターンの微細化に伴い。
微細なゴミが問題となっている。このため、半導体装置
の製造において微細なゴミを残さないような洗浄方法が
必要になる。
の製造において微細なゴミを残さないような洗浄方法が
必要になる。
従来の洗浄方法は洗浄槽に薬液のみを入れ、被洗浄物を
浸漬して洗浄を行っている。この方法によると、薬品に
よる洗浄作用のみが洗浄力を決定している。
浸漬して洗浄を行っている。この方法によると、薬品に
よる洗浄作用のみが洗浄力を決定している。
第２図は従来例を説明する洗浄槽の模式断面図である。
図において、洗浄槽として石英槽１内に硫酸（ＩＩ□５
Ｏ４）と過酸化水素水（＋１２０□）の混合液２を満た
し、被洗浄物３を浸漬してこれを洗浄する。
Ｏ４）と過酸化水素水（＋１２０□）の混合液２を満た
し、被洗浄物３を浸漬してこれを洗浄する。
被洗浄物３にウェハ等を用い、洗浄によりゴミイ・１着
数の減少をはかっている。
数の減少をはかっている。
ここで、ゴミはレジストの残滓、油脂骨、残留薬液成分
等からなり、ウェハプロセスの歩留低下の原因となって
いる。
等からなり、ウェハプロセスの歩留低下の原因となって
いる。
従来例では、薬品による洗浄作用のみが洗浄力を決定し
ているため洗浄力には限界があり、ウェハ等洗浄工程に
おいて微細ゴミの付着数が多く。
ているため洗浄力には限界があり、ウェハ等洗浄工程に
おいて微細ゴミの付着数が多く。
歩留低下を生じていた。
本発明は洗浄後のゴミ付着を減少させ、ウェハプロセス
の歩留向上を目的とする。
の歩留向上を目的とする。
［課題を解決するための手段〕
上記課題の解決は、洗浄槽に入れた薬液中に被洗浄物を
浸漬して洗浄する際に、不活性で触媒作用のある金属を
該薬液中に浸漬するか、又は該金属からなる洗浄槽を用
いることを特徴とする洗浄方法により達成される。
浸漬して洗浄する際に、不活性で触媒作用のある金属を
該薬液中に浸漬するか、又は該金属からなる洗浄槽を用
いることを特徴とする洗浄方法により達成される。
本発明は、洗浄槽に金属を浸漬し、金属の触媒作用を利
用して洗浄力を向上するようにしたもので、金属の触媒
作用により薬液を活性化し９例えば薬液に１１□０□を
含む場合は０□の発泡が促進され洗浄力が向上する。
用して洗浄力を向上するようにしたもので、金属の触媒
作用により薬液を活性化し９例えば薬液に１１□０□を
含む場合は０□の発泡が促進され洗浄力が向上する。
ここで金属は、不活性で触媒作用のある金属。
例えば白金（Ｐｔ）を使用する。
この種の金属はこの他に、タンタル（Ｔａ）、タングス
テン（Ｗ）、バナジウム（ν）等がある。
テン（Ｗ）、バナジウム（ν）等がある。
又、使用する薬液としてはＨ，Ｏ□を含むものが効果が
大きく１例えば１１□ＳＯ４＋Ｈ２０□やｕｃ＋＋ｎｚ
ｏ□等を用いる。
大きく１例えば１１□ＳＯ４＋Ｈ２０□やｕｃ＋＋ｎｚ
ｏ□等を用いる。
触媒金属と薬液の組み合わせの典型例を次に示す。
触媒金属 薬液 触媒作用Ｐｔ ）
１２ＳＯ，＋Ｈ２Ｏ２０□の発泡Ｔａ Ｈ２ＳＯ
４＋Ｈ２Ｏ２０ｚの発泡〔実施例〕 第１図は本発明の一実施例を説明する洗浄槽の模式断面
図である。
１２ＳＯ，＋Ｈ２Ｏ２０□の発泡Ｔａ Ｈ２ＳＯ
４＋Ｈ２Ｏ２０ｚの発泡〔実施例〕 第１図は本発明の一実施例を説明する洗浄槽の模式断面
図である。
図において、洗浄槽としての石英槽１内に薬液としてＨ
２ＳＯ，とＨ，０□の混合液２を満たし、槽の底に不活
性で触媒作用のある金属としてｐｔ板４を浸漬する。
２ＳＯ，とＨ，０□の混合液２を満たし、槽の底に不活
性で触媒作用のある金属としてｐｔ板４を浸漬する。
次に、被洗浄物３を浸漬してこれを洗浄する。
例えば、被洗浄物３にウェハを用いる場合は。
洗浄後のウェハ上のゴミ付着数は減少する。
又、被洗浄物３にフォトリソグラフィ工程で使用するマ
スクやレチクルを用いる場合には、洗浄効果の向上によ
りゴミの転写数を減少させることができる。
スクやレチクルを用いる場合には、洗浄効果の向上によ
りゴミの転写数を減少させることができる。
以」二のことより、ウェハプロセスの歩留向上が可能と
なる。
なる。
例えば、被洗浄物３に５インチのマスクを用いて、上記
の薬液に５分間浸漬後の０．５μｍ以上のゴミの数は、
実測の結果 従来方法 ４３０個 実施例 ３３０個 であった。
の薬液に５分間浸漬後の０．５μｍ以上のゴミの数は、
実測の結果 従来方法 ４３０個 実施例 ３３０個 であった。
以上説明したように本発明によれば、洗浄後の被洗浄物
のゴミ付着を減少させることができる。
のゴミ付着を減少させることができる。
その結果、ウェハプロセスの歩留向上が可能となる。
第１図は本発明の一実施例を説明する洗浄槽の模式断面
図。 第２図は従来例を説明する洗浄槽の模式断面図である。 図において。 １は洗浄槽で石英槽。 ２は薬液でＨｇ５Ｏａ と１１□０□のｔ捏合液。 ３は被洗浄物でウェハ、マスク、レチクル等。 ４は不活性で触媒作用のある金属でＰＬ板第 図 第 図
図。 第２図は従来例を説明する洗浄槽の模式断面図である。 図において。 １は洗浄槽で石英槽。 ２は薬液でＨｇ５Ｏａ と１１□０□のｔ捏合液。 ３は被洗浄物でウェハ、マスク、レチクル等。 ４は不活性で触媒作用のある金属でＰＬ板第 図 第 図
Claims (1)
- 洗浄槽に入れた薬液中に被洗浄物を浸漬して洗浄する際
に、不活性で触媒作用のある金属を該薬液中に浸漬する
か、又は該金属からなる洗浄槽を用いることを特徴とす
る洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29058588A JPH02135734A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29058588A JPH02135734A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02135734A true JPH02135734A (ja) | 1990-05-24 |
Family
ID=17757923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29058588A Pending JPH02135734A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02135734A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6415803B1 (en) * | 1999-10-06 | 2002-07-09 | Z Cap, L.L.C. | Method and apparatus for semiconductor wafer cleaning with reuse of chemicals |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS583033B1 (ja) * | 1971-03-24 | 1983-01-19 | Amerikan Hoisuto Ando Deritsuk |
-
1988
- 1988-11-17 JP JP29058588A patent/JPH02135734A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS583033B1 (ja) * | 1971-03-24 | 1983-01-19 | Amerikan Hoisuto Ando Deritsuk |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6415803B1 (en) * | 1999-10-06 | 2002-07-09 | Z Cap, L.L.C. | Method and apparatus for semiconductor wafer cleaning with reuse of chemicals |
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