JPH02134820A - Cleaning and drying device - Google Patents

Cleaning and drying device

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Publication number
JPH02134820A
JPH02134820A JP28772588A JP28772588A JPH02134820A JP H02134820 A JPH02134820 A JP H02134820A JP 28772588 A JP28772588 A JP 28772588A JP 28772588 A JP28772588 A JP 28772588A JP H02134820 A JPH02134820 A JP H02134820A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
cleaning solution
cleaning
nozzle
photosensitive polyimide
Prior art date
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Pending
Application number
JP28772588A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisato Nakamura
寿人 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP28772588A priority Critical patent/JPH02134820A/en
Publication of JPH02134820A publication Critical patent/JPH02134820A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To obtain a device which can clean and completely dry an object to be treated even with solution of relatively high viscosity attached thereto by providing a first nozzle device which sprays a first cleaning solution to the object to be treated and a second nozzle device which sprays a second cleaning solution to the object to be treated to lower the viscosity of the first cleaning solution. CONSTITUTION:A device is provided with a spin head 2 to hold, rotate and dry a treatment object 7, a first nozzle device 11 to spray a first cleaning solution to the object 7 to be treated and a second nozzle device 21 to spray a second cleaning solution to lower a viscosity of the first cleaning solution to the treatment object 7. For example, a cleaning and drying device to eliminate a foreign material of photosensitive polyimide attached to a rear side of a wafer 7 is integrally incorporated in an application device to apply photosensitive polyimide 5 onto the wafer 7. The first nozzle 11 is made to supply pyrrolidine being a solvent of photosensitive polyimide solution as the first cleaning solution from the first cleaning solution supply device 13 through a control valve 15. The second nozzle, 1 is made to supply pure water 22 as the second cleaning solution from a second cleaning solution supply device 23 through a control valve 25.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、洗浄乾燥装置、特に、被処理物に形成された
被膜の一部が不必要な場所に異物とじて付着している場
合に、この付着物を洗浄により除去する技術に関し、例
えば、半導体装置の製造工程において、ウェハの表面に
塗布された感光性ポリイミド膜が裏面に回り込んで異物
として付着した場合に、裏面に付着した感光性ポリイミ
ドの異物を除去するのに利用して有効なものに関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a cleaning/drying apparatus, especially when a part of a film formed on a workpiece is attached to an unnecessary place as a foreign substance. For example, in the manufacturing process of semiconductor devices, when a photosensitive polyimide film coated on the front surface of a wafer wraps around to the back side and adheres as a foreign substance, the photosensitive polyimide film attached to the back side can be removed by cleaning. This invention relates to an effective material that can be used to remove foreign substances from polyimide.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

半導体装置の製造工程において、ウェハ上に感光性ポリ
イミドを塗布する装置として、処理容器の内部に設けた
回転可能なスピンヘッド上にウェハを載せて保持せしめ
、このスピンヘッドによりウェハを回転させながら感光
性ポリイミドの溶液をウェハの表面上に供給して塗布す
るように構成されているものがある。
In the manufacturing process of semiconductor devices, the wafer is placed and held on a rotatable spin head installed inside a processing container as a device for coating photosensitive polyimide onto a wafer, and the wafer is rotated by the spin head and exposed to light. Some devices are configured to supply and apply a solution of polyimide onto the surface of a wafer.

このような塗布装置においては、ウェハの表面に供給さ
れて回転により拡散された感光性ポリイミドの溶液が回
転に伴ってウェハの裏面に回り込むため、感光性ポリイ
ミド膜の一部がウェハ裏面の外周縁部に異物として付着
することがある。
In such a coating device, a photosensitive polyimide solution supplied to the front surface of the wafer and diffused by rotation wraps around the back surface of the wafer as it rotates, so that a part of the photosensitive polyimide film coats the outer periphery of the back surface of the wafer. may adhere as foreign matter to the parts.

そこで、このような塗布装置において、ウエハを回転さ
せながら、感光性ポリイミド溶液の溶剤として使用され
ているピロリジオンを、ウェハ裏面の外周縁部に異物と
して付着している感光性ポリイミド膜に吹き付けて溶融
させるとともに、遠心力により、溶融物およびピロリジ
オンを除去することが考えられる。
Therefore, in such coating equipment, while rotating the wafer, pyrrolidione, which is used as a solvent for the photosensitive polyimide solution, is sprayed onto the photosensitive polyimide film that is attached as a foreign substance to the outer peripheral edge of the back surface of the wafer and melted. It is conceivable to remove the melt and pyrrolidione by centrifugal force.

なお、スピンナ塗布技術を述べである例としては、株式
会社工業調査会発行「電子材料1983年11月号別冊
」昭和58年11月15日発行P92〜P96、および
特公昭53−37189号公報がある。
Examples that describe spinner coating technology include "Electronic Materials November 1983 Special Issue" published by Kogyo Research Association Co., Ltd., pages 92 to 96, November 15, 1983, and Japanese Patent Publication No. 53-37189. be.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかし、ピロリジオンを吹き付けて感光性ポリイミドの
異物を除去するように構成した場合、ピロリジオンが比
較的高粘度の溶剤であるため、ウェハ裏面に付着したピ
ロリジオンが遠心力によっては除去されずに残ってしま
うという問題点があることが、本発明者によって明らか
にされた。
However, when the configuration is configured to spray pyrrolidione to remove foreign substances from photosensitive polyimide, since pyrrolidione is a relatively high viscosity solvent, the pyrrolidione attached to the back surface of the wafer is not removed by centrifugal force and remains. The inventor of the present invention has revealed that there is a problem.

本発明の目的は、比較的高粘度の液体が被処理物付着し
た場合であっても、これを洗浄かつ完全に乾燥させるこ
とができる洗浄乾燥装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a cleaning/drying apparatus that can clean and completely dry even when a relatively high viscosity liquid adheres to a treated object.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。
An overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、被処理物を保持して回転乾燥させるスピンヘ
ッドと、被処理物に第1洗浄液を吹き付ける第1ノズル
装置と、被処理物に第1洗浄液の粘度を低下させる第2
洗浄液を吹き付ける第2ノズル装置とを設けたものであ
る。
That is, a spin head that holds and rotates the workpiece to dry it, a first nozzle device that sprays the first cleaning liquid onto the workpiece, and a second nozzle device that reduces the viscosity of the first cleaning liquid onto the workpiece.
A second nozzle device for spraying cleaning liquid is provided.

〔作用〕[Effect]

被処理物はスピンヘッドにより保持された状態で回転さ
れる。この回転中、まず、被処理物の被洗浄部には第1
ノズル装置により第1洗浄液が吹き付けられて1次洗浄
される。
The object to be processed is rotated while being held by the spin head. During this rotation, first, the part to be cleaned of the workpiece is
The first cleaning liquid is sprayed by the nozzle device to perform primary cleaning.

続いて、1次洗浄部には第2ノズル装置により第2洗浄
液が吹き付けられる。これにより、1次洗浄に使用され
ることによって被処理物に付着した第1洗浄液が第2洗
浄液によって洗い落とされる2次洗浄が実施される。
Subsequently, the second cleaning liquid is sprayed onto the primary cleaning section by the second nozzle device. Thereby, secondary cleaning is performed in which the first cleaning liquid that has adhered to the object to be processed due to being used in the primary cleaning is washed off by the second cleaning liquid.

次いで、第2洗浄液の供給が停止されるとともに、被処
理物が空回転されて遠心脱水作業が実施される。このと
き、被処理物には2次洗浄に使用されることによって第
1洗浄液が洗い落とされ、第2洗浄液だけが付着してお
り、しかも、この第2洗浄液は第1洗浄液よりも粘度が
低いため、被処理物は遠心脱水により充分に乾燥される
こと番こなる。
Next, the supply of the second cleaning liquid is stopped, and the object to be processed is rotated idly to perform centrifugal dewatering. At this time, the first cleaning liquid is washed off by being used for secondary cleaning, and only the second cleaning liquid is attached to the object, and furthermore, this second cleaning liquid has a lower viscosity than the first cleaning liquid. Therefore, the object to be treated must be sufficiently dried by centrifugal dehydration.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の一実施例である洗浄乾燥装置が組み込
まれている塗布装置を示す縦断面図、第2図および第3
図はその作用を説明するための各縦断面図である。
FIG. 1 is a longitudinal cross-sectional view showing a coating device incorporating a cleaning and drying device according to an embodiment of the present invention, and FIGS.
The figures are longitudinal cross-sectional views for explaining the effects.

本実施例において、この塗布装置は感光性ポリイミドを
ウェハ上に塗布するものとして構成されており、この塗
布装置には本発明に係る洗浄乾燥装置がウェハ裏面に付
着した感光性ポリイミドの異物を除去するものとして、
一体的に組み込まれている。この塗布装置は処理容器1
を備えており、この容器lの内部にはスピンヘッド2が
適当な駆動手段(図示せず)により回転されるように設
けられている。スピンヘッド2は被処理物としてのウェ
ハ7を真空吸着等により保持し得るように構成されてい
る。そして、このスピンヘッド2は塗布作業と洗浄乾燥
作業とに兼用されるようになっている。処理容器1の上
面における略中央部には給気口3が開設されており、処
理容器lの底壁におけるスピンヘッド2の外方位置には
排気口4が開設されている。処理容器1内におけるスピ
ンヘッド2の中心の真上には、感光性ポリイミドの溶液
を使用される塗布材5を滴下するための滴下管6が挿入
されており、滴下管6と処理容器lとは適当な手段(図
示せず)によって相対的に昇降されるようになっている
In this embodiment, this coating device is configured to coat photosensitive polyimide onto a wafer, and this coating device is equipped with a cleaning and drying device according to the present invention to remove foreign matter from the photosensitive polyimide attached to the back surface of the wafer. As something to do,
integrated. This coating device is a processing container 1.
A spin head 2 is provided inside the container 1 so as to be rotated by a suitable drive means (not shown). The spin head 2 is configured to be able to hold a wafer 7 as an object to be processed by vacuum suction or the like. This spin head 2 is used for both coating work and cleaning and drying work. An air supply port 3 is provided approximately at the center of the upper surface of the processing container 1, and an exhaust port 4 is provided at a position outside the spin head 2 on the bottom wall of the processing container 1. Directly above the center of the spin head 2 in the processing container 1, a dropping tube 6 for dropping a coating material 5 using a photosensitive polyimide solution is inserted, and the dropping tube 6 and the processing container 1 are connected to each other. are adapted to be raised and lowered relative to each other by suitable means (not shown).

この塗布装置には洗浄乾燥装置における第1ノズル装置
および第2ノズル装置が組み込まれている。すなわち、
処理容器lの底壁には第1ノズル装置10のノズル11
が吹出口をウェハ7の裏面外周縁に向けられて設備され
ており、このノズル11には第1洗浄液供給装置13が
送液路14および制御弁15を介して接続されている。
This coating device incorporates a first nozzle device and a second nozzle device in the cleaning/drying device. That is,
The nozzle 11 of the first nozzle device 10 is installed on the bottom wall of the processing container l.
A first cleaning liquid supply device 13 is connected to this nozzle 11 via a liquid supply path 14 and a control valve 15.

この供給装置13は感光性ポリイミド溶液の溶媒である
ピロリジオン12を第1洗浄液として供給するように構
成されている。また、処理容器1の底壁には第2ノズル
装置20のノズル21が吹出口を第1ノズル11の吹出
口よりもウェハ7の裏面外周縁における内側寄りに向け
られて設備されており、この第2ノズル21には第2洗
浄液供給装置23が送液路24および制御弁25を介し
て接続されている。この供給装置23は純水22を第2
洗浄液として供給するようになっている。
This supply device 13 is configured to supply pyrrolidione 12, which is a solvent for the photosensitive polyimide solution, as a first cleaning liquid. Further, a nozzle 21 of a second nozzle device 20 is installed on the bottom wall of the processing container 1, with its outlet facing closer to the inside of the outer peripheral edge of the back surface of the wafer 7 than the outlet of the first nozzle 11. A second cleaning liquid supply device 23 is connected to the second nozzle 21 via a liquid supply path 24 and a control valve 25 . This supply device 23 supplies pure water 22 to a second
It is designed to be supplied as a cleaning liquid.

次に、前記構成に係る洗浄乾燥装置を備えた塗布装置の
使用方法、並びに作用をウェハ上に感光性ポリイミド溶
液を塗布するとともに、洗浄乾燥する場合につき説明す
る。
Next, the method of using and the operation of the coating apparatus equipped with the cleaning and drying apparatus according to the above structure will be described in connection with coating a photosensitive polyimide solution on a wafer and cleaning and drying it.

ここで、塗布材5として使用される感光性ポリイミド樹
脂液は、ポリイミド・イソ・インドロ・キナ・ゾリンジ
オン(P[Q)等のポリイミド樹脂にレジストを加え、
ノーマル・メチル・ピロリジオン(NMP)等のような
ポリイミド樹脂用の溶媒を使用して得られた溶液であり
、20〜4・0ボイズのようにスピンナ塗布するのには
比較的高粘度を有する塗布材になっている。この感光性
ポリイミドは半導体装置の製造工程において、ウェハ上
に保護膜を形成するとともに、その保護膜に電極パッド
を露出させるためのホール(以下、ホールという。)を
穿孔するのに使用すると、リソグラフィー処理を簡単化
させることができる。
Here, the photosensitive polyimide resin liquid used as the coating material 5 is made by adding a resist to a polyimide resin such as polyimide iso indolo cina zolinedione (P[Q), etc.
It is a solution obtained using a solvent for polyimide resin such as normal methyl pyrrolidione (NMP), and has a relatively high viscosity for spinner coating, such as 20 to 4.0 voids. It is made of wood. In the manufacturing process of semiconductor devices, this photosensitive polyimide is used to form a protective film on a wafer and to punch holes in the protective film to expose electrode pads (hereinafter referred to as holes). Processing can be simplified.

まず、第1図に示されているように、被塗布物としての
ウェハ7がスピンヘッド2上に載せられて真空吸着等の
手段により保持されると、ウェハ7が回転される。この
回転が安定したところで、滴下管6から塗布材5がウェ
ハ9の中心上に滴下されると、塗布材5は遠心力によっ
て放射方向に拡散され、ウェハ7の表面に塗布膜8が形
成されることになる。このとき、第1図に実線矢印で示
されているように、給気口3から排気口4の方向に気流
が形成されることにより、塗布材5の飛沫がウェハ9の
表面に付着することを防止される。
First, as shown in FIG. 1, when a wafer 7 as an object to be coated is placed on the spin head 2 and held by means such as vacuum suction, the wafer 7 is rotated. When this rotation becomes stable, the coating material 5 is dropped onto the center of the wafer 9 from the dropping tube 6, and the coating material 5 is spread in the radial direction by centrifugal force, forming a coating film 8 on the surface of the wafer 7. That will happen. At this time, as shown by the solid line arrow in FIG. will be prevented.

ところで、ウェハ上にホール付きの保護膜を形成すべく
感光性ポリイミド溶液を塗布材として使用した場合、所
期の感光性能および保持膜としての膜厚を得る必要上、
塗布材としての感光性ポリイミド溶液の粘度を比較的高
く設定する必要がある。そして、このような粘度が高い
塗布材を遠心力により均一に引き延ばすためにはスピン
ヘッドの回転数が大きく設定される。その結果、ウェハ
表面に塗布された塗布材がスピンヘッドの遠心力により
ウェハ裏面に回り込むため、第1図に示されているよう
に、ウェハ裏面外周縁部に回り込んだ塗布材5が異物9
として付着することになる。
By the way, when a photosensitive polyimide solution is used as a coating material to form a protective film with holes on a wafer, it is necessary to obtain the desired photosensitive performance and film thickness as a retention film.
It is necessary to set the viscosity of the photosensitive polyimide solution as a coating material to be relatively high. In order to uniformly spread such a highly viscous coating material by centrifugal force, the rotation speed of the spin head is set high. As a result, the coating material applied to the wafer surface wraps around to the back surface of the wafer due to the centrifugal force of the spin head, and as shown in FIG.
It will be attached as.

このようにして、裏面の外周縁部に異物が付着したまま
ウェハが次工程へ送られると、異物がウェハから不慮に
脱落することにより、そのウェハや、他のウェハの表面
が汚染される。また、異物が付着したままのウェハがヒ
ータの加熱等によってベーキングやキュアされる場合に
は、そのヒータが汚染される。さらに、ウェハが弗酸を
使用されるウェットエツチングによりその裏面を削除さ
れる場合には、ウェハ裏面の異物が付着した傾城がエツ
チングされないため、エツチング残りが発生する。
In this manner, if the wafer is sent to the next process with foreign matter attached to the outer peripheral edge of the back surface, the foreign matter may accidentally fall off the wafer, contaminating the surfaces of that wafer and other wafers. Further, when a wafer with foreign matter still attached is baked or cured by heating with a heater, the heater becomes contaminated. Further, when the back surface of a wafer is removed by wet etching using hydrofluoric acid, etching remains are generated because the slopes on the back surface of the wafer to which foreign matter has adhered are not etched.

そこで、本実施例においては、次のような洗浄および乾
燥作業によりウェハ裏面に付着した異物が完全に除去さ
れる。
Therefore, in this embodiment, the foreign matter adhering to the back surface of the wafer is completely removed by the following cleaning and drying operations.

まず、ウェハ7の表面上に所望の塗布膜8が形成される
と、第2図に示されているように、第1ノズル装置10
における制御弁15が開かれることにより、第1洗浄液
としてのピロリジオン12が供給装置13から送液路1
4を介して第1ノズル11に供給され、ピロリジオン1
2が第1ノズル11により回転中のウェハ7の裏面にお
ける外周縁部に付着した異物9に吹き付けられる。この
ピロリジオン12は塗布膜8を形成する感光性ポリイミ
ド溶液の溶媒であるため、同質の異物9は溶融される。
First, when the desired coating film 8 is formed on the surface of the wafer 7, as shown in FIG.
By opening the control valve 15 in
4 to the first nozzle 11, and the pyrrolidione 1
2 is sprayed by the first nozzle 11 onto the foreign matter 9 attached to the outer peripheral edge of the back surface of the rotating wafer 7. Since this pyrrolidione 12 is a solvent for the photosensitive polyimide solution forming the coating film 8, the homogeneous foreign matter 9 is melted.

溶融された異物9はピロリジオン12と一緒に、遠心力
によりウェハ7の裏面がら飛散される。
The melted foreign matter 9 is scattered from the back surface of the wafer 7 together with the pyrrolidione 12 by centrifugal force.

しかし、ピロリジオン12は比較的粘度が高い溶剤であ
るため、異物9を溶融させて飛散させた後、若干量がウ
ェハ7の裏面に付着して残存してしまう。
However, since the pyrrolidione 12 is a solvent with relatively high viscosity, after the foreign matter 9 is melted and scattered, a small amount remains attached to the back surface of the wafer 7.

そこで、本実施例においては、第1洗浄液としてのピロ
リジオン12の吹き付は後、第2ノズル装置20により
第2洗浄液としての純水22がウェハ7に吹き付けられ
て、残存したピロリジオンが洗い流される。
Therefore, in this embodiment, after spraying the pyrrolidione 12 as the first cleaning liquid, the second nozzle device 20 sprays the pure water 22 as the second cleaning liquid onto the wafer 7 to wash away the remaining pyrrolidione.

すなわち、第3図に示されているように、第2ノズル装
置20における制御弁25が開かれることにより、第2
洗浄液としての純水22が送液路24を介して第2ノズ
ル21に供給され、純水22が第2ノズル21により、
回転中のウニハフ裏面における外周縁に付着残存したピ
ロリジオン12に吹き付けられる。そして、この純水2
2はウェハに付着したピロリジオン12に混入してその
粘度を低下させるとともに、その吹き付は力によりピロ
リジオン12をウェハから洗い落とすことになる。
That is, as shown in FIG. 3, by opening the control valve 25 in the second nozzle device 20, the second
Pure water 22 as a cleaning liquid is supplied to the second nozzle 21 via the liquid supply path 24, and the pure water 22 is
It is sprayed onto the pyrrolidione 12 remaining attached to the outer peripheral edge of the back surface of the rotating sea urchin huff. And this pure water 2
2 mixes into the pyrrolidione 12 adhering to the wafer and lowers its viscosity, and its spraying causes the force to wash off the pyrrolidione 12 from the wafer.

このようにして、ウェハ7に付着残存したピロリジオン
12は純水22によって完全に洗い落とされるが、今度
は純水22がウェハ7の裏面に付着して残存することに
なる。
In this way, the pyrrolidione 12 remaining on the wafer 7 is completely washed away by the pure water 22, but the pure water 22 now remains on the back surface of the wafer 7.

そこで、本実施例においては、ウェハ7がスピンヘッド
2により高速回転されることにより、ウェハ7に付着し
た純水22が遠心脱水される。このとき、純水22はピ
ロリジオン12に比較して粘度が低いため、遠心力だけ
によっても充分に脱水される。その結果、ウェハ7は完
全に乾燥されることになる。
Therefore, in this embodiment, the wafer 7 is rotated at high speed by the spin head 2, so that the pure water 22 adhering to the wafer 7 is centrifugally dehydrated. At this time, since the pure water 22 has a lower viscosity than the pyrrolidione 12, it can be sufficiently dehydrated by centrifugal force alone. As a result, the wafer 7 will be completely dried.

前記実施例によれば次の効果が得られる。According to the embodiment described above, the following effects can be obtained.

(1)  被処理物を第1洗浄液によって1次洗浄した
後、第1洗浄液の粘度を低下させる第2洗浄液を使用し
て2次洗浄し、この2次洗浄によって第1洗浄液を洗い
落とし、その後、遠心脱水作業により2次洗浄に使用し
た第2洗浄液を被処理物から除去することにより、第1
洗浄液として比較的高い粘度の液体が使用された場合で
あっても、被処理物を完全に洗浄かつ乾燥させることが
できるため、被処理物の2次汚染や、周辺機器の汚染お
よび被処理物の後処理不良の発生等を防止することがで
きる。
(1) After the object to be treated is primarily cleaned with the first cleaning liquid, it is secondly cleaned using a second cleaning liquid that reduces the viscosity of the first cleaning liquid, and the first cleaning liquid is washed away by this secondary cleaning, and then, By removing the second cleaning liquid used for the secondary cleaning from the processed material through centrifugal dehydration, the first
Even when a relatively high viscosity liquid is used as a cleaning liquid, the object to be processed can be completely cleaned and dried, thereby preventing secondary contamination of the object, contamination of peripheral equipment, and the object to be processed. It is possible to prevent the occurrence of post-processing defects.

(2)感光性ポリイミド膜をウェハに塗布する工程にお
いて、ウェハの裏面に付着した感光性ポリイミド異物を
完全に洗浄し、かっ、ウェハを完全に乾燥させることに
より、感光性ポリイミド膜によってホール付きの保護膜
を形成するのを実現化させることができるため、保護膜
の形成工程においてリソグラフィー処理を前車化させる
ことができる。
(2) In the process of applying the photosensitive polyimide film to the wafer, the photosensitive polyimide foreign matter adhering to the back side of the wafer is completely cleaned, and the wafer is completely dried. Since it is possible to realize the formation of the protective film, the lithography process can be carried out in the process of forming the protective film.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor.

例えば、第1洗浄液としては、ピロリジオンを使用する
に限らず、他の溶剤を使用してもよい。
For example, the first cleaning liquid is not limited to using pyrrolidione, but other solvents may also be used.

また、第2洗浄液としては純水を使用するに限らず、イ
ソピロピルアルコール(IPA)等のアルコールや、ア
セトン、シンナ、キシレン等を使用してもよい。
Further, the second cleaning liquid is not limited to pure water, but may also be alcohol such as isopropyl alcohol (IPA), acetone, thinner, xylene, or the like.

また、ノズルの形状、構造や、洗浄液の供給量、供給時
間、撒布形状、流量、流速、流圧および温度等は、被処
理物に形成される被膜の種類、粘度、形成すべき膜厚、
被処理物の径、処理容器の形状、構造、排気量等々の種
々の条件に対応して最適化することが望ましい。
In addition, the shape and structure of the nozzle, the amount of cleaning liquid supplied, the supply time, the spraying shape, the flow rate, the flow velocity, the flow pressure, and the temperature, etc., are determined by the type of film to be formed on the object to be treated, the viscosity, the film thickness to be formed,
It is desirable to optimize the process in accordance with various conditions such as the diameter of the object to be processed, the shape and structure of the processing container, and the displacement volume.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハ上に感光性ポ
リイミドを塗布する技術に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、マスクにレジス
トを塗布する場合、さらには、被処理物上に現像液を供
給して被膜を形成する場合等にも適用することができる
。特に、本発明によれば、被処理物上に高粘度の溶液を
供給して引き延ばし、被処理物上に被膜を形成する場合
に適用して優れた効果が得られる。
In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to the technology for coating photosensitive polyimide on a wafer, which is the background application field, but it is not limited to this. It can also be applied to the case where a resist is applied to the object to be processed, and furthermore, the case where a developing solution is supplied onto the object to be processed to form a film. In particular, according to the present invention, excellent effects can be obtained when applied to the case where a high viscosity solution is supplied and stretched onto an object to be processed to form a film on the object to be processed.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.

被処理物を第1洗浄液によって1次洗浄した後、第1洗
浄液の粘度を低下させる第2洗浄液を使用して2次洗浄
し、この2次洗浄によって第1洗浄液を洗い落とし、そ
の後、遠心脱水作業により2次洗浄に使用した第2洗浄
液を被処理物から除去することにより、第1洗浄液とし
て比較的高い粘度の液体が使用された場合であっても、
被処理物を完全に洗浄かつ乾燥させることができるため
、被処理物の2次汚染や、周辺機器の汚染および被処理
物の後処理不良の発生等を防止することができる。
After the object to be processed is first washed with the first washing liquid, it is secondly washed using a second washing liquid that reduces the viscosity of the first washing liquid, and the first washing liquid is washed off by this second washing, and then centrifugal dehydration work is performed. By removing the second cleaning liquid used for the secondary cleaning from the workpiece, even if a relatively high viscosity liquid is used as the first cleaning liquid,
Since the object to be processed can be completely cleaned and dried, it is possible to prevent secondary contamination of the object, contamination of peripheral equipment, and poor post-processing of the object.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例である洗浄乾燥装置が組み込
まれている塗布装置を示す縦断面図、第2図および第3
図はその作用を説明するための各縦断面図である。 1・・・処理容器、2・・・スピンヘッド、3・・・給
気口、4・・・排気口、5・・・塗布材(感光性ポリイ
ミド)、6・・・滴下管、7・・・ウェハ(被処理物)
、8・・・塗布膜(感光性ポリイミド膜)、9・・・異
物、10・・・第1ノズル装置、11・・・ノズル、1
2・・・ピロリジオン(第1洗浄液)、13・・・ピロ
リジオン供給装置、20・・・第2ノズル装置、21・
・・ノズル、22・・・純水(第2洗浄液)、23・・
・純水供給装置。 第1図 第2図 2  スぴンΔγド γ・  ヤルハO咬メe砕(和)
FIG. 1 is a longitudinal cross-sectional view showing a coating device incorporating a cleaning and drying device according to an embodiment of the present invention, and FIGS.
The figures are longitudinal cross-sectional views for explaining the effects. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Processing container, 2... Spin head, 3... Air supply port, 4... Exhaust port, 5... Coating material (photosensitive polyimide), 6... Dripping pipe, 7... ...Wafer (processed object)
, 8... Coating film (photosensitive polyimide film), 9... Foreign matter, 10... First nozzle device, 11... Nozzle, 1
2... Pyrrolidione (first cleaning liquid), 13... Pyrrolidione supply device, 20... Second nozzle device, 21.
...Nozzle, 22...Pure water (second cleaning liquid), 23...
・Pure water supply device. Fig. 1 Fig. 2 Fig. 2 Spin Δγ de γ・ Yaruha O bite e fracture (sum)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、被処理物を保持して回転乾燥させるスピンヘッドと
、被処理物に第1洗浄液を吹き付ける第1ノズル装置と
、被処理物に第1洗浄液の粘度を低下させる第2洗浄液
を吹き付ける第2ノズル装置とを備えていることを特徴
とする洗浄乾燥装置。 2、前記被処理物が感光性ポリイミド膜を塗布されてい
るウェハであり、前記第1洗浄液として感光性ポリイミ
ド膜の溶剤が使用され、前記第2洗浄液としてこの溶剤
の粘度を低下させる液体が使用されることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の洗浄乾燥装置。
[Claims] 1. A spin head that holds and rotates the object to be processed to dry it, a first nozzle device that sprays the first cleaning liquid onto the object, and a first nozzle device that reduces the viscosity of the first cleaning liquid onto the object. 2. A washing/drying device comprising: a second nozzle device for spraying a second washing liquid. 2. The object to be processed is a wafer coated with a photosensitive polyimide film, a solvent for the photosensitive polyimide film is used as the first cleaning liquid, and a liquid that reduces the viscosity of this solvent is used as the second cleaning liquid. The washing/drying apparatus according to claim 1, characterized in that:
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0536661A (en) * 1991-07-26 1993-02-12 Fujitsu Ltd Cleaning method
WO1998002905A2 (en) * 1996-07-15 1998-01-22 Oliver Design, Inc. Wafer spin dryer and method of drying a wafer
US6582137B1 (en) * 1999-08-05 2003-06-24 Nec Electronics, Inc. Polyimide coating process with dilute TMAH and DI-water backrinse

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0536661A (en) * 1991-07-26 1993-02-12 Fujitsu Ltd Cleaning method
JP2626324B2 (en) * 1991-07-26 1997-07-02 富士通株式会社 Cleaning method
WO1998002905A2 (en) * 1996-07-15 1998-01-22 Oliver Design, Inc. Wafer spin dryer and method of drying a wafer
WO1998002905A3 (en) * 1996-07-15 1998-05-07 Oliver Design Inc Wafer spin dryer and method of drying a wafer
US6012470A (en) * 1996-07-15 2000-01-11 Lam Research Corporation Method of drying a wafer
US6024107A (en) * 1996-07-15 2000-02-15 Lam Research Corporation Apparatus for cleaning robot end effector
US6213136B1 (en) 1996-07-15 2001-04-10 Lam Research Corporation Robot end-effector cleaner and dryer
US6582137B1 (en) * 1999-08-05 2003-06-24 Nec Electronics, Inc. Polyimide coating process with dilute TMAH and DI-water backrinse

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